JP2000068068A - 有機ｅｌとその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌとその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低消費電力化を図ってより低い電圧での駆動
可能な有機ＥＬを提供する。 【解決手段】 ガラス基板２の上には、透明導電膜３に
よる所定パターン形状の陽極４が成膜される。陽極４の
上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが成膜され
る。このＣｕＰｃ有機膜５ａは、成膜後に電子受容性の
ガスであるＮＯ2の雰囲気に晒され、膜中にＮＯ2 を含
有している。これにより、ＣｕＰｃ有機膜５ａの導電率
が上昇し、ホール注入効率が安定して向上する。ＣｕＰ
ｃ有機膜５ａの上にはα−ＮＰＤ有機膜５ｂ、Ａｌｑ3
有機膜５ｃの順に成膜されて有機層５が形成され、Ａｌ
ｑ3 有機膜５ｃの上には陰極６が成膜される。ガラス基
板２の外周部分には、陽極４、有機層５及び陰極６を保
護するように容器部７が固着される。
可能な有機ＥＬを提供する。 【解決手段】 ガラス基板２の上には、透明導電膜３に
よる所定パターン形状の陽極４が成膜される。陽極４の
上には、ホール注入性のＣｕＰｃ有機膜５ａが成膜され
る。このＣｕＰｃ有機膜５ａは、成膜後に電子受容性の
ガスであるＮＯ2の雰囲気に晒され、膜中にＮＯ2 を含
有している。これにより、ＣｕＰｃ有機膜５ａの導電率
が上昇し、ホール注入効率が安定して向上する。ＣｕＰ
ｃ有機膜５ａの上にはα−ＮＰＤ有機膜５ｂ、Ａｌｑ3
有機膜５ｃの順に成膜されて有機層５が形成され、Ａｌ
ｑ3 有機膜５ｃの上には陰極６が成膜される。ガラス基
板２の外周部分には、陽極４、有機層５及び陰極６を保
護するように容器部７が固着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子とホールの注
入・再結合により発光する有機化合物材料のエレクトロ
ルミネッセンス（以下ＥＬという）を利用して、前記有
機ＥＬ化合物の薄膜から構成された有機ＥＬとその製造
方法に関する。
入・再結合により発光する有機化合物材料のエレクトロ
ルミネッセンス（以下ＥＬという）を利用して、前記有
機ＥＬ化合物の薄膜から構成された有機ＥＬとその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬは、蛍光性有機化合物を含む薄
膜を陰極と陽極との間に挟んだ積層構造を有し、前記薄
膜に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励
起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する
際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示を行う表示
素子である。
膜を陰極と陽極との間に挟んだ積層構造を有し、前記薄
膜に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励
起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する
際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示を行う表示
素子である。
【０００３】図５（ａ）〜（ｇ）はこの種の従来の有機
ＥＬの構成及び製造工程を示す側断面図である。
ＥＬの構成及び製造工程を示す側断面図である。
【０００４】この有機ＥＬ１１は、図５（ａ）に示す絶
縁性及び透明性を有するガラス基板１２の上にＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜１３が形成さ
れている。この透明導電膜１３はガラス基板１２上に成
膜され、図５（ｂ）に示すような所定パターン形状にパ
ターンニングされて陽極１４を形成している。
縁性及び透明性を有するガラス基板１２の上にＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜１３が形成さ
れている。この透明導電膜１３はガラス基板１２上に成
膜され、図５（ｂ）に示すような所定パターン形状にパ
ターンニングされて陽極１４を形成している。
【０００５】陽極１４の上には有機化合物材料の薄膜に
よる有機層１５が積層されている。有機層１５は、図５
（ｃ）に示す陽極１４の上に成膜されたホール注入層と
しての銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）有機膜１５ａと、
図５（ｄ）に示すＣｕＰｃ有機膜１５ａの上に成膜され
たホール輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ（Ｎ−（１
−naphtyl −Ｎ−phneyl）benzidine ）有機膜１５ｂ
と、図５（ｅ）に示すα−ＮＰＤ有機膜１５ｂの上に成
膜された発光層兼電子輸送層としてのトリス（８−キノ
リノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）有機膜１５ｃとの
３層構造で形成されている。
よる有機層１５が積層されている。有機層１５は、図５
（ｃ）に示す陽極１４の上に成膜されたホール注入層と
しての銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）有機膜１５ａと、
図５（ｄ）に示すＣｕＰｃ有機膜１５ａの上に成膜され
たホール輸送層としてのα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ（Ｎ−（１
−naphtyl −Ｎ−phneyl）benzidine ）有機膜１５ｂ
と、図５（ｅ）に示すα−ＮＰＤ有機膜１５ｂの上に成
膜された発光層兼電子輸送層としてのトリス（８−キノ
リノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）有機膜１５ｃとの
３層構造で形成されている。
【０００６】図５（ｆ）に示すように、有機層１５（Ａ
ｌｑ3 有機膜１５ｃ）の上には、例えばＡｌ−Ｌｉ等の
金属薄膜からなる陰極１６が形成されている。
ｌｑ3 有機膜１５ｃ）の上には、例えばＡｌ−Ｌｉ等の
金属薄膜からなる陰極１６が形成されている。
【０００７】図５（ｇ）に示すように、ガラス基板１２
の外周部分には、水分を極力取り除いた不活性ガス（例
えばドライ窒素）やドライエアによるドライ雰囲気にお
いて、封着部材としての容器部１７が接着剤により固着
されている。
の外周部分には、水分を極力取り除いた不活性ガス（例
えばドライ窒素）やドライエアによるドライ雰囲気にお
いて、封着部材としての容器部１７が接着剤により固着
されている。
【０００８】上記のように構成される有機ＥＬ１１で
は、陽極１４と陰極１６との間に電圧を印加して定電流
を流す。これにより、有機層１５に対し、陽極１４から
正孔が、陰極１６から電子がそれぞれ注入される。そし
て、注入された電子と正孔が再結合して励起子を生成
し、この励起子が失活する際の光の放出により所望の表
示がなされる。その際の発光は、透明導電膜１３による
陽極１４を介してガラス基板１２側から観測される。
は、陽極１４と陰極１６との間に電圧を印加して定電流
を流す。これにより、有機層１５に対し、陽極１４から
正孔が、陰極１６から電子がそれぞれ注入される。そし
て、注入された電子と正孔が再結合して励起子を生成
し、この励起子が失活する際の光の放出により所望の表
示がなされる。その際の発光は、透明導電膜１３による
陽極１４を介してガラス基板１２側から観測される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に構成される有機ＥＬ１１では、有機層１５のホール注
入層としてＣｕＰｃ有機膜１５ａを有している。このＣ
ｕＰｃ有機膜１５ａは、図６及び図７に示すように、そ
の膜厚に応じて電圧−電流特性及び電圧−輝度特性が異
なる特性を有している。すなわち、一定電流又は一定輝
度で発光させる場合、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が薄くなる
に連れて駆動電圧を低くでき、逆にＣｕＰｃ有機膜が厚
くなるに連れて駆動電圧が高くなる特性を示している。
に構成される有機ＥＬ１１では、有機層１５のホール注
入層としてＣｕＰｃ有機膜１５ａを有している。このＣ
ｕＰｃ有機膜１５ａは、図６及び図７に示すように、そ
の膜厚に応じて電圧−電流特性及び電圧−輝度特性が異
なる特性を有している。すなわち、一定電流又は一定輝
度で発光させる場合、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が薄くなる
に連れて駆動電圧を低くでき、逆にＣｕＰｃ有機膜が厚
くなるに連れて駆動電圧が高くなる特性を示している。
【００１０】図６及び図７には、図５の有機ＥＬ１１の
構成を採用し、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの膜厚を２０ｎｍ
と６０ｎｍで成膜した場合のそれぞれの特性が示されて
いる。これらの図からも明らかなように、ＣｕＰｃ有機
膜１５ａの膜厚を２０ｎｍで成膜した場合の方が６０ｎ
ｍで成膜した場合よりも駆動電圧を低くできることが判
る。
構成を採用し、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの膜厚を２０ｎｍ
と６０ｎｍで成膜した場合のそれぞれの特性が示されて
いる。これらの図からも明らかなように、ＣｕＰｃ有機
膜１５ａの膜厚を２０ｎｍで成膜した場合の方が６０ｎ
ｍで成膜した場合よりも駆動電圧を低くできることが判
る。
【００１１】具体的に、電流で見た場合、１５ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流を流すには、図６に示すように、ＣｕＰｃ有
機膜１５ａの膜厚が２０ｎｍで５．８Ｖ程度の駆動電圧
を必要とするのに対し、６０ｎｍではより高い６．７Ｖ
程度の駆動電圧を必要とする。
ｍ2 の電流を流すには、図６に示すように、ＣｕＰｃ有
機膜１５ａの膜厚が２０ｎｍで５．８Ｖ程度の駆動電圧
を必要とするのに対し、６０ｎｍではより高い６．７Ｖ
程度の駆動電圧を必要とする。
【００１２】また、輝度で見た場合、４００ｃｄ／ｍ2
の輝度を得るには、図７に示すように、ＣｕＰｃ有機膜
１５ａの膜厚が２０ｎｍで５．８Ｖ程度の駆動電圧を必
要とするのに対し、６０ｎｍではより高い６．７Ｖ程度
の駆動電圧を必要とする。
の輝度を得るには、図７に示すように、ＣｕＰｃ有機膜
１５ａの膜厚が２０ｎｍで５．８Ｖ程度の駆動電圧を必
要とするのに対し、６０ｎｍではより高い６．７Ｖ程度
の駆動電圧を必要とする。
【００１３】したがって、図５の構成による有機ＥＬ１
１でより高輝度を得るためには、駆動電圧を高くしなけ
ればならず、より多くの電力を消費するという問題があ
った。
１でより高輝度を得るためには、駆動電圧を高くしなけ
ればならず、より多くの電力を消費するという問題があ
った。
【００１４】また、図５の構成による有機ＥＬ１１で
は、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの下地になる透明導電膜１３
（陽極１４）の表面が突起を含む数十ｎｍの凹凸面とな
っている。そして、この凹凸面を有する透明導電膜１３
の上に有機層１５、陰極１６をなす金属薄膜を順に積層
して成膜すると、透明導電膜１３のスパイク状の突起物
により陽極１４と陰極１６との間が電気的にショートし
て絶縁不良を招くおそれがあった。
は、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの下地になる透明導電膜１３
（陽極１４）の表面が突起を含む数十ｎｍの凹凸面とな
っている。そして、この凹凸面を有する透明導電膜１３
の上に有機層１５、陰極１６をなす金属薄膜を順に積層
して成膜すると、透明導電膜１３のスパイク状の突起物
により陽極１４と陰極１６との間が電気的にショートし
て絶縁不良を招くおそれがあった。
【００１５】上記問題を解消するため、有機層１５を厚
く成膜して平滑化を図ることも考えられるが、特に透明
導電膜１３の上に成膜されるＣｕＰｃ有機膜１５ａを厚
くすると、上述した図６及び図７の特性が高電圧側にシ
フトする。その結果、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの膜厚を厚
くする前のものとと同一輝度で発光させるためには、よ
り高い駆動電圧を必要とし、電力の消費量が増すという
問題を招く。
く成膜して平滑化を図ることも考えられるが、特に透明
導電膜１３の上に成膜されるＣｕＰｃ有機膜１５ａを厚
くすると、上述した図６及び図７の特性が高電圧側にシ
フトする。その結果、ＣｕＰｃ有機膜１５ａの膜厚を厚
くする前のものとと同一輝度で発光させるためには、よ
り高い駆動電圧を必要とし、電力の消費量が増すという
問題を招く。
【００１６】ところで、有機層の一部を構成するＣｕＰ
ｃ膜はｐ形伝導を示すが、このＣｕＰｃ膜に例えばＮＯ
2 等の電子受容性（酸化性）の強いガスが吸着すると、
ガス分子がＣｕＰｃ膜の環状原子団のπ電子を受け取
り、膜中に正孔を発生させて膜の導電率が上昇する性質
を有していることが知られている。
ｃ膜はｐ形伝導を示すが、このＣｕＰｃ膜に例えばＮＯ
2 等の電子受容性（酸化性）の強いガスが吸着すると、
ガス分子がＣｕＰｃ膜の環状原子団のπ電子を受け取
り、膜中に正孔を発生させて膜の導電率が上昇する性質
を有していることが知られている。
【００１７】そこで、本発明は、上述したＣｕＰｃ膜の
性質を利用し、低消費電力化を図ってより低い電圧での
駆動可能な有機ＥＬとその製造方法を提供することを目
的としている。
性質を利用し、低消費電力化を図ってより低い電圧での
駆動可能な有機ＥＬとその製造方法を提供することを目
的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも一方の電極が透明導
電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕＰｃ有機
膜を含む有機層が積層された有機ＥＬにおいて、前記Ｃ
ｕＰｃ有機膜が電子受容性のガスを含有したことを特徴
とする。
め、請求項１の発明は、少なくとも一方の電極が透明導
電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕＰｃ有機
膜を含む有機層が積層された有機ＥＬにおいて、前記Ｃ
ｕＰｃ有機膜が電子受容性のガスを含有したことを特徴
とする。
【００１９】請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬに
おいて、前記電子受容性のガスがＮＯ2 からなることを
特徴とする。
おいて、前記電子受容性のガスがＮＯ2 からなることを
特徴とする。
【００２０】請求項３の発明は、請求項１の有機ＥＬに
おいて、前記ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が１ｎｍ〜２００ｎ
ｍであることを特徴とする。
おいて、前記ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が１ｎｍ〜２００ｎ
ｍであることを特徴とする。
【００２１】請求項４の発明は、少なくとも一方の電極
が透明導電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕ
Ｐｃ有機膜を含む有機層が積層された有機ＥＬの製造方
法において、前記ＣｕＰｃ有機膜が成膜された後に、該
ＣｕＰｃ有機膜の表面を電子受容性のガスでリンス処理
する工程を含むことを特徴とする。
が透明導電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕ
Ｐｃ有機膜を含む有機層が積層された有機ＥＬの製造方
法において、前記ＣｕＰｃ有機膜が成膜された後に、該
ＣｕＰｃ有機膜の表面を電子受容性のガスでリンス処理
する工程を含むことを特徴とする。
【００２２】請求項５の発明は、少なくとも一方の電極
が透明導電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕ
Ｐｃ有機膜を含む有機層が積層された有機ＥＬの製造方
法において、前記ＣｕＰｃ有機膜を複数の層に分けて成
膜する工程と、前記ＣｕＰｃ有機膜の各層を成膜する毎
に電子受容性のガスで表面をリンス処理する工程とを含
むことを特徴とする。
が透明導電膜でなる一対の電極間にホール注入性のＣｕ
Ｐｃ有機膜を含む有機層が積層された有機ＥＬの製造方
法において、前記ＣｕＰｃ有機膜を複数の層に分けて成
膜する工程と、前記ＣｕＰｃ有機膜の各層を成膜する毎
に電子受容性のガスで表面をリンス処理する工程とを含
むことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明による有機ＥＬの第
１実施の形態を示す部分拡大側断面図、図２は図１の有
機ＥＬの製造工程を示す側断面図である。
１実施の形態を示す部分拡大側断面図、図２は図１の有
機ＥＬの製造工程を示す側断面図である。
【００２４】図１に示すように、第１実施の形態による
有機ＥＬ１Ａ（１）は、絶縁性及び透明性を有する矩形
状のガラス基板２を基部としている。ガラス基板２の上
には、ＩＴＯ等の透明導電膜３が成膜されている。透明
導電膜３は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition ）法により１００ｎｍ前
後の膜厚で成膜される。透明導電膜３は、更にフォトレ
ジストパターンによるエッチングで所定パターン形状に
パターンニングされ、陽極４を形成している。陽極４の
一部は、ガラス基板２の端部まで引き出されて不図示の
駆動回路（ドライバＩＣ）に接続される。
有機ＥＬ１Ａ（１）は、絶縁性及び透明性を有する矩形
状のガラス基板２を基部としている。ガラス基板２の上
には、ＩＴＯ等の透明導電膜３が成膜されている。透明
導電膜３は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition ）法により１００ｎｍ前
後の膜厚で成膜される。透明導電膜３は、更にフォトレ
ジストパターンによるエッチングで所定パターン形状に
パターンニングされ、陽極４を形成している。陽極４の
一部は、ガラス基板２の端部まで引き出されて不図示の
駆動回路（ドライバＩＣ）に接続される。
【００２５】陽極４の上には、有機化合物材料の薄膜に
よる発光層を含む有機層５が積層されている。有機層５
は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法によ
り成膜される。
よる発光層を含む有機層５が積層されている。有機層５
は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法によ
り成膜される。
【００２６】図１における有機層５は、陽極４の上に数
ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば１ｎｍ〜２００ｎｍ、好ま
しくは６０ｎｍ〜１００ｎｍ）の膜厚で成膜されたホー
ル注入性有機膜としてのＣｕＰｃ有機膜５ａと、ＣｕＰ
ｃ有機膜５ａの上に数１０ｎｍの膜厚で成膜されたホー
ル輸送性有機膜としてのα−ＮＰＤ有機膜５ｂと、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上に数１０ｎｍの膜厚で成膜された
発光層兼電子輸送性有機膜としてのＡｌｑ3 有機膜５ｃ
との３層構造で形成されている。
ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば１ｎｍ〜２００ｎｍ、好ま
しくは６０ｎｍ〜１００ｎｍ）の膜厚で成膜されたホー
ル注入性有機膜としてのＣｕＰｃ有機膜５ａと、ＣｕＰ
ｃ有機膜５ａの上に数１０ｎｍの膜厚で成膜されたホー
ル輸送性有機膜としてのα−ＮＰＤ有機膜５ｂと、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上に数１０ｎｍの膜厚で成膜された
発光層兼電子輸送性有機膜としてのＡｌｑ3 有機膜５ｃ
との３層構造で形成されている。
【００２７】有機層５の上には、金属薄膜による陰極６
が形成されている。陰極６は、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｉｎ等の仕事関数の小さい金属材料単体やＡ
ｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ａｇ等の仕事関数の小さい合金からな
る。陰極６は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰ
ＶＤ法により例えば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ（好まし
くは５０ｎｍ〜２００ｎｍ）の膜厚で成膜される。陰極
６の一部は、ガラス基板２の端部まで引き出されて不図
示の駆動回路に接続される。
が形成されている。陰極６は、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｉｎ等の仕事関数の小さい金属材料単体やＡ
ｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ａｇ等の仕事関数の小さい合金からな
る。陰極６は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰ
ＶＤ法により例えば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ（好まし
くは５０ｎｍ〜２００ｎｍ）の膜厚で成膜される。陰極
６の一部は、ガラス基板２の端部まで引き出されて不図
示の駆動回路に接続される。
【００２８】ガラス基板２の外周部分には、水分を極力
取り除いた不活性ガス（例えばドライ窒素）やドライエ
アによるドライ雰囲気において、封着部材としての蓋状
の容器部７が接着剤（例えば紫外線硬化接着剤）により
固着されている。これにより、両電極４，６及び有機層
５を保護するとともに、高精細な有機ＥＬデバイスを実
現している。
取り除いた不活性ガス（例えばドライ窒素）やドライエ
アによるドライ雰囲気において、封着部材としての蓋状
の容器部７が接着剤（例えば紫外線硬化接着剤）により
固着されている。これにより、両電極４，６及び有機層
５を保護するとともに、高精細な有機ＥＬデバイスを実
現している。
【００２９】上記のように構成される有機ＥＬ１Ａで
は、陽極４と陰極６との間に不図示の駆動回路から駆動
電圧を印加して定電流を流す。これにより、有機層５に
対し、陽極４から正孔が、陰極６から電子がそれぞれ注
入される。そして、注入された正孔と電子が有機層５で
再結合して励起子を生成し、この励起子が失活する際の
光の放出により所望の表示がなされる。その際の発光
は、透明導電膜による陽極４を介してガラス基板２の外
側から観測される。
は、陽極４と陰極６との間に不図示の駆動回路から駆動
電圧を印加して定電流を流す。これにより、有機層５に
対し、陽極４から正孔が、陰極６から電子がそれぞれ注
入される。そして、注入された正孔と電子が有機層５で
再結合して励起子を生成し、この励起子が失活する際の
光の放出により所望の表示がなされる。その際の発光
は、透明導電膜による陽極４を介してガラス基板２の外
側から観測される。
【００３０】次に、上記構成による有機ＥＬ１Ａの製造
方法を図２に基づいて説明する。まず、内部圧力が１０
-5Ｐａ以下に設定された不図示のチャンバー内にガラス
基板２をセットし、ガラス基板２の表面に透明導電膜３
を１５０ｎｍ程度の膜厚で成膜する（図２（ａ））。続
いて、透明導電膜３にフォトレジストパターンによるエ
ッチングを施して所定パターン形状の陽極４を形成する
（図２（ｂ））。この透明導電膜３は通常のスパッタ法
で成膜できるが、スパッタ法による成膜では透明導電膜
３がポリ化して結晶粒界に起因したフレーク状の凹凸が
表面に形成されてしまうので、非結晶質で成膜されるの
が好ましい。例えば、ＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導
電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式
会社製）の非晶質透明導電膜で透明導電膜３を成膜すれ
ば、緻密で表面平滑性に優れた膜を形成することができ
る。
方法を図２に基づいて説明する。まず、内部圧力が１０
-5Ｐａ以下に設定された不図示のチャンバー内にガラス
基板２をセットし、ガラス基板２の表面に透明導電膜３
を１５０ｎｍ程度の膜厚で成膜する（図２（ａ））。続
いて、透明導電膜３にフォトレジストパターンによるエ
ッチングを施して所定パターン形状の陽極４を形成する
（図２（ｂ））。この透明導電膜３は通常のスパッタ法
で成膜できるが、スパッタ法による成膜では透明導電膜
３がポリ化して結晶粒界に起因したフレーク状の凹凸が
表面に形成されてしまうので、非結晶質で成膜されるの
が好ましい。例えば、ＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導
電材料Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式
会社製）の非晶質透明導電膜で透明導電膜３を成膜すれ
ば、緻密で表面平滑性に優れた膜を形成することができ
る。
【００３１】なお、非晶質による透明導電膜（ＩＤＩＸ
Ｏによる透明導電膜等）３の成膜時に、所望のパターン
ニングをするためにマスク蒸着をしてもよい。また、場
合によっては、透明導電膜３の成膜後に、通常のフォト
リソグラフィ法を用いて透明導電膜３をパターン加工し
てもよい。
Ｏによる透明導電膜等）３の成膜時に、所望のパターン
ニングをするためにマスク蒸着をしてもよい。また、場
合によっては、透明導電膜３の成膜後に、通常のフォト
リソグラフィ法を用いて透明導電膜３をパターン加工し
てもよい。
【００３２】透明導電膜３による陽極４が形成された
後、陽極４の上にＣｕＰｃ有機膜５ａを数ｎｍ〜数１０
０ｎｍ（例えば１ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは６０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ）の膜厚で成膜する（図２（ｃ））。例
えば２０ｎｍ以上の膜厚のＣｕＰｃ有機膜５ａを成膜す
る場合には、分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法に
より、１回当たり２０ｎｍの膜厚で複数回に分けて成膜
される。
後、陽極４の上にＣｕＰｃ有機膜５ａを数ｎｍ〜数１０
０ｎｍ（例えば１ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは６０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ）の膜厚で成膜する（図２（ｃ））。例
えば２０ｎｍ以上の膜厚のＣｕＰｃ有機膜５ａを成膜す
る場合には、分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法に
より、１回当たり２０ｎｍの膜厚で複数回に分けて成膜
される。
【００３３】所望の膜厚によるＣｕＰｃ有機膜５ａが成
膜されると、ＣｕＰｃ有機膜５ａの第１ガスリンス処理
として、ガラス基板２がセットされたチャンバー内にＮ
2 ガスを導入してエージングする（図２（ｄ））。具体
的に、この第１ガスリンス処理では、Ｎ2 ガスを例えば
１００ｍｌ／ｍｎの流量でチャンバー内圧力が１０〜１
００Ｐａになるまで導入し、５分間放置する。この第１
ガスリンス処理で電子受容性の強いＮＯ2 ガスを導入し
ないのは、いきなりＮＯ2 ガスをチャンバー内に導入す
ると、チャンバー内の残留ガスと反応して爆発等を起こ
おそれがあるためである。
膜されると、ＣｕＰｃ有機膜５ａの第１ガスリンス処理
として、ガラス基板２がセットされたチャンバー内にＮ
2 ガスを導入してエージングする（図２（ｄ））。具体
的に、この第１ガスリンス処理では、Ｎ2 ガスを例えば
１００ｍｌ／ｍｎの流量でチャンバー内圧力が１０〜１
００Ｐａになるまで導入し、５分間放置する。この第１
ガスリンス処理で電子受容性の強いＮＯ2 ガスを導入し
ないのは、いきなりＮＯ2 ガスをチャンバー内に導入す
ると、チャンバー内の残留ガスと反応して爆発等を起こ
おそれがあるためである。
【００３４】上記第１ガスリンス処理に引き続いて、Ｃ
ｕＰｃ膜５ａの第２ガスリンス処理として、チャンバー
内にＮＯ2 ガスを導入してＮ2 ガスをＮＯ2 ガスに置換
する（図２（ｅ））。具体的に、この第２ガスリンス処
理では、ＮＯ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎの流量で
チャンバー内圧力が１０〜１００Ｐａになるまで導入
し、１０分間放置する。これにより、チャンバー内のＮ
Ｏ2 ガスを成膜直後に大気に曝さない状態でＣｕＰｃ有
機膜５ａに接触させる。そして、ＣｕＰｃ有機膜５ａの
表面にＮＯ2 ガスを十分吸着させ、膜中にＮＯ2 ガスを
浸透させる。
ｕＰｃ膜５ａの第２ガスリンス処理として、チャンバー
内にＮＯ2 ガスを導入してＮ2 ガスをＮＯ2 ガスに置換
する（図２（ｅ））。具体的に、この第２ガスリンス処
理では、ＮＯ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎの流量で
チャンバー内圧力が１０〜１００Ｐａになるまで導入
し、１０分間放置する。これにより、チャンバー内のＮ
Ｏ2 ガスを成膜直後に大気に曝さない状態でＣｕＰｃ有
機膜５ａに接触させる。そして、ＣｕＰｃ有機膜５ａの
表面にＮＯ2 ガスを十分吸着させ、膜中にＮＯ2 ガスを
浸透させる。
【００３５】上記第２ガスリンス処理を終えると、再度
チャンバー内を真空排気し、チャンバー内圧力を１０-5
Ｐａ以下にした状態で、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上にα−
ＮＰＤ有機膜５ｂを分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶ
Ｄ法により成膜する（図２（ｆ））。続いて、α−ＮＰ
Ｄ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3 有機膜５ｃを成膜し（図２
（ｇ））、更にＡｌｑ3 有機膜５ｃの上に陰極６となる
金属薄膜（例えばＡｌ−Ｌｉ膜）をＰＶＤ法により成膜
する（図２（ｈ））。
チャンバー内を真空排気し、チャンバー内圧力を１０-5
Ｐａ以下にした状態で、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上にα−
ＮＰＤ有機膜５ｂを分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶ
Ｄ法により成膜する（図２（ｆ））。続いて、α−ＮＰ
Ｄ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3 有機膜５ｃを成膜し（図２
（ｇ））、更にＡｌｑ3 有機膜５ｃの上に陰極６となる
金属薄膜（例えばＡｌ−Ｌｉ膜）をＰＶＤ法により成膜
する（図２（ｈ））。
【００３６】その後、水分を極力取り除いた不活性ガス
（例えばドライ窒素）やドライエアによる雰囲気におい
て、ガラス基板２の外周部分に封着部材としての容器部
７を紫外線硬化接着剤により固着する（図２（ｉ））。
これにより、内部の陽極４、有機層５及び陰極６が保護
され、有機ＥＬ１Ａが完成する。
（例えばドライ窒素）やドライエアによる雰囲気におい
て、ガラス基板２の外周部分に封着部材としての容器部
７を紫外線硬化接着剤により固着する（図２（ｉ））。
これにより、内部の陽極４、有機層５及び陰極６が保護
され、有機ＥＬ１Ａが完成する。
【００３７】次に、図３は本発明による有機ＥＬの第２
実施の形態を示す図、図４は図３の有機ＥＬの製造工程
を示す図である。なお、第１実施の形態と同一の構成要
素には同一番号を付し、その説明を省略する。
実施の形態を示す図、図４は図３の有機ＥＬの製造工程
を示す図である。なお、第１実施の形態と同一の構成要
素には同一番号を付し、その説明を省略する。
【００３８】第２実施の形態の有機ＥＬ１Ｂは、陽極４
の上に成膜されるＣｕＰｃ有機膜５ａが分子線蒸着法、
抵抗加熱法等のＰＶＤ法により、複数層に分けて成膜さ
れ、各層が成膜される毎に各層の表面にＮＯ2 ガスを十
分吸着させる構成となっている。その他の構成について
は、第１実施の形態の有機ＥＬ１Ａと同一である。
の上に成膜されるＣｕＰｃ有機膜５ａが分子線蒸着法、
抵抗加熱法等のＰＶＤ法により、複数層に分けて成膜さ
れ、各層が成膜される毎に各層の表面にＮＯ2 ガスを十
分吸着させる構成となっている。その他の構成について
は、第１実施の形態の有機ＥＬ１Ａと同一である。
【００３９】上記有機ＥＬ１Ｂを製造するにあたって、
ＣｕＰｃ有機膜５ａの１層目を成膜するまでの工程は上
述した第１実施の形態の有機ＥＬ１Ａを製造する場合と
同一工程で行われる（図４（ａ）〜（ｃ））。
ＣｕＰｃ有機膜５ａの１層目を成膜するまでの工程は上
述した第１実施の形態の有機ＥＬ１Ａを製造する場合と
同一工程で行われる（図４（ａ）〜（ｃ））。
【００４０】陽極４の上にＣｕＰｃ有機膜５ａの１層目
が成膜されると、第１ガスリンス処理として、ガラス基
板２がセットされたチャンバー内にＮ2 ガスを導入して
エージングする（図４（ｄ））。具体的に、この第１ガ
スリンス処理では、Ｎ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎ
の流量でチャンバー内圧力が１０〜１００Ｐａになるま
で導入し、５分間放置する。
が成膜されると、第１ガスリンス処理として、ガラス基
板２がセットされたチャンバー内にＮ2 ガスを導入して
エージングする（図４（ｄ））。具体的に、この第１ガ
スリンス処理では、Ｎ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎ
の流量でチャンバー内圧力が１０〜１００Ｐａになるま
で導入し、５分間放置する。
【００４１】上記第１ガスリンス処理に引き続いて、第
２ガスリンス処理として、チャンバー内にＮＯ2 ガスを
導入してＮ2 ガスをＮＯ2 ガスに置換する（図４
（ｅ））。具体的に、この第２ガスリンス処理では、Ｎ
Ｏ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎの流量でチャンバー
内圧力が１０〜１００Ｐａになるまで導入し、１０分間
放置する。これにより、チャンバー内のＮＯ2 ガスを成
膜直後に大気に曝さない状態でＣｕＰｃ有機膜５ａの１
層目に接触させる。そして、ＣｕＰｃ有機膜５ａの表面
にＮＯ2 ガスを十分吸着させ、膜中にＮＯ2 ガスを浸透
させる。
２ガスリンス処理として、チャンバー内にＮＯ2 ガスを
導入してＮ2 ガスをＮＯ2 ガスに置換する（図４
（ｅ））。具体的に、この第２ガスリンス処理では、Ｎ
Ｏ2 ガスを例えば１００ｍｌ／ｍｎの流量でチャンバー
内圧力が１０〜１００Ｐａになるまで導入し、１０分間
放置する。これにより、チャンバー内のＮＯ2 ガスを成
膜直後に大気に曝さない状態でＣｕＰｃ有機膜５ａの１
層目に接触させる。そして、ＣｕＰｃ有機膜５ａの表面
にＮＯ2 ガスを十分吸着させ、膜中にＮＯ2 ガスを浸透
させる。
【００４２】上記第２ガスリンス処理を終えると、Ｃｕ
Ｐｃ有機膜５ａの２層目を１層目の上に成膜する。この
ＣｕＰｃ有機膜５ａの２層目以降について、所望とする
膜厚でＣｕＰｃ有機膜５あが成膜されるまでは、各層が
成膜される毎に上記第２ガスリンス処理が行われる（図
４（ｆ））。
Ｐｃ有機膜５ａの２層目を１層目の上に成膜する。この
ＣｕＰｃ有機膜５ａの２層目以降について、所望とする
膜厚でＣｕＰｃ有機膜５あが成膜されるまでは、各層が
成膜される毎に上記第２ガスリンス処理が行われる（図
４（ｆ））。
【００４３】すなわち、所望とするＣｕＰｃ有機膜５ａ
の膜厚をＭ（ｎｍ）（但し、Ｍ＞０ｎｍ）、１回当たり
に成膜される膜厚をＨ（ｎｍ）とすると、その成膜回数
をＮは、Ｈ・Ｎ≧Ｍの関係を満足するように成膜され
る。具体的に、所望とするＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０
ｎｍで、１回当たりに成膜される膜厚が２０ｎｍであれ
ば、ＣｕＰｃ有機膜は３回に分けて成膜される。そし
て、この３回の成膜を終える毎に上記第２ガスリンス処
理が行われる。
の膜厚をＭ（ｎｍ）（但し、Ｍ＞０ｎｍ）、１回当たり
に成膜される膜厚をＨ（ｎｍ）とすると、その成膜回数
をＮは、Ｈ・Ｎ≧Ｍの関係を満足するように成膜され
る。具体的に、所望とするＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０
ｎｍで、１回当たりに成膜される膜厚が２０ｎｍであれ
ば、ＣｕＰｃ有機膜は３回に分けて成膜される。そし
て、この３回の成膜を終える毎に上記第２ガスリンス処
理が行われる。
【００４４】所望とする膜厚のＣｕＰｃ有機膜５ａが成
膜され、各層毎に上記第２ガスリンス処理を終えると、
再度チャンバー内を真空排気し、チャンバー内圧力を１
０-5Ｐａ以下にした状態で、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上に
α−ＮＰＤ有機膜５ｂを分子線蒸着法、抵抗加熱法等の
ＰＶＤ法により成膜する（図４（ｇ））。続いて、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3 有機膜５ｃを成膜し
（図４（ｈ））、更にＡｌｑ3 有機膜５ｃの上に陰極６
となる金属薄膜（例えばＡｌ−Ｌｉ膜）をＰＶＤ法によ
り成膜する（図４（ｉ））。
膜され、各層毎に上記第２ガスリンス処理を終えると、
再度チャンバー内を真空排気し、チャンバー内圧力を１
０-5Ｐａ以下にした状態で、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上に
α−ＮＰＤ有機膜５ｂを分子線蒸着法、抵抗加熱法等の
ＰＶＤ法により成膜する（図４（ｇ））。続いて、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3 有機膜５ｃを成膜し
（図４（ｈ））、更にＡｌｑ3 有機膜５ｃの上に陰極６
となる金属薄膜（例えばＡｌ−Ｌｉ膜）をＰＶＤ法によ
り成膜する（図４（ｉ））。
【００４５】その後、水分を極力取り除いた不活性ガス
（例えばドライ窒素）やドライエアによる雰囲気におい
て、ガラス基板２の外周部分に封着部材としての容器部
７を紫外線硬化接着剤により固着する（図４（ｊ））。
これにより、内部の陽極４、有機層５及び陰極６が保護
され、有機ＥＬ１Ｂが完成する。
（例えばドライ窒素）やドライエアによる雰囲気におい
て、ガラス基板２の外周部分に封着部材としての容器部
７を紫外線硬化接着剤により固着する（図４（ｊ））。
これにより、内部の陽極４、有機層５及び陰極６が保護
され、有機ＥＬ１Ｂが完成する。
【００４６】このように、上記各実施の形態の有機ＥＬ
１（１Ａ，１Ｂ）によれば、有機層５の一部を構成する
ＣｕＰｃ有機膜５ａが電子受容性（酸化性）の強いガス
としてＮＯ2 を含有しているので、ＣｕＰｃ有機膜５ａ
の導電率が上昇し、ホール注入効率を安定して向上させ
ることができる。これにより、図６の電圧−電流特性に
おける電流の閾値を低電圧側にシフトすることができ
る。その結果、有機ＥＬ１をダイナミック駆動するとき
においても、所望の輝度を得るための電圧を低電圧に設
定することが可能となり、駆動回路（ドライバーＩＣ）
のコストダウンを図ることができる。しかも、有機ＥＬ
１を低電圧で駆動できることから、点灯中の寿命特性も
改善することができる。
１（１Ａ，１Ｂ）によれば、有機層５の一部を構成する
ＣｕＰｃ有機膜５ａが電子受容性（酸化性）の強いガス
としてＮＯ2 を含有しているので、ＣｕＰｃ有機膜５ａ
の導電率が上昇し、ホール注入効率を安定して向上させ
ることができる。これにより、図６の電圧−電流特性に
おける電流の閾値を低電圧側にシフトすることができ
る。その結果、有機ＥＬ１をダイナミック駆動するとき
においても、所望の輝度を得るための電圧を低電圧に設
定することが可能となり、駆動回路（ドライバーＩＣ）
のコストダウンを図ることができる。しかも、有機ＥＬ
１を低電圧で駆動できることから、点灯中の寿命特性も
改善することができる。
【００４７】ここで、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚に応じた各
実施の形態の有機ＥＬ１（１Ａ，１Ｂ）と従来の有機Ｅ
Ｌのおける電圧−電流特性と電圧−輝度特性を図６及び
図７に示す。
実施の形態の有機ＥＬ１（１Ａ，１Ｂ）と従来の有機Ｅ
Ｌのおける電圧−電流特性と電圧−輝度特性を図６及び
図７に示す。
【００４８】図６及び図７に基づいて本実施の形態の有
機ＥＬと従来の有機ＥＬの各特性について比較すると、
まず、素子（有機ＥＬ）に１５ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
す場合、ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が６０ｎｍの第１実
施の形態の有機ＥＬ１Ａでは、５．６Ｖの電圧が必要と
なる。ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が２０ｎｍの第１実施
の形態の有機ＥＬ１Ａでは、４．７Ｖの電圧が必要とな
る。ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が２０ｎｍの第２実施の
形態の有機ＥＬ１Ｂでは、４．１Ｖの電圧が必要とな
る。
機ＥＬと従来の有機ＥＬの各特性について比較すると、
まず、素子（有機ＥＬ）に１５ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
す場合、ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が６０ｎｍの第１実
施の形態の有機ＥＬ１Ａでは、５．６Ｖの電圧が必要と
なる。ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が２０ｎｍの第１実施
の形態の有機ＥＬ１Ａでは、４．７Ｖの電圧が必要とな
る。ＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚が２０ｎｍの第２実施の
形態の有機ＥＬ１Ｂでは、４．１Ｖの電圧が必要とな
る。
【００４９】これに対し、ＣｕＰｃ膜の膜厚が２０ｎｍ
の従来の有機ＥＬでは、図６からも明らかなように、上
記各実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂよりも高い５．８
Ｖ程度の駆動電圧を必要とし、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が
６０ｎｍの従来の有機ＥＬでは、更に高い６．７Ｖ程度
の駆動電圧を必要とする。
の従来の有機ＥＬでは、図６からも明らかなように、上
記各実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂよりも高い５．８
Ｖ程度の駆動電圧を必要とし、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が
６０ｎｍの従来の有機ＥＬでは、更に高い６．７Ｖ程度
の駆動電圧を必要とする。
【００５０】次に、４００ｃｄ／ｍ2 の輝度を得る場
合、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０ｎｍの第１実施の形態
の有機ＥＬでは、５．６Ｖの電圧が必要となる。ＣｕＰ
ｃ有機膜の膜厚が２０ｎｍの第１実施の形態の有機ＥＬ
では、５Ｖの電圧が必要となる。ＣｕＰｃ有機膜の膜厚
が２０ｎｍの第２実施の形態の有機ＥＬでは、３．７Ｖ
の電圧が必要となる。
合、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０ｎｍの第１実施の形態
の有機ＥＬでは、５．６Ｖの電圧が必要となる。ＣｕＰ
ｃ有機膜の膜厚が２０ｎｍの第１実施の形態の有機ＥＬ
では、５Ｖの電圧が必要となる。ＣｕＰｃ有機膜の膜厚
が２０ｎｍの第２実施の形態の有機ＥＬでは、３．７Ｖ
の電圧が必要となる。
【００５１】これに対し、ＣｕＰｃ膜の膜厚が２０ｎｍ
の従来の有機ＥＬでは、図７からも明らかなように、上
記各実施の形態の有機ＥＬよりも高い５．８Ｖの電圧を
必要とし、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０ｎｍの従来の有
機ＥＬでは、更に高い６．７Ｖの電圧が必要とする。
の従来の有機ＥＬでは、図７からも明らかなように、上
記各実施の形態の有機ＥＬよりも高い５．８Ｖの電圧を
必要とし、ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が６０ｎｍの従来の有
機ＥＬでは、更に高い６．７Ｖの電圧が必要とする。
【００５２】このように、同一電流又は同一輝度で比較
した場合、本実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂによれ
ば、図６の電圧−電流特性及び図７の電圧−輝度特性を
従来の有機ＥＬよりも低電圧側にシフトできることが判
る。
した場合、本実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂによれ
ば、図６の電圧−電流特性及び図７の電圧−輝度特性を
従来の有機ＥＬよりも低電圧側にシフトできることが判
る。
【００５３】したがって、ＣｕＰｃ膜の膜厚を同一厚さ
とした場合、各実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂによれ
ば、従来の有機ＥＬより低い電圧で駆動することがで
き、消費電力の低減を図ることができる。
とした場合、各実施の形態の有機ＥＬ１Ａ，１Ｂによれ
ば、従来の有機ＥＬより低い電圧で駆動することがで
き、消費電力の低減を図ることができる。
【００５４】そして、特に、第２実施の形態の構成及び
方法を採用してＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚を薄くすれ
ば、図６の電圧−電流特性における電流の閾値を更に低
電圧側にシフトさせることができる。但し、ＣｕＰｃ有
機膜５ａの下地が透明導電膜の場合、ＣｕＰｃ有機膜５
ａの膜厚を薄くすると、透明導電膜３の凹凸面による影
響を受けるため、透明導電膜３の平滑化処理が必要とな
る。この平滑化処理としては、ＩＴＯ等の透明導電膜３
の成膜後に表面を研磨して平滑化するか、ＩＤＩＸＯ等
の非晶質で透明導電膜３を成膜することが考えられる。
方法を採用してＣｕＰｃ有機膜５ａの膜厚を薄くすれ
ば、図６の電圧−電流特性における電流の閾値を更に低
電圧側にシフトさせることができる。但し、ＣｕＰｃ有
機膜５ａの下地が透明導電膜の場合、ＣｕＰｃ有機膜５
ａの膜厚を薄くすると、透明導電膜３の凹凸面による影
響を受けるため、透明導電膜３の平滑化処理が必要とな
る。この平滑化処理としては、ＩＴＯ等の透明導電膜３
の成膜後に表面を研磨して平滑化するか、ＩＤＩＸＯ等
の非晶質で透明導電膜３を成膜することが考えられる。
【００５５】第２実施の形態の有機ＥＬ１Ｂによれば、
ＣｕＰｃ有機膜５ａが各層毎にＮＯ 2 ガスを吸着した多
層構造となっているので、ＣｕＰｃ膜５ａの上層と下層
におけるガス分子の濃度が均一となり、ＣｕＰｃ膜５ａ
の膜厚方向のＮＯ2 ガス分子濃度（図１及び図３におけ
るＣｕＰｃ有機膜５ａの点の分布）の傾斜、すなわちガ
ス分子濃度のバラツキを無くすことができる。
ＣｕＰｃ有機膜５ａが各層毎にＮＯ 2 ガスを吸着した多
層構造となっているので、ＣｕＰｃ膜５ａの上層と下層
におけるガス分子の濃度が均一となり、ＣｕＰｃ膜５ａ
の膜厚方向のＮＯ2 ガス分子濃度（図１及び図３におけ
るＣｕＰｃ有機膜５ａの点の分布）の傾斜、すなわちガ
ス分子濃度のバラツキを無くすことができる。
【００５６】ところで、上述した各実施の形態の製造方
法では、Ｎ2 ガスの第１ガスリンス処理とＮＯ2 ガスの
第２ガスリンス処理とを別々の工程で行うものとして説
明したが、例えばＮ2 ：ＮＯ2 ＝９８：２の比率による
混合ガスを用いてガスリンス処理を行ってもよい。これ
により、上記ＣｕＰｃ膜５ａのＮ2 ガスの第１ガスリン
ス処理とＮＯ2 ガスの第２ガスリンス処理を分けずに１
つの工程で実現することができる。
法では、Ｎ2 ガスの第１ガスリンス処理とＮＯ2 ガスの
第２ガスリンス処理とを別々の工程で行うものとして説
明したが、例えばＮ2 ：ＮＯ2 ＝９８：２の比率による
混合ガスを用いてガスリンス処理を行ってもよい。これ
により、上記ＣｕＰｃ膜５ａのＮ2 ガスの第１ガスリン
ス処理とＮＯ2 ガスの第２ガスリンス処理を分けずに１
つの工程で実現することができる。
【００５７】各実施の形態における有機層５は、図示の
３層構造に限定されるものではなく、ホール注入性有機
膜としてのＣｕＰｃ有機膜５ａ及び発光層を含む構造で
あればよい。
３層構造に限定されるものではなく、ホール注入性有機
膜としてのＣｕＰｃ有機膜５ａ及び発光層を含む構造で
あればよい。
【００５８】各実施の形態において、透明導電膜３から
なる陽極４と金属薄膜からなる陰極６を逆転させた構成
としてもよい。この場合、有機層５を構成するＣｕＰｃ
有機膜５ａ、α−ＮＰＤ有機膜５ｂ、Ａｌｑ3 有機膜５
ｃも逆転して積層される。その際、使用されるガラス基
板２が必ずしも透明性を有する必要がなく、絶縁性を有
する有色の基板を用いることができる。
なる陽極４と金属薄膜からなる陰極６を逆転させた構成
としてもよい。この場合、有機層５を構成するＣｕＰｃ
有機膜５ａ、α−ＮＰＤ有機膜５ｂ、Ａｌｑ3 有機膜５
ｃも逆転して積層される。その際、使用されるガラス基
板２が必ずしも透明性を有する必要がなく、絶縁性を有
する有色の基板を用いることができる。
【００５９】また、一対の電極（陽極４、陰極６）は、
少なくとも一方が透明性を有する導電材料で形成されて
いればよい。その際、両方の電極が透明性を有する導電
材料の場合には、一方の電極（陽極４）に仕事関数の大
きい透明性を有する導電材料（ＩＴＯ）を使用し、他方
の電極（陰極６）に仕事関数の小さい透明性を有する導
電材料を使用する。
少なくとも一方が透明性を有する導電材料で形成されて
いればよい。その際、両方の電極が透明性を有する導電
材料の場合には、一方の電極（陽極４）に仕事関数の大
きい透明性を有する導電材料（ＩＴＯ）を使用し、他方
の電極（陰極６）に仕事関数の小さい透明性を有する導
電材料を使用する。
【００６０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
有機ＥＬによれば、有機層の一部を構成するＣｕＰｃ有
機膜が電子受容性のガス（ＮＯ2 ）を含有しているの
で、ＣｕＰｃ有機膜の導電率が上昇し、ホール注入効率
を安定して向上させることができる。
有機ＥＬによれば、有機層の一部を構成するＣｕＰｃ有
機膜が電子受容性のガス（ＮＯ2 ）を含有しているの
で、ＣｕＰｃ有機膜の導電率が上昇し、ホール注入効率
を安定して向上させることができる。
【００６１】これにより、電圧−電流特性における電流
の閾値を低電圧側にシフトすることができる。その結
果、有機ＥＬをダイナミック駆動するときにおいても、
所望の輝度を得るための電圧を低電圧に設定することが
可能となり、駆動回路のコストダウンを図ることができ
る。しかも、有機ＥＬを低電圧で駆動できることから、
点灯中の寿命特性も改善することができる。
の閾値を低電圧側にシフトすることができる。その結
果、有機ＥＬをダイナミック駆動するときにおいても、
所望の輝度を得るための電圧を低電圧に設定することが
可能となり、駆動回路のコストダウンを図ることができ
る。しかも、有機ＥＬを低電圧で駆動できることから、
点灯中の寿命特性も改善することができる。
【００６２】特に、ＣｕＰｃ有機膜を複数層に分けて成
膜し、各層を成膜する毎に電子受容性のガス（ＮＯ2 ）
で表面をリンス処理することにより、ＣｕＰｃ膜の上層
と下層におけるガス分子の濃度が均一となり、ＣｕＰｃ
膜の膜厚方向のガス分子濃度のバラツキを無くすことが
できる。
膜し、各層を成膜する毎に電子受容性のガス（ＮＯ2 ）
で表面をリンス処理することにより、ＣｕＰｃ膜の上層
と下層におけるガス分子の濃度が均一となり、ＣｕＰｃ
膜の膜厚方向のガス分子濃度のバラツキを無くすことが
できる。
【図１】本発明のよる有機ＥＬの第１実施の形態を示す
部分側断面図
部分側断面図
【図２】（ａ）〜（ｉ）第１実施の形態の有機ＥＬの製
造工程を示す側断面図
造工程を示す側断面図
【図３】本発明による有機ＥＬの第２実施の形態を示す
部分側断面図
部分側断面図
【図４】（ａ）〜（ｊ）第２実施の形態の有機ＥＬの製
造工程を示す側断面図
造工程を示す側断面図
【図５】（ａ）〜（ｇ）従来の有機ＥＬの構成及び製造
工程を示す側断面図
工程を示す側断面図
【図６】ＣｕＰｃ有機膜の膜厚に応じた本発明の有機Ｅ
Ｌと従来の有機ＥＬの電圧−電流特性を示す図
Ｌと従来の有機ＥＬの電圧−電流特性を示す図
【図７】ＣｕＰｃ有機膜の膜厚に応じた本発明の有機Ｅ
Ｌと従来の有機ＥＬの電圧−輝度特性を示す図
Ｌと従来の有機ＥＬの電圧−輝度特性を示す図
１（１Ａ，１Ｂ）…有機ＥＬ、３…透明導電膜、４…陽
極、５…有機層、５ａ…ＣｕＰｃ有機膜、６…陰極。
極、５…有機層、５ａ…ＣｕＰｃ有機膜、６…陰極。
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも一方の電極が透明導電膜でな
る一対の電極間にホール注入性のＣｕＰｃ有機膜を含む
有機層が積層された有機ＥＬにおいて、 前記ＣｕＰｃ有機膜が電子受容性のガスを含有したこと
を特徴とする有機ＥＬ。 - 【請求項２】 前記電子受容性のガスがＮＯ2 からなる
請求項１記載の有機ＥＬ。 - 【請求項３】 前記ＣｕＰｃ有機膜の膜厚が１ｎｍ〜２
００ｎｍである請求項１記載の有機ＥＬ。 - 【請求項４】 少なくとも一方の電極が透明導電膜でな
る一対の電極間にホール注入性のＣｕＰｃ有機膜を含む
有機層が積層された有機ＥＬの製造方法において、 前記ＣｕＰｃ有機膜が成膜された後に、該ＣｕＰｃ有機
膜の表面を電子受容性のガスでリンス処理する工程を含
むことを特徴とする有機ＥＬの製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも一方の電極が透明導電膜でな
る一対の電極間にホール注入性のＣｕＰｃ有機膜を含む
有機層が積層された有機ＥＬの製造方法において、 前記ＣｕＰｃ有機膜を複数の層に分けて成膜する工程
と、 前記ＣｕＰｃ有機膜の各層を成膜する毎に電子受容性の
ガスで表面をリンス処理する工程とを含むことを特徴と
する有機ＥＬの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240483A JP2000068068A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 有機ｅｌとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10240483A JP2000068068A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 有機ｅｌとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068068A true JP2000068068A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17060193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10240483A Pending JP2000068068A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 有機ｅｌとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068068A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064453A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光素子及びその作製方法 |
| US7247983B2 (en) | 2003-07-24 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting element |
| JP2011216473A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ照明、有機ｅｌ表示装置、及び有機電界発光素子の製造装置 |
| US8288180B2 (en) | 2005-07-04 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP10240483A patent/JP2000068068A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004064453A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光素子及びその作製方法 |
| JPWO2004064453A1 (ja) * | 2003-01-10 | 2006-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子及びその作製方法 |
| US7059928B2 (en) | 2003-01-10 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and method for manufacturing the same |
| US7416464B2 (en) | 2003-01-10 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting element and method for manufacturing the same |
| US7247983B2 (en) | 2003-07-24 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting element |
| US8288180B2 (en) | 2005-07-04 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| US9196858B2 (en) | 2005-07-04 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2011216473A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ照明、有機ｅｌ表示装置、及び有機電界発光素子の製造装置 |
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