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JP2000098584A - マスクパタ―ン補正方法及びマスクパタ―ン補正プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

マスクパタ―ン補正方法及びマスクパタ―ン補正プログラムを記録した記録媒体

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Publication number
JP2000098584A
JP2000098584A JP14037799A JP14037799A JP2000098584A JP 2000098584 A JP2000098584 A JP 2000098584A JP 14037799 A JP14037799 A JP 14037799A JP 14037799 A JP14037799 A JP 14037799A JP 2000098584 A JP2000098584 A JP 2000098584A
Authority
JP
Japan
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pattern
mask pattern
edge
correction
edge position
Prior art date
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Application number
JP14037799A
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English (en)
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JP4160203B2 (ja
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Toshiya Kotani
敏也 小谷
Satoshi Tanaka
聡 田中
Soichi Inoue
壮一 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14037799A priority Critical patent/JP4160203B2/ja
Priority to US09/358,824 priority patent/US6221539B1/en
Publication of JP2000098584A publication Critical patent/JP2000098584A/ja
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Publication of JP4160203B2 publication Critical patent/JP4160203B2/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】パターンエッジ位置の移動量を、少ない計算回
数で短時間に、高精度に最適化する。 【解決手段】第１のマスクパターン１を構成する全ての
エッジ位置を所定の変化量だけ移動させた第２のマスク
パターンを作成し、第１のマスクパターン１により転写
される第１の仕上がり平面形状と、第２のマスクパター
ンにより転写される第２の仕上がり平面形状とを計算又
により求め、第１及び第２の仕上がり平面形状の各エッ
ジ位置の寸法差を変化量で割った係数を各エッジ毎に算
出して割り当て、設計パターンと第１の仕上がり平面形
状との寸法差を各エッジ毎に割り当てられた係数で割っ
た大きさだけ第１のマスクパターン１のエッジ位置を各
エッジ毎に移動させた補正パターンを作成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光近接効果補正に
おいてパターンエッジ位置を補正する際に有用なマスク
パターン補正方法及びマスクパターンを補正プログラム
を記録した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造技術の進歩は非常にめ
ざましく、最小加工寸法０．２５μｍサイズの半導体が
生産されるようになった。このような微細化は光リソグ
ラフィ技術と呼ばれる微細パターン形成技術の飛躍的な
進歩により実現されている。光リソグラフィとはＬＳＩ
の設計パターンからマスクを作成し、このマスクに光を
照射し、投影光学系によってマスク上に描かれたパター
ンに従ってウェハ上に塗布されているレジストを感光さ
せ、この感光分布にしたがってレジストを現像し、ウェ
ハ上にレジストパターンを形成する一連の工程のことで
ある。この工程によって形成されたレジストパターンを
覆いにして下地をエッチングすることによって、ＬＳＩ
パターンをウェハ上に形成する。
【０００３】パターンサイズが投影光学系の限界解像力
に比べて十分大きい時代には、ウェハ上に形成したいＬ
ＳＩパターンの平面形状がそのまま設計パターンとして
描かれ、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作
成し、そのマスクパターンを投影光学系によってウェハ
上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設
計パターン通りのパターンがウェハ上に形成できた。し
かしパターンの微細化が進むにつれて光近接効果が顕著
になり、設計パターン通りに作成したマスクでは、ウェ
ハ上に形成されるパターンが設計パターンと異なってし
まい、それに伴う弊害が顕著になり始めた。
【０００４】例えば、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
パターンでは、同じウェハ面内にある疎パターンと密パ
ターンの仕上がり線幅は、その疎密の程度の違いにより
異なってしまう。また同様にコンタクトホールなどの二
次元的なパターンでも、その仕上がり平面形状は疎密の
程度の違いによって異なってしまう。そのため、疎パタ
ーンと密パターンとを所望寸法に仕上げる露光量がそれ
ぞれのパターンで異なってしまい、リソグラフィ工程で
必要とされる露光量マージンを得ることができなくな
る。
【０００５】そこで、ある決められた露光量で露光した
ときの仕上がり平面形状が、パターンの疎密によらず、
ある所定の寸法以内に仕上がるようにパターンエッジ位
置を移動させる方法が提案されている。これを光近接効
果補正と呼んでおり、パターンエッジ位置の移動量は以
下に示す手法で最適化される場合が多い。
【０００６】（１）所望のマスクパターンのウェハ上換
算したエッジ位置と、そのマスクパターンを像強度計算
して得られる仕上がり平面形状のエッジ位置との寸法差
Δｘi1を算出する。ここで、ｉはエッジ位置に対応し、
またその後に続く添え字は繰り返し計算の回数を示す。
【０００７】（２）各エッジ位置での寸法差Δｘi1を一
律定数Ｍで規格化された長さΔＣ＝Δｘi1／Ｍだけ、所
望パターンの各エッジ位置を移動させる。
【０００８】（３）（２）で作成されたパターンの仕上
がり平面形状のエッジ位置と所望パターンのエッジ位置
との寸法差Δｘinがある所定の許容値以下になるまで、
（１）及び（２）の計算を繰り返し行う。
【０００９】しかし、上記定数Ｍは、実際のパターン露
光においては各エッジ毎に異なる値を持つので、各エッ
ジ毎に一律に定数Ｍを用いて補正パターンを作成する
と、多くの繰り返し計算を必要とし、多大な時間を要す
る。また上記Ｍの値と実際にエッジが持つＭの値とが大
きく異なると、繰り返しｎ回の計算を行って得られた寸
法差Δｘinが＋方向と−方向に振動してしまい、計算が
収束しないことがある。そのため補正可能なパターンで
あっても、パターン配置によってはエッジ位置の移動量
を最適化することができないこともある。
【００１０】図２２は従来手法で補正を行った場合の補
正計算回数と補正結果との関係を示す図である。横軸は
計算の繰り返し回数、縦軸は補正後のマスク寸法を表
す。空間像計算の場合、補正回数に応じてマスク寸法は
振動しており、空間像計算に加えて現像も考慮して計算
を行った場合には発散してしまい、両者とも収束しなか
った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
マスクパターン補正方法では、パターンを構成するエッ
ジ位置の移動量を最適化するために各エッジに対して一
律に定数Ｍを用いて補正パターンを作成する方法では、
多大な時間を要し、かつ補正可能なパターンであって
も、パターン配置によっては計算が発散して、エッジ位
置の移動量を最適化することができないことがある。
【００１２】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、補正に要する時間
を大幅に短縮し、高精度な補正を可能とするマスクパタ
ーン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録
した記録媒体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマスクパタ
ーン補正方法は、投影光学系により設計パターンをウェ
ハ上に形成するために用いられるマスクパターン補正方
法において、第１のマスクパターンを構成する各エッジ
位置を所定の変化量だけ移動させた第２のマスクパター
ンを作成する第１の工程と、前記第１のマスクパターン
により転写される第１の仕上がり平面形状と、前記第２
のマスクパターンにより転写される第２の仕上がり平面
形状とを計算又は実験により求める第２の工程と、前記
第１及び第２の仕上がり平面形状の各エッジ位置の寸法
差を前記変化量で割った係数を各エッジ毎に算出して割
り当てる第３の工程と、前記設計パターンと前記第１の
仕上がり平面形状との寸法差を前記各エッジ毎に割り当
てられた前記係数で割った大きさだけ前記第１のマスク
パターンのエッジ位置を各エッジ毎に移動させた補正パ
ターンを作成する第４の工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１４】本発明の望ましい形態を以下に示す。
【００１５】（１）設計パターンと補正パターンによる
仕上がり平面形状との各エッジ位置の寸法差が所定の裕
度になるまで、設計パターンと補正パターンの仕上がり
平面形状との寸法差を係数で割った大きさだけ補正パタ
ーンの各エッジ位置を移動させた新たな補正パターンを
作成する工程を繰り返し行う。
【００１６】（２）各エッジ位置の寸法差とは、前記各
エッジの中心位置での寸法差である。
【００１７】（３）各エッジは、設計平面上でマスク描
画装置の描画グリッド幅の整数倍となる所定の長さにそ
れぞれ予め分割され、該分割されたエッジ毎に寸法差及
び係数を算出して割り当てる。
【００１８】（４）上記記載の方法により補正されたマ
スクパターンを含むフォトマスクをパターン転写に用い
る。
【００１９】（５）係数は、第１のマスクパターンを構
成する複数のエッジ位置のうちの一部のみを所定の変化
量だけ移動させた第２のマスクパターンを複数作成する
ことにより、一部のエッジ位置の移動が他のエッジ位置
の寸法変動に対して与える影響を考慮して算出する。
【００２０】（６）（５）における係数の算出する工程
は、複数のエッジ位置のうちの一部のみを所定の変化量
だけ移動させた第２のマスクパターンを複数作成し、こ
れら複数の第２のマスクパターンによる仕上がり平面形
状を求める工程と、これら仕上がり平面形状と第１のマ
スクパターンによる仕上がり平面形状の各エッジ位置の
寸法差を算出し、これら複数の寸法差を第１のマスクパ
ターンに対する第２のマスクパターンの変化量で割った
マトリクス状の係数を算出する工程を含む。
【００２１】また、別の本発明に係るマスクパターン補
正方法は、投影光学系により設計パターンをウェハ上に
形成するために用いられるマスクパターン補正方法にお
いて、第１のマスクパターンにより転写される仕上がり
平面形状のエッジ位置が前記設計パターンのエッジ位置
と等しくなる露光量と、予め定められた基準露光量とが
一致するように前記第１のマスクパターンのエッジ位置
を各エッジ毎に移動させて補正パターンを作成すること
を特徴とする。
【００２２】また、別の本発明に係るマスクパターン補
正方法は、投影光学系により設計パターンをウェハ上に
形成するために用いられるマスクパターン補正方法にお
いて、第１のマスクパターンを構成する各エッジ位置を
所定の変化量だけ移動させた第２のマスクパターンを作
成する第１の工程と、前記第１のマスクパターンにより
転写される第１の仕上がり平面形状と、前記第２のマス
クパターンにより転写される第２の仕上がり平面形状と
を、露光量を変化させて計算又は実験によりそれぞれ求
める第２の工程と、前記第１の仕上がり平面形状のエッ
ジ位置が前記設計パターンのエッジ位置と等しくなる第
１の露光量と、前記第２の仕上がり平面形状のエッジ位
置が前記設計パターンのエッジ位置と等しくなる第２の
露光量とを各エッジ毎に求め、該第１及び第２の露光量
の差分を前記変化量で割った係数を各エッジ毎に算出し
て割り当てる第３の工程と、前記第１の露光量と予め定
められた基準露光量との差分を前記係数で割った大きさ
だけ前記第１のマスクパターンのエッジ位置を各エッジ
毎に移動させた補正パターンを作成する第４の工程とを
具備してなることを特徴とする。
【００２３】ここで、予め定められた基準露光量とは、
あるマスクパターンにより転写される仕上がり平面形状
が所望通りに仕上がるための露光量を表す。そのマスク
パターンは、同一層に存在するすべてのパターンのう
ち、露光マージンが最も小さいパターンであることが望
ましい。
【００２４】例えば、ＤＲＡＭのゲート層や配線層を想
定した場合、セルと呼ばれるライン＆スペースパターン
を所望に仕上げる露光量を上記基準露光量とするのが望
ましい。
【００２５】本発明の望ましい形態を以下に示す。
【００２６】（１）前記基準露光量と、前記第１の露光
量との露光量差分が所定の裕度になるまで、前記補正パ
ターンにより転写される仕上がり平面形状のエッジ位置
が前記設計パターンのエッジ位置と等しくなる露光量と
前記基準露光量との差分を前記係数で割った大きさだ
け、前記補正パターンの各エッジ位置を移動させた新た
な補正パターンを作成する工程を繰り返し行うことを特
徴とする請求項７又は８に記載のマスクパターン補正方
法。
【００２７】（２）前記仕上がり平面形状のエッジ位置
が前記設計パターンのエッジ位置と等しくなる露光量
は、前記各エッジ位置での中心位置を基準に決定する。
【００２８】（３）前記各エッジは、設計平面上でマス
ク描画装置の描画グリッド幅の整数倍となる所定の長さ
にそれぞれ予め分割され、該分割されたエッジ毎に前記
露光量差分及び前記計数を算出して割り当てる。
【００２９】（４）前記係数は、第１のマスクパターン
を構成する複数のエッジ位置のうちの一部のみを所定の
変化量だけ移動させた第２のマスクパターンを複数作成
することにより、一部のエッジ位置の移動による他のエ
ッジ位置での露光量変動も考慮して算出する。
【００３０】また、方法に係る本発明は、コンピュータ
に当該発明に相当する機能を実現させるためのマスクパ
ターン補正プログラムを記録したコンピュータ読み取り
可能な記録媒体としても成立する。
【００３１】（作用）本発明では、エッジ位置が微小に
変動したときの、転写後のウェハ上でのエッジ位置の変
動量を算出し、その変動量に応じてそれぞれのエッジ位
置の移動量を決定する。これにより、補正パターンと所
望パターンとのエッジ位置での寸法差、すなわち所望パ
ターンのエッジ位置の移動量を各エッジ毎に最適化する
ため、少ない繰り返し計算回数で所定の精度を得ること
ができ、従来方法より短時間に補正パターンを作成する
ことができる。また従来方法では計算が発散して、エッ
ジ位置の移動量を最適化することができなかったパター
ンでも高精度に補正することができる。
【００３２】また、別の本発明では、エッジ位置を微小
に変動させ、エッジ位置変動前の仕上がり平面形状と、
エッジ位置変動後の仕上がり平面形状の各エッジ位置が
それぞれ設計パターンに等しくなる露光量を得て、この
得られた各エッジ毎の露光量に応じてマスクパターンの
各エッジを移動させて補正パターンを作成する。この場
合も、各エッジ毎に補正パターンのエッジ移動量を最適
化するため、少ない繰り返し計算回数で所定の精度を得
ることができ、従来方法より短時間に補正パターンを作
成することができる。また、従来方法では計算不可能な
パターンでも高精度に補正することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。
【００３４】（第１実施形態）図１〜図６は本発明の第
１実施形態に係るマスクパターン補正方法を説明するた
めの図である。図１において、１は所望のマスクパター
ンを得るために、設計パターンをそのままの形状で拡大
したマスクパターンであり、ウェハ上換算して線幅０．
１８μｍの１：１のＬ／Ｓパターンである。このマスク
パターン１は長方形で、４つのエッジ１１〜１４を持
つ。
【００３５】このマスクパターン１を用いて実験又は計
算により求められる仕上がり平面形状を図２に示す。図
２において２１はウェハ上に転写された仕上がり平面形
状であり、仕上がり平面形状２１とともに、ウェハ上に
換算したマスクパターン１を破線で示す。マスクパター
ン１は設計パターンに忠実に作成されているため、マス
クパターン１をウェハ上換算したものが設計パターンで
ある。図２から分かるように、ｘ方向に対しては、仕上
がり平面形状２のエッジ位置はマスクパターン１のエッ
ジ位置よりΔＸi （ｉは各エッジ番号に対応する）だけ
内側にあり、ｙ方向に対してはΔＹi だけ内側にある。
【００３６】以下にマスクパターン１を補正する方法を
図３に示すフローチャートを用いて具体的に説明する。
【００３７】まず、図３に示すように、設計パターンを
そのままの形状で拡大したパターンであるマスクパター
ン１を作成する（３１）。次いで、図４に示すように、
マスクパターン１の各エッジ１１，１２，１３，１４を
それぞれ一律に微小量Δｄだけ外側に変化させて輪郭を
広げたマスクパターン４１を作成する。そして、これら
マスクパターン１及び４１を用いて実験又は計算により
仕上がり平面形状を求める（３２）。図５に、求められ
た仕上がり平面形状４２をマスクパターン４１とともに
示す。
【００３８】次いで、図６に示すように、マスクパター
ン１及び４１に基づいて得られた仕上がり平面形状２１
及び４２から、各エッジの中点位置での寸法差ΔＩi を
算出する。そして、各エッジの寸法差ΔＩi を微小変化
量Δｄで割り、各エッジ毎に係数Ｍi ＝Δi ／Δｄを
割り当てる（３３）。そして、設計パターンと仕上がり
平面形状２１との寸法差ΔＸi ，ΔＹi 及び係数Ｍi か
ら以下の式により、マスクパターン１に対する各エッジ
の移動量Δｍxi，Δｍyiを決定する。
【００３９】 Δｍxi＝ΔＸi ／Ｍi …（１） Δｍyi＝ΔＹi ／Ｍi …（２） そして、得られた移動量Δｍxi，Δｍyiだけマスクパタ
ーン１の各エッジ位置を移動させた補正パターンを作成
し（３４）、この補正パターンを用いて実験又は計算に
より仕上がり平面形状を得る（３５）。
【００４０】以上の手法により得られた補正パターンに
よる仕上がり平面形状６１とウェハ上に換算したマスク
パターン１の模式図を図７に示す。仕上がり平面形状６
１は図７のように所望の補正精度が得られ、ほぼ設計パ
ターン通りに仕上げることができた。これにより、補正
パターンの作成は終了する（３６）。なお、従来方法、
すなわち各エッジの係数Ｍi ＝１として所望パターン１
を補正した場合には計算が発散し、補正することができ
なかった。
【００４１】なお、この１回の補正で所定の補正精度を
得ることができない場合には、さらに同様の手法を用い
て繰り返し補正を行うことにより（３７）、さらに高精
度の補正パターンを得ることができる。すなわち、設計
パターンと補正後の仕上がり平面形状６１との各エッジ
中点位置での寸法差ΔＸi2，ΔＹi2を算出し（ｉはエッ
ジ位置、その後に続く添え字は繰り返し計算の回数を示
す）、ΔＸi2，ΔＹi2をＭiで割った大きさ（Δｍxi2
＝ΔＸi2／Ｍi ，Δｍyi2 ＝ΔＹi2／Ｍi ）だけ再び補
正パターンの各エッジ位置を移動させる、という工程
（３７，３４，３５）を繰り返し行えばよい。
【００４２】このように本実施形態によれば、光近接効
果補正におけるパターンエッジ位置の移動量を、少ない
計算回数で短時間に、高精度に最適化することが可能と
なる。また従来方法では計算が発散し、補正できなかっ
たパターン配置でも補正することが可能となる。その結
果、補助パターン等の二次元的な補正が必要があると思
われていたパターン配置でも、エッジ位置の移動だけで
補正できる可能性も見出され、マスク描画データ量やマ
スク描画精度等の点でも種々の利点を得ることができ
る。
【００４３】（第２実施形態）図８〜図１０は本発明の
第２実施形態に係るマスクパターン補正方法を説明する
ための図である。第１実施形態と同様の手法で補正を行
うが、本実施形態の補正の対象となるパターンはコンタ
クトホールである。なお、上記第１実施形態と共通する
部分の説明は省略する。
【００４４】図８において、７１はコンタクトホールの
マスクパターンであり、このマスクパターン７１を用い
て実験又は計算により求められる仕上がり平面形状を７
２に示す。マスクパターン７１の各エッジの長さはウェ
ハ平面上に換算して０．２０μｍであり、その内側が透
明部（透過率１００％）であり、その外側が遮光体のＣ
ｒ（透過率０％）で作られている。マスクパターン７１
を露光波長λ＝０．２４８μｍ、投影光学系の開口数Ｎ
Ａ＝０．６、照明光学系の開口絞りσ＝０．３の通常照
明で露光し、０．３μｍだけデフォーカスさせて、仕上
がり平面形状７２を得た。
【００４５】仕上がり平面形状７２はウェハ上に換算し
たマスクパターン７１より小さく仕上がっているため、
第１実施形態に示した方法と同一の方法で補正を行う。
すなわち、マスクパターン７１に対して各エッジを微小
変化させたマスクパターンを作成し、これらマスクパタ
ーンによる仕上がり平面形状を求め、その各エッジ毎の
寸法差からそれぞれの係数Ｍを算出し、この係数Ｍに基
づいて補正パターンを求める。そして、この計算を二度
繰り返すことにより、計３回の補正を行い、補正パター
ン８１を作成した。
【００４６】このようにして得られた補正パターン８１
を図９に示す。また補正パターン８１を像強度計算して
求められる仕上がり平面形状９１とマスクパターン７１
とを図１０に示す。図８と図１０から分かるように、補
正後の仕上がり平面形状９１は補正前の仕上がり平面形
状７２と比べてウェハ上に換算したマスクパターン７１
の平面形状にかなり近づき、例えば、パターン７１と仕
上がり平面形状９１との許容寸法差を０．２０μｍ±１
０％以下とするのであれば、この程度の繰り返し計算回
数で十分である。より高精度な補正パターンを作成する
ためには、補正パターン８１に対して更に繰り返し計算
を行い、補正精度を向上させればよい。
【００４７】以上で示したように本実施形態によれば、
コンタクトホールパターンの場合も、少ない繰り返し計
算回数で高精度な補正パターンを作成することができる
ことが見出された。
【００４８】（第３実施形態）図１１は本発明の第３実
施形態に係るマスクパターン補正方法を説明するための
図である。本実施形態は、実デバイスパターンを補正す
る場合を示す。以下、その手法を図１１を用いて説明す
る。
【００４９】図１１（ａ）は、本実施形態の対象とする
実デバイスの設計パターンを示す図である。１０１は設
計パターンである。この設計パターン１０１をそのまま
の形状で縮小してマスクパターンを作成し、このマスク
パターンを構成するすべてのエッジを、予め設計データ
上で描画装置の描画グリッド幅の整数倍となる長さに分
割する。この分割されたマスクパターンを図１１（ｂ）
に示す。図１１（ｂ）において、マスクパターン１０２
のエッジに付された丸印が、エッジを分割する点であ
り、これら丸印に挟まれたエッジすべてについて、それ
ぞれ寸法差ΔＩi，Ｍi を求めることとなる。
【００５０】このとき、上記第１，２実施形態と同様の
補正方法を用いれば、エッジを分割する方法に全く制限
を加える必要がなく、各エッジを細かく分割してもよい
し、大きく分割してもよい。図１１（ｂ）では、エッジ
周辺部でのパターン配置が変化する部分でエッジを分割
した場合の一例である。
【００５１】このようにしてエッジ分割を行った後、第
１実施形態と同様に、まずすべてのエッジを一律にΔｄ
だけ微小変化させたマスクパターン１０３を作成し、パ
ターン１０２，１０３それぞれの仕上がり平面形状１０
４，１０５を求める。そして、仕上がり平面形状１０４
と１０５との分割された各エッジ中心位置での寸法差を
それぞれ算出し、その寸法差をΔｄで割ることにより各
エッジ毎の係数を算出し、これら係数を予め分割された
各エッジ毎にそれぞれ割り当てる。
【００５２】さらに、ウェハ上に換算したマスクパター
ン１０２と仕上がり平面形状１０４との各エッジ中心位
置での寸法差を、各エッジに対応する係数で割った大き
さを分割された各エッジでの移動量とし、これら算出さ
れた移動量をマスクパターン１０１に付加することによ
りマスクパターン１０２を補正する。より高い精度の補
正を必要とするのであれば、第１実施形態と同様に繰り
返し計算を行えばよい。
【００５３】このようにして図１１（ａ）のパターンを
補正した後、補正したフォトマスクを作成して、露光、
現像を行い仕上がり平面形状を測定したところ、ほぼ所
望通りのレジストパターンを作成することができた。
【００５４】以上、実際のデバイスパターンに用いられ
る複雑な配線パターンやゲートパターン等の線状のパタ
ーンを補正する場合も予めエッジを分割することによ
り、少ない繰り返し計算で有効に補正可能なことがわか
る。
【００５５】（第４実施形態）本発明の第４実施形態
は、第２実施形態のコンタクトホールパターン補正方法
のより具体的な手法を示す。以下、本実施形態に係るマ
スクパターン補正方法を図１２に基づいて以下説明す
る。
【００５６】本実施形態では、コンタクトホールパター
ンについての補正パターンを求める際の係数Ｍをマトリ
クス表示した式を以下に示す。
【００５７】
【数１】
【００５８】上式において、係数Ｍijはエッジｉが動い
た場合のｊ方向に対する係数Ｍを、Δｍi はエッジｉの
移動量を、ΔＩi はエッジｉにおける所望寸法からのず
れ量を示す。すなわち、本実施形態で算出する係数Ｍij
は、各エッジがそれぞれ別個に移動した場合、隣接する
エッジや対向するエッジの移動により受ける影響を考慮
した値である。
【００５９】これら複数の係数Ｍを用いた補正方法を図
１１を用いて説明する。
【００６０】まず、設計パターンとマスクパターン１１
１の仕上がり平面形状１１２の各エッジ中心位置での寸
法差ΔＩi を各エッジ毎に求める。次いで、マスクパタ
ーン１１１のエッジｘｌを微小長さΔｄだけ広げたマス
クパターン１１３を作成する。そして、このマスクパタ
ーン１１３による仕上がり平面形状１１４を実験又は計
算により求める。
【００６１】次いで、このように求められた仕上がり平
面形状１１２，１１４より、Ｍxlxlを求める。仕上がり
平面形状１１４が仕上がり平面形状１１２に対してｘｌ
方向に変化した量をΔＸxlxlとすると、Ｍxlxl＝ΔＸ
xlxl／Δｄにより係数Ｍxlxlが求まる。
【００６２】また、係数Ｍxlylを算出するには、エッジ
ｘｌをΔｄだけ微小変動させたときの仕上がり平面形状
１１４のｙｌ方向への変化量ΔＸxlylを算出し、Ｍxlyl
＝ΔＭxlyl／Δｄとなる。
【００６３】同様にして、各エッジを変化させた場合の
仕上がり平面形状のエッジ毎の変化量を算出することに
より、係数Ｍijの各成分を算出することができる。
【００６４】次いで、求められた係数Ｍijの各成分か
ら、マスクパターン１１１を移動すべき変化量を求め
る。移動すべき各エッジの変化量をΔｍi と定義する
と、寸法差ΔＩi と移動量をΔｍi との関係は上記
（３）式のようになる。（３）式において、係数Ｍのマ
トリクスの逆行列を算出することにより各エッジ毎にΔ
ｍi が求まる。そして、求められたΔｍi を基準となる
マスクパターン１１１にエッジ毎に付加することによ
り、補正パターンが完成する。
【００６５】なお、完成した補正パターンが所定の精度
を得ることができない場合には、第１実施形態に示した
手法と同様の手法を用いて繰り返し補正を行うことによ
り、さらに高精度の補正パターンを得ることができる。
【００６６】このように本実施形態によれば、例えばコ
ンタクトホールパターンのように、縦方向へのマスクパ
ターン変化が、横方向への仕上がり平面形状の変化に影
響を及ぼすようなパターンでも比較的短時間に、かつ高
精度に各エッジの補正をすることができる。もちろんコ
ンタクトホールに限らず、同様の効果が予測されるパタ
ーン種であれば、このマスクパターン補正方法が適用で
きる。
【００６７】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はない。上記で示した実施形態は本発明を適用した一例
であり、ここで示した実施形態の他にもパターンエッジ
位置の移動を伴うパターン補正方法において広く適用す
ることができる。
【００６８】（第５実施形態）図１３〜図２１は本発明
の第５実施形態に係るマスクパターン補正方法を説明す
るための図である。上記第１〜第４実施形態では、露光
量が一定の条件の下、寸法変化分から補正パターンを求
める場合を示したが、以下の実施形態では、寸法が一定
の条件の下、露光量差分から補正パターンを求める場合
を示す。以下、図１３に示すフローチャートに沿って説
明する。
【００６９】まず、補正パターン作成の基準とする露光
量（以下、基準露光量Ｉeと称する）を決定する（１３
１）。基準露光量Ｉeの決定に用いられるマスクを図１
４に示す。図１４に示すように、マスク１４１は線幅
０．１５μｍの１：１Ｌ／Ｓパターンである。このマス
ク１４１を用いて、露光マージンを評価する実験又は計
算を行う。そして、このＬ／Ｓパターンを転写するため
の最適な露光量（又はスレッシュホールドレベル）を基
準露光量Ｉeとする。なお、基準露光量の決定に用いら
れるマスクは図１４に示すＬ／Ｓパターンに限定され
ず、例えば１：３Ｌ／Ｓパターン、１：４Ｌ／Ｓパター
ンや、孤立ラインパターン等を含むマスクを用いてもよ
い。
【００７０】次いで、本実施形態における補正パターン
作成の対象とする第１のマスクパターンを作成する（１
３２）。この第１のマスクパターンの具体的な構成を図
１５（ａ）に示す。図１５において、第１のマスクパタ
ーン１５１は所望のマスクパターンを得るために設計パ
ターンをそのままの形状で拡大したパターンである。こ
の第１のマスクパターン１５１はウェハ上換算して線幅
０．１５μｍのラインパターンであり、基準露光量Ｉe
の決定に当たり用いられるマスク１４１を構成するライ
ンパターンと同一の形状である。第１のマスクパターン
１５１は４つのエッジ１５２〜１５５を持つ。
【００７１】この第１のマスクパターン１５１を用い
て、露光量を設定し（１３３）、パターン転写を行い仕
上がり平面形状を得る（１３４）。そして、設定した露
光量を段階的に変化させ、すべての露光量について仕上
がり平面形状が得られると（１３５）、ステップ１３６
に進む。
【００７２】第１のマスクパターン１５１による各露光
量での仕上がり平面形状を図１５（ｂ）に示す。図１５
（ｂ）に示すように、各エッジ１５２〜１５５によっ
て、仕上がり平面形状が設計パターン１５６に等しくな
る最適な露光量は異なる。図１５（ｂ）でＩ２〜Ｉ５で
示したのは、各エッジ１５２〜１５５において仕上がり
平面形状が設計パターン１５６に等しくなる最適な露光
量を表す。本実施形態では、仕上がり平面形状が設計パ
ターン１５６に等しくなる露光量として、各エッジ１５
２〜１５５それぞれの中点位置と仕上がり平面形状のエ
ッジが一致する露光量を用いる。
【００７３】この第１のマスクパターン１５１による最
適露光量の決定を行うのと並行して、第２のマスクパタ
ーンにより、第１のマスクパターン１５１と同様の手法
により仕上がり平面形状を得て、各エッジ毎に最適露光
量を決定する（１３１〜１３５）。この第２のマスクパ
ターンの具体的な構成を図１６（ａ）に示す。図１６
（ａ）に示すように、第２のマスクパターン１６１は破
線で示した第１のマスクパターン１５１のエッジ１５２
〜１５５を一律にΔｄだけ移動したパターンである。こ
の第２のマスクパターン１６１は４つのエッジ１６２〜
１６５を持つ。
【００７４】このようにして得られた第２のマスクパタ
ーン１６１による仕上がり平面形状を図１６（ｂ）に示
す。図１６（ｂ）でＩ２’〜Ｉ５’で示したのは、各エ
ッジ１６２〜１６５において仕上がり平面形状が設計パ
ターン１５６に等しくなる最適な露光量を表す。最適露
光量の決定手法は第１のマスクパターン１５１の場合と
同様である。
【００７５】以上の工程により得られた第１及び第２の
マスクパターン１５１及び１６１についての各エッジ毎
の最適露光量Ｉ２〜Ｉ５，Ｉ２’〜Ｉ５’の値から露光
量差分ΔＩj＝Ｉj−Ｉj'（ｊ：エッジ番号に対応）を求
める。そして、この露光量差分ΔＩjをエッジ移動量Δ
ｄで規格化し、以下の式（４）で示される係数Ｍｊを各
エッジ毎に算出する（１３６）。
【００７６】 Ｍj＝（Ｉj−Ｉj'）／Δｄ …（４） 次に、この係数Ｍjを用いて補正パターンを作成する
（１３７）。本実施形態では、露光量差分ΔＩjを各エ
ッジ毎に算出し、係数Ｍjで割った大きさだけ第１のマ
スクパターン１５１における各エッジ位置を移動させ
る。エッジ移動量ｄjは以下の式（５）で示される。
【００７７】 ｄj＝（Ｉe−Ｉj）／Ｍj …（５） 以上のようにして第１のマスクパターン１５１の各エッ
ジ位置をｄjだけ移動させた補正パターンが作成され
る。そして、得られた補正パターンを用いて転写し、仕
上がり平面形状を算出する（１３８）。得られた仕上が
り平面形状において所定の補正精度が得られた場合には
（１３９）、補正パターンの作成は終了する（１４
０）。
【００７８】一方、補正パターンにより得られた仕上が
り平面形状が所定の補正精度を満足しない場合、露光量
を段階的に変化させて補正パターンの仕上がり平面形状
を得る。そして、得られた仕上がり平面形状に基づい
て、設計パターンの各エッジの中点位置と仕上がり平面
形状とが等しくなる露光量Ｉj2（添え字は補正回数を示
す）を算出する（１４１）。そして、露光量Ｉjより各
エッジ毎に係数Ｍjを算出し、以下の式（６）により求
められたエッジ移動量ｄj2だけ各エッジ位置を移動させ
た新たな補正パターンを作成する（１３７）。
【００７９】 ｄj2＝（Ｉe−Ｉj2）／Ｍj …（６） このように、所定の補正精度が得られない場合には、補
正パターンの各エッジ位置を移動量ｄj2,ｄj3,ｄj4,…
だけさらに移動させた新たな補正パターンを作成する工
程を繰り返し行えばよい。
【００８０】以上の工程により得られた補正パターンを
基準露光量Ｉeにより転写した仕上がり平面形状を設計
パターン１５６とともに図１７（ａ）に示す。なお、比
較のため、補正を行わなかったパターンにより転写され
た仕上がり平面形状を図１７（ｂ）に示す。図１７
（ｂ）に示すように、補正を行わずに転写された仕上が
り平面形状は、設計パターン１５６よりも細い形状とな
っているのに対して、補正パターンにより転写された仕
上がり平面形状は、設計パターン１５６のエッジに一致
しており、ほぼ所望通りに仕上げることができたことが
分かる。
【００８１】以上に示した補正パターンの作成をシミュ
レーションにより行った場合の補正計算回数と露光量と
の関係を図１８に示す。基準露光量Ｉe＝０．２５と
し、各エッジの移動量Δｄ＝２ｎｍとした。また、ベス
トフォーカスの場合のみならず、デフォーカス距離が±
０．３μｍの場合の補正結果もあわせて示す。以下に示
される図においても同様に、デフォーカスの場合の補正
結果をあわせて示す。
【００８２】デフォーカスでの仕上がり平面形状も考慮
した補正方法はSPIE Vol.2440(1995)192などに記載され
ている。このようにデフォーカスの場合の補正結果も示
したのは、通常、補正後のマスク寸法はベストフォーカ
スでの仕上がり形状のみならず、所定デフォーカスでの
仕上がり形状も考慮した上で決定されるからである。ベ
ストフォーカスの場合及びデフォーカスの場合ともに、
およそ３〜４回の補正回数で基準露光量Ｉe＝０．２５
にほぼ収束していることが分かる。
【００８３】また、０．１５μｍＬ／Ｓパターンについ
て補正を行った場合の補正計算回数とマスク寸法との関
係を図１９に示す。ベストフォーカスの場合及びデフォ
ーカスの場合ともに補正計算回数２〜３回で収束してい
ることが分かる。これは、従来手法に基づく補正結果を
示す図２２と比較しても分かるように、補正に要する時
間が大幅に短縮され、また高精度な補正が可能となるこ
とが分かる。なお、ベストフォーカスの場合とデフォー
カスの場合で収束するマスク寸法値が異なっているが、
実際の露光に際して用いられる補正パターンの寸法値
は、例えば重み付け平均をとった値等が用いられるが、
その決定方法はこの限りではない。
【００８４】次に、本発明の変形例として、Ｌ／Ｓパタ
ーンについての補正パターンを作成する場合について説
明する。この変形例では、上記実施形態における第１の
マスクパターンとして、０．１５μｍで１：１のＬ／Ｓ
パターンを作成し、この第１のマスクパターンのエッジ
をそれぞれΔｄ＝２ｎｍだけ一律に変化させた第２のマ
スクパターンを作成する。他の工程は上記実施形態と同
様である。この補正パターン作成における補正計算回数
と露光量の関係を図２０に、補正計算回数とマスク寸法
の関係を図２１に示す。基準露光量Ｉe＝０．２５とし
た。図２０に示すように、孤立パターンよりも収束まで
の補正回数が少なく、１〜２回の補正回数でほぼ基準露
光量Ｉe＝０．２５に収束していることが分かる。ま
た、図２１に示すように、フォーカスとデフォーカスの
場合ともに所定の寸法値に収束していることが分かる。
【００８５】このように、孤立パターンのみならずＬ／
Ｓパターンであっても本発明を適用できることは明らか
であり、また他のホールパターン等、パターン種には限
定されない。本実施形態で示したものは本発明を適用し
た一例であり、他にもパターンエッジ位置の移動を伴う
パターン補正方法において広く適用可能である。
【００８６】また、本発明は上記第１〜第５実施形態に
限定されるものでもない。第１実施形態でのマスクパタ
ーン１、第２実施形態でのマスクパターン１０、第５実
施形態での第１及び第２のマスクパターン１５１及び１
６１はそれぞれ設計パターンと同じ形状のマスクパター
ンを用いた例であるが、例えば設計パターンと同一形状
のパターンに補助パターンを付加したパターン等、実際
には設計パターンと異なる形状のマスクパターンを用い
て、露光量を調整することにより所望の仕上がり平面形
状を形成する場合もある。このような場合にも、該マス
クパターンに対して上記補正方法を応用すれば、短時間
に高精度な補正マスクパターンを作成することができる
ことはもちろんである。
【００８７】また、第５実施形態と第２〜第４実施形態
とを組み合わせても高精度な補正が行えることは確認し
ている。
【００８８】また、像強度計算とレジスト現像やエッチ
ングによる寸法変動の影響も考慮したモデルを組み合わ
せた後、本発明でパターンを補正することもできる。ま
た、マスク種や露光条件の相違にも柔軟に対応すること
ができる。さらに、上記実施形態では計算により補正パ
ターンを作成したが、実際にマスクパターンを作成し、
実験により補正パターンを作成することも勿論できる。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクパターンの各エッジ毎に設計パターンとの寸法差を
算出し、この寸法差に基づいて各エッジ毎に異なる割合
でエッジの補正量を算出することにより、少ない計算回
数で短時間に、かつ高精度にマスクパターンの補正を行
うことができる。
【００９０】また、別の本発明によれば、マスクパター
ンの各エッジ毎に、設計パターンのエッジ位置と一致す
る露光量を求め、この露光量と基準露光量との差分に基
づいて各エッジ毎に異なる割合でエッジの補正量を算出
することにより、少ない計算時間で短時間に、かつ高精
度にマスクパターンの補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るマスクパターン補
正方法を説明するための図。
【図２】同実施形態における仕上がり平面形状を示す
図。
【図３】同実施形態におけるマスクパターン補正方法の
フローチャートを示す図。
【図４】同実施形態における微小変化させたマスクパタ
ーンを示す図。
【図５】同実施形態における微小変化させたマスクパタ
ーンによる仕上がり平面形状を示す図。
【図６】同実施形態における仕上がり平面形状の微小変
化させたものとさせないものを示す図。
【図７】同実施形態における補正パターンによる仕上が
り平面形状を示す図。
【図８】本発明の第２実施形態に係るマスクパターン補
正方法を説明するための図。
【図９】同実施形態における補正パターンを示す図。
【図１０】同実施形態における仕上がり平面形状を示す
図。
【図１１】本発明の第３実施形態に係るマスクパターン
補正方法を説明するための図。
【図１２】本発明の第４実施形態に係るマスクパターン
補正方法を説明するための図。
【図１３】本発明の第５実施形態に係るマスクパターン
補正方法のフローチャートを示す図。
【図１４】同実施形態に係るマスクパターン補正方法に
おける基準露光量の決定に用いられるマスクの構成を示
す図。
【図１５】同実施形態に係る第１のマスクの構成及び第
１のマスクにより露光量を変化させながら転写された仕
上がり平面形状を示す図。
【図１６】同実施形態に係る第２のマスクの構成及び第
２のマスクにより露光量を変化させながら転写された仕
上がり平面形状を示す図。
【図１７】同実施形態に係る補正パターンにより転写さ
れた仕上がり平面形状を示す図。
【図１８】同実施形態に係る補正パターンの作成におけ
る補正計算回数と露光量との関係を示す図。
【図１９】同実施形態に係る補正パターンの作成におけ
る補正計算回数とマスク寸法との関係を示す図。
【図２０】同実施形態の変形例に係る補正パターンの作
成における補正計算回数と露光量との関係を示す図。
【図２１】同実施形態の変形例に係る補正パターンの作
成における補正計算回数とマスク寸法との関係を示す
図。
【図２２】従来の補正パターンの作成によける補正計算
回数とマスク寸法との関係を示す図。
【符号の説明】
１，７…マスクパターン ２，８，１７１ａ，１７１ｂ…仕上がり平面形状 ３〜６，１５２〜１５５，１６２〜１６５…エッジ １０１，１５６…設計パターン １４１…マスク １５１…第１のマスクパターン １６１…第２のマスクパターン

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 投影光学系により設計パターンをウェハ
    上に形成するために用いられるマスクパターン補正方法
    において、 第１のマスクパターンを構成する各エッジ位置を所定の
    変化量だけ移動させた第２のマスクパターンを作成する
    第１の工程と、 前記第１のマスクパターンにより転写される第１の仕上
    がり平面形状と、前記第２のマスクパターンにより転写
    される第２の仕上がり平面形状とを計算又は実験により
    求める第２の工程と、 前記第１及び第２の仕上がり平面形状の各エッジ位置の
    寸法差を前記変化量で割った係数を各エッジ毎に算出し
    て割り当てる第３の工程と、 前記設計パターンと前記第１の仕上がり平面形状との寸
    法差を前記各エッジ毎に割り当てられた前記係数で割っ
    た大きさだけ前記第１のマスクパターンのエッジ位置を
    各エッジ毎に移動させた補正パターンを作成する第４の
    工程とを含むことを特徴とするマスクパターン補正方
    法。
  2. 【請求項２】 前記設計パターンと前記補正パターンに
    よる仕上がり平面形状との各エッジ位置の寸法差が所定
    の裕度になるまで、前記設計パターンと前記補正パター
    ンの仕上がり平面形状との寸法差を前記係数で割った大
    きさだけ前記補正パターンの各エッジ位置を移動させた
    新たな補正パターンを作成する工程を繰り返し行うこと
    を特徴とする請求項１に記載のマスクパターン補正方
    法。
  3. 【請求項３】 前記各エッジ位置の寸法差とは、前記各
    エッジの中心位置での寸法差であることを特徴とする請
    求項１に記載のマスクパターン補正方法。
  4. 【請求項４】 前記各エッジは、設計平面上でマスク描
    画装置の描画グリッド幅の整数倍となる所定の長さにそ
    れぞれ予め分割され、該分割されたエッジ毎に前記寸法
    差及び前記係数を算出して割り当てることを特徴とする
    請求項１に記載のマスクパターン補正方法。
  5. 【請求項５】 前記係数は、第１のマスクパターンを構
    成する複数のエッジ位置のうちの一部のみを所定の変化
    量だけ移動させた第２のマスクパターンを複数作成する
    ことにより、一部のエッジ位置の移動が他のエッジ位置
    の寸法変動に対して与える影響を考慮して算出すること
    を特徴とする請求項１に記載のマスクパターン補正方
    法。
  6. 【請求項６】 コンピュータに、投影光学系により設計
    パターンをウェハ上に形成するために用いられるマスク
    パターンを補正する機能を実現するためのマスクパター
    ン補正プログラムを記録した記録媒体において、第１の
    マスクパターンを構成する各エッジ位置を所定の変化量
    だけ移動させた第２のマスクパターンを作成する機能
    と、前記第１のマスクパターンにより転写される第１の
    仕上がり平面形状と、前記第２のマスクパターンにより
    転写される第２の仕上がり平面形状とを計算又は実験に
    より求める機能と、前記第１及び第２の仕上がり平面形
    状の各エッジ位置の寸法差を前記変化量で割った係数を
    各エッジ毎に算出して割り当てる機能と、前記設計パタ
    ーンと前記第１の仕上がり平面形状との寸法差を前記各
    エッジ毎に割り当てられた前記係数で割った大きさだけ
    前記第１のマスクパターンのエッジ位置を各エッジ毎に
    移動させた補正パターンを作成する機能を実現するため
    のマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体。
  7. 【請求項７】 投影光学系により設計パターンをウェハ
    上に形成するために用いられるマスクパターン補正方法
    において、 第１のマスクパターンにより転写される仕上がり平面形
    状のエッジ位置が前記設計パターンのエッジ位置と等し
    くなる露光量と、予め定められた基準露光量とが一致す
    るように前記第１のマスクパターンのエッジ位置を各エ
    ッジ毎に移動させて補正パターンを作成することを特徴
    とするマスクパターン補正方法。
  8. 【請求項８】 投影光学系により設計パターンをウェハ
    上に形成するために用いられるマスクパターン補正方法
    において、 第１のマスクパターンを構成する各エッジ位置を所定の
    変化量だけ移動させた第２のマスクパターンを作成する
    第１の工程と、 前記第１のマスクパターンにより転写される第１の仕上
    がり平面形状と、前記第２のマスクパターンにより転写
    される第２の仕上がり平面形状とを、露光量を変化させ
    て計算又は実験によりそれぞれ求める第２の工程と、 前記第１の仕上がり平面形状のエッジ位置が前記設計パ
    ターンのエッジ位置と等しくなる第１の露光量と、前記
    第２の仕上がり平面形状のエッジ位置が前記設計パター
    ンのエッジ位置と等しくなる第２の露光量とを各エッジ
    毎に求め、該第１及び第２の露光量の差分を前記変化量
    で割った係数を各エッジ毎に算出して割り当てる第３の
    工程と、 前記第１の露光量と予め定められた基準露光量との差分
    を前記係数で割った大きさだけ前記第１のマスクパター
    ンのエッジ位置を各エッジ毎に移動させた補正パターン
    を作成する第４の工程とを具備してなることを特徴とす
    るマスクパターン補正方法。
  9. 【請求項９】 前記基準露光量と、前記第１の露光量と
    の露光量差分が所定の裕度になるまで、前記補正パター
    ンにより転写される仕上がり平面形状のエッジ位置が前
    記設計パターンのエッジ位置と等しくなる露光量と前記
    基準露光量との差分を前記係数で割った大きさだけ、前
    記補正パターンの各エッジ位置を移動させた新たな補正
    パターンを作成する工程を繰り返し行うことを特徴とす
    る請求項７又は８に記載のマスクパターン補正方法。
  10. 【請求項１０】 前記仕上がり平面形状のエッジ位置が
    前記設計パターンのエッジ位置と等しくなる露光量は、
    前記各エッジ位置での中心位置を基準に決定することを
    特徴とする請求項７又は８に記載のマスクパターン補正
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記各エッジは、設計平面上でマスク
    描画装置の描画グリッド幅の整数倍となる所定の長さに
    それぞれ予め分割され、該分割されたエッジ毎に前記露
    光量差分及び前記係数を算出して割り当てることを特徴
    とする請求項７又は８に記載のマスクパターン補正方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記係数は、第１のマスクパターンを
    構成する複数のエッジ位置のうちの一部のみを所定の変
    化量だけ移動させた第２のマスクパターンを複数作成す
    ることにより、一部のエッジ位置の移動による他のエッ
    ジ位置での露光量変動も考慮して算出することを特徴と
    する請求項７又は８に記載のマスクパターン補正方法。
  13. 【請求項１３】 コンピュータに、投影光学系により設
    計パターンをウェハ上に形成するために用いられるマス
    クパターンを補正する機能を実現するためのマスクパタ
    ーン補正プログラムを記録した記録媒体において、第１
    のマスクパターンを構成する各エッジ位置を所定の変化
    量だけ移動させた第２のマスクパターンを作成する機能
    と、前記第１のマスクパターンにより転写される第１の
    仕上がり平面形状と、前記第２のマスクパターンにより
    転写される第２の仕上がり平面形状とを、露光量を変化
    させて計算又は実験によりそれぞれ求める機能と、前記
    第１の仕上がり平面形状のエッジ位置が前記設計パター
    ンのエッジ位置と等しくなる第１の露光量と、前記第２
    の仕上がり平面形状のエッジ位置が前記設計パターンの
    エッジ位置と等しくなる第２の露光量とを各エッジ毎に
    求め、該第１及び第２の露光量の差分を前記変化量で割
    った係数を各エッジ毎に算出して割り当てる機能と、前
    記第１の露光量と予め定められた基準露光量との差分を
    前記係数で割った大きさだけ前記第１のマスクパターン
    のエッジ位置を各エッジ毎に移動させた補正パターンを
    作成する機能を実現するためのマスクパターン補正プロ
    グラムを記録した記録媒体。
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