JP2000090860A

JP2000090860A - 画像形成装置

Info

Publication number: JP2000090860A
Application number: JP10256157A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Miyazaki; 和也宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-09-10
Filing date: 1998-09-10
Publication date: 2000-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁破壊を抑止し、良好な画像を長時間にわ
たり保持し得る画像形成装置を提供する。【解決手段】複数の電子放出素子５を有する電子源基
板１と、蛍光膜１０を有する陽極基板２によって真空容
器を構成している平面型の画像形成装置において、電子
放出素子５の両端に接続した配線上に絶縁層１２ｂを形
成し、さらにこの絶縁層１２ｂを含む電子源基板１の表
面を帯電防止層１３で被覆したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の電子放出素
子を有する電子源を用いた画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子を利用した画像形成
装置として、冷陰極電子放出素子を多数形成した電子源
基板と、透明電極および蛍光体を具備した陽極基板とを
平行に対向させ、真空に排気した平面型の電子線表示パ
ネルが知られている。このような画像形成装置におい
て、電界放出型電子放出素子を用いたものは、例えば、
Ｉ．Ｂｒｏｄｉｅ，“Ａｄｖａｎｃｅｄｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ：ｆｌａｔｃｏｌｄ−ｃａｔｈｏｄｅＣＲ
Ｔｓ”，ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ，１
／８９，１７（１９８９）に開示されたものがある。ま
た、表面伝導型電子放出素子を用いたものは、例えば、
ＵＳＰ５０６６８８３等に開示されている。

【０００３】平面型の電子線表示パネルは、現在広く用
いられている陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅｒａｙｔｕｂ
ｅ：ＣＲＴ）表示装置に比べ、軽量化、大画面化を図る
ことができ、また、液晶を利用した平面型表示パネルや
プラズマ・ディスプレイ、エレクトロルミネッセント・
ディスプレイ等の他の平面型表示パネルに比べて、より
高輝度、高品質な画像を提供することができる。

【０００４】図７、図８に従来の電子線表示パネルの一
例の概略構成図を示す。ここで、図８は、図７における
Ａ−Ａ’断面図である。図７、図８に示される従来の電
子線表示パネルの構成について詳述すると、図中、１は
電子源基板であるリアプレート、２は陽極基板あるフェ
ースプレート、３は外枠であり、これらにより真空外囲
器を構成している。４はリアプレートの基体であるガラ
ス基板、５は電子放出素子であり、６ａおよび６ｂは電
子放出素子５に電圧を印加するための電極である。７ａ
（信号電極）および７ｂ（走査電極）は配線電極であ
り、それぞれ、電極６ａ，６ｂに接続されている。８は
フェースプレートの基体であるガラス基板、９は透明電
極（陽極電極）、１０は蛍光体である。

【０００５】この電子線表示パネルにおいて画像を形成
するには、マトリックス状に配置された信号電極７ａと
走査電極７ｂに所定の電圧を順次印加することで、マト
リックスの交点に位置する所定の電子放出素子５を選択
的に駆動し、放出された電子を蛍光体１０に照射して所
定の位置に輝点を得る。なお、透明電極９は、放出電子
を加速してより高い輝度の輝点を得るために、電子放出
素子５に対して正電位となるように高電圧が印加され
る。ここで、印加される電圧は、蛍光体の性能にもよる
が、数百Ｖから数十ｋＶ程度の電圧である。従って、リ
アプレート１とフェースプレート２間の距離ｄは、この
印加電圧によって真空の絶縁破壊（すなわち放電）が生
じないように設定を行う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】表示パネルの高精細化
を実現するには、リアプレート側の素子ピッチを小さく
するとともに、リアプレートとフェースプレート間の距
離ｄを狭くしてビームの拡がりを抑えてスポット径を小
さくする必要がある。真空の絶縁破壊電圧（以下、放電
電圧）は電界強度によって一意に決まり、リアプレート
とフェースプレート間の距離ｄを１／２にすれば放電電
圧は１／２になる。しかしながら、表示パネルにおける
単素子あたりの輝度は入射電子のエネルギー強度に依存
するので、同等の電界強度でも同様の輝度が得られると
は限らない。すなわち、電子放出効率が同じ素子を考え
た場合、距離ｄを１／２にしたと同等の輝度を得るため
には同等のアノード電位の印加が必要であるが、放電は
素子劣化を伴うのでアノード電位を不用意に高くするこ
とはできない。

【０００７】また、低コスト化を実現するためには、厚
膜印刷法によって配線等を形成するのが有利である。し
かしながら、厚膜印刷法により形成した配線は、スパッ
タ法等により形成した配線と比較して凹凸が大きく、こ
の凸部に電界が集中し、ここを起点として放電が起きる
という問題も生じた。

【０００８】以上述べたように、リアプレートとフェー
スプレート間の距離ｄを狭くし、さらに厚膜印刷法によ
って配線等を形成した場合、放電電圧が低下し、アノー
ド電極に印加可能な電圧マージンが低下してしまい、こ
れは表面伝導型電子放出素子に流れる素子電流に対する
放出電流の低下につながり、高輝度かつ高電子放出効率
の電子放出素子および画像形成装置を作製することが困
難であった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために鋭意検討を行って為されたものであ
り、下述する構成のものである。

【００１０】即ち、本発明の画像形成装置は、少なくと
も、複数の電子放出素子を有する電子源基板と、該電子
放出素子より放出される電子の照射によって発光して画
像を形成する画像形成部材を有する陽極基板によって真
空容器を構成している平面型の画像形成装置であって、
該電子放出素子の両端に接続した複数の配線上に絶縁層
が形成されており、かつ該絶縁層を含む該電子源基板表
面が帯電防止層で被覆されていることを特徴とする。

【００１１】該電子放出素子としては、冷陰極電子放出
素子を好ましく用いることができ、特に表面伝導型電子
放出素子が好ましく用いられる。また、画像形成部材と
しては蛍光体が好ましい。

【００１２】該配線上凸部からの放電を防止するための
配線上に形成される絶縁層には、ポリイミド樹脂、ポリ
ベンゾイミダゾール樹脂を好ましく用いることができ、
これらは感光性を有するものも好ましく用いることがで
きる。

【００１３】これら高分子樹脂から形成される絶縁層の
必要特性は以下の通りである。（１）工程中の熱処理に対する耐熱性を有すること（２）絶縁性が良好であること（３）配線に対するステップカバレージが良好であるこ
と（４）微細加工技術の適用に適すること（５）高真空維持できる程度に放出ガスが少ないこと

【００１４】また、該電子源基板のチャージアップを抑
制し、放電を防止するために基板上に被覆された帯電防
止層の材質は、グラファイト、酸化亜鉛、硫酸バリウム
／酸化錫、ホウ酸アルミニウム／酸化錫、ＡＴＯ、ＩＴ
Ｏ等の導電性微粒子を好ましく用いることができる。

【００１５】これら導電性微粒子から形成される帯電防
止層の必要特性は以下の通りである。（１）溶媒に対する分散性が高いこと（２）工程中における電気抵抗が安定であること（この
ときの抵抗率は、１０^-3〜１０^-1Ω・ｃｍ）

【００１６】本発明によれば非常に高精細で鮮明な画像
を表示でき、大画面で低コストな平面型の画像形成装置
を実現できる。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に本発明の好ましい実施態様を
示す。

【００１８】図１、図２は、本発明による画像形成装置
の一構成例を示す模式図であり、図２は、図１における
Ａ−Ａ’断面図である。

【００１９】図１において、１は電子源基板であるリア
プレート、２は陽極基板であるフェースプレート、３は
外枠、４はリアプレート１の基体である基板、５は電子
放出素子、６ａおよび６ｂは電子放出素子５に電圧を印
加するための電極、７ａ（信号電極）および７ｂ（走査
電極）は、それぞれ電極６ａ，６ｂに接続されている配
線電極、８はフェースプレート２の基体である基板、９
は透明電極、１０は蛍光体、１２ｂは配線電極７ａおよ
び７ｂの上に形成された絶縁層、１３はリアプレート１
上に被覆した帯電防止層である。

【００２０】リアプレート１は、多数の電子放出素子５
が基板４上に配列されているもので、基板４としては、
石英ガラス、青板ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を軽減
したガラス、青板ガラスにＳｉＯ₂ を積層したガラス基
板、アルミナ等のセラミックス、およびＳｉ基板等を用
いることができるが、特に大画面表示パネルを構成する
場合、青板ガラス、カリウム置換ガラス、青板ガラスに
液相成長法、ゾルーゲル法、スパッタ法等によりＳｉＯ
₂ を積層したガラス基板等が、比較的低コストであり、
好ましく用いることができる。

【００２１】電子放出素子５として、ここでは、表面伝
導型電子放出素子を用いている。図３は、図１、図２の
画像形成装置中で用いられる表面伝導型電子放出素子を
拡大して示した概略図である。図３において、図１、図
２に示した部位と同じ部位には図１、図２に付した符号
と同一の符号を付している。

【００２２】図３において３１は導電性膜、３２は電子
放出部、１２ａは配線電極７ａと配線電極７ｂとを電気
的に分離するための層間絶縁層である。導電性膜３１に
は、たとえば、１０Å〜５００Åの範囲の膜厚の導電性
微粒子で構成された微粒子膜が好ましく用いられる。導
電性膜３１を構成する材料として、種々の導電体、ない
し半導体を用いることができるが、特にＰｄ，Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｕ等の貴金属元素を含む有機化合物を加熱焼成し
て得られるＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ，ＰｄＯ等が好まし
く用いられる。電子放出部３２は、導電性膜３１の一部
に形成された高抵抗の亀裂により構成され、その内部に
は、導電性膜３１を構成する材料の元素、および炭素、
炭素化合物を含有する数Å〜数百Åの範囲の粒径の導電
性微粒子が存在する場合もある。

【００２３】電極６ａ、６ｂとしては、一般的な導体材
料を用いることができる。これは例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａ
ｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属
或は合金およびＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂ ，Ｐｄ−Ａ
ｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印
刷導体、Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ 等の透明導電体およびポ
リシリコン等の半導体導体材料等から適宜選択すること
ができる。

【００２４】電子放出素子５の配列については、種々の
ものが採用できる。ここで説明しているのは単純マトリ
クス配置と称される配列で、電子放出素子５をＸ方向お
よびＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配された複
数の電子放出素子５の一方の電極６ａを、Ｘ方向の配線
電極７ａに共通に接続し、同じ列に配された複数の電子
放出素子５の他方の電極６ｂを、Ｙ方向の配線電極７ｂ
に共通に接続したものである。

【００２５】Ｘ方向配線電極７ａ、Ｙ方向配線電極７ｂ
共に真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成さ
れた導電性金属等で構成することができる。配線の材
料、膜厚、幅は、適宜設計される。また、層間絶縁層１
２ａは、ガラス、セラミック等を真空蒸着法、印刷法、
スパッタ法等を用いて形成された絶縁体層である。例え
ば、Ｘ方向配線電極７ａを形成した基板４の全面或は一
部に所望の形状で形成され、特に、Ｘ方向配線電極７ａ
とＹ方向配線電極７ｂの交差部の電位差に耐え得るよう
に、膜厚、材料、製法が、適宜設定される。

【００２６】Ｘ方向配線電極７ａには、Ｘ方向に配列し
た電子放出素子５の各列を入力信号に応じて変調するた
めの、不図示の変調信号発生手段が接続される。一方、
Ｙ方向配線電極７ｂには、Ｙ方向に配列した電子放出素
子５の行を選択するための走査信号を印加する、不図示
の走査信号印加手段が接続される。各電子放出素子に印
加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と
変調信号の差電圧として供給される。

【００２７】上記構成においては、単純マトリクス駆動
により、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とするこ
とができる。

【００２８】このほかに、並列に配置した多数の電子放
出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数
個配し（行方向と呼ぶ）、この配線と直交する方向（列
方向と呼ぶ）で、該電子放出素子の上方に配した制御電
極（グリッドとも呼ぶ）により、電子放出素子からの電
子を制御駆動する、はしご状配置のもの等があるが、本
発明は特にこれらの配置によって限定されるものではな
い。

【００２９】フェースプレート２は、基板８の表面に透
明電極９と蛍光体膜１０等を形成した陽極基板である。
基板８としては、透明であることは言うまでもないが、
リアプレート用基板４と同様の機械強度、熱物性を有す
るものが好ましく、大画面表示パネルを構成する場合、
青板ガラス、カリウムガラス、青板ガラスに液相成長
法、ゾル−ゲル法、スパッタ法等によりＳｉＯ₂ を積層
したガラス基板等が、好ましく用いることができる。透
明電極９には不図示の外部電源から正の高電圧Ｖａが印
加される。これにより、電子放出素子５より放出された
電子はフェースプレート２へ引きつけられ、加速されて
蛍光体膜１０に照射される。このとき、入射電子が、蛍
光体膜１０を発光させるのに十分なエネルギーをもって
いれば、そこに輝点を得ることができる。

【００３０】一般に、カラーＴＶ用ＣＲＴに用いられて
いる蛍光体では、数ｋＶから数１０ｋＶの加速電圧で電
子を加速して照射して良好な輝度と発色を得ている。Ｃ
ＲＴ用の蛍光体は、比較的安価でありながら非常に高い
性能を有するため、本発明においても好ましく用いるこ
とができる。また、一般的な技術として、蛍光体膜１０
の表面に、不図示のメタルバックとよばれる薄いアルミ
ニウム膜を形成することがある。メタルバックを設ける
目的は、蛍光体の発光のうちリアプレート１側への光を
フェースプレート２側へ鏡面反射させることにより輝度
を向上させること、外囲器（真空容器）内で発生した負
イオンの衝突によるダメージから蛍光体を保護すること
等であるが、電子線加速電圧を印加するための電極とし
て作用させることもでき、この場合、透明電極９は特に
必要とならない場合がある。本発明は、いずれの場合で
も用いることができる。

【００３１】外枠３は、リアプレート１及びフェースプ
レート２と接続されており、外囲器を形成している。外
枠３とリアプレート１及びフェースプレート２との接続
は、リアプレート１、フェースプレート２、外枠３を構
成する材質にもよるが、一例としてガラスを用いた場
合、ガラスフリットを用いて融着することができる。

【００３２】電子放出素子５からの放出電子は有限の拡
がり角をもっているため、リアプレート１とフェースプ
レート２間の距離ｄをあまり大きくとると、隣り合う画
素との重なりを生じ、混色やコントラスト低下を生じる
場合がある。したがって、上記数ｋＶから数１０ｋＶの
Ｖａに対して、数百μｍから数ｍｍ程度の距離ｄが設定
されるのが望ましい。

【００３３】Ｘ方向配線電極７ａ及びＹ方向配線電極７
ｂの上に形成された絶縁層１２ｂは、該配線電極上凸部
からの自続放電を防止する目的で形成される。かかる絶
縁層１２ｂに好適な材料としては、ポリイミド樹脂やポ
リベンゾイミダゾール樹脂等が挙げられ、パターン形成
はフォトリソグラフィーおよび厚膜印刷法等によって行
うことができる。これらの材料の中には、材料そのもの
に感光性を有するものもあり、フォトリソグラフィーに
よって絶縁層１２ｂを形成する場合、通常のレジストプ
ロセスが不要で工程的に簡便であり、またコスト的にも
有利である。絶縁層１２ｂの必要特性としては、耐熱
性、高絶縁性、段差被覆性、微細加工性、低放出ガス特
性が挙げられる。

【００３４】リアプレート１上に被覆される帯電防止層
１３は、基板４のチャージアップを抑制し、リアプレー
ト１とフェースプレート２間の火花放電を防止する目的
で形成される。帯電防止層１３に好適な材料としては、
グラファイト、酸化亜鉛、硫酸バリウム／酸化錫、ホウ
酸アルミニウム／酸化錫、ＡＴＯ、ＩＴＯ等の導電性微
粒子が挙げられる。成膜はスピンコート、エアロコート
等によって簡便に行われる。かかる帯電防止層１３の必
要特性としては、溶媒に対する高分散性、電気的安定性
が挙げられる。帯電防止層１３の抵抗値は、もちろん配
線間短絡を起こすことがない範囲で適宜設定される。

【００３５】

【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

【００３６】［実施例１］本実施例に係る画像形成装置
の基本的な構成は、図１、図２と同様であり、全体の概
観図を図４に示した。図４中、図１、図２に示した部位
と同じ部位には同じ符号を付している。図中、４１はメ
タルバックである。

【００３７】本実施例の画像形成装置の製造法は、図
５、図６に示している。以下、図４、図５、図６を用い
て、画像形成装置の基本的な構成及び製造法を説明す
る。なお、図５、図６は簡便のため、少数の電子放出素
子近傍の製造工程を拡大して示しているが、本実施例
は、多数の表面伝導電子放出素子を単純マトリクス配置
した画像形成装置の例である。

【００３８】工程−ａ洗浄した青板ガラス基板に、オフセット印刷法により素
子電極６ａ、６ｂを形成した。ここで使用した厚膜ペー
スト材料は、ＭＯＤペーストで金属成分はＰｔである。
印刷後７０℃で１０分乾燥し、次に本焼成を行った。焼
成温度は５５０℃で、ピーク保持時間は約８分である。
印刷・焼成後の膜厚は〜０．３μｍであった。

【００３９】工程−ｂ次に、厚膜スクリーン印刷法により電極配線層（信号
側）７ａを形成した。ペースト材料は、ノリタケカンパ
ニー製Ａｇ含有厚膜ペーストＮＰ−４０３５ＣＡを使用
した。焼成温度は４００℃で、ピーク保持時間は約１３
分である。印刷・焼成後の膜厚は〜７μｍであった。

【００４０】工程−ｃ次に、厚膜スクリーン印刷法により層間絶縁層１２ａを
形成した。ペースト材料は、ＰｂＯを主成分としてガラ
スバインダーを混合したものである。焼成温度は４８０
℃で、ピーク保持時間は約１３分である。印刷・焼成後
の膜厚は〜３６μｍであった。また、通常、絶縁層は上
下層間の絶縁性を確保するために、印刷・焼成を３回づ
つ行う。厚膜ペーストにより形成される膜は通常ポーラ
スな膜であるため、複数回印刷・焼成を繰り返すことで
膜のポーラス状態を埋め込み、絶縁性を確保するのであ
る。

【００４１】工程−ｄ次に、厚膜スクリーン印刷法により電極配線層（走査
側）７ｂを形成した。ペースト材料は、ノリタケカンパ
ニー製Ａｇ含有厚膜ペーストＮＰ−４０３５ＣＡを使用
した。焼成温度は４００℃で、ピーク保持時間は約１３
分である。印刷・焼成後の膜厚は〜１ｌμｍであった。

【００４２】以上の工程にてマトリクス配線が完成す
る。

【００４３】工程−ｅ次に電極配線７ａ及び７ｂ上に絶縁層１２ｂを形成し
た。本実施例では、感光性ポリイミドコーティング剤：
フォトニース（東レ社製）をスピンナーにより塗布し、
８０℃１２０分プリベークを行った後、露光・現像・リ
ンスを行い、最後に１４０℃，３００℃，４００℃各３
０分キュアを行い、配線上以外の不要な部分を除去す
る。こうして形成した絶縁層１２ｂのキュア後の膜厚は
１０μｍであった。

【００４４】工程−ｆ本工程に関わる電子放出素子の導電性膜３１のマスク
は、素子電極６ａ、６ｂにまたがって開口を有するマス
クであり、このマスクにより膜厚１００ｎｍのＣｒ膜を
真空蒸着により堆積・パターニングし、そのうえに有機
Ｐｄ（ｃｃｐ４２３０／奥野製薬（株）製）をスピンナ
ーにより回転塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理
をした。こうして形成された主元素としてＰｄよりなる
微粒子からなる導電性膜の膜厚は１０ｎｍ、シート抵抗
値は５×１０⁴ Ω／□であった。この導電性膜およびＣ
ｒ膜を酸エッチャントによりエッチングして所望のパタ
ーンを有する導電性膜３１を形成した。

【００４５】工程−ｇ次に帯電防止膜１３を形成した。本実施例では、外枠３
内部に形成されるようなマスクを用いて、ＨＩＴＡＺＯ
ＬＧＡ６６Ｍ１．０％ｓｏｌ．をエアロコートによ
り塗布した。こうして形成した帯電防止膜１３は島状微
粒子膜であり、またシート抵抗は８×１０⁸ Ω／□であ
った。

【００４６】以上の工程によりリアプレート１が完成し
た。

【００４７】工程−ｈ以上のようにして形成したリアプレート１に、外枠３を
配置する。このとき、リアプレート１と外枠３の接合部
にはあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェー
スプレート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタ
ルバック４１が形成されて構成される）は外枠３を介し
て配置するが、フェースプレート２と外枠３の接合部に
は、あらかじめフリットガラスをそれぞれ塗布してお
く。リアプレート１、支持枠３、フェースプレート２を
張り合わせたものを、大気中で１００℃で１０分間保持
し、その後、３００℃まで昇温し、３００℃で１時間保
持して、更に４００℃まで昇温し、１０分間焼成するこ
とで封着した。

【００４８】なお、蛍光膜１０は、モノクロームの場合
は蛍光体のみから成るが、本実施例では蛍光体はストラ
イプ形状を採用し、先にブラックストライプを形成し、
その間隙部に各色蛍光体を塗布したものを用いた。ブラ
ックストライプの材料としては通常良く用いられている
黒鉛を主成分とする材料を用いている。ガラス基板８に
蛍光体を塗布する方法はスラリー法を用いた。

【００４９】また、蛍光膜１０の内面側のメタルバック
４１は、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処
理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後、Ａ
ｌを真空蒸着することで作製している。

【００５０】フェースプレート２には、更に蛍光膜１０
の導電性を高めるため、蛍光膜１０の外面側に透明電極
が設けられる場合もあるが、本実施例では、メタルバッ
クのみで十分な導電性が得られたので省略した。

【００５１】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合わせを行った。

【００５２】以上のようにして完成したガラス容器（パ
ネル）内の雰囲気を排気管（図示せず）を通じ真空ポン
プにて排気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄ
ｘｏ１ないしＤｏｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ
電子放出素子５の電極６ａ、６ｂ間に電圧を印加し、導
電性膜３１をフォーミング処理することにより電子放出
部３２を形成した。さらに、パネルの排気管よりトルエ
ンをスローリークバルブを通してパネル内に導入し、
１．３×１０^-3Ｐａの雰囲気下で全ての電子放出素子５
を駆動し、活性化処理を行った。

【００５３】次にパネル内を１．３×１０^-4Ｐａ程度の
真空度まで排気し、不図示の排気管をガスバーナーで熱
することで溶着しパネルの封止を行った。

【００５４】最後に封止後の真空度を維持するために、
高周波加熱法でゲッター処理を行った。以上のように完
成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素
子には、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍとＤｏｙ１
ないしＤｏｙｎを通じ、走査信号及び変調信号を不図示
の信号発生手段よりそれぞれ印加することにより電子放
出させ、高圧端子Ｈｖを通じてメタルバック４１に高電
圧Ｖａを印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜１０に衝
突させ、励起・発光させることで画像を表示することが
できる。

【００５５】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを８．０ｋＶまで上げたが、放電等は観測され
ず、高輝度で色表現の良い画像が安定して得られた。

【００５６】［実施例２］本実施例では、工程−ｅ、工
程−ｇ以外は実施例１と同様の工程を行った。本実施例
における工程−ｅ、工程−ｇは以下の通りである。

【００５７】工程−ｅ電極配線７ａ及び７ｂ上に絶縁層１２ｂを形成した。本
実施例では、全芳香族ポリイミドワニス：トレニース＃
３０００（東レ社製）をスピンナにより塗布し、１２０
℃，２００℃各１０分，３００℃２０分のキュアを行っ
た。次に、電極配線７ａ及び７ｂのパターンをフォトレ
ジスト（ＡＺ１５００、ヘキスト社製）形成し、Ｏ₂ ガ
スによるドライエッチングを行った後、レジストを除去
した。このとき、Ｏ₂ ドライエッチングはトレニースに
関して選択的ではないので、フォトレジストをトレニー
スより厚く成膜する必要がある。こうして形成した絶縁
層１２ｂの膜厚は３μｍであった。

【００５８】工程−ｇ次に帯電防止膜１３を形成した。本実施例では、外枠３
内部に形成されるようなマスクを用いて、パストランＴ
ＹＰＥ・（三井金属鉱業製）１．０％ｓｏｌ．をエアロ
コートにより塗布した。こうして形成した帯電防止膜は
島状微粒子膜であり、またシート抵抗は４×１０⁸ Ω／
□であった。

【００５９】以上のようにして完成したガラス容器（パ
ネル）内の雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気
し、十分な真空度に達した後、実施例１と同様の手法で
フォーミング処理、活性化処理を行った。次に排気、封
止した後、高周波加熱法でゲッター処理を行った。以上
のように完成した本実施例の画像表示装置において、実
施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝突させ、励起・
発光させることで画像を表示することができる。

【００６０】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを７．０ｋＶまで上げたが、放電等は観測され
ず、高輝度で色表現の良い画像が安定して得られた。

【００６１】［比較例］本比較例では、実施例１で工程
−ｅ、工程−ｇを除いたもので、他は実施例１と同様で
ある。

【００６２】完成したガラス容器（パネル）内の雰囲気
を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真空度に
達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング処理、
活性化処理を行った。次に排気、封止を行った後、高周
波加熱法でゲッター処理を行った。

【００６３】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝突させ、
励起・発光させることで画像を表示させた。

【００６４】本比較例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを５．２ｋＶまで上げたところ、放電による素子
劣化が観測されたので、Ｖａを４．０ｋＶまで下げて画
像を評価したところ、輝度が低く、色表現も十分ではな
かった。また、数分のうちに画像が乱れ、安定した表示
が行なえなかった。

【００６５】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の画像形成装
置によれば、良好な画像を長時間にわたり保持し得る画
像形成装置を提供でき、高品位な画像形成装置、例え
ば、カラーフラットテレビが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図
である。

【図２】本発明の画像形成装置の一例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の画像形成装置で用いることのできる表
面伝導型電子放出素子の概略図である。

【図４】本発明の実施例に係る画像形成装置の部分切り
欠き構成図である。

【図５】本発明の実施例に係る画像形成装置の製法図で
ある。

【図６】本発明の実施例に係わる画像形成装置の製法図
である。

【図７】従来の平面型電子線表示パネルの概略構成図で
ある。

【図８】従来の平面型電子線表示パネルの断面図であ
る。

【符号の説明】１リアプレート（電子源基板）２フェースプレート（陽極基板）３外枠４リアプレートの基体である基板５電子放出素子６ａ，６ｂ電極（素子電極）７ａ，７ｂ電極配線８フェースプレート（陽極基板）９透明電極１０蛍光膜１２ａ層間絶縁層１２ｂ配線上絶縁層１３帯電防止膜３１導電性膜３２電子放出部４１メタルバック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、複数の電子放出素子を有す
る電子源基板と、該電子放出素子より放出される電子の
照射によって発光して画像を形成する画像形成部材を有
する陽極基板によって真空容器を構成している平面型の
画像形成装置であって、該電子放出素子の両端に接続し
た複数の配線上に絶縁層が形成されており、かつ該絶縁
層を含む該電子源基板表面が帯電防止層で被覆されてい
ることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】該電子放出素子は、冷陰極電子放出素子
であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装
置。
【請求項３】該冷陰極電子放出素子は、表面伝導型電
子放出素子であることを特徴とする請求項２に記載の画
像形成装置。
【請求項４】該配線上に形成された絶縁層は、ポリイ
ミド樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の画像形成装置。
【請求項５】該配線上に形成された絶縁層は、ポリベ
ンゾイミダゾール樹脂であることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項６】該配線上に形成された絶縁層は、感光性
材料から形成されたものであることを特徴とする請求項
１〜５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】該電子源基板上を被覆している帯電防止
層は、導電性微粒子によって構成されていることを特徴
とする請求項１〜６のいずれかに記載の画像形成装置。