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JP2000071172A - 化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法 - Google Patents

化学機械研磨用スラリーの再生装置及び再生方法

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Publication number
JP2000071172A
JP2000071172A JP10244124A JP24412498A JP2000071172A JP 2000071172 A JP2000071172 A JP 2000071172A JP 10244124 A JP10244124 A JP 10244124A JP 24412498 A JP24412498 A JP 24412498A JP 2000071172 A JP2000071172 A JP 2000071172A
Authority
JP
Japan
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slurry
regenerated
concentration
recovered
regenerating
Prior art date
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Pending
Application number
JP10244124A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Kurisawa
修 栗澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10244124A priority Critical patent/JP2000071172A/ja
Priority to US09/382,640 priority patent/US6183352B1/en
Priority to GB9920425A priority patent/GB2344780B/en
Priority to KR1019990035870A priority patent/KR100342451B1/ko
Publication of JP2000071172A publication Critical patent/JP2000071172A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H10P52/00

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生されたスラリーを用い、且つスラリーの
濃度及び化学成分を常に最適にして研磨装置に供給し、
ランニングコストの低減と研磨の高精度化を図る。 【解決手段】 研磨テーブル1で回収されたスラリーは
スラリー液溜め部2に溜められた後、ポンプ3により開
放バルブ5より回収タンク7に誘導される。一方、バル
ブ9、11から純水と新液スラリーが回収タンク7に供給
され、これらの液体が均一に撹拌されて再生スラリーが
調合される。新液スラリーは回収スラリーよりも高濃度
のものが供給される。スラリーの調合中は、成分分析セ
ンサ13によって回収タンク7内の再生スラリーの濃度測
定が行われ、濃度が研磨に使用される規定値を満たすと
バルブ9、11が閉じられ、純水及び新液スラリーの供給
を止め再生スラリーの調合を終了する。再生スラリーは
ポンプ17により研磨テーブル1に供給される。これらの
動作は回収タンク7、8を用いてバッチ処理で行われ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学機械研磨装置
(以下、CMP装置という)に係り、特に、CMP装置
に用いられるスラリーの再生技術に関する。
【0002】
【従来の技術】CMP装置は、半導体ウエハやデバイス
などの研磨や表面の平坦化などに利用されている。この
CMP装置上における被研磨材は、回転する研磨パッド
に抗して回転されながら、研磨用の化学反応性溶液、す
なわちスラリーが供給されて研磨が行われる。このよう
なCMP装置に使われるスラリーは、研磨中に生じる副
産物や、化学的組成及びpHなどの変化によって研磨に
悪影響を及ぼすので、研磨パッド表面には、常に最適な
化学的濃度のスラリーを供給しなければならない。この
ような事情から、研磨パッド上には新鮮なスラリーが間
断なく流され、大量のスラリーが消費される。もちろ
ん、スラリーを洗浄するためのすすぎ水も大量に消費さ
れることは云うまでもない。特に、スラリーは高価であ
るので、研磨に支障を来さない範囲でリサイクルして使
用する技術が種々開示されている。
【0003】例えば、特開平10ー58314号公報に
は、使用中のスラリーを回収して、これに新しいスラリ
ーと再生用化学物質及び水を混合しながら、濾過処理な
どを施して再利用する技術が開示されている。図3に、
この従来技術におけるCMP用スラリー再生装置の構成
図を示す。すなわち、図示しない半導体ウエハは、研磨
パッド51に押しつけられ、シャフト52に取りつけら
れた担体53によって回転させられる。一方、スラリー
54は供給管55からパッド51の外周方向に流れ出
し、ウエハの研磨に使用されながキャッチリング56に
受け取られる。そして、回収管57により、キャッチリ
ング56から使用済みのスラリーが回収されて混合マニ
ホールド58に供給される。一方、新スラリー入力管5
9からも新しいスラリーが混合マニホールド58に供給
される。このとき、各入力管60、61から、それぞ
れ、再生用化学物質および非イオン化水が混合マニホー
ルド58に供給され、これらが全て混合マニホールド5
8で混合されて再生スラリーが生成される。
【0004】そして、再生スラリーは熱交換機62で加
熱された後、各センサ63〜65で各種の測定及び分析
がなされてフィルタ66で濾過された後、研磨パッド5
1へ戻される。このとき、研磨パッド51へ流れ出す再生
スラリーの容量は、キャッチリング56に回収されるス
ラリーの容量をわずかに上回るため、一部のスラリーが
キャッチリング56を溢れ出す。すなわち、この技術の
特徴は、研磨パッド51に流し続ける混合スラリーの容
量が、回収されるスラリーの容量より僅かに上回るよう
にして、常に少量のスラリーを廃棄しながら、リサイク
ルされたスラリーを使用中のスラリーと間断なく混合し
て、一定の化学的濃度に保つようにして、スラリー消費
の節約を図っているものである。
【0005】また、特開平10ー118899号公報に
もCMP用スラリーを回収して再利用する技術が開示さ
れている。この技術によれば、UF膜を用いた限外濾過
器を使用して、回収されたスラリーを濃縮し、この濃度
液を調整しながら回収研磨剤として再生を行っている。
すなわち、この技術では、スラリーの濃度モニタを限外
濾過器の循環ラインに設置して回収スラリーの濃度をチ
ェックしながら、この回収スラリーに補給スラリーを添
加して研磨剤層に供給している。そして、研磨剤層から
研磨用スラリーとして研磨装置に流している。このため
最終的に研磨装置に使用される研磨用スラリーの濃度の
チェックまでは行っていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平10ー58314号公報に開示されたCMP用ス
ラリーの再生装置では、回収したスラリーと新しいスラ
リーとをインラインで混合するため、スラリーの濃度が
下がったときに、濃度を適正値に上げることが出来ず
に、そのまま研磨テーブルに供給してしまい、混合後の
スラリーの濃度を一定に保つことができない。このた
め、研磨の品質を落としてしまうなどの不具合が生じ
る。また、特開平10ー118899号公報の技術によ
れば、限外濾過器を用いて回収スラリーの濃度を調整し
ているため、スラリー内のアルカリ剤も除去されてしま
うので、濃縮スラリーにアルカリ剤を再添加しなければ
ならないし、また、このためのモニタ装置も付加しなけ
ればならないなど装置が複雑化してしまう。さらに、研
磨装置に供給される研磨剤層からのスラリーの濃度チェ
ックを行うことが出来ないので、研磨装置への供給スラ
リーに濃度ムラが生じた場合、これを補正することが出
来ず、結果的に、均一な研磨を行うことは出来ないなど
の不具合が生じる。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、再生されたスラリーを用
い、且つスラリーの濃度及び化学成分を常に最適にして
研磨装置に供給することにより、ランニングコストを低
減すると共に、高精度な研磨を行うことができるCMP
用スラリーの再生装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係るCMP用
スラリーの再生装置は、化学機械研磨装置に使用される
スラリーを再生するためのCMP用スラリーの再生装置
であって、研磨による使用済みのスラリーを回収するス
ラリー回収手段と、回収された回収スラリーを回収タン
クに誘導する回収スラリー誘導手段と、新液スラリーを
回収スラリー中に供給する新液スラリー供給手段と、新
液スラリーと回収スラリーとを撹拌して均一濃度の再生
スラリーを生成する再生スラリー生成手段と、再生スラ
リー生成手段で生成された再生スラリーを化学機械研磨
装置に誘導する再生スラリー誘導手段とを備えたCMP
用スラリーの再生装置において、新液スラリー供給手段
は、回収スラリーの濃度より高濃度の新液スラリーを供
給し、再生スラリー生成手段で生成された再生スラリー
の濃度を測定する測定手段を備え、この測定手段が測定
した再生スラリーの濃度が化学機械研磨装置に供給する
スラリー濃度の規定値を上回った場合に新液スラリーの
供給を停止することを特徴とする。
【0009】請求項2に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項1のCMP用スラリーの再生装置におい
て、新液スラリー供給手段は新液スラリーを回収タンク
内に供給し、再生スラリー生成手段は回収タンク内の回
収スラリーと新液スラリーとを撹拌して再生スラリーを
生成し、測定手段は回収タンク内の再生スラリーの濃度
を測定し、再生スラリー誘導手段は回収タンク内の再生
スラリーを化学機械研磨装置に誘導することを特徴とす
る。
【0010】請求項3に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項1のCMP用スラリーの再生装置におい
て、新液スラリー供給手段は新液スラリーを回収スラリ
ー誘導手段に供給し、再生スラリー生成手段は、回収タ
ンク内の回収スラリーと新液スラリーとを回収タンクの
内外を結ぶ循環経路を環流させて再生スラリーを生成
し、測定手段は循環経路の再生スラリーの濃度を測定
し、再生スラリー誘導手段は回収タンク内の再生スラリ
ーを化学機械研磨装置に誘導することを特徴とする。
【0011】請求項4に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項1〜請求項3の何れか1に記載のCMP用
スラリーの再生装置において、回収スラリー誘導手段に
は回収スラリー中の不純物を分離濾過する第1濾過装置
を備え、再生スラリー誘導手段は、再生スラリー中の不
純物を分離濾過する第2濾過装置を備えていることを特
徴とする。
【0012】請求項5に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項1〜請求項4の何れか1に記載のCMP用
スラリーの再生装置において、回収タンク内のスラリー
を再生するための化学物質を回収タンク内に供給する化
学物質供給手段を備えていることを特徴とする。
【0013】請求項6に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項1〜請求項5の何れか1項記載のCMP用
スラリーの再生装置において、複数の回収タンクと、こ
れらの複数の回収タンクから選択された回収タンクに、
回収スラリーと新液スラリーとを、それぞれ、選択して
誘導する選択誘導手段と、これらの複数の回収タンクか
ら選択された回収タンクより、再生スラリーを化学機械
研磨装置に選択して供給する選択供給手段とを備え、ス
ラリーの回収処理と再生処理とを連続的にバッチ処理で
行うことを特徴とする。
【0014】請求項7に係るCMP用スラリーの再生装
置は、請求項6のCMP用スラリーの再生装置におい
て、選択誘導手段は、選択された回収タンクに回収スラ
リーと新液スラリーとを流す流路に個別に設けたバルブ
であり、選択供給手段は、選択された回収タンクに再生
スラリーを流す流路に個別に設けたバルブであることを
特徴とする。
【0015】請求項8は、化学機械研磨装置に使用され
るスラリーを再生するためのCMP用スラリーの再生方
法である。すなわち、研磨による使用済みのスラリーを
回収する過程と、回収された回収スラリーを回収タンク
に誘導する過程と、新液スラリーを回収スラリー中に混
入する過程と、混入された新液スラリーと回収スラリー
とを撹拌して均一濃度の再生スラリーを生成する過程
と、生成された再生スラリーを化学機械研磨装置に誘導
する過程とを備えたCMP用スラリーの再生方法におい
て、回収スラリーの濃度より高濃度の新液スラリーを回
収スラリーに混入し、再生スラリーの濃度を測定する過
程を備え、測定された再生スラリーの濃度が、化学機械
研磨装置に供給するスラリー濃度の規定値を上回った時
は、新液スラリーの供給を停止することを特徴とするC
MP用スラリーの再生方法である。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実
施の形態のCMP用スラリー再生装置の構成図である。
同図において、ウェハを研磨するCMP装置研磨テーブ
ル1(以下、研磨テーブルという)の下部には、この研
磨テーブル1から零れ落ちた研磨使用済みスラリーを回
収するための液溜め部2が設けてある。すなわち、研磨
による使用済みのスラリーを回収するスラリー回収手段
を備えている。
【0017】そして、液溜め部2には、この液溜め部2
に溜まったスラリーを回収用のポンプ3へ導く管路PL
1が設けられ、さらに、ポンプ3から延びた管路PL2
は、スラリー内の不純物を濾過するためのフィルタ4に
接続された後、2つの管路PL3およびPL4に分岐さ
れた後、バルブ5およびバルブ6を経て、それぞれ、回
収タンク7および回収タンク8へ導かれている。すなわ
ち、回収されたスラリーを濾過する第1濾過装置と、濾
過された回収スラリーを回収タンクへ誘導する回収スラ
リー誘導手段とを備えている。
【0018】さらに、回収タンク7には純水が供給され
る管路PL5が設けられ、この管路PL5には流量を調
整するためのバルブ9が設けられている。また回収タン
ク7には、回収されたスラリーより濃度の高い新液スラ
リーが供給される管路PL6が設けられ、この管路PL
6には流量を調整するためのバルブ11が設けられてい
る。同様に、回収タンク8にも純水が供給される管路P
L7が設けられ、この管路PL7には流量を調整するた
めのバルブ10が設けられている。また回収タンク8に
は、回収されたスラリーより濃度の高い新液スラリーが
供給される管路PL8が設けられ、この管路PL8には
流量を調整するためのバルブ12が設けられている。す
なわち、回収スラリーより高濃度の新液スラリーと純水
とを供給する新液スラリー供給手段を備える。
【0019】また、回収タンク7と回収タンク8には、
タンク中のスラリーを撹拌して成分を均一にするための
撹拌手段MIXが設けられている。したがって、これら
の回収タンク7、8内では、回収スラリーと新液スラリ
ーとが均一に撹拌されて再生スラリーが生成される。す
なわち、化学的成分が均一な再生スラリーを生成する再
生スラリー生成手段が構成されている。また、図示しな
いが、回収タンク7及び回収タンク8内の回収スラリー
を再生するための化学物質を供給する化学物質供給手段
をも備えている。
【0020】そして、回収タンク7及び回収タンク8
は、それぞれ、タンク内のスラリー濃度を測定し分析す
るための成分分析センサ13及び成分分析センサ14を
備えている。すなわち、回収タンク内で均一に撹拌され
て生成された再生スラリーを測定分析するための測定手
段を備えている。
【0021】さらに、回収タンク7及び回収タンク8内
で調合された再生スラリーを供給するための、管路PL
9およびPL10が設けられている。これらの管路PL
9およびPL10は、1本の管路PL11に合流された
後、ポンプ17およびフィルター18を介してCMP用
スラリーとして研磨テーブル1上に誘導されるようにな
っている。なお、管路PL9にはバルブ15が、管路P
L10にはバルブ16がそれぞれ設けられていて、管路
PL9およびPL10を任意に開閉し、あるいは流量を
調整することができるようになっている。すなわち、再
生スラリーを濾過して不純物を取り除くための第2濾過
装置と、濾過された再生スラリーを研磨テーブルに誘導
する再生スラリー誘導手段とを備えている。
【0022】また、回収タンク7、8及びスラリーの再
生ルートと純水及び新液スラリーの供給ルートを2系統
設けて、連続的にスラリーの回収処理と再生処理を行う
ことの出来るバッチ処理手段が構成されている。
【0023】次に、このような構成のCMP用スラリー
再生装置の動作について説明する。研磨テーブル1上で
ウェハの研磨を行うと、研磨に使用されたスラリーは、
研磨テーブル1から零れ落ち、スラリー液溜め部2に溜
められる。 このスラリーは、ポンプ3を駆動すること
により液溜め部2から回収される。 このときバルブ5
またはバルブ6の何れか一方を開放することにより、回
収されたスラリーは、フィルタ4を通過した後に回収タ
ンク7または回収タンク8の何れかに誘導される。尚、
フィルタ4には比較的目の粗いフィルタエレメントが使
用され、回収スラリー中の大粒径の不要成分が分離濾過
される。
【0024】今、バルブ5を開放すると、回収スラリー
と共にバルブ9から純水が、バルブ11から新液スラリ
ーが、それぞれ、回収タンク7内に供給され、同時に供
給されるスラリー再生用化学物質と共に、撹拌手段MI
Xによって均一に撹拌されて調合される。このとき供給
される新液スラリーは、研磨テーブル1より回収された
回収スラリーよりも濃度の濃いものが使用される。同様
に、バルブ6を開放すると、回収スラリーと共にバルブ
10からの純水とバルブ12からの新液スラリー及びス
ラリー再生用化学物質とが、それぞれ、回収タンク8内
に供給されて、これらが撹拌棒によって均一に撹拌され
調合される。もちろん、このとき供給される新液スラリ
ーは、回収スラリーよりも濃度の濃いものが使用され
る。
【0025】そして、スラリーの調合中に、それぞれの
回収タンク7、8に取り付けられた成分分析センサ13
または成分分析センサ14で、再生スラリーの濃度測定
が行われる。測定された再生スラリーの濃度が研磨に使
用する規定値を満たしたとき、回収タンク7に供給され
るバルブ9とバルブ11、または回収タンク8に供給さ
れるバルブ10とバルブ12が閉じられ、純水及び新液
スラリーの供給を止めて再生スラリーの調合を終了す
る。このようにして調合された再生スラリーを研磨テー
ブル1に流して研磨に使用するときは、バルブ15また
はバルブ16の何れかをを開放し、ポンプ17を駆動す
る。 すると、回収タンク7または回収タンク8の何れ
かの再生スラリーは、フィルタ18を通って濾過されて
研磨テーブル1上に供給される。 このときフィルタ1
8には目の細かいフィルタエレメントが使用され、フィ
ルタ4で濾過できなかった小粒径の不要成分が分離濾過
される。
【0026】また、一方の回収タンク(例えば7)から
再生スラリーを研磨テーブル1に供給してウェハを研磨
中の時は、もう一方の回収タンク(例えば8)内に使用
済みスラリーを回収し、スラリーの回収、再生、研磨テ
ーブルへの供給が連続処理によって行えるように、回収
タンクおよびスラリーの再生ルートを2系統設けて必要
に応じてバルブ操作により切り替えるよう構成し、CM
P用スラリーの再生処理がバッチ処理で行えるようにし
てある。これにより、連続的に安定して、再生スラリー
の調合を行うことが出来る。
【0027】次に本発明の第2の実施の形態を説明す
る。図2は、本発明の第2の実施の形態のCMP用スラ
リー再生装置の構成図である。第2の実施の形態が第1
の実施の形態と異なる点は、新液スラリーと純水を供給
する手段を設ける位置を変えたこと、及び回収スラリー
と新液スラリー及び純水とを混合して再生スラリーの濃
度を調合する手段を変えたことにある。すなわち、第1
の実施の形態では、回収したスラリーを回収タンクに溜
めた後に新スラリーと純水を供給して、回収タンク内の
濃度を測定しながら、これらを撹拌して再生スラリーを
生成している。一方、第2の実施の形態は、回収したス
ラリーに純水と新スラリーとを予め混ぜてから回収タン
クに溜め、回収タンク内の混合スラリーを外部に循環し
ながら、循環経路の濃度を測定しつつ、再生スラリーを
調合して生成しているものである。
【0028】すなわち、第2の実施の形態のCMP用ス
ラリー再生装置は、研磨テーブル21から落ちたスラリ
ーを溜めるスラリー溜め部22と、溜まったスラリーを
回収するためのポンプ23とバルブ24と、回収スラリ
ーを濾過するためのフィルタ27と、回収スラリーの濃
度を測定するための成分分析センサ28と、スラリー回
収タンク31及び32と、これらのタンクに回収スラリ
ーを供給するバルブ29、30と、スラリー回収タンク
31、32内のスラリーを外部に循環させるためのポン
プ35及びバルブ36と、再生したスラリーを研磨テー
ブル21上に供給するためのポンプ39及びフィルタ4
0と、さらに、回収スラリーより濃度の高い新液スラリ
ーと純水の供給源から、それぞれの管路を通して、新液
スラリーと純水の流量を制御しながら、これらの液体を
回収スラリーのチューブ内に混合して供給するための各
バルブ25、26とによって構成されている。
【0029】次に動作について説明する。研磨に使用さ
れたスラリーはスラリー溜め部22に溜められ、これが
ポンプ23で回収される。 そして、このスラリーはフ
ィルタ27、成分分析センサ28を通過した後、バルブ
29または30の何れか開放された側から、回収タンク
31または32の何れか一方に回収される。 このと
き、フィルタ27には比較的目の粗いフィルタエレメン
トが使用され、回収スラリー中の大粒径の不要成分が濾
過分離される。
【0030】回収スラリーを回収タンク31または32
の何れかに回収後、ポンプ35を駆動して、回収タンク
31または32の回収スラリーを汲み上げ、ポンプ3
5、フィルタ27、成分分析センサ28の間でこのスラ
リーを循環させる。 このとき、バルブ25及びバルブ
26を開放し、純水と新液スラリーを回収スラリーに供
給し、これらを調合しながら成分分析センサ28で再生
スラリーの濃度を測定する。このようにして、調合中の
再生スラリーの濃度が研磨に使用する規定値以上となっ
たとき、バルブ25とバルブ26を閉じ、ポンプ35を
停止して再生スラリーの調合を終了する。
【0031】そして、調合の終了した再生スラリーを用
いて研磨を行うときは、ポンプ39を駆動させ、回収タ
ンク31または32の何れかの再生スラリーを汲み上げ
て、フィルタ40を通過させた後に研磨テーブル21上
に供給する。このとき、フィルタ40には目の細かいフ
ィルタエレメントが使用され、フィルタ27で濾過でき
なかった小粒径の不要成分が濾過分離される。
【0032】また、一方の回収タンク(例えば31)よ
り再生スラリーを研磨テーブル21に供給してウェハを
研磨中のときは、もう一方の回収タンク(例えば32)
に使用済みスラリーを回収するようにして、スラリーの
回収、再生、研磨テーブルへの供給を連続的にバッチ処
理で行うことが出来るようになっている。
【0033】以上述べた実施の形態は、本発明を説明す
るための一例であり、本発明は、上記の実施の形態に限
定されるものではなく、発明の要旨の範囲で種々の変形
が可能である。たとえば、純水と高濃度な新液スラリー
の供給位置は、再生スラリーの循環ルートの中であれ
ば、上記の実施の形態以外の何れの位置に設けてもよい
し、回収タンクも必ずしも2個に限ることはなく、再生
スラリーのバッチ処理が行えるような構成であれば幾つ
設けても構わない。
【0034】
【効果の説明】以上説明したように、本発明のCMP用
スラリーの再生装置によれば、従来使い捨てにされてい
たCMP用スラリーを再生して利用できるためスラリー
のランニングコストを低減させることが出来る。しかも
再生スラリーの化学的濃度を研磨剤としての最適濃度に
管理することが出来るので、結果として品質の高い研磨
を行うことが出来る。また、スラリーをインライン調合
するのではなく、バッチ調合するため、スラリーの再生
処理を連続的に行うことが出来る。したがって、常に均
一な成分のスラリーを研磨テーブルに連続供給すること
が出来、半導体を大量生産するラインに最適な化学機械
研磨装置を提供することが出来る。また、使用済みスラ
リーを回収するためのスラリー溜め部が、回転する研磨
テーブルとは一体構造ではないので、装置全体の構造が
簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態のCMP用スラリ
ー再生装置の構成図である。
【図2】 本発明の第2の実施の形態のCMP用スラリ
ー再生装置の構成図である。
【図3】 従来技術におけるCMP用スラリー再生装置
の構成図である。
【符号の説明】
1、21…研磨テーブル、2、22…液溜め部、3、1
7、23、35、39…ポンプ、4、18、27、40
…フィルタ、5、6、9、10、11、12、15、1
6、24、25、26、29、30、33、34、3
6、37、38…バルブ、7、8、31、32…回収タ
ンク、13、14、28…成分分析センサ、51…研磨
パッド、52…シャフト、53…担体、54…スラリ
ー、55…供給管、56…キャッチリング、57…回収
管、58…混合マニホールド、59…新液スラリー入力
管、60…再生用化学物質入力管、61…非イオン水入
力管、62…熱交換機、63、64、65…センサ、6
6…フィルタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年6月7日(1999.6.7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項8
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係るCMP用
スラリーの再生装置は、化学機械研磨装置に使用される
スラリーを再生するためのCMP用スラリーの再生装置
であって、研磨による使用済みのスラリーを回収するス
ラリー回収手段と、回収された回収スラリーを回収タン
クに誘導する回収スラリー誘導手段と、新液スラリーを
回収スラリー中に供給する新液スラリー供給手段と、新
液スラリーと回収スラリーとを撹拌して均一濃度の再生
スラリーを生成する再生スラリー生成手段と、再生スラ
リー生成手段で生成された再生スラリーを化学機械研磨
装置に誘導する再生スラリー誘導手段とを備えたCMP
用スラリーの再生装置において、新液スラリー供給手段
は、回収スラリーの濃度より高濃度の新液スラリーを供
給し、再生スラリー生成手段で生成された再生スラリー
の濃度を測定する測定手段を備え、この測定手段が測定
した再生スラリーの濃度が化学機械研磨装置に供給する
スラリー濃度の規定値を上回った場合に新液スラリーの
供給を停止構成とし、前記再生スラリー誘導手段は、前
記回収タンク内の再生スラリーの調合を終了した後、該
再生スラリーを前記化学機械研磨装置への供給手段に誘
導することを特徴とする。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】変更
【補正内容】
【0015】請求項8は、化学機械研磨装置に使用され
るスラリーを再生するためのCMP用スラリーの再生方
法である。すなわち、研磨による使用済みのスラリーを
回収する過程と、回収された回収スラリーを回収タンク
に誘導する過程と、新液スラリーを回収スラリー中に混
入する過程と、混入された新液スラリーと回収スラリー
とを撹拌して均一濃度の再生スラリーを生成する過程
と、生成された再生スラリーを化学機械研磨装置に誘導
する過程とを備えたCMP用スラリーの再生方法におい
て、回収スラリーの濃度より高濃度の新液スラリーを回
収スラリーに混入し、再生スラリーの濃度を測定する過
程を備え、測定された再生スラリーの濃度が、化学機械
研磨装置に供給するスラリー濃度の規定値を上回った時
は、新液スラリーの供給を停止し、該調合を終了した後
の再生スラリーを前記化学機械研磨装置に誘導すること
を特徴とするCMP用スラリーの再生方法である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学機械研磨装置に使用されるスラリー
    を再生するためのCMP用スラリーの再生装置であっ
    て、 研磨による使用済みのスラリーを回収するスラリー回収
    手段と、 回収された回収スラリーを回収タンクに誘導する回収ス
    ラリー誘導手段と、 新液スラリーを前記回収スラリー中に供給する新液スラ
    リー供給手段と、 前記新液スラリーと前記回収スラリーとを撹拌して均一
    濃度の再生スラリーを生成する再生スラリー生成手段
    と、 前記再生スラリー生成手段で生成された再生スラリーを
    前記化学機械研磨装置に誘導する再生スラリー誘導手段
    と、 を備えたCMP用スラリーの再生装置において、 前記再生スラリー生成手段で撹拌して生成された再生ス
    ラリーの濃度を測定する測定手段を設け、 前記新液スラリー供給手段は、前記回収スラリーの濃度
    より高濃度の新液スラリーを供給するとともに、前記測
    定手段により測定された再生スラリーの濃度が、前記化
    学機械研磨装置に供給されるスラリー濃度の規定値を上
    回った場合に新液スラリーの供給を停止することを特徴
    とするCMP用スラリーの再生装置。
  2. 【請求項2】 前記新液スラリー供給手段は、新液スラ
    リーを前記回収タンク内に供給し、 前記再生スラリー生成手段は、前記回収タンク内の回収
    スラリーと新液スラリーとを撹拌して再生スラリーを生
    成し、 前記測定手段は、前記回収タンク内の再生スラリーの濃
    度を測定し、 前記再生スラリー誘導手段は、前記回収タンク内の再生
    スラリーを前記化学機械研磨装置に誘導することを特徴
    とする請求項1記載のCMP用スラリーの再生装置。
  3. 【請求項3】 前記新液スラリー供給手段は、新液スラ
    リーを前記回収スラリー誘導手段に供給し、 前記再生スラリー生成手段は、前記回収タンク内の回収
    スラリーと新液スラリーとを、前記回収タンクの内外を
    結ぶ循環経路を環流させて、前記再生スラリーを生成
    し、 前記測定手段は、前記循環経路の再生スラリーの濃度を
    測定し、 前記再生スラリー誘導手段は、前記回収タンク内の再生
    スラリーを前記化学機械研磨装置に誘導することを特徴
    とする請求項1記載のCMP用スラリーの再生装置。
  4. 【請求項4】 前記回収スラリー誘導手段は、回収スラ
    リー中の不純物を分離濾過する第1濾過装置を備え、 前記再生スラリー誘導手段は、再生スラリー中の不純物
    を分離濾過する第2濾過装置を備えていることを特徴と
    する請求項1〜請求項3の何れか1項記載のCMP用ス
    ラリーの再生装置。
  5. 【請求項5】 前記回収タンク内のスラリーを再生する
    ための化学物質を前記回収タンク内に供給する化学物質
    供給手段を備えていることを特徴とする請求項1〜請求
    項4の何れか1に記載のCMP用スラリーの再生装置。
  6. 【請求項6】 複数の回収タンクと、 前記複数の回収タンクから選択された回収タンクに、回
    収スラリーと新液スラリーとを、それぞれ、選択して誘
    導する選択誘導手段と、 前記複数の回収タンクから選択された回収タンクより、
    再生スラリーを前記化学機械研磨装置に選択して供給す
    る選択供給手段とを備え、 スラリーの回収処理と再生処理とを連続的にバッチ処理
    で行うことを特徴とする請求項1〜請求項5の何れか1
    に記載のCMP用スラリーの再生装置。
  7. 【請求項7】 前記選択誘導手段は、選択された前記回
    収タンクに回収スラリーと新液スラリーとを流す流路に
    個別に設けられたバルブであり、 選択供給手段は、選択された前記回収タンクに再生スラ
    リーを流す流路に個別に設けられたバルブであることを
    特徴とする請求項6記載のCMP用スラリーの再生装
    置。
  8. 【請求項8】 化学機械研磨装置に使用されるスラリー
    を再生するためのCMP用スラリーの再生方法であっ
    て、 研磨による使用済みのスラリーを回収する過程と、 回収された回収スラリーを回収タンクに誘導する過程
    と、 新液スラリーを前記回収スラリー中に混入する過程と、 前記新液スラリーと前記回収スラリーとを撹拌して均一
    濃度の再生スラリーを生成する過程と、 生成された再生スラリーを前記化学機械研磨装置に誘導
    する過程とを備えたCMP用スラリーの再生方法におい
    て、 前記回収スラリーの濃度より高濃度の新液スラリーを前
    記回収スラリーに供給し、 再生スラリーの濃度を測定する過程を備え、測定された
    再生スラリーの濃度が、前記化学機械研磨装置に供給す
    るスラリーの濃度規定値を上回った場合に新液スラリー
    の供給を停止することを特徴とするCMP用スラリーの
    再生方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002011664A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
JP2002016027A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
EP1138439A3 (en) * 2000-03-31 2002-01-23 E & E Co., Ltd. Method and apparatus for recycling abrasive grain slurry
KR100428787B1 (ko) * 2001-11-28 2004-04-28 삼성전자주식회사 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치
US6929755B2 (en) 2001-06-21 2005-08-16 Renesas Technology Corp. Method of and apparatus for chemical mechanical polishing and slurry supplying device
JP2009065006A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Panasonic Corp 半導体研磨用スラリー異物検査方法
JP2012250324A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sumco Corp スラリー循環装置、および、スラリー循環装置のフラッシング方法
US8652350B2 (en) 2008-02-27 2014-02-18 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method using the same, and method of recycling chemical mechanical polishing aqueous dispersion
KR20170094213A (ko) 2014-12-15 2017-08-17 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 웨이퍼의 연마방법
CN111152141A (zh) * 2020-02-26 2020-05-15 苏州协同创新智能制造装备有限公司 射流抛光废液的处理方法
JP2020530946A (ja) * 2017-08-18 2020-10-29 エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド ウエハーのエッジ研磨部、これを含むウエハーのエッジ研磨装置及び方法

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3426149B2 (ja) * 1998-12-25 2003-07-14 富士通株式会社 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置
US6290576B1 (en) 1999-06-03 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor processors, sensors, and semiconductor processing systems
US7530877B1 (en) 1999-06-03 2009-05-12 Micron Technology, Inc. Semiconductor processor systems, a system configured to provide a semiconductor workpiece process fluid
US7180591B1 (en) * 1999-06-03 2007-02-20 Micron Technology, Inc Semiconductor processors, sensors, semiconductor processing systems, semiconductor workpiece processing methods, and turbidity monitoring methods
JP3778747B2 (ja) * 1999-11-29 2006-05-24 株式会社荏原製作所 砥液供給装置
JP4657412B2 (ja) * 1999-12-10 2011-03-23 エルエスアイ コーポレーション 半導体ウェハを研磨する装置及び方法
US6306020B1 (en) * 2000-03-10 2001-10-23 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Multi-stage slurry system used for grinding and polishing materials
US6436828B1 (en) 2000-05-04 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing using magnetic force
US6267641B1 (en) * 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
KR20020003939A (ko) * 2000-06-27 2002-01-16 장정훈 씨엠피 장치의 슬러리 재생 시스템
KR20020003704A (ko) * 2000-06-27 2002-01-15 장정훈 씨엠피 장치의 슬러리 재생모듈
US6866784B2 (en) * 2000-06-27 2005-03-15 Nymtech, Co., Ltd. Slurry recycling system and method for CMP apparatus
US6721628B1 (en) * 2000-07-28 2004-04-13 United Microelectronics Corp. Closed loop concentration control system for chemical mechanical polishing slurry
US6558238B1 (en) * 2000-09-19 2003-05-06 Agere Systems Inc. Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6632012B2 (en) * 2001-03-30 2003-10-14 Wafer Solutions, Inc. Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids
JP2002331456A (ja) * 2001-05-08 2002-11-19 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
EP1561557B1 (en) * 2001-05-29 2011-03-30 MEMC ELECTRONIC MATERIALS S.p.A. Method for treating an exhausted glycol-based slurry
US6783429B2 (en) * 2001-08-17 2004-08-31 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for sampling a chemical-mechanical polishing slurry
US6732017B2 (en) * 2002-02-15 2004-05-04 Lam Research Corp. System and method for point of use delivery, control and mixing chemical and slurry for CMP/cleaning system
US6984166B2 (en) * 2003-08-01 2006-01-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Zone polishing using variable slurry solid content
JP2006210751A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Mitsubishi Chemical Engineering Corp シンナーのリサイクル供給装置
CN101426723B (zh) * 2006-02-24 2011-12-14 Ihi压缩和机器株式会社 硅粒的处理方法和装置
US7651384B2 (en) * 2007-01-09 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method and system for point of use recycling of ECMP fluids
JP5357396B2 (ja) * 2007-01-31 2013-12-04 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物用添加剤および研磨組成物の使用方法
KR100985861B1 (ko) * 2008-09-24 2010-10-08 씨앤지하이테크 주식회사 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법
US20100144245A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Shei-Kai Chang Methods and apparatus for chemical-mechanical polishing utilizing low suspended solids polishing compositions
US20110070811A1 (en) * 2009-03-25 2011-03-24 Applied Materials, Inc. Point of use recycling system for cmp slurry
DE102009044204A1 (de) * 2009-10-08 2011-04-28 Fab Service Gmbh Wiederaufbereitungsverfahren und Wiederaufbereitungsvorrichtung zur Wiederaufbereitung von Slurry-Abwasser aus einem Halbleiterbearbeitungs-prozess, insbesondere aus einem chemisch-mechanischen Polierprozess
US8557134B2 (en) * 2010-01-28 2013-10-15 Environmental Process Solutions, Inc. Accurately monitored CMP recycling
US20120042575A1 (en) * 2010-08-18 2012-02-23 Cabot Microelectronics Corporation Cmp slurry recycling system and methods
CN102398221A (zh) * 2010-09-15 2012-04-04 亚泰半导体设备股份有限公司 化学机械研磨浆液回收再利用系统及其方法
US8696404B2 (en) 2011-12-21 2014-04-15 WD Media, LLC Systems for recycling slurry materials during polishing processes
TWI641936B (zh) * 2012-11-13 2018-11-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 漿料供應及/或化學品摻合物供應設備、方法、使用方法及製造方法
US9770804B2 (en) 2013-03-18 2017-09-26 Versum Materials Us, Llc Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture
US9744642B2 (en) * 2013-10-29 2017-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
JP6946166B2 (ja) * 2017-12-20 2021-10-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 研磨装置および研磨方法
CN108531085A (zh) * 2018-04-19 2018-09-14 中锗科技有限公司 一种锗片抛光液回收再利用的装置及其回收方法
US11642754B2 (en) * 2018-08-30 2023-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry recycling for chemical mechanical polishing system
KR102754098B1 (ko) * 2019-12-24 2025-01-14 에스케이하이닉스 주식회사 화학적 기계적 연마 장비 및 그 구동 방법
KR102275713B1 (ko) * 2020-02-27 2021-07-09 세메스 주식회사 유체 공급 장치
CN114851083A (zh) * 2022-04-29 2022-08-05 无锡恒大电子科技有限公司 一种用于给cmp工艺供应稳定slurry研磨液的装置
JP2024043122A (ja) * 2022-09-16 2024-03-29 キオクシア株式会社 端材回収装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02257627A (ja) 1989-03-30 1990-10-18 Kyushu Electron Metal Co Ltd 半導体ウエーハの研磨方法及び装置
JP2964718B2 (ja) 1991-08-08 1999-10-18 松下電器産業株式会社 スイッチング電源装置
US5664990A (en) 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
US5846398A (en) 1996-08-23 1998-12-08 Sematech, Inc. CMP slurry measurement and control technique
JP3341601B2 (ja) 1996-10-18 2002-11-05 日本電気株式会社 研磨剤の回収再利用方法および装置
US5791970A (en) * 1997-04-07 1998-08-11 Yueh; William Slurry recycling system for chemical-mechanical polishing apparatus
JPH11277434A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Speedfam Co Ltd Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法
US6048256A (en) * 1999-04-06 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for continuous delivery and conditioning of a polishing slurry

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1138439A3 (en) * 2000-03-31 2002-01-23 E & E Co., Ltd. Method and apparatus for recycling abrasive grain slurry
JP2002016027A (ja) * 2000-06-27 2002-01-18 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
JP2002011664A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
US6929755B2 (en) 2001-06-21 2005-08-16 Renesas Technology Corp. Method of and apparatus for chemical mechanical polishing and slurry supplying device
KR100428787B1 (ko) * 2001-11-28 2004-04-28 삼성전자주식회사 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치
JP2009065006A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Panasonic Corp 半導体研磨用スラリー異物検査方法
US8652350B2 (en) 2008-02-27 2014-02-18 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method using the same, and method of recycling chemical mechanical polishing aqueous dispersion
JP2012250324A (ja) * 2011-06-03 2012-12-20 Sumco Corp スラリー循環装置、および、スラリー循環装置のフラッシング方法
KR20170094213A (ko) 2014-12-15 2017-08-17 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘 웨이퍼의 연마방법
US10460947B2 (en) 2014-12-15 2019-10-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for polishing silicon wafer
DE112015005277B4 (de) 2014-12-15 2024-05-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Verfahren zum Polieren von Siliciumwafern
JP2020530946A (ja) * 2017-08-18 2020-10-29 エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド ウエハーのエッジ研磨部、これを含むウエハーのエッジ研磨装置及び方法
CN111152141A (zh) * 2020-02-26 2020-05-15 苏州协同创新智能制造装备有限公司 射流抛光废液的处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2344780B (en) 2003-05-07
KR20000017593A (ko) 2000-03-25
US6183352B1 (en) 2001-02-06
GB9920425D0 (en) 1999-11-03
GB2344780A (en) 2000-06-21
KR100342451B1 (ko) 2002-06-28

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