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JP2000091096A - X-ray generator - Google Patents

X-ray generator

Info

Publication number
JP2000091096A
JP2000091096A JP10259056A JP25905698A JP2000091096A JP 2000091096 A JP2000091096 A JP 2000091096A JP 10259056 A JP10259056 A JP 10259056A JP 25905698 A JP25905698 A JP 25905698A JP 2000091096 A JP2000091096 A JP 2000091096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
optical element
ray
chlorine
ray generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10259056A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kondo
洋行 近藤
Noriaki Kamitaka
典明 神高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10259056A priority Critical patent/JP2000091096A/en
Publication of JP2000091096A publication Critical patent/JP2000091096A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Plasma Technology (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 LPXから放出された金属飛散粒子により、
光学部材が汚染されて性能が低下することを抑制でき、
長期間の使用が可能なLPXを提供する。 【解決手段】 一定時間LPXを動作させた後に、又は
可視光カットX線透過膜107の透過率をモニターし
て、その透過率が設定値を下回ったときに、LPXの動
作を停止する。そして、可視光カットX線透過膜107
を加熱し、所定の温度になった後、ガス導入口115か
ら塩素ガスとSiCl4ガスの混合ガスを導入するととも
に、真空ポンプ116により排気して、所定の圧力(例
えば0.01〜0.1Torr)に維持する。その後、水銀ランプ
109を点灯させ、またシャッター112を開けて、紫
外光を可視光カットX線透過膜107上に照射する。こ
れにより、可視光カットX線透過膜107上に付着した
金属飛散粒子は、金属塩化物となり、ガスと共に真空容
器100外に排出される。
(57) [Summary] [PROBLEMS] Due to metal scattered particles released from LPX,
It can suppress that the optical member is contaminated and the performance is reduced,
Provide an LPX that can be used for a long time. SOLUTION: After the LPX has been operated for a certain period of time, or when the transmittance of the visible light cut X-ray transmission film 107 is monitored and the transmittance becomes lower than a set value, the LPX operation is stopped. Then, the visible light cut X-ray transmission film 107
Is heated to a predetermined temperature, a mixed gas of chlorine gas and SiCl 4 gas is introduced from a gas inlet 115 and exhausted by a vacuum pump 116 to a predetermined pressure (for example, 0.01 to 0.1 Torr). maintain. Thereafter, the mercury lamp 109 is turned on and the shutter 112 is opened to irradiate the visible light cut X-ray transmitting film 107 with ultraviolet light. As a result, the scattered metal particles adhering to the visible light cut X-ray transmission film 107 become metal chlorides and are discharged out of the vacuum vessel 100 together with the gas.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線顕微鏡、X線
分析装置、X線露光装置などのX線機器のX線源として
用いて好適なX線発生装置に関するものであり、さらに
詳しくは、光学系の汚損を防止するか清浄化することに
より、長期間の使用又は連続使用を可能にしたX線発生
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray generator suitable for use as an X-ray source for X-ray equipment such as an X-ray microscope, an X-ray analyzer and an X-ray exposure apparatus. The present invention relates to an X-ray generator that can be used for a long time or continuously used by preventing or cleaning an optical system from contamination.

【0002】[0002]

【従来の技術】減圧された真空容器内の標的部材にレー
ザー光を集光照射することにより標的部材の材料をプラ
ズマ化し、このプラズマから輻射されるX線を利用する
X線源(以下、LPXという)は小型でありながら、ア
ンジュレーターに匹敵するほどの輝度を有する。そのた
め、LPXは、X線顕微鏡、X線分析装置、X線露光装
置などのX線機器のX線源として近年注目を集めてい
る。
2. Description of the Related Art An X-ray source (hereinafter referred to as LPX) utilizing the X-rays radiated from the plasma by converting the material of the target member into plasma by condensing and irradiating a laser beam onto the target member in a reduced-pressure vacuum vessel. Has a brightness comparable to that of an undulator while being small. For this reason, LPX has recently attracted attention as an X-ray source for X-ray equipment such as an X-ray microscope, an X-ray analyzer, and an X-ray exposure apparatus.

【0003】このLPXは放射光発生装置のように高真
空度(10-9Torr程度)を必要としない。すなわち、レー
ザー光が標的部材に到達する前に、真空容器内の残留ガ
スにより気中放電したり、プラズマから発生したX線が
被照射物体に到達する前に、強い吸収を受けない程度の
真空度であればよい。具体的には数10Torr〜0.1Torr程
度の真空度でよく、ロータリーポンプなどの安価な真空
排気装置により十分達成できる真空度であるため、手軽
に利用できる利点もある。
[0003] This LPX does not require a high vacuum (about 10 -9 Torr) unlike a synchrotron radiation generator. That is, before the laser beam reaches the target member, a vacuum is generated to the extent that it does not receive strong absorption before X-rays generated from plasma are discharged in the air due to residual gas in the vacuum vessel or X-rays generated from plasma reach the irradiation target. Degree is fine. Specifically, the degree of vacuum may be several tens Torr to 0.1 Torr, and the degree of vacuum can be sufficiently achieved by an inexpensive vacuum evacuation device such as a rotary pump.

【0004】しかしながら、LPXにおいては、X線の
他にプラズマやプラズマ近傍から標的材料あるは周辺部
材からのイオン、原子または小片(以下、これらを飛散
粒子という)が放出される。これらの飛散粒子は、プラ
ズマ近傍に配置された光学素子等(例えばレーザー光を
真空容器内に導入する窓、真空容器内に配置されている
レーザー光集光レンズ、プラズマから輻射されたX線を
反射するミラー、プラズマから輻射されたX線を透過し
可視光をカットするためのフィルターなど)に付着、堆
積し、これら光学素子等の性能(反射率や透過率など)
を低下させてしまう。
However, in LPX, in addition to X-rays, ions, atoms or small pieces (hereinafter referred to as scattered particles) are emitted from a target material or peripheral members from plasma or the vicinity of the plasma. These scattered particles are generated by an optical element or the like arranged in the vicinity of the plasma (for example, a window for introducing laser light into the vacuum vessel, a laser light focusing lens arranged in the vacuum vessel, an X-ray radiated from the plasma). Adhering and depositing on reflecting mirrors, filters that transmit X-rays radiated from plasma and cut visible light, etc.), and the performance of these optical elements (reflectance, transmittance, etc.)
Is reduced.

【0005】飛散粒子で汚れた光学素子等を逐一交換し
ていては、コストが高くなり手間もかかるため実用的で
はない。また、光学素子等を取り出して洗浄して再設置
する場合には、そのたびに光学系のアライメントをやり
直す必要があり、非常に手間がかかるため、これもまた
実用的ではない。
[0005] Replacing optical elements and the like contaminated with scattered particles one by one is not practical because of high cost and labor. In addition, when the optical element or the like is taken out, washed and reinstalled, it is necessary to re-align the optical system each time, which is very troublesome, and this is not practical.

【0006】そこで、LPXを利用するに当たっては、
この飛散粒子の低減が重要な課題であり、以下に示すよ
うな様々な方法が考えられている。 (1) 真空容器内にガスを充填し、飛散粒子とガス分子と
の衝突により飛散粒子の速度を減速、停止させて、飛散
粒子が光学素子等に到達しないようにするか、到達する
量を少なくする方法。 (2) レーザー光が通過可能であり、生成されたプラズマ
から輻射されたX線を取り出すのに十分な大きさの開口
を有する飛散粒子制御部材をプラズマ近傍に配置するこ
とにより、飛散粒子の放出角度分布を標的部材表面の法
線方向に集中させて、X線の取り出し方向への放出量を
少なくする方法(特開平6−216131号公報)。 (3) レーザー光が通過可能であり、生成されたプラズマ
から輻射されたX線を取り出すのに十分な大きさの開口
を有する飛散粒子阻止部材によりプラズマを囲うことに
より、飛散粒子を阻止する方法(特開平6−30519
9号公報)。 (4) X線取り出し立体角に隣接あるいは近接するように
飛散粒子阻止部材を配置して、光学素子等をその中に囲
うように保護する方法(特開平7−127600号公
報)。 (5) X線取り出し方向に磁石を配置して、飛散粒子の軌
道を曲げることにより、X線被照射物体上に飛散粒子が
到達しないようにする方法(望月等、応用物理学会講演
予稿集、1985)。
Therefore, in using LPX,
The reduction of the scattered particles is an important issue, and various methods described below have been considered. (1) Fill the gas in the vacuum vessel and reduce or stop the speed of the scattered particles by the collision of the scattered particles with the gas molecules to prevent the scattered particles from reaching the optical element or the like, or reduce the amount of the scattered particles. How to reduce. (2) Dispersion of scattered particles by placing a scattered particle control member that is capable of passing laser light and has an opening large enough to extract radiated X-rays from the generated plasma in the vicinity of the plasma. A method in which the angular distribution is concentrated in the normal direction of the surface of the target member to reduce the amount of X-rays emitted in the direction in which the X-rays are extracted (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 6-216131). (3) A method of blocking scattered particles by surrounding the plasma with a scattered particle blocking member that is capable of passing laser light and has an opening large enough to extract radiated X-rays from the generated plasma (JP-A-6-30519
No. 9). (4) A method in which a scattered particle blocking member is arranged so as to be adjacent to or close to a solid angle for extracting X-rays, and an optical element or the like is protected so as to be enclosed therein (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-127600). (5) A method in which a magnet is arranged in the X-ray extraction direction and the trajectory of the scattered particle is bent so that the scattered particle does not reach the X-ray irradiated object (Mochizuki et al., Proceedings of the Japan Society of Applied Physics, 1985).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単にガ
スを真空容器内に充填して飛散粒子を低減しようとした
場合には、光学素子等が配置されている方向とは異なる
方向に放出された飛散粒子も、ガス分子との多数回にわ
たる衝突により拡散して、最終的に光学素子等上に付
着、堆積してしまうこととなり、その効果は十分ではな
い。
However, when it is intended to reduce the scattered particles simply by filling the gas in the vacuum vessel, the scattered light emitted in a direction different from the direction in which the optical elements and the like are arranged is considered. Particles are also diffused by many collisions with gas molecules, and eventually adhere and deposit on optical elements and the like, and the effect is not sufficient.

【0008】特開平6−305199号公報に記載され
る方法においては、X線の取り出し立体角が大きくなる
と、飛散粒子阻止部材の開口が大きくなって効果が低下
してしまう。
In the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-305199, when the solid angle at which the X-ray is taken out increases, the aperture of the scattered particle blocking member increases and the effect is reduced.

【0009】7−127600号公報に記載される方法
においては、X線の取り出し立体角が大きくなると、励
起レーザー光との干渉が問題となる。
In the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-127600, when the solid angle at which the X-ray is taken out becomes large, interference with the excitation laser beam becomes a problem.

【0010】また、磁場を用いて飛散粒子の軌道を曲げ
る場合には、真空中では飛散粒子の速度が非常に速い
(>106cm/sec)ので、高速運動する飛散粒子が被照射
物体に当たらないように曲げるためには、大きな磁場を
作る必要があり、実現が困難である。特に、X線光量を
大きくとるためにプラズマから被照射物体までの距離を
近づけたときには、飛散粒子の軌道を更に大きく曲げる
必要があり、ますます大きな磁場が要求される。そのた
め、磁石の製作や取り付けなどが難しくなり、コストも
非常に高いものとなる。
When the trajectory of a flying particle is bent using a magnetic field, the speed of the flying particle in a vacuum is very high (> 10 6 cm / sec). In order to bend without hitting, it is necessary to create a large magnetic field, which is difficult to realize. In particular, when the distance from the plasma to the object to be irradiated is reduced in order to obtain a large amount of X-rays, the trajectory of the scattered particles needs to be further bent, and an even larger magnetic field is required. Therefore, it is difficult to manufacture and mount the magnet, and the cost is very high.

【0011】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、LPXから放出された金属飛散粒子によ
り、真空容器内に配置された光学素子、X線光学素子、
光学部材、光学素子または光学部材であるX線被照射物
体等(今後これらを単に光学素子と呼ぶ)が汚染されて
性能が低下することを防止又は抑制でき、長期間の使用
又は連続使用が可能なLPXを提供することを課題とす
る。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an optical element, an X-ray optical element, and an optical element arranged in a vacuum vessel by metal scattered particles emitted from LPX are provided.
It is possible to prevent or suppress the deterioration of the performance due to contamination of the optical member, the optical element or the X-ray irradiated object which is the optical member (hereinafter, these are simply referred to as optical elements), and can be used for a long time or continuously. It is an object to provide a simple LPX.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第1の手段は、減圧された真空容器内の標的部材にレ
ーザー光を照射してプラズマを形成し、当該プラズマか
らX線を取り出すX線発生装置であって、前記真空容器
内、又は前記真空容器内に配置されている光学素子若し
くは前記真空容器の一部を形成している光学素子の少な
くとも1個の近傍に、塩素ガス又は塩素を含む気体の少
なくとも一方を導入する機構を設けたことを特徴とする
X線発生装置(請求項1)である。
A first means for solving the above-mentioned problem is to form a plasma by irradiating a target member in a reduced-pressure vacuum vessel with a laser beam, and to extract X-rays from the plasma. An X-ray generator, wherein at least one of an optical element disposed in the vacuum container or an optical element disposed in the vacuum container or an optical element forming a part of the vacuum container is provided with chlorine gas or An X-ray generator (Claim 1) is provided with a mechanism for introducing at least one of chlorine-containing gases.

【0013】本手段においては、光学素子が置かれてい
る真空容器内又は光学素子近傍に塩素又は塩素を含むガ
スを導入することにより、光学素子上に付着している飛
散粒子と塩素を反応させ、塩化物として気化させること
により、光学素子上より飛散粒子を除去する。この方法
は、飛散粒子が銅である場合等、塩素と反応を起こしや
すい物質である場合に特に有効である。
In this means, by introducing chlorine or a gas containing chlorine into the vacuum vessel in which the optical element is placed or in the vicinity of the optical element, the scattered particles adhering to the optical element react with chlorine. The scattered particles are removed from the optical element by vaporizing as chloride. This method is particularly effective when the scattered particles are substances that easily react with chlorine, such as when copper is used.

【0014】前記課題を解決するための第2の手段は、
減圧された真空容器内の標的部材にレーザー光を照射し
てプラズマを形成し、当該プラズマからX線を取り出す
X線発生装置であって、当該プラズマから輻射されたX
線が最初に入射する光学素子(第1光学素子)を含んで
いる真空容器内又は第1光学素子近傍に塩素ガス又は塩
素を含む気体の少なくとも一方を導入する機構を設けた
ことを特徴とするX線発生装置(請求項2)である。
[0014] A second means for solving the above-mentioned problems is as follows.
An X-ray generator for irradiating a target member in a decompressed vacuum vessel with laser light to form plasma and extracting X-rays from the plasma, wherein X-rays radiated from the plasma are generated.
A mechanism is provided for introducing at least one of chlorine gas or gas containing chlorine into a vacuum vessel containing an optical element (first optical element) on which a line is first incident or in the vicinity of the first optical element. An X-ray generator (Claim 2).

【0015】LPXの種類によっては、LPXから輻射
されたX線が最初に入射する光学素子(第1光学素子)
が、他の光学素子とは別の真空容器中に設置されている
場合がある。この場合には、この第1光学素子が集中的
に汚染されるので、第1光学素子の汚染によるLPXの
性能劣化を防ぐ必要がある。本手段においては、前記第
1の手段で真空容器中の光学素子、又は真空容器の一部
を構成する光学素子に行ったと同じことを、第1光学素
子に対して行っている。よって、第1光学素子の汚染を
除去することができる。
Depending on the type of LPX, an optical element (first optical element) on which X-rays radiated from the LPX first enter
However, there is a case where it is installed in a vacuum container different from other optical elements. In this case, since the first optical element is intensively contaminated, it is necessary to prevent performance degradation of the LPX due to contamination of the first optical element. In this means, the same operation as that performed on the optical element in the vacuum vessel or the optical element constituting a part of the vacuum vessel by the first means is performed on the first optical element. Therefore, contamination of the first optical element can be removed.

【0016】前記課題を解決するための第3の手段は、
前記第1の手段であって、前記塩素ガス又は塩素を含む
気体の少なくとも一方にさらされている前記光学素子の
少なくとも1個に、可視光、紫外光、真空紫外光又はこ
れらよりも短波長の光を照射する機構とを設けたことを
特徴とするX線発生装置(請求項3)である。
A third means for solving the above-mentioned problem is as follows.
In the first means, at least one of the optical elements exposed to at least one of the chlorine gas or the gas containing chlorine, visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light or shorter wavelength of these An X-ray generator (claim 3), comprising a mechanism for irradiating light.

【0017】本手段においては、塩素ガス(Cl2)雰囲
気中で紫外光や真空紫外光を照射するとClラジカルが生
成される。このClラジカルにより光学素子表面に付着し
ている金属飛散粒子を塩化物として気化させることによ
り、光学素子表面の飛散粒子を除去することができる。
気化した金属塩化物は真空ポンプにより真空容器外に排
気される。従って、本手段によれば、真空容器内に配置
された光学素子等へのLPXから放出された金属飛散粒
子付着による性能低下を阻止または抑制することができ
るので、汚染された光学素子等を取り替えたり、取り外
して洗浄するために装置を停止する必要がなく、その結
果、装置を長期間にわたって安定に動作させることがで
きる。導入する気体は、塩素ガスのみでもよく、塩素を
含む気体1種類のみでもよく、あるいはこれらの混合
物、または塩素ガスを含む気体2種以上の混合物、さら
にはこれらと塩素ガスの混合物のいずれでもよい。たと
えば、塩素ガスとSiCl4の混合ガスであってもよい。
In this means, Cl radicals are generated when irradiated with ultraviolet light or vacuum ultraviolet light in a chlorine gas (Cl 2 ) atmosphere. By evaporating the metal scattered particles adhering to the optical element surface as chloride by the Cl radical, the scattered particles on the optical element surface can be removed.
The vaporized metal chloride is exhausted out of the vacuum vessel by a vacuum pump. Therefore, according to the present means, it is possible to prevent or suppress the performance degradation due to the adhesion of the scattered metal particles emitted from the LPX to the optical element and the like arranged in the vacuum vessel, and thus replace the contaminated optical element and the like. There is no need to stop the apparatus for removing or cleaning, and as a result, the apparatus can be operated stably for a long period of time. The gas to be introduced may be only chlorine gas, one kind of gas containing chlorine, or a mixture thereof, or a mixture of two or more gases containing chlorine gas, or a mixture of these and chlorine gas. . For example, a mixed gas of chlorine gas and SiCl 4 may be used.

【0018】前記課題を解決するための第4の手段は、
前記第2の手段であって、前記第1光学素子に、可視
光、紫外光、真空紫外光又はこれらよりも短波長の光を
照射する機構とを設けたことを特徴とするX線発生装置
(請求項4)である。
A fourth means for solving the above problem is as follows.
An X-ray generator, wherein the second means is provided with a mechanism for irradiating the first optical element with visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light, or light having a shorter wavelength. (Claim 4).

【0019】LPXの種類によっては、LPXから輻射
されたX線が最初に入射する光学素子(第1光学素子)
が、他の光学素子とは別の真空容器中に設置されている
場合がある。この場合には、この第1光学素子が集中的
に汚染されるので、第1光学素子の汚染によるLPXの
性能劣化を防ぐ必要がある。本手段においては、前記第
3の手段で真空容器中の光学素子、又は真空容器の一部
を構成する光学素子に行ったと同じことを、第1光学素
子に対して行っている。よって、第1光学素子の汚染に
よるLPXの性能劣化を防ぐことができる。
Depending on the type of LPX, an optical element (first optical element) on which X-rays radiated from the LPX enter first
However, there is a case where it is installed in a vacuum container different from other optical elements. In this case, since the first optical element is intensively contaminated, it is necessary to prevent performance degradation of the LPX due to contamination of the first optical element. In this means, the same operation as that performed on the optical element in the vacuum vessel or the optical element constituting a part of the vacuum vessel by the third means is performed on the first optical element. Therefore, it is possible to prevent the performance of the LPX from deteriorating due to contamination of the first optical element.

【0020】前記課題を解決するための第5の手段は、
前記第1の手段から第4の手段のいずれかであって、塩
素ガス又は塩素を含む気体にさらされている少なくとも
1個の光学素子を加熱する手段を備えていることを特徴
とするもの(請求項5)である。
A fifth means for solving the above problems is as follows.
Any of the first to fourth means, further comprising means for heating at least one optical element exposed to chlorine gas or a gas containing chlorine ( Claim 5).

【0021】本手段においては、塩素ガス又は塩素を含
む気体にさらされている光学素子(第4の手段が対象の
ときは第1光学素子)を加熱することにより、これらの
光学素子表面における金属塩化物の生成速度が上昇す
る。よって、金属汚染物質を取り除く速度を速めること
ができる。
In this means, by heating the optical elements (first optical element when the fourth means is an object) exposed to chlorine gas or a gas containing chlorine, the metal on the surface of these optical elements is heated. The rate of chloride formation increases. Therefore, the speed of removing metal contaminants can be increased.

【0022】前記課題を解決するための第6の手段は、
前記第1の手段から第5の手段のいずれかであって、光
学素子がシリコン(Si)又はシリコンを含む物質からな
るか、シリコン又はシリコンを含む物質により表面が形
成されている物質からなることを特徴とするもの(請求
項6)である。
A sixth means for solving the above problem is as follows.
The optical device according to any one of the first to fifth means, wherein the optical element is made of silicon (Si) or a material containing silicon, or a material whose surface is formed of silicon or a material containing silicon. (Claim 6).

【0023】本手段においては、塩素雰囲気中における
真空紫外光の照射により生成されたClラジカルにより、
Si表面がエッチングされ、それによって生成される塩化
シリコン(SiClx)が、光学素子に付着した金属飛散粒
子と反応して金属塩化物を生成し、これが気化して真空
容器外に排出されるので、特に前記第1の手段から第3
の手段の効果が発揮される。
In this means, Cl radicals generated by irradiation of vacuum ultraviolet light in a chlorine atmosphere cause
The silicon surface is etched, and the silicon chloride (SiCl x ) generated thereby reacts with the metal scattered particles attached to the optical element to generate metal chloride, which is vaporized and discharged out of the vacuum vessel. Especially the third means from the first means
The effect of the means is exhibited.

【0024】前記課題を解決する第7の手段は、前記第
3の手段から第6の手段のうちのいずれかであって、可
視光、紫外光、真空紫外光又はこれらよりも短波長の光
を放出する光源としてX線発生用のプラズマ自身を用い
ることを特徴とするもの(請求項7)である。
A seventh means for solving the above-mentioned problems is any one of the third means to the sixth means, wherein visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light or light having a shorter wavelength than these is used. Characterized in that the plasma itself for generating X-rays is used as a light source for emitting X-rays.

【0025】LPXからは可視光からX線領域の広い波
長域にわたり光が放出される。このうち紫外域からX線
領域の光を用いれば、光学素子上に付着した金属汚染物
質を除去するための光源を別途用意する必要がなくなる
ので、装置の構成が非常に単純になる。また、このと
き、LPXからの光により金属汚染物質が光学素子上か
ら除去される除去速度が、LPXから放出される金属飛
散粒子が光学素子に付着する付着速度を上回れば、LP
Xを運転していても金属汚染物質付着による光学素子の
特性の劣化が起こらないので、長期間連続運転し続ける
ことができる。
Light is emitted from LPX over a wide wavelength range from visible light to X-ray. When light in the ultraviolet region to the X-ray region is used, it is not necessary to separately prepare a light source for removing metal contaminants attached to the optical element, so that the configuration of the apparatus becomes very simple. At this time, if the removal rate at which the metal contaminant is removed from the optical element by the light from the LPX exceeds the deposition rate at which the metal scattered particles released from the LPX adhere to the optical element, LP
Even when X is operated, the characteristics of the optical element are not deteriorated due to the adhesion of the metal contaminant, so that the operation can be continuously performed for a long time.

【0026】前記課題を解決するための第8の手段は、
前記第1の手段から第7の手段のいずれかのうち、塩素
ガス又は塩素ガスを含む気体に代えて、他のハロゲンガ
ス又は他のハロゲンガスを含む気体を用いることを特徴
とするもの(請求項8)である。飛散物質と反応させて
除去するためのガスとしては、一般的に塩素ガスが好ま
しいが、他のハロゲン(たとえばフッ素)でも、このよ
うな効果が期待できる。よって、飛散物質の種類に応じ
て最適なガスを選択することが可能である。
An eighth means for solving the above-mentioned problem is as follows.
In any one of the first means to the seventh means, another halogen gas or a gas containing another halogen gas is used instead of chlorine gas or a gas containing chlorine gas. Item 8). Generally, chlorine gas is preferably used as a gas for reacting with the scattered substance to remove the same, but such effects can be expected with other halogens (for example, fluorine). Therefore, it is possible to select an optimal gas according to the type of the scattered substance.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の第
1の例を示す概要図である。図1において、100は真
空容器、101はレーザー光、102は集光レンズ、1
03はレーザー光導入窓、104は超音速ノズル、10
5はプラズマ、106はX線、107は可視光カットX
線透過膜、108は紫外線ランプ室、109は水銀ラン
プ、110は反射ミラー、111は窓、112はシャッ
ター、113は紫外線、114はクラスター分子、11
5はガス導入口、116は真空排気装置である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a first example of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 100 is a vacuum vessel, 101 is a laser beam, 102 is a condenser lens, 1
03 is a laser light introduction window, 104 is a supersonic nozzle, 10
5 is plasma, 106 is X-ray, 107 is visible light cut X
Line transmitting film, 108 is an ultraviolet lamp chamber, 109 is a mercury lamp, 110 is a reflection mirror, 111 is a window, 112 is a shutter, 113 is ultraviolet light, 114 is cluster molecules, 11
5 is a gas inlet, and 116 is a vacuum exhaust device.

【0028】超音速ノズル104からは、標的材料であ
るKrガスが数気圧〜100気圧程度の背圧により、真空ポ
ンプ116により予め排気されている真空容器100中
へ噴出されている。噴出されたKrガスは断熱膨張により
急激に温度が低下するとともに、ファンデルワールス力
によりKr原子同士がくっつき合い、大きなクラスター分
子114となる。このクラスター分子群にレーザー光1
01を照射することにより、プラズマ105を生成さ
せ、X線を発生させている。Krは常温で気体であるた
め、Krプラズマから放出された飛散粒子が、たとえ光学
素子(この実施の形態では可視光カットX線透過膜10
7やレーザー入射窓103)上に付着したとしてもやが
て気化するので、光学素子の性能を劣化させる要因には
ならない。
From the supersonic nozzle 104, a Kr gas as a target material is jetted by a vacuum pump 116 into a vacuum vessel 100 which has been evacuated in advance by a back pressure of about several to 100 atm. The temperature of the jetted Kr gas rapidly decreases due to adiabatic expansion, and Kr atoms adhere to each other due to van der Waals forces, forming large cluster molecules 114. Laser light 1
By irradiating 01, plasma 105 is generated and X-rays are generated. Since Kr is a gas at room temperature, the scattered particles emitted from the Kr plasma are generated by an optical element (in this embodiment, the visible light cut X-ray transmitting film 10).
Even if it adheres on the laser incident window 7 or the laser incident window 103), it will be vaporized soon, and will not be a factor for deteriorating the performance of the optical element.

【0029】しかし、Krは断熱膨張するので、超音速ノ
ズル104からの距離が離れるに従って、Krクラスター
数密度は急激に減少する。従って、X線量を多くしよう
とすると、クラスター密度の大きな超音速ノズル104
近傍にプラズマを作らざるをえない。すると、プラズマ
から放出された電子やイオンあるいは原子などが超音速
ノズル104やその近傍部材に衝突し、これらの部材を
削り取る。削りとられた物質は飛散粒子となり周辺に置
かれた光学素子(この例では可視光カットX線透過膜1
07やレーザー入射窓103)上に付着・堆積してしま
う。
However, since Kr adiabatically expands, the Kr cluster number density sharply decreases as the distance from the supersonic nozzle 104 increases. Therefore, when trying to increase the X-ray dose, the supersonic nozzle 104 having a large cluster density is used.
A plasma must be created nearby. Then, the electrons, ions, or atoms emitted from the plasma collide with the supersonic nozzle 104 and members in the vicinity thereof, and scrape these members. The shaved substance turns into scattered particles, and an optical element placed in the periphery (in this example, the visible light cut X-ray transmitting film 1)
07 and the laser incident window 103).

【0030】従って、長時間LPXを動作させている
と、次第に可視光カットX線透過膜107のX線透過率
が低下してしまう。超音速ノズル104がステンレスで
できている場合には、可視光カットX線透過膜107上
に付着する主な金属汚染物質はFe,Ni,Crなどである。
Therefore, when the LPX is operated for a long time, the X-ray transmittance of the visible light cut X-ray transmitting film 107 gradually decreases. When the supersonic nozzle 104 is made of stainless steel, the main metal contaminants adhering on the visible light cut X-ray transmitting film 107 are Fe, Ni, Cr and the like.

【0031】レーザー光101は集光レンズ102によ
り、石英でできているレーザー光導入窓103を通して
標的部材(この例ではKrクラスター分子群)上に集光さ
れて、プラズマ105を発生させる。このプラズマから
輻射されるX線の一部106を可視光カットX線透過膜
107(ここでは厚さ1μmのSi薄膜を使用している)
を透過させた後、他のX線光学素子(例えばX線多層膜
ミラーなど)へと導いている。可視光カットX線透過膜
107の近傍には、光学素子を加熱する機構である図示
されない電熱線が取り付けられており、可視光カットX
線透過膜107を数100℃の温度にまで加熱することが
できるようになっている。このように、光学素子である
可視光カットX線透過膜107を加熱することにより金
属塩化物の生成速度が上昇するので可視光カットX線透
過膜107上から金属汚染物質を取り除く速度が速くな
る。
The laser beam 101 is condensed by a condenser lens 102 on a target member (Kr cluster molecules in this example) through a laser beam introduction window 103 made of quartz, and a plasma 105 is generated. A part 106 of the X-rays radiated from this plasma is converted into a visible light-cut X-ray transmitting film 107 (here, a 1 μm-thick Si thin film is used).
After passing through, the light is guided to another X-ray optical element (for example, an X-ray multilayer mirror). In the vicinity of the visible light cut X-ray transmission film 107, a heating wire (not shown), which is a mechanism for heating the optical element, is attached.
The line transmitting film 107 can be heated to a temperature of several hundred degrees Celsius. As described above, by heating the visible light cut X-ray transmission film 107 as an optical element, the generation rate of the metal chloride is increased, so that the speed of removing the metal contaminants from the visible light cut X-ray transmission film 107 is increased. .

【0032】紫外線ランプ室108には、水銀ランプ1
09が取り付けられている。水銀ランプからの紫外線1
13は、反射ミラー110において反射してから窓11
1(石英やCaF2等)を透過した後、可視光カットX線透
過膜107上に照射される。これらの構成は、真空紫外
光を照射する機構をなしている。
The ultraviolet lamp chamber 108 contains a mercury lamp 1
09 is attached. UV rays from mercury lamp 1
Reference numeral 13 denotes the window 11 after being reflected by the reflection mirror 110.
After passing through 1 (quartz, CaF 2 or the like), it is irradiated onto the visible light cut X-ray transmission film 107. These configurations constitute a mechanism for irradiating vacuum ultraviolet light.

【0033】この機構においては、飛散粒子が窓111
に付着、堆積しないように、シャッター112が設けら
れており、LPX動作中はシャッター112により窓1
11が覆われる。一定時間LPXを動作させた後に、又
は可視光カットX線透過膜107の透過率をモニターし
て、その透過率が設定値を下回ったときに、LPXの動
作を停止する。そして、可視光カットX線透過膜107
を加熱し、所定の温度(例えば400℃)になった後、ガ
ス導入口115から塩素ガスとSiCl4ガス(塩素を含む
ガスの一例)の混合ガスを導入するとともに、真空ポン
プ116により排気して、所定の圧力(例えば0.01〜数
十Torr)に維持する。
In this mechanism, the scattered particles are
A shutter 112 is provided so as not to adhere to or accumulate on the window 1 during the LPX operation.
11 is covered. After the LPX is operated for a certain period of time, or when the transmittance of the visible light cut X-ray transmitting film 107 is monitored and the transmittance becomes lower than a set value, the LPX operation is stopped. Then, the visible light cut X-ray transmission film 107
Is heated to a predetermined temperature (for example, 400 ° C.), a mixed gas of chlorine gas and SiCl 4 gas (an example of a gas containing chlorine) is introduced from the gas inlet 115, and exhausted by the vacuum pump 116. To maintain a predetermined pressure (for example, 0.01 to several tens of Torr).

【0034】その後、水銀ランプ109を点灯させ、ま
たシャッター112を開けて、紫外光を可視光カットX
線透過膜107上に照射する。水銀ランプ109から放
出された紫外光によりClラジカルが生成される。する
と、可視光カットX線透過膜107上に付着した金属飛
散粒子は、塩素雰囲気中における真空紫外光の照射によ
り生成されたClラジカルとの反応、あるいはClラジカル
によるSi表面(可視光カットX線透過膜107の構成物
質)のエッチングで生成される塩化シリコン(SiClx
との反応、あるいは真空容器内に導入したSiCl4との反
応により金属塩化物を生成し、これが気化して真空容器
100外へ排気される。
After that, the mercury lamp 109 is turned on and the shutter 112 is opened to cut the ultraviolet light into the visible light X.
Irradiation is performed on the line transmitting film 107. Ultraviolet light emitted from the mercury lamp 109 generates Cl radicals. Then, the metal scattered particles adhering to the visible light cut X-ray transmission film 107 react with Cl radicals generated by irradiation of vacuum ultraviolet light in a chlorine atmosphere, or the Si surface by the Cl radicals (visible light X-rays). Silicon chloride (SiCl x ) generated by etching of the permeable film 107)
Or a reaction with SiCl 4 introduced into the vacuum vessel to generate metal chloride, which is vaporized and exhausted out of the vacuum vessel 100.

【0035】そのため、可視光カットX線透過膜107
上に付着、堆積した金属汚染物質が取り除かれて、可視
光カットX線透過膜107の透過率は、透過膜107が
清浄な状態における当初の値にまで回復する。以上の操
作をX線発生装置が動作していない期間(たとえば夜間
など)に自動的に行えば、装置の動作時には常に清浄な
可視光カットX線透過膜107を使用できるので都合が
よい。もし、真空容器内に導入する塩素ガス又は塩素を
含むガスによるX線の吸収が十分小さい場合でも前記除
去処理が可能であれば、LPXの動作中に行ってもよ
い。この場合にはLPXの運転を中断することがないの
で、より効果的である。
For this reason, the visible light cut X-ray transmitting film 107
The metal contaminants deposited and deposited on the upper surface are removed, and the transmittance of the visible light cut X-ray transmitting film 107 is restored to the original value when the transmitting film 107 is in a clean state. If the above operation is automatically performed during a period in which the X-ray generator is not operating (for example, at night), it is convenient because a clean visible light-cut X-ray transmitting film 107 can always be used when the apparatus is operating. If the X-ray absorption by the chlorine gas or the gas containing chlorine introduced into the vacuum vessel is sufficiently small, the removal may be performed during the operation of the LPX if the removal processing is possible. In this case, the operation of the LPX is not interrupted, which is more effective.

【0036】以上に説明した実施の形態においては、真
空容器内に塩素ガスあるいは塩素を含むガスを導入し、
所定の圧力を維持していたが、ノズルなどにより光学素
子の近傍に上記ガスを噴出させるようにしてもよい。こ
のときのガス噴出は連続的であっても良いしパルス的で
あってもよい。
In the embodiment described above, chlorine gas or a gas containing chlorine is introduced into the vacuum vessel,
Although the predetermined pressure is maintained, the gas may be ejected to the vicinity of the optical element by a nozzle or the like. The gas ejection at this time may be continuous or pulsed.

【0037】また、以下のようにしてLPXの運転を止
めずに金属飛散粒子の除去を行ってもよい。すなわち、
同じ作用を行う光学素子を複数用意でき、それらが容易
に交換可能である場合には、1つの光学素子の性能が劣
化した場合に、他の光学素子と交換して、新たな光学素
子が汚染されて性能が劣化する前に、以前に使用してい
た光学素子上に付着した金属汚染物質を上記手段により
除去する。
Further, the scattered metal particles may be removed without stopping the operation of the LPX as follows. That is,
If multiple optical elements that perform the same function can be prepared and they can be easily replaced, if the performance of one optical element deteriorates, replace it with another optical element and contaminate the new optical element. Before the performance deteriorates, metal contaminants adhering to the optical element used before are removed by the above-mentioned means.

【0038】この方法を図2を用いて説明する。図2に
おいて、201は円盤、202a〜202dは可視光カ
ットX線透過膜、203はケース、204、204’は
開口、205はガス導入口、206は窓、207はX線
源、208はX線、209a〜209dは電熱線、21
0はガス排出口である。
This method will be described with reference to FIG. In FIG. 2, 201 is a disk, 202a to 202d are visible light cut X-ray permeable films, 203 is a case, 204 and 204 'are openings, 205 is a gas inlet, 206 is a window, 207 is an X-ray source, and 208 is X Wires, 209a to 209d are heating wires, 21
0 is a gas outlet.

【0039】図2(a)に示すように、1つの円盤20
1上に同一材料の4つの可視光カットX線透過膜202
a〜202dが取り付けられている。これら、可視光カ
ットX線透過膜202a〜202dの周囲には、加熱用
の電熱線209a〜209dが取り付けられている。こ
の円盤201は図2(b)に示すケース203内に収納
されていて、円盤201はその中心を軸に回転できるよ
うになっている。ケース203にはX線208の光軸上
に開けられた開口204、204’と紫外線を照射する
ための窓206が設けられている(開口204’は、ケ
ース203の裏側に設けられている)。窓206は、飛
散粒子が付着しない位置に設けられており、かつ、紫外
線ランプ室(不図示)が密着して取り付けられいる。ケ
ース203にはガス導入口205が設けられており、こ
こからケース203内に塩素ガス又は塩素を含むガスの
少なくとも一方が導入される。また、ケース203に
は、ガス排出口210が取り付けられており、この先に
は排気装置(不図示)が設けられて、ケース203に導
入されたガスを排気している。
As shown in FIG. 2A, one disk 20
Four visible light cut X-ray transparent films 202 of the same material on 1
a to 202d are attached. Heating heating wires 209a to 209d are attached around the visible light cut X-ray transmitting films 202a to 202d. The disk 201 is housed in a case 203 shown in FIG. 2B, and the disk 201 can rotate around its center. The case 203 is provided with openings 204 and 204 ′ opened on the optical axis of the X-ray 208 and a window 206 for irradiating ultraviolet rays (the opening 204 ′ is provided on the back side of the case 203). . The window 206 is provided at a position where scattering particles do not adhere, and an ultraviolet lamp chamber (not shown) is attached in close contact therewith. The case 203 is provided with a gas inlet 205 from which at least one of a chlorine gas and a gas containing chlorine is introduced into the case 203. Further, a gas outlet 210 is attached to the case 203, and an exhaust device (not shown) is provided in front of the gas outlet 210 to exhaust gas introduced into the case 203.

【0040】開口204、204’には、円盤201に
向かって、円筒状のカバーが取り付けられており、その
先端は円盤201のごく近傍まで達している。このた
め、ケース203内に導入されたガスのうち、開口20
4、204’を通ってケース203が置かれている真空
容器内に漏れ出す量は少なくなり、大部分は排出口21
0より真空容器外へ排出される。したがって、ケース2
03外に漏れ出したガスによるX線の吸収を少なくする
ことができる。
A cylindrical cover is attached to the openings 204 and 204 ′ toward the disk 201, and the tip of the cover reaches the vicinity of the disk 201. Therefore, of the gas introduced into the case 203, the opening 20
4, 204 ′, the amount of leakage into the vacuum vessel in which the case 203 is placed is reduced, and most of the
It is discharged out of the vacuum container from 0. Therefore, Case 2
X-ray absorption by the gas leaked to the outside can be reduced.

【0041】4つの可視光カットX線透過膜のうち1つ
だけが開口204、204’の位置に配置されていて、
LPX運転中は開口204、204’の位置にある可視
光カットX線透過膜上のみに飛散粒子が付着し、他の3
つの可視光カットX線透過膜には飛散粒子は付着しな
い。光軸上の可視光カットX線透過膜の透過率が低下し
てきたら、円盤201を回し、新しい可視光カットX線
透過膜が光軸上に来るようにする。同様のことを4回繰
り返せば、最初の可視光カットX線透過膜がX線光軸上
に戻ってくることになるが、この途中で、飛散粒子によ
り汚染された可視光カットX線透過膜が窓206の位置
に来たときに、対応する電熱線209a〜209dのひ
とつに電流を流して加熱すると共に、塩素ガス又は塩素
を含むガスの少なくとも一方をガス導入口205から導
入し、窓206を通して紫外光を照射すれば、前述の作
用により可視光カットX線透過膜上に付着した金属飛散
粒子を除去することができ、1周して戻ってきた可視光
カットX線透過膜の透過率はほぼ元の透過率に回復して
いる。この様にすればLPXの運転を中断することな
く、常に初期状態に近い光学性能を維持することができ
る。
Only one of the four visible light cut X-ray transmitting films is disposed at the position of the openings 204 and 204 ′.
During the LPX operation, the scattered particles adhere only to the visible light cut X-ray permeable film at the positions of the openings 204 and 204 ', and the other 3
The scattered particles do not adhere to the two visible light cut X-ray transmitting films. When the transmittance of the visible light cut X-ray transmitting film on the optical axis decreases, the disk 201 is turned so that a new visible light cut X-ray transmitting film is on the optical axis. If the same operation is repeated four times, the first visible light cut X-ray transmission film will return on the X-ray optical axis. On the way, the visible light cut X-ray transmission film contaminated by the scattered particles. Comes to the position of the window 206, a current is applied to one of the corresponding heating wires 209a to 209d to heat it, and at least one of chlorine gas or gas containing chlorine is introduced from the gas inlet 205, and By irradiating ultraviolet light through the filter, the metal scattering particles attached to the visible light-cut X-ray permeable film can be removed by the above-described action, and the transmittance of the visible light-cut X-ray permeable film returned after one round has returned. Has almost recovered to the original transmittance. In this way, the optical performance close to the initial state can always be maintained without interrupting the operation of the LPX.

【0042】図2の例では紫外線照射用の窓が1つであ
ったが、これらを3つに増やせば、金属飛散粒子を除去
している時間が長くなるので、より完全に金属飛散粒子
を除去することができる。このように、本実施の形態の
X線発生装置によれば、真空容器内に配置された光学素
子等の金属汚染物質による性能低下を阻止または抑制す
ることができるので、汚染された光学素子等を取り替え
たり、取り外して洗浄するために装置を停止する必要が
なく、その結果、装置を長期間にわたって安定に動作さ
せることができる。
In the example of FIG. 2, the number of windows for irradiating the ultraviolet rays is one. However, if the number of these windows is increased to three, the time for removing the metal scattered particles becomes longer, so that the metal scattered particles can be more completely removed. Can be removed. As described above, according to the X-ray generator of the present embodiment, it is possible to prevent or suppress performance degradation due to metal contaminants such as an optical element disposed in a vacuum vessel. It is not necessary to stop the apparatus for replacing or removing and washing, and as a result, the apparatus can be operated stably for a long period of time.

【0043】この実施の形態では、付着物質の除去処理
を可視光カットX線透過膜に対してのみ行っているが、
真空容器の一部を形成しており、Siを含む光学部材であ
るレーザー光入射窓103に対しても行ってもよい。
In this embodiment, the adhering substance is removed only from the visible light cut X-ray transmitting film.
The process may be performed on the laser light entrance window 103 which is a part of the vacuum container and is an optical member containing Si.

【0044】図3に本発明の第2の実施の形態の概要を
示す。図3において、300は真空容器、301はレー
ザー光、302は集光レンズ、303はレーザー光導入
窓、304はノズル、305はプラズマ、306は多層
膜ミラー、307はヒーター、308は紫外線ランプ
室、309は水銀ランプ、310は窓、311はシャッ
ター、312は可視光カットX線透過膜、313はガス
導入口、314はクラスター、315は真空排気装置で
ある。
FIG. 3 shows an outline of a second embodiment of the present invention. 3, reference numeral 300 denotes a vacuum vessel, 301 denotes a laser beam, 302 denotes a condenser lens, 303 denotes a laser beam introduction window, 304 denotes a nozzle, 305 denotes a plasma, 306 denotes a multilayer mirror, 307 denotes a heater, and 308 denotes an ultraviolet lamp chamber. , 309 is a mercury lamp, 310 is a window, 311 is a shutter, 312 is a visible light cut X-ray transmission film, 313 is a gas inlet, 314 is a cluster, and 315 is a vacuum exhaust device.

【0045】図3に示す実施の形態において、標的物
質、及び標的物質供給法は第1の実施の形態と同様であ
る。本実施の形態では、X線光学素子として波長13nmに
反射波長のピークが来るように設計されたMo/Siの多層
膜ミラー306を用いている。
In the embodiment shown in FIG. 3, the target substance and the method for supplying the target substance are the same as in the first embodiment. In the present embodiment, a Mo / Si multilayer mirror 306 designed to have a reflection wavelength peak at a wavelength of 13 nm is used as an X-ray optical element.

【0046】プラズマ305から放出されたX線のうち
波長13nmのX線はMo/Siの多層膜からなる放物面ミラー
306により反射され、平行光とされた後に可視光カッ
トX線透過膜312(0.5μm厚のSi薄膜)を透過後、
次段のX線光学系へと導かれている。このとき、Mo/Si
多層膜ミラー306はMoとSiの多層膜のうちSi膜が表面
に現れるように多層膜が形成されている。すなわち、光
学素子の表面がSiで形成されている。また、このミラー
の裏面には、光学素子を加熱する手段であるヒーター3
07が取り付けられており、ミラー306を加熱するこ
とができるようになっている。ここで、可視光カットX
線透過膜312は可視光をカットするだけではなく真空
容器300と次段の光学系が含まれている真空容器の間
の圧力隔壁も兼ねている。
X-rays having a wavelength of 13 nm among the X-rays emitted from the plasma 305 are reflected by a parabolic mirror 306 made of a multilayer film of Mo / Si, converted into parallel light, and then cut into a visible light cut X-ray transmission film 312. (0.5 μm thick Si thin film)
It is led to the next stage X-ray optical system. At this time, Mo / Si
The multilayer mirror 306 has a multilayer film formed such that the Si film among the multilayer films of Mo and Si appears on the surface. That is, the surface of the optical element is formed of Si. On the back surface of the mirror, a heater 3 for heating the optical element is provided.
07 is attached so that the mirror 306 can be heated. Here, visible light cut X
The line transmitting film 312 not only cuts visible light but also functions as a pressure partition between the vacuum vessel 300 and the vacuum vessel containing the next stage optical system.

【0047】一定時間LPXを動作させた後に、又は可
視光カットX線透過膜312のを透過してきたX線量を
モニターして、X線量が設定値を下回ったときに、LP
Xの動作を停止する。そして、Mo/Si多層膜ミラー30
6をヒーター307を用いて加熱し、所定の温度になっ
た後、ガス導入口313から塩素ガスとSiCl4ガスの混
合ガスを導入するとともに、真空ポンプ315により排
気して、所定の圧力(例えば0.01〜数十Torr)に維持す
る。その後、水銀ランプ309を点灯させ、またシャッ
ター311を開けて、紫外光を多層膜ミラー306上に
照射する。そうすると既に説明した原理により、Mo/Si
多層膜ミラー上に付着、堆積した金属汚染物質が取り除
かれて、Mo/Si多層膜ミラーの反射率は、当初の値にま
で回復する。
After the LPX has been operated for a certain period of time, or when the X-ray dose transmitted through the visible light cut X-ray transmitting film 312 is monitored and the X-ray dose falls below the set value, LP
Stop the operation of X. Then, the Mo / Si multilayer mirror 30
6 is heated using a heater 307 to reach a predetermined temperature, then a mixed gas of chlorine gas and SiCl 4 gas is introduced from a gas inlet 313 and exhausted by a vacuum pump 315 to a predetermined pressure (for example, (0.01 to several tens of Torr). Thereafter, the mercury lamp 309 is turned on, the shutter 311 is opened, and ultraviolet light is irradiated onto the multilayer mirror 306. Then, according to the principle already explained, Mo / Si
The metal contaminants attached and deposited on the multilayer mirror are removed, and the reflectivity of the Mo / Si multilayer mirror is restored to its original value.

【0048】本実施の形態では多層膜ミラーにMo/Siの
多層膜ミラーを用いていたが、これは他のどのような多
層膜であってもよい。例えばMo/SiCの多層膜やMoとSi
の層の間にSiの熱拡散を防ぐCの層を入れたMo/Si/Cの
多層膜であってもよい。また、光学素子は多層膜ミラー
に限らず、ウォルターミラーやカークパトリック-ベイ
ズミラーなどの全反射ミラーやゾーンプレートなどどの
ような光学素子でもよい。また、本実施の形態では多層
膜ミラーのみ金属飛散粒子を除去していたが、必要であ
れば可視光カットX線透過膜312も金属飛散粒子を除
去してもよい。
In this embodiment, a multilayer mirror of Mo / Si is used as the multilayer mirror, but this may be any other multilayer film. For example, Mo / SiC multilayer film or Mo and Si
It may be a Mo / Si / C multilayer film having a C layer for preventing thermal diffusion of Si between the layers. The optical element is not limited to a multilayer mirror, but may be any optical element such as a total reflection mirror such as a Walter mirror or a Kirkpatrick-Bayes mirror or a zone plate. In this embodiment, the metal scattered particles are removed only from the multilayer mirror. However, if necessary, the visible light cut X-ray permeable film 312 may also remove the metal scattered particles.

【0049】また、本実施の形態では、X線光学素子に
付着している不純物質を除去するときにLPXの動作を
停止しているが、真空容器内に導入する塩素ガス又は塩
素を含むガスによるX線の吸収が十分小さい場合でも前
記除去処理が可能であれば、LPXの動作中に行っても
よい。こうすることにより、LPXの動作を停止させる
必要がなくなるため、効率的に装置を使用することがで
きる。本実施の形態では真空容器内に塩素ガスあるいは
塩素を含むガスを導入し、所定の圧力を維持していた
が、ノズルなどにより光学素子の近傍に上記ガスを噴出
させても良い。このときのガス噴出は連続的であっても
良いしパルス的であってもよい。
In this embodiment, the operation of the LPX is stopped when removing the impurities adhering to the X-ray optical element. However, chlorine gas or chlorine-containing gas introduced into the vacuum vessel is used. Even if the absorption of X-rays due to X-rays is sufficiently small, the removal may be performed during the operation of LPX as long as the removal processing is possible. This eliminates the need to stop the operation of the LPX, so that the device can be used efficiently. In the present embodiment, chlorine gas or a gas containing chlorine is introduced into the vacuum vessel to maintain a predetermined pressure. However, the gas may be ejected to the vicinity of the optical element by a nozzle or the like. The gas ejection at this time may be continuous or pulsed.

【0050】もし、金属汚染除去の対象の光学素子(こ
の実施の形態の場合には多層膜ミラー306)と紫外線
ランプの距離が離れている場合には、紫外光が光学素子
近傍に到達する前に塩素ガスなどにより吸収され、光学
素子近傍にClラジカルを効果的に生成できない。この
ような場合には、紫外光を透過する窓(たとえば石英
(SiO2)やMgF2、CaF2等)を備えたカバーにより、光学
素子を密封するか概略覆い、その中に塩素ガスなどを導
入及び排気することによりカバー内の圧力を所定の圧力
にした後、紫外光を照射する。
If the distance between the optical element from which metal contamination is to be removed (the multilayer mirror 306 in this embodiment) and the ultraviolet lamp is large, the ultraviolet light may reach the vicinity of the optical element. And Cl radicals cannot be effectively generated in the vicinity of the optical element. In such a case, the optical element is sealed or roughly covered with a cover provided with a window that transmits ultraviolet light (for example, quartz (SiO 2 ), MgF 2 , CaF 2, etc.), and chlorine gas or the like is contained therein. After the pressure in the cover is adjusted to a predetermined pressure by introducing and exhausting, ultraviolet light is irradiated.

【0051】この動作を図4を用いて説明する。図4に
おいて、401は多層膜ミラー、402はカバー、40
3は窓、404はガス導入口、405は排気口、406
はO−リング、407はヒーターである。
This operation will be described with reference to FIG. 4, reference numeral 401 denotes a multilayer mirror; 402, a cover;
3 is a window, 404 is a gas inlet, 405 is an exhaust port, 406
Is an O-ring, and 407 is a heater.

【0052】金属飛散粒子などにより多層膜ミラー40
1の反射率が低下してきたときに、LPXの運転を中断
し、カバー402を前進させて、多層膜ミラー401を
O−リング406を介してカバー402により覆う。そ
して、ヒーター407により多層膜ミラー401を所定
の温度にまで加熱した後、ガス導入口404から塩素ガ
ス又は塩素を含むガスの少なくとも一方をカバー402
内に導入すると共に排気口405から排気し、カバー4
02内の圧力が所定のものになるようにする。その後、
紫外線ランプからの紫外光を窓403を通して多層膜ミ
ラーに照射する。そうすると、既に説明した効果により
金属飛散粒子が塩化物となって気化し排気装置により排
気されるので、多層膜ミラー401の反射率は当初の値
に回復する。
The multilayer mirror 40 is formed by scattering metal particles or the like.
When the reflectance of No. 1 decreases, the operation of the LPX is interrupted, the cover 402 is advanced, and the multilayer mirror 401 is covered by the cover 402 via the O-ring 406. Then, after heating the multilayer mirror 401 to a predetermined temperature by the heater 407, at least one of chlorine gas or gas containing chlorine is covered 402 from the gas inlet 404.
While being exhausted from the exhaust port 405,
02 so that the internal pressure becomes predetermined. afterwards,
Ultraviolet light from an ultraviolet lamp is applied to the multilayer mirror through the window 403. Then, the metal scattered particles are converted into chlorides and vaporized by the effect described above, and are exhausted by the exhaust device, so that the reflectance of the multilayer mirror 401 is restored to the initial value.

【0053】カバー402は多層膜ミラー401を完全
に密封していてもよいし、概略密封できている程度でも
良い。概略密封できていればカバーから真空容器内への
ガスの漏れはそれほど多くないので、真空容器内の圧力
は低く維持できる。このような方法により、紫外光源が
離れている場合にも、紫外光の減衰が少ない状態で光学
素子近傍に到達させることができ、効率的にClラジカル
をミラー近傍に生成することができる。
The cover 402 may completely or completely seal the multilayer mirror 401. If the sealing is performed roughly, there is not much gas leakage from the cover into the vacuum vessel, so that the pressure in the vacuum vessel can be kept low. With such a method, even when the ultraviolet light source is far away, the ultraviolet light can reach the vicinity of the optical element with little attenuation, and Cl radicals can be efficiently generated near the mirror.

【0054】本実施の形態では光学素子がLPX発生用
真空容器内に置かれていたが、LPXから輻射されたX
線が最初に入射する光学素子(第1光学素子)が別の真
空容器中に設置されている場合には、塩素ガス又は塩素
を含む気体の少なくとも一方を、第1光学素子を含んで
いる真空容器内に導入すればよい。また、本実施の形態
では、紫外光源として水銀ランプを用いたが、Clラジカ
ルを発生させることができる光子エネルギーを有する波
長の光を放出する光源であれば特に水銀ランプに限定さ
れるものではなく、例えばエキシマレーザー(ArF、Kr
Fなど)やエキシマランプでもよい。
In this embodiment, the optical element is placed in the vacuum vessel for generating LPX, but the X-ray radiated from LPX is
When the optical element (first optical element) on which the line is first incident is installed in another vacuum vessel, at least one of chlorine gas or chlorine-containing gas is supplied to the vacuum containing the first optical element. What is necessary is just to introduce in a container. Further, in the present embodiment, a mercury lamp is used as an ultraviolet light source, but is not particularly limited to a mercury lamp as long as the light source emits light having a wavelength having photon energy capable of generating Cl radicals. For example, excimer laser (ArF, Kr
F) or an excimer lamp.

【0055】また、LPXからは可視光からX線領域の
広い波長域にわたり光が放出されるので、上記光源とし
てLPXから放出される紫外域からX線領域の光を用い
てもよい。LPXから放出される光を用いれば、光学素
子上に付着した金属汚染物質を除去するための光源を別
途用意する必要がなくなる。LPXから放出される光を
用いれば、光学素子の周囲を塩素雰囲気にしてLPXを
運転するだけでよいので装置の構成が非常に単純にな
る。このとき、LPXからの光により金属汚染物質が光
学素子上から除去される除去速度が、LPXから放出さ
れる金属飛散粒子が光学素子に付着する付着速度を上回
れば、LPXを運転していても金属汚染物質付着による
光学素子の特性の劣化が起こらないので、長期間運転し
続けることができる。
Since light is emitted from LPX over a wide wavelength range from visible light to X-ray, light from the ultraviolet to X-ray range emitted from LPX may be used as the light source. If light emitted from the LPX is used, it is not necessary to separately prepare a light source for removing metal contaminants attached to the optical element. If light emitted from the LPX is used, it is only necessary to operate the LPX in a chlorine atmosphere around the optical element, so that the configuration of the apparatus becomes very simple. At this time, if the removal rate at which the metal contaminant is removed from the optical element by the light from the LPX exceeds the deposition rate at which the metal scattered particles released from the LPX adhere to the optical element, even if the LPX is operated. Since the characteristics of the optical element do not deteriorate due to the adhesion of metal contaminants, the operation can be continued for a long time.

【0056】もし、多層膜によるX線の吸収によりミラ
ーの温度が所定の温度まで上昇する場合には、多層膜ミ
ラーを加熱するヒーターをも省略することができる。上
述の実施の形態ではいずれも標的材料としてKrのクラス
ター分子を用いていたが、これに限らずXeやAr、C
2、N2などのどのようなガスのクラスターであっても
良い。また、標的材料の形態はクラスターに限らず、固
体でも液体でも気体でもよく、標的材料はどんな物質で
あってもよい。
If the temperature of the mirror rises to a predetermined temperature due to absorption of X-rays by the multilayer film, a heater for heating the multilayer mirror can be omitted. In each of the above embodiments, the cluster material of Kr was used as the target material. However, the present invention is not limited to this.
Any gas cluster such as O 2 and N 2 may be used. The form of the target material is not limited to a cluster, and may be a solid, liquid, or gas, and the target material may be any substance.

【0057】また、上述の実施の形態においては、導入
ガスとして塩素又は塩素を含むガスを用いていたが、こ
れは他のハロゲンガス(たとえばフッ素)又は他のハロ
ゲンガスを含むガスであってもよい。
Further, in the above-described embodiment, chlorine or a gas containing chlorine is used as the introduction gas, but this may be another halogen gas (for example, fluorine) or a gas containing another halogen gas. Good.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち、請
求項1及び請求項2にかかる発明においては、真空容器
内、又は前記真空容器内に配置されている光学素子又は
前記真空容器の一部を形成している光学素子近傍(又は
第1光学素子)に、塩素ガス又は塩素を含む気体の少な
くとも一方を導入する機構を設けているので、飛散粒子
を構成する物質と塩素が反応して気化することにより、
飛散物質を光学素子上から除去することができる。
As described above, in the present invention according to the first and second aspects of the present invention, the optical element disposed in the vacuum vessel or the vacuum vessel or the optical element disposed in the vacuum vessel. Since a mechanism for introducing at least one of chlorine gas or gas containing chlorine is provided in the vicinity of the optical element forming part (or the first optical element), the substance constituting the scattered particles reacts with chlorine. By vaporizing,
The flying substances can be removed from the optical element.

【0059】請求項3及び請求項4に係る発明において
は、これに加え、前記光学素子の少なくともひとつ(又
は第1光学素子)に、可視光、紫外光、真空紫外光又は
これらよりも短波長の光を照射する機構とを設けている
ので、これら光学素子に接触したCl2がClラジカルとな
り、このClラジカルにより光学素子表面に付着している
金属飛散粒子を塩化物として気化させることにより、光
学素子表面の飛散粒子を除去することができる。よっ
て、汚染された光学素子等を取り替えたり、取り外して
洗浄するために装置を停止する必要がなく、その結果、
装置を長期間にわたって安定に動作させることができ
る。
According to the third and fourth aspects of the present invention, in addition to this, at least one of the optical elements (or the first optical element) is provided with a visible light, an ultraviolet light, a vacuum ultraviolet light or a wavelength shorter than these. Since a mechanism for irradiating the optical element is provided, Cl 2 that comes into contact with these optical elements becomes Cl radicals, and the Cl radicals vaporize metal scattered particles adhering to the optical element surface as chlorides. Scattered particles on the surface of the optical element can be removed. Therefore, there is no need to stop the apparatus to replace or remove contaminated optical elements or the like for cleaning, and as a result,
The device can be operated stably for a long period of time.

【0060】請求項5に係る発明においては、光学素子
を加熱する手段が備えられているので、光学素子表面に
おける金属塩化物の生成速度が上昇する。よって、金属
汚染物質を取り除く速度を速めることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the means for heating the optical element is provided, the generation rate of metal chloride on the surface of the optical element increases. Therefore, the speed of removing metal contaminants can be increased.

【0061】請求項6にかかる発明においては、光学素
子がシリコン(Si)又はシリコンを含む物質からなる
か、シリコン又はシリコンを含む物質により表面が形成
されている物質からなるので、Clラジカルにより、Si表
面がエッチングされ、それによって生成される塩化シリ
コン(SiClx)が、光学素子に付着した金属飛散粒子と
反応して金属塩化物を生成するので、金属汚染物質除去
作用が特に効率よく行われる。
In the invention according to claim 6, the optical element is made of silicon (Si) or a substance containing silicon, or is made of a substance whose surface is formed of silicon or a substance containing silicon. The silicon surface is etched, and the silicon chloride (SiCl x ) generated thereby reacts with the scattered metal particles attached to the optical element to generate metal chloride, so that the metal contaminant removing action is performed particularly efficiently. .

【0062】請求項7にかかる発明においては、可視
光、紫外光、真空紫外光又はこれらよりも短波長の光を
放出する光源としてX線発生用のプラズマ自身を用いて
いるので、光学素子上に付着した金属汚染物質を除去す
るための光源を別途用意する必要がなくなるので、装置
の構成が非常に単純になる。また、このとき、LPXか
らの光により金属汚染物質が光学素子上から除去される
除去速度が、LPXから放出される金属飛散粒子が光学
素子に付着する付着速度を上回れば、LPXを運転して
いても金属汚染物質付着による光学素子の特性の劣化が
起こらないので、長期間運転し続けることができる。
According to the seventh aspect of the present invention, the plasma itself for generating X-rays is used as a light source for emitting visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light or light having a shorter wavelength than these, so Since there is no need to separately prepare a light source for removing metal contaminants attached to the apparatus, the configuration of the apparatus is greatly simplified. At this time, if the removal rate at which the metal contaminant is removed from the optical element by the light from the LPX exceeds the deposition rate at which the metal scattered particles released from the LPX adhere to the optical element, the LPX is operated. However, the characteristics of the optical element are not deteriorated due to the adhesion of the metal contaminant, so that the operation can be continued for a long time.

【0063】請求項8に係る発明においては、導入ガス
に塩素以外のハロゲンガス又は塩素以外のハロゲンガス
を含む気体を使用しているので、飛散物質を最も速く除
去できる気体を選択して使用することができる。
In the invention according to the eighth aspect, since a halogen gas other than chlorine or a gas containing a halogen gas other than chlorine is used as the introduced gas, a gas capable of removing flying substances most quickly is selected and used. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の第1の例を示す概要図で
ある。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first example of an embodiment of the present invention.

【図2】複数の光学系の交換機構の例を示す概要図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of an exchange mechanism of a plurality of optical systems.

【図3】本発明の実施の形態の第2の例を示す概要図で
ある。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a second example of the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施の形態において、光学素子
近傍に塩素ガス及び/または塩素を含むガスを導入する
ようにした概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram in which a chlorine gas and / or a gas containing chlorine is introduced into the vicinity of an optical element in a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…真空容器、101…レーザー光、102…集光
レンズ、103…レーザー光導入窓、104…超音速ノ
ズル、105…プラズマ、106…X線、107…可視
光カットX線透過膜、108…紫外線ランプ室、109
…水銀ランプ、110…反射ミラー、111…窓、11
2…シャッター、113…紫外線、114…クラスター
分子、115…ガス導入口、116…真空排気装置、2
01…円盤、202a〜202d…可視光カットX線透
過膜、203…ケース、204,204’…開口、20
5…ガス導入口、206…窓、207…X線源、208
…X線、209a〜209d…電熱線、210…ガス排
出口、300…真空容器、301…レーザー光、302
…集光レンズ、303…レーザー光導入窓、304…ノ
ズル、305…プラズマ、306…多層膜ミラー、30
7…ヒーター、308…紫外線ランプ室、309…水銀
ランプ、310…窓、311…シャッター、312…可
視光カットX線透過膜、313…ガス導入口、314…
クラスター、315…真空排気装置、401…多層膜ミ
ラー、402…カバー、403…窓、404…ガス導入
口、405…排気口、406…O−リング、407…ヒ
ーター
Reference Signs List 100 vacuum container, 101 laser light, 102 condensing lens, 103 laser light introduction window, 104 supersonic nozzle, 105 plasma, 106 X-ray, 107 visible light-cut X-ray transparent film, 108 UV lamp room, 109
... mercury lamp, 110 ... reflection mirror, 111 ... window, 11
Reference numeral 2: shutter, 113: ultraviolet ray, 114: cluster molecule, 115: gas inlet, 116: vacuum exhaust device, 2
01 ... Disc, 202a-202d ... Visible light cut X-ray transmitting film, 203 ... Case, 204, 204 '... Opening, 20
5 gas inlet, 206 window, 207 X-ray source, 208
.. X-ray, 209a to 209d, heating wire, 210, gas outlet, 300, vacuum vessel, 301, laser beam, 302
... Condenser lens, 303 ... Laser light introduction window, 304 ... Nozzle, 305 ... Plasma, 306 ... Multilayer mirror, 30
7 Heater, 308 UV lamp chamber, 309 Mercury lamp, 310 Window, 311 Shutter, 312 Visible light cut X-ray transparent film, 313 Gas inlet, 314
Cluster, 315: vacuum exhaust device, 401: multilayer mirror, 402: cover, 403: window, 404: gas inlet, 405: exhaust port, 406: O-ring, 407: heater

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 減圧された真空容器内の標的部材にレー
ザー光を照射してプラズマを形成し、当該プラズマから
X線を取り出すX線発生装置であって、前記真空容器
内、又は前記真空容器内に配置されている光学素子若し
くは前記真空容器の一部を形成している光学素子の少な
くとも1個の近傍に、塩素ガス又は塩素を含む気体の少
なくとも一方を導入する機構を設けたことを特徴とする
X線発生装置。
1. An X-ray generator for irradiating a target member in a decompressed vacuum vessel with a laser beam to form plasma and extracting X-rays from the plasma, wherein the X-ray generator is in the vacuum vessel or the vacuum vessel. A mechanism for introducing at least one of chlorine gas or chlorine-containing gas is provided in the vicinity of at least one of the optical element disposed therein or the optical element forming a part of the vacuum vessel. X-ray generator.
【請求項2】 減圧された真空容器内の標的部材にレー
ザー光を照射してプラズマを形成し、当該プラズマから
X線を取り出すX線発生装置であって、当該プラズマか
ら輻射されたX線が最初に入射する光学素子(第1光学
素子)を含んでいる真空容器内又は第1光学素子近傍に
塩素ガス又は塩素を含む気体の少なくとも一方を導入す
る機構を設けたことを特徴とするX線発生装置。
2. An X-ray generator for irradiating a laser beam to a target member in a reduced-pressure vacuum vessel to form plasma and extracting X-rays from the plasma, wherein the X-rays radiated from the plasma are generated. X-rays provided with a mechanism for introducing at least one of chlorine gas and chlorine-containing gas into a vacuum vessel containing an optical element (first optical element) to which light is first incident or in the vicinity of the first optical element. Generator.
【請求項3】 請求項1に記載のX線発生装置であっ
て、前記塩素ガス又は塩素を含む気体の少なくとも一方
にさらされている前記光学素子の少なくとも1個に、可
視光、紫外光、真空紫外光又はこれらよりも短波長の光
を照射する機構とを設けたことを特徴とするX線発生装
置。
3. The X-ray generator according to claim 1, wherein at least one of the optical elements exposed to at least one of the chlorine gas or the chlorine-containing gas includes visible light, ultraviolet light, An X-ray generator, comprising: a mechanism for irradiating vacuum ultraviolet light or light having a shorter wavelength than these.
【請求項4】 請求項2に記載のX線発生装置であっ
て、前記第1光学素子に、可視光、紫外光、真空紫外光
又はこれらよりも短波長の光を照射する機構とを設けた
ことを特徴とするX線発生装置。
4. The X-ray generator according to claim 2, further comprising a mechanism for irradiating the first optical element with visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light, or light having a shorter wavelength than these. An X-ray generator.
【請求項5】 請求項1から請求項4のうちいずれか1
項に記載のX線発生装置であって、塩素ガス又は塩素を
含む気体にさらされている少なくとも1個の光学素子を
加熱する手段を備えていることを特徴とするX線発生装
置。
5. The method according to claim 1, wherein
Item 8. The X-ray generator according to item 1, further comprising means for heating at least one optical element exposed to chlorine gas or a gas containing chlorine.
【請求項6】 請求項1から請求項5のうちいずれか1
項に記載のX線発生装置であって、前記光学素子がシリ
コン(Si)又はシリコンを含む物質からなるか、シリコ
ン又はシリコンを含む物質により表面が形成されている
物質からなることを特徴とするX線発生装置。
6. One of claims 1 to 5
Item 8. The X-ray generator according to item 1, wherein the optical element is made of silicon (Si) or a material containing silicon, or is made of a material whose surface is formed of silicon or a material containing silicon. X-ray generator.
【請求項7】 請求項3から請求項6のうちいずれか1
項に記載のX線発生装置であって、前記可視光、紫外
光、真空紫外光又はこれらよりも短波長の光を放出する
光源として前記プラズマを用いることを特徴とするX線
発生装置。
7. One of claims 3 to 6
13. The X-ray generator according to item 1, wherein the plasma is used as a light source that emits the visible light, ultraviolet light, vacuum ultraviolet light, or light having a shorter wavelength.
【請求項8】 請求項1から請求項7のうちいずれか1
項に記載のX線発生装置における塩素ガス又は塩素ガス
を含む気体に代えて、他のハロゲンガス又は他のハロゲ
ンガスを含む気体を用いることを特徴とするX線発生装
置。
8. One of claims 1 to 7
An X-ray generator characterized in that another halogen gas or a gas containing another halogen gas is used in place of the chlorine gas or the gas containing chlorine gas in the X-ray generator described in the paragraph.
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