JP2000068328A - Wiring board for flip chip mounting - Google Patents
Wiring board for flip chip mountingInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェースダウンで半導体チップを配線基板に
実装する際に、半導体チップのバンプと接続されるラン
ドの埋没を防止して半導体チップと配線基板とのショー
トをなくす。
【解決手段】 バンプ8をパッド上に形成した半導体チ
ップ7をフェースダウンで配線基板1に実装する。半導
体チップ7に形成されたパッドが接続されるランド3
と、ランド3の直下部分における内層部分に設けられた
内層補強パターン5とを備える。内層補強パターン5が
半導体チップ7実装時のランド3の埋没を防止する。
(57) [Summary] When mounting a semiconductor chip on a wiring board face down, it is possible to prevent a land connected to a bump of the semiconductor chip from being buried and eliminate a short circuit between the semiconductor chip and the wiring board. A semiconductor chip having bumps formed on pads is mounted face down on a wiring board. Land 3 to which pad formed on semiconductor chip 7 is connected
And an inner layer reinforcing pattern 5 provided in an inner layer portion immediately below the land 3. The inner layer reinforcing pattern 5 prevents the land 3 from being buried when the semiconductor chip 7 is mounted.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップがフ
ェースダウンで実装されるフリップチップ実装用配線基
板に関する。The present invention relates to a flip-chip mounting wiring board on which a semiconductor chip is mounted face down.
【0002】[0002]
【従来の技術】フリップチップの実装に用いることがで
きる従来の配線基板としては、特開平4−116839
号公報に開示されている。図13は、この配線基板10
0を示す。2. Description of the Related Art A conventional wiring board which can be used for mounting a flip chip is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-16839.
No. 6,086,045. FIG. 13 shows this wiring board 10.
Indicates 0.
【0003】配線基板100はその表面上に四辺から中
央部分に延びた配線110が設けられていると共に、配
線110の端部の内側には平面矩形状の補強パターン1
20が形成されている。補強パターン120は配線11
0と同様な金属材料や配線110を構成する金属材料の
一部によって形成されており、x軸方向及びy軸方向へ
の回路基板100の変形及び伸縮を防止するように作用
する。[0003] A wiring board 100 is provided with wirings 110 extending from four sides to a central portion on the surface thereof, and a flat rectangular reinforcing pattern 1 is provided inside an end of the wiring 110.
20 are formed. The reinforcing pattern 120 is the wiring 11
0 and a part of the metal material constituting the wiring 110, and acts to prevent deformation and expansion and contraction of the circuit board 100 in the x-axis direction and the y-axis direction.
【0004】かかる配線基板100には半田を用いて半
導体チップがボンディングされる。このボンディングに
おいて、回路基板100は半田を溶融させるために加え
られた熱によって高温となるが、上述した補強パターン
120によって良好な平面性を維持することができる。
又、半導体チップの半田バンプ電極が配線110の端部
にボンディングされた後にも、良好な平面性を維持する
ことができ、これにより半田バンプ電極と配線110と
を確実に電気的に接続することができる。A semiconductor chip is bonded to the wiring board 100 using solder. In this bonding, the temperature of the circuit board 100 becomes high due to the heat applied to melt the solder. However, good flatness can be maintained by the reinforcing pattern 120 described above.
Further, even after the solder bump electrodes of the semiconductor chip are bonded to the ends of the wirings 110, good flatness can be maintained, so that the solder bump electrodes and the wirings 110 can be reliably electrically connected. Can be.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プをフェースダウンで配線基板に実装する場合には、半
導体チップに圧力を作用させながら熱を加える必要があ
る。図14はこのようなフェースダウンにより、上述し
た従来の配線基板100に対し半導体チップ200を実
装した状態を示す。When a semiconductor chip is mounted face-down on a wiring board, it is necessary to apply heat while applying pressure to the semiconductor chip. FIG. 14 shows a state in which a semiconductor chip 200 is mounted on the above-described conventional wiring board 100 by such face-down.
【0006】図14に示すように、配線基板100には
上述した配線110に接続されたランド130が形成さ
れる一方、半導体チップ200のパッド上にはバンプ2
10が形成されている。この半導体チップ200をフェ
ースダウンさせてバンプ210をランド130に接触さ
せると共に、半導体チップ200の周囲及び内部に接着
剤150を塗布する。そして、半導体チップ200側か
ら加熱及び加圧することにより、半導体チップ200を
固定すると共に、バンプ210を介してパッドとランド
130とを接続する。As shown in FIG. 14, a land 130 connected to the above-described wiring 110 is formed on a wiring substrate 100, while a bump 2 is formed on a pad of a semiconductor chip 200.
10 are formed. The semiconductor chip 200 is face-down to bring the bump 210 into contact with the land 130, and the adhesive 150 is applied around and inside the semiconductor chip 200. Then, the semiconductor chip 200 is fixed by heating and pressing from the semiconductor chip 200 side, and the pad and the land 130 are connected via the bump 210.
【0007】しかしながら、このような実装では、加圧
力によってランド130が配線基板100に埋没し、こ
の埋没によって半導体チップ200のエッジ200aと
配線110とが接触してショートする問題を有してい
る。However, such mounting has a problem that the land 130 is buried in the wiring board 100 due to the pressing force, and the burial causes the edge 200a of the semiconductor chip 200 and the wiring 110 to be short-circuited.
【0008】本発明は、このような従来の問題点を考慮
してなされたものであり、半導体チップを加圧して実装
する場合であっても、半導体チップのエッジと配線とが
ショートすることのない構造のフリップチップ実装用配
線基板を提供することを目的とする。The present invention has been made in consideration of such conventional problems, and it is possible to prevent a short circuit between an edge of a semiconductor chip and a wiring even when the semiconductor chip is mounted under pressure. It is an object of the present invention to provide a flip-chip mounting wiring board having no structure.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、バンプをパッド上に形成した半
導体チップがフェースダウンで実装されるフリップチッ
プ実装用配線基板において、前記半導体チップに形成さ
れたパッドが接続されるランドと、このランド直下部分
における内層部分に設けられた内層補強パターンとを備
えていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a wiring board for flip-chip mounting in which a semiconductor chip having bumps formed on pads is mounted face-down. And a land connected to the pad, and an inner layer reinforcing pattern provided in an inner layer portion immediately below the land.
【0010】この発明では、ランド直下部分に設けた内
層補強パターンがランドを下側から支持して、その埋没
量を規制するため、ランドの埋没量が少なくなる。この
ため、配線と半導体チップ間のショートが発生すること
なく、フリップチップ実装を良好に行うことができる。[0010] In the present invention, since the inner layer reinforcing pattern provided immediately below the land supports the land from below and regulates the burial amount, the land burial amount is reduced. Therefore, flip-chip mounting can be performed favorably without causing a short circuit between the wiring and the semiconductor chip.
【0011】請求項2の発明は、請求項1記載の発明で
あって、前記内層補強パターンが配線の一部を用いて形
成されていることを特徴とする。A second aspect of the present invention is the invention according to the first aspect, wherein the inner layer reinforcing pattern is formed using a part of a wiring.
【0012】この発明では、内層補強パターンを配線の
一部を用いることにより、ランド直下部分の内層に配線
を設けることができる。このため、配線基板の内層の配
線密度を増大させることが可能となる。In the present invention, the wiring can be provided in the inner layer immediately below the land by using a part of the wiring as the inner layer reinforcing pattern. For this reason, it is possible to increase the wiring density of the inner layer of the wiring board.
【0013】請求項3の発明は、請求項1記載の発明で
あって、前記パッドが接続されない部位に、前記ランド
間隔を均一にするためのダミーランドが設けられている
ことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a dummy land for equalizing the land interval is provided at a portion where the pad is not connected.
【0014】この発明では、ランド間隔が均一になるよ
うにダミーランドを設けるため、各ランド間の埋没量の
バラツキが少なくなり、配線と半導体チップ間のショー
トの発生をさらに確実に防止することができる。According to the present invention, the dummy lands are provided so that the land spacing becomes uniform, so that the variation in the burial amount between the lands is reduced, and the occurrence of a short circuit between the wiring and the semiconductor chip is more reliably prevented. it can.
【0015】請求項4の発明は、請求項1記載の発明で
あって、前記半導体チップの回路面直下部分にバンプの
厚さとランドの厚さの和より小さい厚さの絶縁層が設け
られていることを特徴とする。The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1, wherein an insulating layer having a thickness smaller than the sum of the thickness of the bump and the thickness of the land is provided immediately below the circuit surface of the semiconductor chip. It is characterized by being.
【0016】この発明では、回路面直下に設けた絶縁層
が半導体チップ内の回路と配線との接触を防ぐと共に、
絶縁層の厚みを変えることによりランドの埋没量を簡単
に制御することができる。According to the present invention, the insulating layer provided immediately below the circuit surface prevents contact between the circuit in the semiconductor chip and the wiring, and
The amount of land burial can be easily controlled by changing the thickness of the insulating layer.
【0017】請求項5の発明は、請求項1記載の発明で
あって、前記半導体チップが接着剤によって表面に接着
されると共に、この接着剤と表面との境界部分に表層補
強パターンが設けられていることを特徴とする。The invention according to claim 5 is the invention according to claim 1, wherein the semiconductor chip is adhered to the surface with an adhesive, and a surface layer reinforcing pattern is provided at a boundary between the adhesive and the surface. It is characterized by having.
【0018】この発明では、接着剤と表面との境界部分
に設けた表層補強パターンがフリップチップ実装部位の
機械的強度を増大させる。According to the present invention, the surface reinforcing pattern provided at the boundary between the adhesive and the surface increases the mechanical strength of the flip chip mounting portion.
【0019】請求項6の発明は、請求項3記載の発明で
あって、前記ダミーランドが配線の一部を用いて形成さ
れていることを特徴とする。A sixth aspect of the present invention is the invention according to the third aspect, wherein the dummy land is formed using a part of the wiring.
【0020】この発明では、ダミーランドを配線の一部
を用いて設けているため、表層のランド内側部分にも配
線することができ、表層の配線密度を増大させることが
可能となる。In the present invention, since the dummy land is provided by using a part of the wiring, the wiring can also be formed on the land inside the surface layer, and the wiring density of the surface layer can be increased.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1〜図3は本
発明の実施の形態1を示し、図1はその平面図、図2は
図1のA−A線断面図、図3はフリップチップ実装状態
の断面図である。1 to 3 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view thereof, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3 is a cross-sectional view of the flip chip mounted state.
【0022】図1及び図2に示すように、フリップチッ
プ実装用配線基板は、基板1の表面に形成された配線
2、ランド3及びダミーランド4と、基板1の内部に設
けられた内層補強パターン5とを備えている。As shown in FIGS. 1 and 2, the wiring board for flip-chip mounting includes a wiring 2, a land 3 and a dummy land 4 formed on the surface of a substrate 1, and an inner layer reinforcement provided inside the substrate 1. Pattern 5.
【0023】基板1はポリイミド樹脂、ガラスエポキシ
樹脂等の樹脂を主成分として成形されている。配線2は
CuやAl、その他の導電性金属によって形成されてい
る。ランド3は配線2に接続されており、基板1の表面
をエッチングすることにより、基板表面から露出してい
る。このランド3は半導体チップの実装部位の周囲に配
置されており、図3に示すように、半導体チップ7のバ
ンプ8が接続される。The substrate 1 is formed mainly of a resin such as a polyimide resin or a glass epoxy resin. The wiring 2 is formed of Cu, Al, or another conductive metal. The land 3 is connected to the wiring 2 and is exposed from the substrate surface by etching the surface of the substrate 1. The lands 3 are arranged around the mounting portion of the semiconductor chip, and the bumps 8 of the semiconductor chip 7 are connected as shown in FIG.
【0024】ダミーランド4は配線2に接続されていな
いランドであり、ランド3と同材料によって形成されて
いる。このダミーランド4及びランド3は間隔6が均一
となるように形成されるものである。又、ダミーランド
4の頂部4a及びランド3の頂部3aには、表面処理が
施されている。この表面処理はダミーランド4及びラン
ド3が銅の場合、銅素地を防錆処理したり、銅素地にニ
ッケルメッキを行い、さらに金メッキを行ったり、銅素
地に半田メッキを行うことによりなされるものである。The dummy land 4 is a land not connected to the wiring 2 and is formed of the same material as the land 3. The dummy land 4 and the land 3 are formed so that the interval 6 is uniform. The top 4a of the dummy land 4 and the top 3a of the land 3 are subjected to a surface treatment. When the dummy lands 4 and lands 3 are made of copper, this surface treatment is performed by rust-proofing the copper base, performing nickel plating on the copper base, further performing gold plating, or performing solder plating on the copper base. It is.
【0025】内層補強パターン5は基板1の内部に設け
られている。又、内層補強パターン5はランド3及びダ
ミーランド4の形成領域をカバーする大きさの面積及び
形状に形成されており、これによりランド3は内層補強
パターン5の上部に位置する。この内層補強パターン5
の材質は配線2やランド3と同材料が使用されている。
なお、内層補強パターン5の厚さは、例えば18〜35
μmとなるように形成されるものである。The inner layer reinforcing pattern 5 is provided inside the substrate 1. Further, the inner layer reinforcing pattern 5 is formed in an area and a shape having a size that covers the formation area of the land 3 and the dummy land 4, whereby the land 3 is located above the inner layer reinforcing pattern 5. This inner layer reinforcement pattern 5
The same material as that of the wiring 2 and the land 3 is used.
The thickness of the inner layer reinforcing pattern 5 is, for example, 18 to 35.
It is formed to have a thickness of μm.
【0026】かかる内層補強パターン5の形成は、基板
1を下基板1a及び上基板1bの2層とすることにより
行うことができる。すなわち、下基板1aの上面に内層
補強パターン5を形成した後、下基板1aの上に上基板
1bをエポキシ系接着剤により貼り合わせることによ
り、基板1の内部に内層補強パターン5を形成するもの
である。The formation of the inner layer reinforcing pattern 5 can be performed by forming the substrate 1 into two layers, a lower substrate 1a and an upper substrate 1b. That is, after the inner layer reinforcing pattern 5 is formed on the upper surface of the lower substrate 1a, the upper substrate 1b is bonded on the lower substrate 1a with an epoxy-based adhesive to form the inner layer reinforcing pattern 5 inside the substrate 1. It is.
【0027】次に、この実施の形態のフリップチップ実
装配線基板への半導体チップの実装を図3により説明す
る。半導体チップ7のパッド(図示省略)にバンプ8を
形成し、この半導体チップ7をフェースダウンさせ、バ
ンプ8を対応しているランド3と接触させる。そして、
半導体チップ7の背面から25〜100gf/バンプの
圧力及び180〜250℃の熱を加えながら、バンプ8
とランド3とを電気的に接合すると同時に半導体チップ
7の周囲及び内部に供給した接着剤9によって半導体チ
ップ7と基板1を固定する。Next, the mounting of the semiconductor chip on the flip-chip mounting wiring board of this embodiment will be described with reference to FIG. A bump 8 is formed on a pad (not shown) of the semiconductor chip 7, the semiconductor chip 7 is face-down, and the bump 8 is brought into contact with the corresponding land 3. And
While applying a pressure of 25 to 100 gf / bump and a heat of 180 to 250 ° C. from the back of the semiconductor chip 7,
At the same time, the semiconductor chip 7 and the substrate 1 are fixed by the adhesive 9 supplied around and inside the semiconductor chip 7.
【0028】なお、上述した加熱は半導体チップ7側か
らだけで行っても良く、半導体チップ7及び基板1の両
側から行っても良い。また、基板1側から加熱する場合
は基板1の変形を防止するため、120℃以下で行うこ
とが好ましい。The above-mentioned heating may be performed only from the semiconductor chip 7 side, or may be performed from both sides of the semiconductor chip 7 and the substrate 1. In addition, when heating from the substrate 1 side, it is preferable to perform heating at 120 ° C. or lower in order to prevent deformation of the substrate 1.
【0029】以上の加圧及び加熱において、基板1はポ
リイミド樹脂又はガラス転移温度が120〜150℃の
ガラスエポキシ樹脂によって成形されているため、上述
した加熱温度では非常に軟らかくなり、その状態で加圧
するとランド3の底部が基板1内に埋没する。しかしな
がら、この実施の形態では、内層補強パターン5が全て
のランド3直下に設けてあるため、埋没量はごく僅か
で、しかもバラツキのない埋没量となる。このため、半
導体チップ7エッジと配線2とが接触することがなく、
接触によるショートを発生することがなくなる。In the above-mentioned pressurization and heating, since the substrate 1 is formed of a polyimide resin or a glass epoxy resin having a glass transition temperature of 120 to 150 ° C., it becomes very soft at the above-mentioned heating temperature, and is heated in that state. When pressed, the bottom of the land 3 is buried in the substrate 1. However, in this embodiment, since the inner layer reinforcing pattern 5 is provided immediately below all the lands 3, the amount of burial is very small and the amount of burial is uniform. Therefore, the edge of the semiconductor chip 7 and the wiring 2 do not come into contact with each other,
No short circuit due to contact occurs.
【0030】また、図1に示すように、ダミーランド4
がランドの間隔6を均一にするように配置されているた
め、基板1の表面上の各ランド間の収縮のバラツキがな
くなり、埋没量のバラツキがさらに発生しにくくするこ
とができる。さらに、構造的にもシンプルであり、簡単
に製造することができるため、製造コストを安価とする
ことができる。Further, as shown in FIG.
Are arranged so as to make the land spacing 6 uniform, so that there is no variation in shrinkage between the lands on the surface of the substrate 1, and it is possible to further reduce the variation in the burial amount. Furthermore, since it is structurally simple and can be manufactured easily, the manufacturing cost can be reduced.
【0031】(実施の形態2)図4は本発明の実施の形
態2のフリップチップ実装用配線基板の平面図、図5は
図4のB−B線断面図、図6は図5のC−C線断面図で
ある。(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 5 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 4, and FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along line C of FIG.
【0032】この実施の形態では、ダミーランド4Aが
表層配線10の一部を用いて設けられている。また、図
5及び図6に示す通り、内層補強パターン5Aが内層配
線12の一部を用いて設けられている。この内層補強パ
ターン5Aは下基板1aの上面に対して内層配線12を
形成すると同時に形成されるものである。In this embodiment, the dummy land 4A is provided using a part of the surface wiring 10. As shown in FIGS. 5 and 6, the inner layer reinforcing pattern 5A is provided using a part of the inner layer wiring 12. The inner layer reinforcing pattern 5A is formed simultaneously with the formation of the inner layer wiring 12 on the upper surface of the lower substrate 1a.
【0033】又、表層配線10及び内層配線12は、ビ
アホール11により接続されている。ビアホール11は
半導体チップ7(図示省略)の下で表層から内層へ貫通
する配線であり、その一部がダミーランド4A及び内層
補強パターン5Aとなっている。The surface wiring 10 and the inner wiring 12 are connected by a via hole 11. The via hole 11 is a wiring penetrating from the surface layer to the inner layer below the semiconductor chip 7 (not shown), and a part thereof is a dummy land 4A and an inner layer reinforcing pattern 5A.
【0034】この実施の形態において、ダミーランド4
Aは表層配線10の一部を用い、しかも表層配線10の
幅よりも大きな幅となっている。一方、内層補強パター
ン5Aは基板1の表面のランド3及びダミーランド4A
の直下に設けられる。この内層補強パターン5は内層配
線12の幅よりも大きな幅を有し、しかもランド3及び
ダミーランド4Aと同等か、幾分大きな幅に形成されて
いる。In this embodiment, the dummy land 4
A uses a part of the surface wiring 10 and has a width larger than the width of the surface wiring 10. On the other hand, the inner layer reinforcing pattern 5A is composed of the land 3 and the dummy land
Is provided immediately below. The inner layer reinforcing pattern 5 has a width larger than the width of the inner layer wiring 12, and is formed to have a width equal to or somewhat larger than the lands 3 and the dummy lands 4A.
【0035】このような実施の形態では、表層配線10
の一部を用いてダミーランド4Aを形成すると共に、内
層配線12の一部を用いて内層補強パターン5Aを形成
してているため、ランド3形成領域の内側及びその直下
を配線領域として使用することができる。このため、基
板1への配線密度を増大させることができる。In such an embodiment, the surface wiring 10
Is used to form the dummy land 4A and a part of the inner layer wiring 12 is used to form the inner layer reinforcing pattern 5A. Therefore, the inside of the land 3 formation region and immediately below it are used as the wiring region. be able to. For this reason, the wiring density to the substrate 1 can be increased.
【0036】(実施の形態3)図7は本発明の実施の形
態3のフリップチップ実装用配線基盤の平面図、図8は
図7のD−D線断面図、図9はフリップチップ実装状態
を拡大した断面図である。(Embodiment 3) FIG. 7 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to Embodiment 3 of the present invention, FIG. 8 is a sectional view taken along line DD of FIG. 7, and FIG. It is sectional drawing which expanded.
【0037】この実施の形態においても、内層補強パタ
ーン5が基板1内に設けられている。この内層補強パタ
ーン5は実施の形態1と同様に、ランド3及びダミーラ
ンド4の直下に位置すると共に、ランド3及びダミーラ
ンド4の形成領域よりも大きな面積及び形状となるよう
に形成されている。Also in this embodiment, the inner layer reinforcing pattern 5 is provided in the substrate 1. Similar to the first embodiment, the inner layer reinforcing pattern 5 is located immediately below the lands 3 and the dummy lands 4 and is formed so as to have an area and a shape larger than the area where the lands 3 and the dummy lands 4 are formed. .
【0038】内層補強パターン5に加えて、この実施の
形態では、基板1上に絶縁層13が設けられている。絶
縁層13はランド3及びダミーランド4の形成領域の内
側に位置するように設けられており、その厚さが半導体
チップ7のバンプ8の厚さとランド3の厚さとの和より
も小さくなるように設定されている。この絶縁層13は
ポリイミド樹脂やレジストなどを基板1上に印刷した
り、ポリイミド樹脂やレジストからなるフィルムを接着
することにより設けられる。In this embodiment, an insulating layer 13 is provided on the substrate 1 in addition to the inner layer reinforcing pattern 5. The insulating layer 13 is provided so as to be located inside the regions where the lands 3 and the dummy lands 4 are formed, and the thickness thereof is smaller than the sum of the thickness of the bumps 8 of the semiconductor chip 7 and the thickness of the lands 3. Is set to The insulating layer 13 is provided by printing a polyimide resin or a resist on the substrate 1 or bonding a film made of a polyimide resin or a resist.
【0039】この実施の形態では、図9に示すように、
半導体チップ7のパッド上にバンプ8を形成し、半導体
チップ7をフェースダウンさせてバンプ8をランド3に
合わせる。そして、半導体チップ7の背面から25〜1
00gf/バンプの圧力と180〜250℃の熱を加え
ながら接着剤9で半導体チップ7を基板1に固定するこ
とによって半導体チップ7を実装する。In this embodiment, as shown in FIG.
The bumps 8 are formed on the pads of the semiconductor chip 7, the semiconductor chip 7 is face-down, and the bumps 8 are aligned with the lands 3. Then, from 25 to 1 from the back of the semiconductor chip 7
The semiconductor chip 7 is mounted by fixing the semiconductor chip 7 to the substrate 1 with the adhesive 9 while applying a pressure of 00 gf / bump and heat of 180 to 250 ° C.
【0040】この実施の形態においても、加圧及び加熱
時にランド3の底部が基板1に埋没するが、一定量埋設
すると、半導体チップ7と絶縁層13が接触して絶縁層
13が抵抗となるため、それ以上、埋没することがなく
なる。このため、半導体チップ7の回路と基板1との接
触を防ぐことができる。又、この実施の形態では、絶縁
層13の厚みを変えることにより、ランド3の埋没量を
制御できるという効果がある。Also in this embodiment, the bottom of the land 3 is buried in the substrate 1 during pressurization and heating. However, if a certain amount is buried, the semiconductor chip 7 and the insulating layer 13 come into contact, and the insulating layer 13 becomes a resistor. Therefore, it will not be buried any more. Therefore, contact between the circuit of the semiconductor chip 7 and the substrate 1 can be prevented. Further, in this embodiment, there is an effect that the buried amount of the land 3 can be controlled by changing the thickness of the insulating layer 13.
【0041】(実施の形態4)図10は本発明の実施の
形態4のフリップチップ実装用配線基板の平面図、図1
1は図10のG−G線断面図、図12はフリップチップ
実装状態を拡大した図11のF−F線における断面図で
ある。(Embodiment 4) FIG. 10 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to Embodiment 4 of the present invention.
1 is a cross-sectional view taken along the line GG of FIG. 10, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line FF of FIG.
【0042】この実施の形態においても、内層補強パタ
ーン5が基板1内に設けられている。この内層補強パタ
ーン5は実施の形態1と同様に、ランド3及びダミーラ
ンド4の直下に位置すると共に、ランド3及びダミーラ
ンド4の形成領域よりも大きな面積及び形状となるよう
に形成されている。Also in this embodiment, the inner layer reinforcing pattern 5 is provided in the substrate 1. Similar to the first embodiment, the inner layer reinforcing pattern 5 is located immediately below the lands 3 and the dummy lands 4 and is formed so as to have an area and a shape larger than the area where the lands 3 and the dummy lands 4 are formed. .
【0043】内層補強パターン5に加えて、この実施の
形態では、表層補強パターン14が設けられている。表
層補強パターン14はランド3及びダミーランド4の形
成領域を囲むように設けられている。又、表層補強パタ
ーン14は基板1の表面と、接着剤9の塗布領域との境
界部分に位置するように設けられている。この表層補強
パターン14は基板1上のダミーランド4と接続される
と共に、ダミーランド4と同じ材質によって形成されて
いる。かかる表層補強パターン14は幅1〜2mm程度
であり、図10に示すように接着境界部分の大部分を占
めるように配置されている。In this embodiment, in addition to the inner layer reinforcing pattern 5, a surface layer reinforcing pattern 14 is provided. The surface layer reinforcing pattern 14 is provided so as to surround the formation regions of the lands 3 and the dummy lands 4. The surface layer reinforcing pattern 14 is provided so as to be located at the boundary between the surface of the substrate 1 and the area where the adhesive 9 is applied. The surface reinforcement pattern 14 is connected to the dummy land 4 on the substrate 1 and is formed of the same material as the dummy land 4. Such a surface layer reinforcing pattern 14 has a width of about 1 to 2 mm and is arranged so as to occupy most of the bonding boundary portion as shown in FIG.
【0044】この実施の形態では、図12に示すよう
に、半導体チップ7のパッド上にバンプ8を形成し、半
導体チップ7をフェースダウンさせてバンプ8をランド
3に合わせる。そして、半導体チップ7の背面から25
〜100gf/バンプの圧力と180〜250℃の熱を
加えながら接着剤9で半導体チップ7を基板1に固定す
ることによって半導体チップ7を実装する。In this embodiment, as shown in FIG. 12, a bump 8 is formed on a pad of a semiconductor chip 7, and the semiconductor chip 7 is face-down so that the bump 8 is aligned with the land 3. Then, 25 from the back of the semiconductor chip 7
The semiconductor chip 7 is mounted by fixing the semiconductor chip 7 to the substrate 1 with the adhesive 9 while applying a pressure of 100100 gf / bump and heat of 180 to 250 ° C.
【0045】このような実装によって、接着剤9と基板
表面との境界の大部分では、表層補強パターン14と接
着剤9が接触している。この表層補強パターン14によ
って接着剤界面付近の機械的強度が向上する。このた
め、外部からの機械的ストレスに対する耐久性が向上
し、基板1の材質が軟らかいポリイミド樹脂からなるフ
レキシブル基板に対して有効となる。Due to such mounting, the surface layer reinforcing pattern 14 and the adhesive 9 are in contact with most of the boundary between the adhesive 9 and the substrate surface. This surface reinforcement pattern 14 improves the mechanical strength near the adhesive interface. For this reason, the durability against mechanical stress from the outside is improved, which is effective for a flexible substrate made of a polyimide resin having a soft material.
【0046】以上の説明から、本発明は以下の発明を包
含するものである。From the above description, the present invention includes the following inventions.
【0047】(1) パッド上にバンプを形成した半導
体チップをフェースダウンでフリップチップ実装用配線
基板に実装したフリップチップ実装構造において、前記
フリップチップ実装用配線基板の内部であって、且つ、
前記バンプと電気的に接続されるフリップチップ実装用
配線基板表面のランドの直下部分に内層補強パターンが
設けられていることを特徴とするフリップチップ実装構
造。(1) In a flip-chip mounting structure in which a semiconductor chip having bumps formed on pads is mounted face-down on a flip-chip mounting wiring board, the flip-chip mounting structure is provided inside the flip-chip mounting wiring board;
A flip-chip mounting structure, wherein an inner layer reinforcing pattern is provided immediately below a land on the surface of the flip-chip mounting wiring board electrically connected to the bump.
【0048】この発明では、内層補強パターンがランド
の埋没を規制するため、半導体チップとフリップチップ
実装用配線基板とがショートすることがなくなる。In the present invention, since the inner layer reinforcing pattern regulates the burial of the land, there is no short circuit between the semiconductor chip and the flip-chip mounting wiring board.
【0049】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、ランド直下部分に設けた内層補強パターンがラ
ンドを下側から支持して、ランドの埋没量を規制するた
め、ランドの埋没量が少なくなり、配線と半導体チップ
間のショートが発生することなく、フリップチップ実装
を良好に行うことができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the inner layer reinforcing pattern provided immediately below the land supports the land from below and regulates the burial amount of the land. The amount of burial is reduced, and short-circuiting between the wiring and the semiconductor chip does not occur.
【0050】請求項2の発明によれば、内層補強パター
ンを配線の一部を用いるため、配線基板の内層の配線密
度を増大させることができる。According to the second aspect of the present invention, since a part of the wiring is used as the inner layer reinforcing pattern, the wiring density of the inner layer of the wiring board can be increased.
【0051】請求項3の発明によれば、ランド間隔が均
一になるようにダミーランドを設けるため、各ランド間
の埋没量のバラツキが少なくなり、配線と半導体チップ
間のショートの発生を確実に防止することができる。According to the third aspect of the present invention, since the dummy lands are provided so that the land intervals are uniform, the variation in the burial amount between the lands is reduced, and the occurrence of a short circuit between the wiring and the semiconductor chip is ensured. Can be prevented.
【0052】請求項4の発明によれば、絶縁層が半導体
チップ内の回路と配線との接触を防ぐと共に、絶縁層の
厚みを変えることによりランドの埋没量を簡単に制御す
ることができる。According to the fourth aspect of the present invention, the insulating layer prevents contact between the circuit in the semiconductor chip and the wiring, and the buried amount of the land can be easily controlled by changing the thickness of the insulating layer.
【0053】請求項5の発明によれば、表層補強パター
ンによってフリップチップ実装部位の機械的強度を増大
させることができる。According to the fifth aspect of the present invention, the mechanical strength of the flip chip mounting portion can be increased by the surface layer reinforcing pattern.
【0054】請求項6の発明によれば、ダミーランドを
配線の一部を用いて設けているため、表層のランド内側
部分にも配線することができ、表層の配線密度を増大さ
せることができる。According to the sixth aspect of the present invention, since the dummy land is provided by using a part of the wiring, the wiring can be formed also on the land inside the surface layer, and the wiring density of the surface layer can be increased. .
【図1】実施の形態1のフリップチップ実装用配線基板
の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to a first embodiment;
【図2】図1のA−A線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】実施の形態1におけるフリップチップ実装状態
の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the flip-chip mounted state according to the first embodiment.
【図4】実施の形態2のフリップチップ実装用配線基板
の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to a second embodiment;
【図5】図4のB−B線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4;
【図6】図5のC−C線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line CC of FIG. 5;
【図7】実施の形態3のフリップチップ実装用配線基板
の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to a third embodiment;
【図8】図7のD−D線断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along line DD of FIG. 7;
【図9】実施の形態3におけるフリップチップ実装状態
の拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the flip-chip mounted state according to the third embodiment.
【図10】実施の形態4のフリップチップ実装用配線基
板の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a flip-chip mounting wiring board according to a fourth embodiment;
【図11】図10のG−G線断面図である。11 is a sectional view taken along line GG of FIG.
【図12】実施の形態4におけるフリップチップ実装状
態を図10F−F線に沿って示す拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a flip-chip mounting state according to a fourth embodiment along the line 10F-F.
【図13】従来のフリップチップ実装用配線基板の平面
図である。FIG. 13 is a plan view of a conventional flip-chip mounting wiring board.
【図14】従来例のフリップチップ実装状態の拡大断面
図である。FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view showing a conventional flip-chip mounting state.
1 基板 2 配線 3 ランド 4 ダミーランド 5 5A 内層補強パターン 7 半導体チップ 8 バンプ 9 接着剤 10 表層配線 12 内層配線 13 絶縁層 14 表層補強パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Wiring 3 Land 4 Dummy land 5 5A Inner layer reinforcement pattern 7 Semiconductor chip 8 Bump 9 Adhesive 10 Surface layer wiring 12 Inner layer wiring 13 Insulation layer 14 Surface layer reinforcement pattern
Claims (6)
プがフェースダウンで実装されるフリップチップ実装用
配線基板において、 前記半導体チップに形成されたパッドが接続されるラン
ドと、このランド直下部分における内層部分に設けられ
た内層補強パターンとを備えていることを特徴とするフ
リップチップ実装用配線基板。1. A flip-chip mounting wiring board on which a semiconductor chip having bumps formed on pads is mounted face-down, wherein: a land to which a pad formed on the semiconductor chip is connected; and an inner layer immediately below the land. A flip-chip mounting wiring board, comprising: an inner layer reinforcing pattern provided on a portion thereof.
いて形成されていることを特徴とする請求項1記載のフ
リップチップ実装用配線基板。2. The flip-chip mounting wiring board according to claim 1, wherein the inner layer reinforcing pattern is formed using a part of a wiring.
ランド間隔を均一にするためのダミーランドが設けられ
ていることを特徴とする請求項1記載のフリップチップ
実装用配線基板。3. The flip-chip mounting wiring board according to claim 1, wherein a dummy land for making the land interval uniform is provided at a portion where the pad is not connected.
ンプの厚さとランドの厚さの和より小さい厚さの絶縁層
が設けられていることを特徴とする請求項1記載のフリ
ップチップ実装用配線基板。4. The flip chip mounting method according to claim 1, wherein an insulating layer having a thickness smaller than the sum of the thickness of the bump and the thickness of the land is provided immediately below the circuit surface of the semiconductor chip. Wiring board.
に接着されると共に、この接着剤と表面との境界部分に
表層補強パターンが設けられていることを特徴とする請
求項1記載のフリップチップ実装用配線基板。5. The flip chip mounting according to claim 1, wherein the semiconductor chip is bonded to the surface with an adhesive, and a surface layer reinforcing pattern is provided at a boundary between the adhesive and the surface. Wiring board.
形成されていることを特徴とする請求項3記載のフリッ
プチップ実装用配線基板。6. The flip-chip mounting wiring board according to claim 3, wherein the dummy land is formed using a part of a wiring.
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|---|---|---|---|
| JP10235978A JP2000068328A (en) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | Wiring board for flip chip mounting |
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| JP10235978A Withdrawn JP2000068328A (en) | 1998-08-21 | 1998-08-21 | Wiring board for flip chip mounting |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000068328A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326300A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor device |
| WO2008061554A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Electronic, in particular microelectronic, functional group and method for its production |
| JP2008288464A (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Semiconductor mounting substrate |
| WO2009116202A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | Mounted board, mounted board set, and panel unit |
| US7696613B2 (en) | 2005-09-07 | 2010-04-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayered wiring substrate including wiring layers and insulating layers and method of manufacturing the same |
| WO2017026321A1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, method for manufacturing component mounting substrate |
| WO2017038790A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | Resin substrate, component-mounting resin substrate, and method for manufacturing component-mounting resin substrate |
| WO2017082029A1 (en) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, and method for manufacturing component mounting substrate |
| JPWO2017065028A1 (en) * | 2015-10-15 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | Resin substrate, component mounting resin substrate, and method of manufacturing component mounting resin substrate |
| JP2018092998A (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | Circuit board and electronic apparatus |
| KR101908498B1 (en) * | 2011-11-09 | 2018-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Signal transfer film, method of manufacturing the same, and display device including the same |
| JP2019079990A (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Imaging element mounting board |
-
1998
- 1998-08-21 JP JP10235978A patent/JP2000068328A/en not_active Withdrawn
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001326300A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor device |
| US7696613B2 (en) | 2005-09-07 | 2010-04-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multilayered wiring substrate including wiring layers and insulating layers and method of manufacturing the same |
| WO2008061554A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Electronic, in particular microelectronic, functional group and method for its production |
| JP2008288464A (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Semiconductor mounting substrate |
| WO2009116202A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | シャープ株式会社 | Mounted board, mounted board set, and panel unit |
| US20110019125A1 (en) * | 2008-03-19 | 2011-01-27 | Hiroki Nakahama | Mounted board, mounted board set, and panel unit |
| CN101960587B (en) * | 2008-03-19 | 2012-10-03 | 夏普株式会社 | Mounting Bases, Mounting Base Assemblies, and Panel Units |
| KR101908498B1 (en) * | 2011-11-09 | 2018-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Signal transfer film, method of manufacturing the same, and display device including the same |
| JP6150030B1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-06-21 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, and method for manufacturing component mounting substrate |
| US9972567B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-05-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer substrate, component mounted board, and method for producing component mounted board |
| WO2017026321A1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, method for manufacturing component mounting substrate |
| JP2019091897A (en) * | 2015-09-01 | 2019-06-13 | 株式会社村田製作所 | Component mounting resin substrate |
| WO2017038790A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | Resin substrate, component-mounting resin substrate, and method for manufacturing component-mounting resin substrate |
| JPWO2017038790A1 (en) * | 2015-09-01 | 2018-03-01 | 株式会社村田製作所 | Resin substrate, component mounting resin substrate, component mounting resin substrate manufacturing method |
| US10741462B2 (en) * | 2015-09-01 | 2020-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resin substrate, component-mounting resin substrate, and method of manufacturing component-mounting resin substrate |
| JPWO2017065028A1 (en) * | 2015-10-15 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | Resin substrate, component mounting resin substrate, and method of manufacturing component mounting resin substrate |
| JP6197980B1 (en) * | 2015-11-10 | 2017-09-20 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, and method for manufacturing component mounting substrate |
| WO2017082029A1 (en) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate, component mounting substrate, and method for manufacturing component mounting substrate |
| US10103092B2 (en) | 2015-11-10 | 2018-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer substrate, component mounted board, and method for producing component mounted board |
| JP2018092998A (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社東芝 | Circuit board and electronic apparatus |
| JP2019079990A (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Imaging element mounting board |
| JP7173728B2 (en) | 2017-10-26 | 2022-11-16 | 日東電工株式会社 | Imaging device mounting board |
| US11647269B2 (en) | 2017-10-26 | 2023-05-09 | Nitto Denko Corporation | Imaging element-mounting board |
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