JP2000098002A - Semiconductor integrated circuit and test method therefor - Google Patents
Semiconductor integrated circuit and test method thereforInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機能試験に複雑な期待値データを作成する必
要がなく、簡単に素早くテストすることが可能で、且つ
テスト用端子数を減少させることにより、出力数が多く
とも簡単に少ないプローブ針数でテストができるように
する。
【解決手段】 インバータ回路の出力部には、スイッチ
回路Tと、任意の電圧を印加し且つそこに流れる電流を
モニタするためのテスト用端子Vtestと、出力端子とが
設けられている。インバータ回路に対する入力信号を制
御することで、インバータ回路のトランジスタから出力
される出力信号の制御を行う。この出力信号に同期させ
てテスト回路(図2には図示せず)によりスイッチ回路
Tを制御し、テスト用端子Vtestと出力端子OUTを接
続し、その時のテスト用端子Vtestに流れる電流を測定
する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] It is not necessary to create complicated expected value data for a functional test, and it is possible to easily and quickly perform a test. Tests can be easily performed with a small number of probe needles. An output section of an inverter circuit is provided with a switch circuit T, a test terminal Vtest for applying an arbitrary voltage and monitoring a current flowing therethrough, and an output terminal. By controlling an input signal to the inverter circuit, an output signal output from a transistor of the inverter circuit is controlled. The switch circuit T is controlled by a test circuit (not shown in FIG. 2) in synchronization with the output signal, the test terminal V test is connected to the output terminal OUT, and the current flowing through the test terminal V test at that time is output. Measure.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路が
正常に動作しているかの機能試験のためのテスト方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test method for testing whether a semiconductor integrated circuit is operating normally or not.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体集積回路の機能試験は、ま
ず検査装置(テストシステム)にて生成した入力信号を
半導体集積回路の入力端子に与える。半導体集積回路
は、与えられた入力信号に基づいて内部回路が動作し、
その結果を出力端子から出力する。この出力信号を検査
装置へ入力し、あらかじめ準備しておいた期待値信号と
の比較を行い、半導体集積回路が正常に動作しているか
の機能試験をおこなっている。2. Description of the Related Art In a conventional function test of a semiconductor integrated circuit, first, an input signal generated by an inspection device (test system) is applied to an input terminal of the semiconductor integrated circuit. In a semiconductor integrated circuit, an internal circuit operates based on a given input signal,
The result is output from the output terminal. This output signal is input to the inspection apparatus, and is compared with an expected value signal prepared in advance to perform a functional test on whether the semiconductor integrated circuit is operating normally.
【0003】次に、従来の半導体集積回路の機能試験に
ついて詳細を述べる。図10は、インバータ回路からな
る集積回路のブロック図である。このインバータ回路
は、PchとNchのCMOS FETを直列に接続し
た構造である。そして、集積回路は、このインバータ回
路をn個有する。PchトランジスタのソースをVD
D、NchトランジスタのソースをGRDとして、両ト
ランジスタのドレインから出力する。この集積回路の機
能検査を行うのであるが、図11に1つのインバータ回
路の検査ブロック図を示す。インバータ回路51の入力
端子52に、検査装置54の入力信号を入力する。イン
バータ回路51の出力端子53から取り出した出力を検
査装置54のコンパレータ55で期待値と比較する。Next, a function test of a conventional semiconductor integrated circuit will be described in detail. FIG. 10 is a block diagram of an integrated circuit including an inverter circuit. This inverter circuit has a structure in which Pch and Nch CMOS FETs are connected in series. The integrated circuit has n inverter circuits. The source of the Pch transistor is VD
The source of the D and Nch transistors is set to GRD and output from the drains of both transistors. The function test of this integrated circuit is performed. FIG. 11 shows a test block diagram of one inverter circuit. The input signal of the inspection device 54 is input to the input terminal 52 of the inverter circuit 51. The output taken from the output terminal 53 of the inverter circuit 51 is compared with the expected value by the comparator 55 of the inspection device 54.
【0004】図12は、検査装置のインバータ回路に対
する機能テストを示すタイムチャートである。図12の
期間Aにおいて、入力信号はHIGHレベルであり、イ
ンバータ回路51のPchトランジスタはOFF、Nc
hトランジスタはONすることで、インバータ回路51
の出力端子53には、Nchトランジスタを経由してG
NDレベルすなわちLOWレベルが出力される。FIG. 12 is a time chart showing a function test on the inverter circuit of the inspection apparatus. In the period A of FIG. 12, the input signal is at the HIGH level, the Pch transistor of the inverter circuit 51 is OFF, and Nc
When the h transistor is turned on, the inverter circuit 51
Output terminal 53 via an Nch transistor
An ND level, that is, a LOW level is output.
【0005】この出力信号を検査装置54のコンパレー
タ55へ入力し、あらかじめプログラミングにより設定
している期待値データと比較をおこない、一致していれ
ば良品、不一致であれば不良品というように、出力信号
から判定を行う。期間Bでは、期間Aとは逆に、入力信
号はLOWレベルであり、インバータ回路51のPch
トランジスタはON、NchトランジスタはOFFする
ことで、インバータ回路51の出力端子にはPchトラ
ンジスタを経由してVDDレベルすなわちHIGHレベ
ルが出力される。The output signal is input to a comparator 55 of the inspection device 54, and is compared with expected value data set in advance by programming. The judgment is made from the signal. In the period B, contrary to the period A, the input signal is at the LOW level and the Pch
When the transistor is turned on and the Nch transistor is turned off, the VDD terminal, that is, the HIGH level is output to the output terminal of the inverter circuit 51 via the Pch transistor.
【0006】期間C、Dはインバータ回路のNchトラ
ンジスタのソース、ドレイン間がショートした不良品例
である。期間Dの時に、インバータ回路のPchトラン
ジスタがON、NchトランジスタがOFFすることで
良品はVDDレベルが出力されるが、この場合、出力状
態はGNDレベルとなり、期待値データとの不一致が発
生し、不良品と判断される。このようにして出力信号を
検査装置54のコンパレータ55へ入力し、あらかじめ
プログラミングにより設定された期待値データと比較を
し、判定を行うことで機能試験を実施している。Periods C and D are examples of defective products in which the source and drain of the Nch transistor of the inverter circuit are short-circuited. In the period D, the Pch transistor of the inverter circuit is turned on and the Nch transistor is turned off, so that the non-defective product outputs the VDD level. In this case, the output state becomes the GND level, and a mismatch with the expected value data occurs. It is determined to be defective. Thus, the function test is performed by inputting the output signal to the comparator 55 of the inspection device 54, comparing it with expected value data set in advance by programming, and making a determination.
【0007】特開平7−260857号公報には、液晶
表示装置の駆動回路における試験について記載されてい
る。図13は、この液晶表示装置の駆動回路を示すブロ
ック図である。この液晶表示装置の駆動回路は、出力部
5出力の各チャネル間に第8テストモード信号Tm8に
より制御されるスイッチング素子SWを備える出力ショ
ート回路を備えた構成である。スイッチング素子によ
り、出力部における全チャネルを横断的にショートし、
第8テストモードを個々のチャネルを1チャネルずつ順
次出力するテストモードとすれば、各チャネルの出力波
形を、TCP上のモニターパッドMPで順次観測でき
る。Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-260857 describes a test in a drive circuit of a liquid crystal display device. FIG. 13 is a block diagram showing a driving circuit of the liquid crystal display device. The drive circuit of the liquid crystal display device has a configuration including an output short circuit including a switching element SW controlled by an eighth test mode signal Tm8 between channels of the output unit 5. The switching element short-circuits all channels in the output section,
If the eighth test mode is a test mode in which the individual channels are sequentially output one by one, the output waveform of each channel can be sequentially observed with the monitor pad MP on the TCP.
【0008】また、特開平8−184646号公報に
は、特性測定ができる半導体集積回路が開示されてい
る。図14は、この半導体集積回路を示すブロック図で
ある。テストモード時において、出力回路2a〜2dか
らの出力信号は、それぞれ対応する切替信号5a〜5d
により制御される。切替回路6a〜6dによる出力信号
は、順次テスト用パッド4aを介してテスト用入出力信
号として外部の検査装置に伝達され、切替回路6e〜6
hによる出力信号は、順次テスト用パッド4bを介して
テスト用入出力信号として外部の検査装置に伝達され
る。Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-184646 discloses a semiconductor integrated circuit capable of measuring characteristics. FIG. 14 is a block diagram showing the semiconductor integrated circuit. In the test mode, the output signals from the output circuits 2a to 2d correspond to the corresponding switching signals 5a to 5d, respectively.
Is controlled by Output signals from the switching circuits 6a to 6d are sequentially transmitted as test input / output signals to an external inspection device via the test pads 4a, and are output to the switching circuits 6e to 6d.
The output signal of h is sequentially transmitted to an external inspection device as a test input / output signal via the test pad 4b.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図11に示した従来の
機能試験では、試験を行う半導体集積回路に、入力信号
の供給と、それに対応して出力される出力信号の比較用
の期待値をあらかじめ検査装置54に組み込んでおく必
要がある。一般的に半導体集積回路の機能試験は、すべ
てのインストラクションの実行とさまざまなデータの組
み合わせを入力し、それに対応した出力期待値を作成
(或いはシミュレーションを使用した自動生成)してい
るが、半導体集積回路の規模が大きくなり高機能化が進
むにつれ、半導体集積回路に与える入力信号や出力信号
を比較するための期待値データが複雑化および肥大化
し、その開発には多くの時間を必要とする。In the conventional function test shown in FIG. 11, a supply of an input signal and an expected value for comparison of an output signal corresponding thereto are supplied to a semiconductor integrated circuit to be tested. It is necessary to incorporate it in the inspection device 54 in advance. Generally, in a functional test of a semiconductor integrated circuit, execution of all instructions and various combinations of data are input, and an output expected value corresponding to the input is created (or automatically generated using simulation). As the scale of the circuit increases and the functions become more advanced, expected value data for comparing input signals and output signals given to the semiconductor integrated circuit becomes complicated and bloated, and its development requires a lot of time.
【0010】また、半導体集積回路の出力端子数の増大
化は、入出力端子間の微細化および端子面積の縮小へと
つながり、その結果プロービングが非常に困難となって
きている。さらに、これら半導体集積回路の機能試験を
行うための試験装置や試験治具にかける投資金額も半導
体集積回路のもつ端子数の増加に比例して増大してい
る。Further, an increase in the number of output terminals of a semiconductor integrated circuit leads to miniaturization between input / output terminals and a reduction in terminal area, and as a result, probing becomes extremely difficult. Further, the amount of investment in a test apparatus and a test jig for performing a functional test of the semiconductor integrated circuit is increasing in proportion to the increase in the number of terminals of the semiconductor integrated circuit.
【0011】また、特開平7−260857号公報に記
載のものは、液晶パネル実装時の動作解析の容易性であ
り機能試験を行うためのものではない。付け加えるなら
ば、この技術では各出力端子間は必ずショートされるた
めに機能試験を行うことは不可能である。さらに、特開
平8−184646号公報にある従来の技術は、特性評
価の測定精度向上を目的としており、機能試験を行うた
めのものではない。The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-260857 is intended to facilitate the operation analysis at the time of mounting a liquid crystal panel, and is not for performing a functional test. In addition, in this technique, it is impossible to perform a function test because each output terminal is always short-circuited. Further, the conventional technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-184646 is intended to improve the measurement accuracy of the characteristic evaluation, and is not for performing a functional test.
【0012】本発明は、機能試験に複雑な期待値データ
を作成する必要がなく、簡単に素早くテストすることが
可能で、且つテスト用端子数を減少させることにより、
出力数が多くとも簡単に少ないプローブ針数でテストが
できる半導体集積回路及びそのテスト方法を提供するこ
とを目的とする。According to the present invention, there is no need to create complicated expected value data for a function test, a simple and quick test can be performed, and the number of test terminals is reduced.
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit that can easily perform a test with a small number of probe stitches even if the number of outputs is large, and a test method therefor.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、信号
を出力する複数の出力端子と、所定の電圧を印加し、前
記出力端子から流れる電流値を測定するためのテスト用
端子と、少なくとも測定時には、測定出力信号を出力す
る前記出力端子と前記テスト端子を接続する切換手段と
を有する半導体集積回路である。According to the present invention, a plurality of output terminals for outputting a signal, a test terminal for applying a predetermined voltage and measuring a current value flowing from the output terminal are provided. At least at the time of measurement, a semiconductor integrated circuit having switching means for connecting the output terminal for outputting a measurement output signal and the test terminal.
【0014】請求項2の発明は、請求項1記載の構成を
有する半導体集積回路のテスト方法において、半導体集
積回路に対する入力信号を制御することによって、前記
出力端子から測定出力信号を出力させ、且つ前記切換手
段により、測定出力信号を出力する前記出力端子と前記
テスト端子を接続して、所定のタイミングで前記テスト
端子により電流値を測定し、出力信号の状態を判定する
ことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the method for testing a semiconductor integrated circuit having the configuration according to the first aspect, a measurement output signal is output from the output terminal by controlling an input signal to the semiconductor integrated circuit, and The switching means connects the output terminal for outputting a measurement output signal to the test terminal, measures a current value at the test terminal at a predetermined timing, and determines the state of the output signal.
【0015】請求項3の発明は、請求項2記載の半導体
集積回路のテスト方法であって、前記テスト端子におけ
る測定タイミングでは、測定出力信号を出力する前記出
力端子数が同数となるように入力信号を制御し、前記切
換手段は、前記測定出力信号を出力する出力端子に前記
テスト端子を、測定信号出力期間だけ接続することを特
徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the method for testing a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, at the measurement timing at the test terminal, input is performed such that the number of output terminals for outputting a measurement output signal is the same. A signal is controlled, and the switching means connects the test terminal to an output terminal for outputting the measurement output signal for a measurement signal output period.
【0016】請求項4の発明は、請求項2記載の半導体
集積回路のテスト方法であって、前記テスト端子におけ
る測定タイミングでは、測定出力信号を出力する前記出
力端子数が同数となるように入力信号を制御し、前記切
換手段は、前記測定出力信号を出力する出力端子に前記
テスト端子を、測定出力信号の出力時点から全テストサ
イクルが終了するまで接続することを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor integrated circuit test method according to the second aspect, wherein at the measurement timing at the test terminals, the number of the output terminals for outputting the measurement output signals is the same. A signal is controlled, and the switching means connects the test terminal to an output terminal for outputting the measurement output signal from the time when the measurement output signal is output until the end of the entire test cycle.
【0017】請求項5の発明は、請求項2記載の半導体
集積回路のテスト方法であって、前記切換手段は、全出
力端子を前記テスト用端子に、出力端子のいずれかが最
初に前記測定出力信号を出力する時点から全テストサイ
クルが終了するまで、接続することを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the method for testing a semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the switching means is configured such that all output terminals are used as the test terminals, and one of the output terminals is used for the measurement first. It is characterized in that connection is made from the time when an output signal is output until the end of all test cycles.
【0018】請求項6の発明は、請求項3、4又は5記
載の半導体集積回路のテスト方法であって、測定タイミ
ングにおけるテスト用端子に流れる電流に対する期待値
を複数設定し、測定タイミングで前記テスト用端子に流
れる電流と前記期待値を比較することを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the method of testing a semiconductor integrated circuit according to the third, fourth or fifth aspect, wherein a plurality of expected values for the current flowing through the test terminal at the measurement timing are set, and The current flowing through the test terminal is compared with the expected value.
【0019】請求項7の発明は、請求項2乃至6記載の
半導体集積回路のテスト方法であって、前記半導体集積
回路がLCDドライバであることを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for testing a semiconductor integrated circuit according to any one of the second to sixth aspects, wherein the semiconductor integrated circuit is an LCD driver.
【0020】本発明によれば、半導体集積回路の機能試
験に必要な期待値データ作成が必要なくなることによる
開発期間の短縮と、半導体集積回路が有する出力端子へ
のプロービングを必要としなくなることからのプロービ
ングの容易性、そして、機能試験を実施するのに必要で
あった試験装置のコンパレータ回路の削除やプローブカ
ードのプローブ針数の低減による投資金額の減少が可能
となる。According to the present invention, the development period can be shortened by eliminating the need to create expected value data required for the function test of the semiconductor integrated circuit, and the probing to the output terminal of the semiconductor integrated circuit is not required. Ease of probing, and reduction of the investment amount due to the elimination of the comparator circuit of the test apparatus and the reduction in the number of probe needles of the probe card, which were necessary for performing the functional test, can be achieved.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。図1は本発明に係る半
導体集積回路のブロック図である。この半導体集積回路
は、図12に示した集積回路とは、ほぼ同じ構成であ
り、異なるのは、テスト回路10と、各出力部に設けら
れテスト回路10に制御されるスイッチ回路Tと、電流
測定をするテスト用端子Vtestとを設けた点である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. This semiconductor integrated circuit has substantially the same configuration as that of the integrated circuit shown in FIG. 12 except for a test circuit 10, a switch circuit T provided in each output unit and controlled by the test circuit 10, and a current This is a point that a test terminal V test for measurement is provided.
【0022】ここで、インバータ回路を1つ抜き出した
図2を用いて、測定原理を説明する。該インバータ回路
の出力部には、スイッチ回路Tと、任意の電圧を印加し
且つそこに流れる電流をモニタするためのテスト用端子
Vtestと、出力端子とが設けられている。インバータ回
路に対する入力信号を制御することで、インバータ回路
のトランジスタから出力される出力信号の制御を行う。
この出力信号に同期させてテスト回路(図2には図示せ
ず)によりスイッチ回路Tを制御し、テスト用端子V
testと出力端子OUTを接続し、その時のテスト用端子
Vtestに流れる電流を測定する。こうして、この電流値
からインバータ回路の不良を判定することができる。Here, the measurement principle will be described with reference to FIG. 2 in which one inverter circuit is extracted. The output part of the inverter circuit is provided with a switch circuit T, a test terminal V test for applying an arbitrary voltage and monitoring a current flowing therethrough, and an output terminal. By controlling an input signal to the inverter circuit, an output signal output from a transistor of the inverter circuit is controlled.
The switch circuit T is controlled by a test circuit (not shown in FIG. 2) in synchronization with this output signal.
The test is connected to the output terminal OUT, and the current flowing through the test terminal V test at that time is measured. Thus, a defect of the inverter circuit can be determined from the current value.
【0023】図2(a)に示すように、テスト回路10
によりスイッチ回路TをONにし、テスト用端子Vtest
に電圧印加してGNDレベルにし、Pchトランジスタ
をON、NchトランジスタをOFFする。すると、図
に示す矢印のように、電流がVDDからテスト用端子
testに流れる。また、図2(b)に示すように、テスト
回路10によりスイッチ回路TをONにし、テスト用端
子Vtestに電圧印加してVDDレベルにし、Pchトラ
ンジスタをOFF、、NchトランジスタをONする。
すると、図に示す矢印のように、電流がGNDからテス
ト用端子Vtestに流れる。As shown in FIG. 2A, the test circuit 10
Turns on the switch circuit T, and the test terminal V test
To a GND level, turning on the Pch transistor and turning off the Nch transistor. Then, as shown by the arrow in the figure, the current changes from VDD to the test terminal.
Flow to test . Further, as shown in FIG. 2B, the switch circuit T is turned on by the test circuit 10, a voltage is applied to the test terminal V test to bring the voltage to the VDD level, the Pch transistor is turned off, and the Nch transistor is turned on.
Then, as indicated by arrows in the figure, a current flows through the test terminal V test from GND.
【0024】次に、図1に示す半導体集積回路の機能試
験について説明する、図3は、上記半導体集積回路の第
1テスト方法を示すタイムチャートであり、図4は、第
2テスト方法を示すタイムチャートである。図3及び図
4におけるテスト方法では、出力端子のHIGHレベル
信号が測定出力信号である。Next, a functional test of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1 will be described. FIG. 3 is a time chart showing a first test method of the semiconductor integrated circuit, and FIG. 4 shows a second test method. It is a time chart. In the test method in FIGS. 3 and 4, the HIGH level signal at the output terminal is the measurement output signal.
【0025】まず、図3(a)に示すように、出力端子
(出力1〜出力n)を1端子づつ、一定期間HIGH
(VDD)レベル出力させる入力信号のパターンを準備
する。図3(a)では、各出力端子(出力1〜出力n)
の出力期間が重ならないように設定するが、後述するよ
うに、重なっても構わない。図1に示した半導体集積回
路に、この入力信号のパターンを入力すると、半導体集
積回路が正常であれば、前述のように出力端子に信号が
出力されるはずである。このとき、半導体集積回路に内
蔵されたテスト回路10により、正常な場合にHIGH
(VDD)レベル出力を行う出力信号に同期させて、対
応するスイッチ回路(T1〜Tn)を1端子ずつ一定期
間ONさせる(図3(b))。スイッチ回路(T1〜T
n)のON/OFFのタイミングは、出力端子(出力1
〜出力n)のHIGH(VDD)レベル出力のON/O
FFタイミングと同じである。図2(a)に示すよう
に、PchトランジスタをON、Nchトランジスタを
OFFさせて、テスト用端子VtestをGNDレベルに設
定しておけば、テスト用端子testに流れ込む電流は図3
(c)になる。First, as shown in FIG. 3 (a), output terminals (output 1 to output n) are set to HIGH for a certain period for each terminal.
(VDD) A pattern of an input signal to be output at a level is prepared. In FIG. 3A, each output terminal (output 1 to output n)
Are set so as not to overlap, but they may overlap as described later. When the pattern of the input signal is input to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1, if the semiconductor integrated circuit is normal, a signal should be output to the output terminal as described above. At this time, if the test circuit 10 is normally high,
The corresponding switch circuits (T1 to Tn) are turned on one terminal at a time for a certain period in synchronization with an output signal for (VDD) level output (FIG. 3B). Switch circuit (T1-T
n) is turned on / off at an output terminal (output 1).
ON / O of HIGH (VDD) level output of output n)
Same as the FF timing. As shown in FIG. 2A, if the Pch transistor is turned on and the Nch transistor is turned off and the test terminal V test is set to the GND level, the current flowing into the test terminal test is as shown in FIG.
(C).
【0026】また、図4(a)に示すように、全出力端
子(出力1〜出力n)を1端子づつ、一定期間HIGH
(VDD)レベル出力させる入力パターンを準備する。
図4(a)では、各出力端子(出力1〜出力n)の出力
期間が重ならないように設定するが、後述するように、
重なっても構わない。この時、半導体集積回路に内蔵さ
れたテスト回路10も、正常な場合の測定出力信号に同
期させて、スイッチ回路(T1〜Tn)を順次ON状態
にして、其の状態を保持していく。そして、最後の出力
nがHIGHレベルからLOWレベルになったときに
(テストサイクルが終了したとき)、すべてのスイッチ
回路(T1〜Tn)をOFFにする(図4(b))。こ
の時、図2(a)に示すように、Pchトランジスタを
ON、NchトランジスタをOFFさせて、テスト用端
子VtestをGNDレベルに設定しておけば、テスト用端
子testに流れ込む電流は図4(c)になる。As shown in FIG. 4A, all output terminals (output 1 to output n) are set to HIGH for a certain period of time.
An input pattern for (VDD) level output is prepared.
In FIG. 4A, the output periods of the output terminals (output 1 to output n) are set so as not to overlap with each other.
It does not matter if they overlap. At this time, the test circuit 10 built in the semiconductor integrated circuit also sequentially turns on the switch circuits (T1 to Tn) in synchronization with the measurement output signal in the normal case, and holds that state. Then, when the last output n changes from the HIGH level to the LOW level (when the test cycle ends), all the switch circuits (T1 to Tn) are turned off (FIG. 4B). At this time, as shown in FIG. 2A, if the Pch transistor is turned on and the Nch transistor is turned off, and the test terminal V test is set to the GND level, the current flowing into the test terminal test is as shown in FIG. (C).
【0027】図3(c)及び図4(c)に示すテスト用
端子Vtestの電流を所定のタイミングで測定を行う。こ
のタイミングは、図に示すように、出力信号がHIGH
レベルからLOWレベルに変化する直前のタイミングに
してある。こうして、電流値を測定することにより、内
部のインバータ回路の不良を検査することができる。The current at the test terminal V test shown in FIGS. 3C and 4C is measured at a predetermined timing. At this timing, as shown in the figure, the output signal is HIGH.
The timing is immediately before the level changes from the LOW level to the LOW level. Thus, by measuring the current value, it is possible to inspect the internal inverter circuit for a defect.
【0028】次に、出力に不良が発生したい場合のテス
ト用端子testにおける検出状況を説明する。図5は、不
良モデル1が生じた場合の不良検出状況を示す説明図で
ある。図5(a)に示すように、不良モデル1は、出力
1から測定出力信号(HIGHレベル)が出力されず、
代わりに出力1の出力期間に出力2から測定出力信号が
出力される不良である。図3の第1テスト方法で検出し
た場合を図5(b)、(c)に示し、図4の第2テスト
方法で検出した場合を図5(d)(e)に示す。Next, a description will be given of the detection status at the test terminal test when a defect is desired to occur in the output. FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a failure detection situation when the failure model 1 occurs. As shown in FIG. 5A, in the failure model 1, a measurement output signal (HIGH level) is not output from the output 1,
Instead, the measured output signal is output from the output 2 during the output period of the output 1. FIGS. 5 (b) and 5 (c) show the case where the signal is detected by the first test method of FIG. 3, and FIGS. 5 (d) and 5 (e) show the case where the signal is detected by the second test method of FIG.
【0029】第1テスト方法では、出力1〜出力nに同
期して順次スイッチ回路T1〜TnがON/OFFする
ので、出力1がHIGHレベルで出力されなければ、出
力1のHIGHレベル信号が出力されるタイミングでテ
スト用端子Vtestに電流が流れず、不良は検出可能であ
る。一方、第2テスト方法では、スイッチ回路T1〜T
nがON状態を保持するため、テスト用端子Vtestには
良品の時と変わらず電流が流れ、不良検出は不可能であ
る。In the first test method, the switch circuits T1 to Tn are turned on / off sequentially in synchronization with the outputs 1 to n. Therefore, if the output 1 is not output at the HIGH level, the HIGH level signal of the output 1 is output. At this time, no current flows to the test terminal Vtest , and a defect can be detected. On the other hand, in the second test method, the switch circuits T1 to T
Since n keeps the ON state, the current flows through the test terminal V test as in the non-defective product, and the failure cannot be detected.
【0030】図6は、不良モデル2が生じた場合の不良
検出状況を示す説明図である。図6(a)に示すよう
に、不良モデル2は、出力1のHIGHレベルの測定出
力信号が本来出力される期間以上に出力される不良であ
り、出力2の出力期間まで出力されている。図3の第1
テスト方法で検出した場合を図6(b)、(c)に示
し、図4の第2テスト方法で検出した場合を図6(d)
(e)に示す。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a failure detection situation when the failure model 2 occurs. As shown in FIG. 6A, the failure model 2 is a failure in which the HIGH-level measurement output signal of the output 1 is output for a period longer than the period during which the output signal is originally output, and is output until the output period of the output 2. First of FIG.
FIGS. 6B and 6C show the case where the detection is performed by the test method, and FIG. 6D shows the case where the detection is performed by the second test method in FIG.
(E).
【0031】第1テスト方法では、一定期間で順次スイ
ッチ回路T1〜TnがON・OFFするので、出力1の
出力期間が長くてもスイッチ回路T1がOFFとなっ
て、テスト用端子Vtestには出力2の電流しか流れず、
不良は検出不可能である。一方、第2テスト方法では、
スイッチ回路T1〜TnがON状態を保持するため、出
力2のHIGHレベルのときは、出力1と出力2の電流
がテスト用端子Vtestに流れ、通常の2倍の電流が流れ
る。したがって、不良検出は可能である。In the first test method, the switch circuits T1 to Tn are sequentially turned ON / OFF in a certain period. Therefore, even if the output period of the output 1 is long, the switch circuit T1 is turned OFF, and the test terminal V test is Only the current of output 2 flows,
Defects are undetectable. On the other hand, in the second test method,
Since the switch circuits T1 to Tn maintain the ON state, when the output 2 is at the HIGH level, the currents of the output 1 and the output 2 flow to the test terminal V test, and twice the normal current flows. Therefore, defect detection is possible.
【0032】図7は、第3のテスト方法を示すタイムチ
ャートである。この場合の測定出力信号は、LOWレベ
ル信号である。まず、図7(a)に示すように、全出力
端子(出力1〜出力n)を1端子づつ、一定期間LOW
(GND)レベルに出力させる入力パターンを準備す
る。図7(a)では、各出力端子(出力1〜出力n)の
出力期間が重ならないように設定するが、後述するよう
に、重なっても構わない。図1に示した半導体集積回路
に、この入力信号のパターンを入力すると、前述のよう
に出力端子に信号が出力される。このとき、半導体集積
回路に内蔵されたテスト回路10は、出力端子に同期さ
せてスイッチ回路(T1〜Tn)を1端子ずつ一定期間
ONさせる(図7(b))。スイッチ回路(T1〜T
n)のON/OFFのタイミングは、出力端子(出力1
〜出力n)のLOW(GND)レベル出力のON/OF
Fタイミングと同じである。図2(b)に示すように、
PchトランジスタをOFF、NchトランジスタをO
Nさせて、テスト用端子VtestをVDDレベルに設定し
ておけば、テスト用端子Vtestに流れ込む電流は図7
(c)になる。FIG. 7 is a time chart showing the third test method. The measurement output signal in this case is a LOW level signal. First, as shown in FIG. 7A, all the output terminals (output 1 to output n) are switched one by one for a certain period of time LOW.
An input pattern to be output to the (GND) level is prepared. In FIG. 7A, the output periods of the output terminals (output 1 to output n) are set so that they do not overlap, but they may overlap as described later. When this input signal pattern is input to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 1, a signal is output to the output terminal as described above. At this time, the test circuit 10 built in the semiconductor integrated circuit turns on the switch circuits (T1 to Tn) one terminal at a time for a certain period in synchronization with the output terminal (FIG. 7B). Switch circuit (T1-T
n) is turned on / off at an output terminal (output 1).
ON / OF of LOW (GND) level output of output n)
Same as F timing. As shown in FIG.
Pch transistor OFF, Nch transistor O
N, and if the test terminal V test is set to the VDD level, the current flowing into the test terminal V test is as shown in FIG.
(C).
【0033】次に第4テスト方法を説明するが、図7
(a)のように出力がある場合、半導体集積回路に内蔵
されたテスト回路10も、全出力端子に同期させてスイ
ッチ回路(T1〜Tn)を順次ON状態にして、其の状
態を保持していく。そして、最後の出力nがLOWレベ
ルからHIGHレベルになったときに、すべてのスイッ
チ回路(T1〜Tn)をOFFにする。この時、図2
(b)に示すように、PchトランジスタをON、Nc
hトランジスタをOFFさせて、テスト用端子Vtestを
GNDレベルに設定しておけば、テスト用端子testに流
れ込む電流は図7(c)になる。Next, the fourth test method will be described.
When there is an output as in (a), the test circuit 10 built in the semiconductor integrated circuit also turns on the switch circuits (T1 to Tn) sequentially in synchronization with all the output terminals, and holds that state. To go. Then, when the last output n changes from the LOW level to the HIGH level, all the switch circuits (T1 to Tn) are turned off. At this time, FIG.
As shown in (b), the Pch transistor is turned on and Nc
If the h transistor is turned off and the test terminal V test is set to the GND level, the current flowing into the test terminal test becomes as shown in FIG.
【0034】この第3及び第4テスト方法を用いて、図
5及び図6の不良を検出する場合、第1及び第2テスト
方法と同様な検出結果となる。但しテスト用端子testの
電流波形のHIGHとLOWが逆になるだけである。When the third and fourth test methods are used to detect the defects shown in FIGS. 5 and 6, the detection results are similar to those of the first and second test methods. However, only the HIGH and LOW of the current waveform of the test terminal test are reversed.
【0035】このように、第1及び第2テスト方法ある
いは第3及び第4テスト方法を組み合わせて用いれば、
不良を確実に検出できると同時に、最適な電流測定ポイ
ントを設定すれば、測定される電流値は常に一定であ
り、試験装置のコストに大きく影響する比較判定用のコ
ンパレータ回路と、判定に使用する期待値を保持してお
くためのメモリ回路が不要となり、設備投資にかかる費
用が大幅に減少できる。As described above, if the first and second test methods or the third and fourth test methods are used in combination,
If a fault can be detected reliably and the optimum current measurement point is set, the measured current value is always constant, and a comparator circuit for comparison and determination that greatly affects the cost of the test equipment, and is used for determination. A memory circuit for retaining the expected value is not required, and the cost for capital investment can be significantly reduced.
【0036】図8は、出力端子において2端子ずつHI
GHレベルの出力期間が重なる場合の第1テスト方法を
示している。図8(a)に示す出力パターンが得られる
ように、入力信号の入力パターンを準備する。図8
(b)に示すように、出力信号に同期させて、対応する
スイッチ回路(T1〜Tn)を一端子ずつ一定期間ON
させる。テスト用端子Vtestには、出力期間が重なる部
分は、電流が通常(1出力端子から出力される場合)の
2倍流れるだけであり、電流測定タイミングを一定期間
ごとに適切に設定すれば、複雑なテストパターンの期待
値は必要ない。このように、出力端子の状態設定は1出
力ずつ出力期間が重ならないよう変化させる必要がある
わけではなく、テストを実施しようとする半導体集積回
路の動作に適した入力パターンを作成すれば問題はな
い。なお、ここでは第1テスト方法について説明した
が、第2、第3及び第4テスト方法においても同様であ
る。また、ここでは、出力期間が重なるときは、出力端
子数は2であったが、これに限ることはなく、出力端子
数が常に同数であればよい。FIG. 8 shows that the output terminals are set to HI every two terminals.
9 shows a first test method in a case where GH level output periods overlap. An input pattern of an input signal is prepared so as to obtain the output pattern shown in FIG. FIG.
As shown in (b), the corresponding switch circuits (T1 to Tn) are turned on one terminal at a time for a certain period in synchronization with the output signal.
Let it. In the test terminal V test , the portion where the output period overlaps is such that the current only flows twice as much as normal (when output from one output terminal), and if the current measurement timing is set appropriately at regular intervals, No expectations for complex test patterns are required. As described above, it is not necessary to change the state setting of the output terminal so that the output periods do not overlap one by one. If an input pattern suitable for the operation of the semiconductor integrated circuit to be tested is created, the problem is raised. Absent. Although the first test method has been described here, the same applies to the second, third, and fourth test methods. Here, when the output periods overlap, the number of output terminals is two, but this is not a limitation, and it is sufficient if the number of output terminals is always the same.
【0037】図9は、テスト用端子Vtestで測定した電
流値に対応した期待値を準備し、不良検出を行う場合を
示す。図9(a)に示す出力パターンが得られるよう
に、入力信号の入力パターンを準備する。半導体集積回
路に入力信号を入力して、出力信号が出力されると、テ
スト回路10は、最初の測定出力信号(集積回路が正常
な場合の信号)が得られるときから、最後の出力が得ら
れて、テストサイクルが終了するまで、スイッチ回路T
をすべてONとする(図9(b))。図9(c)に示す
ように、入力パターンに対応した期待値を3種類(H,
Z,L)を設け、図9(a)の出力パターンが得られる
ように、入力信号の入力パターンを準備する。このよう
に設定することにより、出力パターンを準備する必要は
あるが、期待値を必要とする端子が1端子であること、
および作成する期待値信号が単純(規則性のある)であ
ることから、作成に要する時間や労力は大幅に減少す
る。さらに、第1〜第4のテスト方法を用いると、入力
信号のバリエーションが増し、より効果的な機能試験が
実施できる。FIG. 9 shows a case in which an expected value corresponding to the current value measured at the test terminal Vtest is prepared and a defect is detected. The input pattern of the input signal is prepared so that the output pattern shown in FIG. 9A is obtained. When an input signal is input to the semiconductor integrated circuit and an output signal is output, the test circuit 10 obtains the last output from the time when the first measurement output signal (signal when the integrated circuit is normal) is obtained. Until the test cycle is completed.
Are all turned on (FIG. 9B). As shown in FIG. 9C, three types of expected values (H,
Z, L) are provided, and an input pattern of an input signal is prepared so that the output pattern of FIG. 9A is obtained. By setting in this way, it is necessary to prepare an output pattern, but one terminal that requires the expected value is one terminal,
In addition, since the expected value signal to be created is simple (regular), the time and labor required for the creation are greatly reduced. Furthermore, when the first to fourth test methods are used, the variation of the input signal increases, and a more effective function test can be performed.
【0038】特に最近の液晶ドライバでは、大画面対応
とパネル当たりの使用個数低減のためにチップ当たりの
出力端子数が増大する傾向にあり、それと共に出力端子
のパッドピッチが狭小化してきており、プロービングが
困難となってきている。更に、プロービング治具はパッ
ドピッチに応じてピン1本当たりのコストが変わり(フ
ァイン化するほど高価となる)これに端子数を乗じて全
体の値段が決定される。即ち、上記液晶ドライバの例で
はプロービング治具が非常に高価となる(入力端子は数
が少なくチップ上での配置自由度も高いためパッドピッ
チを狭小化する必要性は低い)。そこで、液晶ドライバ
のテストに本発明を用いることにより、出力端子へのプ
ロービングが不要となるため、プロービングの容易化と
プロービング治具の低コスト化が図れ、よりよい効果が
得られる。Particularly, in recent liquid crystal drivers, the number of output terminals per chip tends to increase in order to cope with a large screen and reduce the number of used terminals per panel. At the same time, the pad pitch of output terminals has been narrowed. Probing is becoming more difficult. Further, the cost per pin of the probing jig changes according to the pad pitch (the higher the finer the jig, the higher the cost), and the overall number is determined by multiplying this by the number of terminals. That is, in the example of the liquid crystal driver, the probing jig is very expensive (there is no need to reduce the pad pitch because the number of input terminals is small and the degree of freedom in arrangement on the chip is high). Therefore, by using the present invention for testing the liquid crystal driver, probing to the output terminal becomes unnecessary, so that probing can be facilitated and the cost of the probing jig can be reduced, and a better effect can be obtained.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体集
積回路の良否判定を電源電流測定により行うために、試
験装置のコストに大きく影響する比較判定用のコンパレ
ータ回路と、判定に使用する期待値を保持しておくため
のメモリ回路が不要となり、設備投資にかかる費用が大
幅に減少できる。また、従来は出力端子の信号を取り出
すために出力端子にプロービングを行っているが、本発
明によれば出力端子へのプロービングは不必要となり、
プロービングの容易性の向上とプローブカード等の測定
治具の低コスト化も実現できる。さらに、機能試験を実
施するために従来必要であった期待値パターンの作成が
不要となるため、機能試験のためのテスト開発期間短縮
にもつながる。液晶ドライバのテストに本発明を用いる
ことにより、出力端子へのプロービングが不要となるた
め、プロービングの容易化とプロービング治具の低コス
ト化が図れ、よりよい効果が得られる。As described above, according to the present invention, the quality of a semiconductor integrated circuit is determined by measuring the power supply current, so that the comparator circuit for comparison and determination which greatly affects the cost of the test apparatus is used. A memory circuit for retaining the expected value is not required, and the cost for capital investment can be significantly reduced. Further, conventionally, probing is performed on the output terminal in order to extract a signal from the output terminal. However, according to the present invention, probing to the output terminal becomes unnecessary,
It is also possible to improve the ease of probing and reduce the cost of a measuring jig such as a probe card. Further, since it is unnecessary to create an expected value pattern which is conventionally required for performing a functional test, it is possible to shorten a test development period for the functional test. By using the present invention for testing a liquid crystal driver, probing to an output terminal becomes unnecessary, so that probing can be facilitated and the cost of a probing jig can be reduced, and a better effect can be obtained.
【図1】本発明に係る半導体集積回路のブロック図であ
る。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
【図2】インバータ回路の測定原理図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a measurement principle of an inverter circuit.
【図3】半導体集積回路の第1テスト方法を示すタイム
チャートである。FIG. 3 is a time chart illustrating a first test method of the semiconductor integrated circuit.
【図4】半導体集積回路の第2テスト方法を示すタイム
チャートである。FIG. 4 is a time chart illustrating a second test method of the semiconductor integrated circuit.
【図5】不良モデル1が生じた場合の不良検出状況を示
す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a failure detection situation when a failure model 1 occurs.
【図6】不良モデル2が生じた場合の不良検出状況を示
す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a failure detection situation when a failure model 2 occurs.
【図7】半導体集積回路の第3のテスト方法を示すタイ
ムチャートである。FIG. 7 is a time chart illustrating a third test method of the semiconductor integrated circuit.
【図8】出力端子において2端子ずつHIGHレベルの
出力期間が重なる場合の第1テスト方法を示すタイムチ
ャートである。FIG. 8 is a time chart illustrating a first test method in a case where HIGH-level output periods of two output terminals overlap each other.
【図9】テスト用端子Vtestで測定した電流値に対応し
た期待値を準備し、不良検出を行う説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram for preparing an expected value corresponding to a current value measured at a test terminal V test and performing defect detection.
【図10】従来のインバータ回路からなる集積回路のブ
ロック図である。FIG. 10 is a block diagram of an integrated circuit including a conventional inverter circuit.
【図11】1つのインバータ回路の検査ブロック図であ
る。FIG. 11 is a test block diagram of one inverter circuit.
【図12】検査装置のインバータ回路に対する機能テス
トを示すタイムチャートである。FIG. 12 is a time chart showing a function test on the inverter circuit of the inspection device.
【図13】特開平7−260857号公報に開示された
液晶表示装置の駆動回路を示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram showing a driving circuit of a liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-260857.
【図14】特開平8−184646号公報に開示された
半導体集積回路を示すブロック図である。FIG. 14 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-184646.
10 テスト回路 Pch1〜Pchn Pチャネルトランジスタ Nch1〜Nchn Nチャネルトランジスタ T1〜Tn スイッチ回路 Vtest テスト用端子 出力1〜出力n 出力端子10 Test circuit Pch1-Pchn P-channel transistor Nch1-Nchn N-channel transistor T1-Tn Switch circuit V test test terminal Output 1-Output n Output terminal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G032 AA01 AB01 AC03 AD01 AD05 AE08 AE12 AF02 AF03 AG04 AG07 AG10 AK01 AK11 AK14 AK15 AL03 AL05 2G035 AA01 AC02 AC16 AD24 2H088 FA11 HA05 MA20 5F038 BE05 DF01 DT02 DT04 DT05 DT10 DT15 EZ20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F term (reference) 2G032 AA01 AB01 AC03 AD01 AD05 AE08 AE12 AF02 AF03 AG04 AG07 AG10 AK01 AK11 AK14 AK15 AL03 AL05 2G035 AA01 AC02 AC16 AD24 2H088 FA11 HA05 MA20 5F038 BE05 DT01 DT02 DT02 DT02 DT02
Claims (7)
測定するためのテスト用端子と、 少なくとも測定時には、測定出力信号を出力する前記出
力端子と前記テスト端子を接続する切換手段とを有する
半導体集積回路。1. A plurality of output terminals for outputting a signal, a test terminal for applying a predetermined voltage and measuring a current value flowing from the output terminal, and outputting a measurement output signal at least at the time of measurement. A semiconductor integrated circuit having switching means for connecting an output terminal and the test terminal.
回路のテスト方法において、 半導体集積回路に対する入力信号を制御することによっ
て、前記出力端子から測定出力信号を出力させ、且つ前
記切換手段により、測定出力信号を出力する前記出力端
子と前記テスト端子を接続して、所定のタイミングで前
記テスト端子により電流値を測定し、出力信号の状態を
判定することを特徴とする半導体集積回路のテスト方
法。2. A test method for a semiconductor integrated circuit having a configuration according to claim 1, wherein a control circuit controls an input signal to the semiconductor integrated circuit to output a measurement output signal from the output terminal, and A test method for a semiconductor integrated circuit, comprising: connecting the output terminal for outputting a measurement output signal to the test terminal; measuring a current value with the test terminal at a predetermined timing; and determining a state of the output signal. .
では、測定出力信号を出力する前記出力端子数が同数と
なるように入力信号を制御し、前記切換手段は、前記測
定出力信号を出力する出力端子に前記テスト端子を、測
定信号出力期間だけ接続することを特徴とする請求項2
記載の半導体集積回路のテスト方法。3. At the measurement timing at the test terminal, an input signal is controlled such that the number of the output terminals for outputting a measurement output signal is the same, and the switching means is connected to an output terminal for outputting the measurement output signal. 3. The test terminal is connected for a measurement signal output period.
The test method of the semiconductor integrated circuit described in the above.
では、測定出力信号を出力する前記出力端子数が同数と
なるように入力信号を制御し、前記切換手段は、前記測
定出力信号を出力する出力端子に前記テスト端子を、測
定出力信号の出力時点から全テストサイクルが終了する
まで接続することを特徴とする請求項2記載の半導体集
積回路のテスト方法。4. At the measurement timing at the test terminal, an input signal is controlled such that the number of the output terminals for outputting a measurement output signal is the same, and the switching means is connected to an output terminal for outputting the measurement output signal. 3. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the test terminals are connected from a point in time when the measurement output signal is output until all test cycles are completed.
ト用端子に、出力端子のいずれかが最初に前記測定出力
信号を出力する時点から全テストサイクルが終了するま
で、接続することを特徴とする請求項2記載の半導体集
積回路のテスト方法。5. The switching means connects all output terminals to the test terminal from the time when any of the output terminals first outputs the measurement output signal until the end of the entire test cycle. 3. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein
流れる電流に対する期待値を複数設定し、測定タイミン
グで前記テスト用端子に流れる電流と前記期待値を比較
することを特徴とする請求項3、4又は5記載の半導体
集積回路のテスト方法。6. The method according to claim 3, wherein a plurality of expected values for a current flowing through the test terminal at the measurement timing are set, and a current flowing through the test terminal at the measurement timing is compared with the expected value. 6. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 5.
あることを特徴とする請求項2乃至6記載の半導体集積
回路のテスト方法。7. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein said semiconductor integrated circuit is an LCD driver.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10270084A JP2000098002A (en) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | Semiconductor integrated circuit and test method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP10270084A JP2000098002A (en) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | Semiconductor integrated circuit and test method therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005291972A (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Casio Comput Co Ltd | Inspection circuit |
| JP2006105738A (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Canon Inc | Semiconductor integrated circuit inspection apparatus, semiconductor integrated circuit inspection method, and program |
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1998
- 1998-09-24 JP JP10270084A patent/JP2000098002A/en active Pending
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