JP2000058568A - 半導体装置の製造方法および半導体装置用製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 テープキャリアからノズルの先端までの高さ
を常に最適な一定の値に高精度に設定できるようにし、
作業安定性に優れた封止が行えるようにする。 【解決手段】 半導体チップ２０がボンディングされた
テープキャリア１１に対し、テープキャリア１１の上方
に配置されたノズル３の先端から樹脂２１を塗布して半
導体チップ２０を樹脂封止する毎に、樹脂２１を塗布す
るに先立ち、テープキャリア１１をクランパー５にて上
方から押圧することにより処理台４に密着固定してこの
状態でテープキャリア１１の高さを測定手段６により測
定し、次いで測定手段６が測定して得たテープキャリア
１１の高さを基準にしてノズル３の先端の高さ位置を調
整するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および半導体装置用製造装置に関し、特にＴＡＢ
（Tape Automated Bonding) 技術を用いた半導体装置の
製造において、その樹脂封止工程に適用される半導体装
置の製造方法および該方法に用いる半導体装置用製造装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置（半導体パッケージ）
の製造方法としては、例えばＴＡＢ技術を用いた製造方
法が知られている。この製造方法では、まず、図３
（ａ），（ｂ）に示すように予め用意したテープキャリ
ア１１の一素子単位に接着剤１７を介して金属製の補強
プレート１８を接着し、続いて図３（ｃ）に示すように
テープキャリア１１に半導体チップ（半導体素子）２０
を接続（ボンディング）する工程を行う。

【０００３】テープキャリア１１は、例えば、ポリイミ
ド等の絶縁性の有機フィルム１２上に銅回路からなる導
電パターン１３が形成されたものである。有機フィルム
１２には、半導体チップ２０の搭載部分に矩形の貫通孔
（デバイスホール）１４が形成され、かつ導電パターン
１３を外部電極として取り出すための孔１５が形成され
ている。また導電パターン１３からは、貫通孔１４の周
縁より内側にインナーリード１６が延出形成されてい
る。

【０００４】上記の補強プレート１８は、半導体チップ
２０の搭載部分に矩形の孔１９が穿設されたもので、テ
ープキャリア１１の導電パターン１３側に接着剤１７を
介して接着される。そして、テープキャリア１１の貫通
孔１４および補強プレート１８の孔１９の位置に半導体
チップ２０を配置してインナーリード１６と半導体チッ
プ２０の上面に形成された電極パッド（図示略）とをボ
ンディングする。

【０００５】テープキャリア１１に半導体チップ２０を
ボンディングした後は、半導体チップ２０を外部環境の
湿気や塵埃等から保護するために、少なくとも半導体チ
ップ２０の上面およびインナーリード１６全体をエポキ
シ系樹脂等によって樹脂封止しパッケージ化する工程を
行う。樹脂封止する方法としては、例えば液状樹脂を流
し込む方法が知られている。この方法は、テープキャリ
ア１１を保持している銅製の外枠を台の上に固定し、図
４に示すように液状樹脂２１をノズル３より定圧で吐出
して少なくとも半導体チップ２０の上面およびインナー
リード１６全体を覆うように塗布し、加熱処理等によっ
て硬化することにより封止する方法である。液状樹脂
は、トランスファー成形法に比べて樹脂の廃棄分が少な
く、塗布方法の自由度も高いので、ＢＧＡ（Ball Grid
Array)やＣＳＰ（Chip Size Package)等の高密度実装向
け半導体装置の製造に多く用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置の製造方法では、樹脂封止工程において安定した樹
脂塗布量、塗布状態を得るために定圧で樹脂を吐出して
いる。そのため、テープキャリアからノズル先端までの
高さ、具体的にはテープキャリアにボンディングされた
半導体チップからノズルの先端までの高さや、半導体チ
ップの電極パッドにボンディングされたインナーリード
からノズルの先端までの高さを高精度に一定に保つこと
が必要となっており、特に後者のインナーリードからノ
ズルの先端までの高さを高精度に一定に保つことが必須
となっている。そこで、従来では、樹脂を塗布する前に
予め、各テープキャリアを保持する外枠の上面またはテ
ープキャリアのポリイミド上面を基準に、最も安定して
塗布作業が行える一定の高さにノズルの先端を設定して
いる。

【０００７】しかしながら、半導体チップがボンディン
グされたテープキャリア側では、テープキャリアをこれ
を保持する外枠によって台の上に固定しているものの、
テープキャリアの高さが安定しないという不具合が生じ
る。すなわち、テープキャリア自体がコーナー４か所に
形成されている吊り部のみで外枠に保持されていること
から、外枠を介してテープキャリアを固定する台に、テ
ープキャリアの最下面となる補強プレートの裏面あるい
は半導体チップの裏面が高精度に密着しない。よって、
テープキャリアの吊り部の微妙な変形によりテープキャ
リアの浮き等が発生し易く、テープキャリアの高さが安
定しないのである。

【０００８】そして、テープキャリアの高さが安定しな
いことが原因になって半導体チップからノズルの先端ま
での高さや、ボンディング後のインナーリードからノズ
ルの先端までの高さがテープキャリア毎にばらつき、安
定した封止作業が行えない、樹脂封止された半導体装置
の品質の低下を招く等の課題が生じている。

【０００９】このような現状から、半導体装置の製造に
おける樹脂封止工程において、半導体チップからノズル
の先端までの高さや、ボンディング後のインナーリード
からノズルの先端までの高さを最適な一定の値に高精度
に設定できる技術が切望されている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導
体チップがボンディングされたテープキャリアに対し、
テープキャリアの上方に配置されたノズルの先端から樹
脂を塗布して半導体チップを樹脂封止する毎に、樹脂を
塗布するに先立ち、テープキャリアを上方から押圧する
ことにより処理台に密着固定してこの状態でテープキャ
リアの高さを測定し、次いで測定して得たテープキャリ
アの高さを基準にしてノズルの先端の高さ位置を調整す
る工程を行うようになっている。

【００１１】上記発明では、テープキャリアを上方から
押圧することにより処理台に密着固定するため、従来の
ようにテープキャリアが処理台から浮くことがなく、テ
ープキャリアの高さを精度良く測定することが可能にな
る。また半導体チップを樹脂封止する毎、つまり素子単
位毎にテープキャリアの高さを測定し、測定結果を基準
にしてノズルの先端の高さ位置を調整するため、たとえ
素子単位間でテープキャリアの高さにばらつきがあって
も、このばらつきが反映されることなくテープキャリア
からノズル先端までの高さ、つまりボンディング後のイ
ンナーリードとからノズルの先端までの高さや半導体チ
ップからノズルの先端までの高さを常に最適な一定の値
に設定することが可能になる。またテープキャリアを処
理台に密着したままノズルから樹脂を吐出させれば、設
定通りの樹脂塗布量および塗布状態に樹脂が精度良く塗
布される。

【００１２】また上記課題を解決するための本発明に係
る半導体装置用製造装置は、半導体チップがボンディン
グされてなるテープキャリアのその半導体チップに、テ
ープキャリアの上方に配置されたノズルの先端から樹脂
を塗布して被処理体を樹脂封止する際に用いるものであ
って、テープキャリアを載置するための処理台と、処理
台にテープキャリアを載置した際にテープキャリアを上
方から押圧して処理台に密着固定するための固定手段
と、処理台に載置された際のテープキャリアの高さを測
定する測定手段とを備えた構成となっている。

【００１３】上記発明では、テープキャリアを上方から
押圧して処理台に密着固定するための固定手段と、処理
台に載置された際のテープキャリアの高さを測定する測
定手段とを備えているため、固定手段でテープキャリア
を処理台に密着固定した状態でテープキャリアの高さを
測定することが可能になる。よって、テープキャリアの
高さが常に精度良く測定される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体装置の
製造方法および半導体装置用製造装置の実施形態を図面
に基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置用
製造装置（以下、単に製造装置と記す）の一実施形態の
概略構成図を示す説明図である。この製造装置１は、半
導体チップ２０がボンディングされたテープキャリア１
１のその半導体チップ２０に、このテープキャリア１１
の上方に配置されたノズル３の先端からエポキシ系樹脂
等の液状樹脂２１を塗布して半導体チップ２０を封止す
る際に用いるものであり、従来の塗布装置に本発明を適
用したものである。

【００１５】なお、本実施形態の製造装置１が封止しよ
うとするテープキャリア１１は、従来と同様に、テープ
キャリア１１の導電パターン１３側に接着剤１７を介し
て矩形の補強プレート１８が接着されているとともに、
テープキャリア１１の貫通孔（デバイスホール）１４お
よび補強プレート１８の孔１９に半導体チップ２０が配
置され、テープキャリア１１のインナーリード１６と半
導体チップ２０の上面の電極パッド（図示略）とがボン
ディングされた状態のものからなっている。図１は、製
造装置１にこのようなテープキャリア１１を配置して樹
脂２１を塗布している状態を示している。

【００１６】すなわち、本実施形態の製造装置１は、一
素子毎、つまり複数の半導体チップ２０がボンディング
されたテープキャリア１１の一つの半導体チップ２０毎
に樹脂を塗布するものであり、ノズル３を有したシリン
ジ２、処理台４、クランパー５、測定手段６、クランパ
ー駆動手段７、移動手段８および制御手段９を備えて構
成されている。シリンジ２は、その内部に液状樹脂が一
時貯留されるものからなり、処理台４の上方に、ノズル
３を下向きにした状態で配置されている。

【００１７】処理台４は、半導体チップ２０がボンディ
ングされたテープキャリア１１を、補強プレート１８側
を処理台４に向けて載置するためのもので、一素子毎の
テープキャリア１１の外形に嵌合する大きさの凹部４ａ
を有し、凹部４ａの底面４ａ₁ に補強プレート１８の裏
面を高精度に密着可能に設計されている。つまり、凹部
４ａは補強プレート１８の外形と略等しい面積の平面視
略矩形をなし、補強プレート１８の厚みと接着剤１７の
厚みとを加算した値以下の深さに形成されている。また
凹部４ａの底面４ａ₁ は高精度に平坦な面となってい
る。

【００１８】クランパー５は、本発明の固定手段となる
もので、処理台４にテープキャリア１１を載置した際
に、封止する一素子単位のテープキャリア１１の有機フ
ィルム１２側から、半導体チップ２０の周辺部を除いて
テープキャリア１１全体を均一に押圧し、処理台４に密
着固定するためのものである。したがってクランパー５
は、内周縁がテープキャリア１１の貫通孔１４の周縁よ
りも大きく、外周縁がテープキャリア１１の外周縁より
も大きい矩形枠状に形成されている。またクランパー５
は、後述するように、クランパー駆動手段７によって常
に一定の圧力でテープキャリア１１を押圧するようにな
っている。

【００１９】測定手段６は、処理台４に載置された際の
テープキャリア１１の高さを測定するものからなる。本
実施形態では、例えばクランパー５の下面に設けられて
クランパー５の押圧によりテープキャリア１１から加わ
る圧力を検出するセンサ６ａと、センサ６ａからの検出
結果に基づいてテープキャリア１１の高さを求める演算
部６ｂとを有して構成されており、テープキャリア１１
のインナーリード１６の高さをテープキャリア１１の高
さから求めるように構成されている。

【００２０】センサ６ａは例えば圧電素子からなり、テ
ープキャリア１１から加わる圧力を検出して電気信号に
変換し、この電気信号からなる検出結果を演算部６ｂに
出力するようになっている。一方、演算部６ｂには、予
め、テープキャリア１１を一定の圧力で押圧した際にセ
ンサ６ａから得られる電気信号とテープキャリア１１全
体の厚みとの相関関係の情報が入力されているととも
に、テープキャリア１１における有機フィルム１２の厚
み情報が入力されている。よって、演算部６ｂは、セン
サ６ａからの検出結果に基づき、テープキャリア１１全
体の厚みを求めるとともに、この厚みから有機フィルム
１２の厚みを減算してテープキャリア１１のインナーリ
ード１６の高さを求めるようになっている。そして、求
めたインナーリード１６の高さを制御手段９に出力する
ようになっている。

【００２１】クランパー駆動手段７は、クランパー５を
上下方向に移動させるとともに、下方向に移動させた際
には、常に一定の圧力でテープキャリア１１を押圧する
ようクランパー５を駆動するものである。このクランパ
ー５の押圧の開始、終了は制御手段９によって制御され
るようになっている。また移動手段８は、ノズル３の先
端を上下に移動させるためのもので、シリンジ２を上下
方向に駆動することによって、ノズル３の先端を上下に
移動するように構成されている。

【００２２】制御手段９は、測定手段６の演算部６ｂで
求められたインナーリード１６の高さからテープキャリ
ア１１の半導体チップ２０への樹脂２１の塗布に最適な
ノズル３の先端の高さ位置を求め、求めた高さ位置がノ
ズル３の先端となるように移動手段８を制御するもので
ある。この制御手段９は例えばマイクロコンピュータか
らなり、予め実験的に求められた、インナーリードの高
さ位置からの最適なノズルの先端の高さ情報が入力され
て記憶されている。よって、制御手段９は、演算部６ｂ
で求められたインナーリード１６の高さに、予め記憶し
ているインナーリードの高さ位置からの最適なノズルの
先端の高さを加算した値にノズル３の先端が位置するよ
うに移動手段８を制御するようになっている。

【００２３】また制御手段９は、シリンジ２内の樹脂２
１を半導体チップ２０に塗布するに先立ち、インナーリ
ード１６の高さの測定、ノズル３の先端の位置の調整を
行い、その後半導体チップ２０に樹脂２１を塗布する一
連の処理手順のプログラムが入力されており、これに基
づいてクランパー駆動手段７や移動手段８等を制御する
ようになっている。

【００２４】このように構成された製造装置１は、テー
プキャリア１１のインナーリード１６の高さの測定、ノ
ズル３の先端の位置の調整、樹脂２１の塗布を行い、塗
布が終了すると、次に処理するテープキャリア１１上に
クランパー５やシリンジ２等が移動する、あるいはテー
プキャリア１１自体が移動して次に処理するテープキャ
リア１１が処理台４に載置されるように構成されてい
る。

【００２５】次に、上記製造装置１を用いて半導体装置
を製造する場合を例にして、本発明に係る半導体装置の
製造方法の一実施形態を説明する。図２（ａ）〜（ｄ）
は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を工
程順に示す要部側断面図である。本実施形態の方法を実
施するにあたっては、予め、図３（ａ）〜（ｃ）を用い
て説明した従来の技術を用いて補強プレート１８の接着
工程、インナーリード１６のボンディング工程を行い、
図２（ａ）に示すごとく半導体チップ２０がボンディン
グされたテープキャリア１１を用意する。

【００２６】テープキャリア１１を用意した後は、一素
子単位のテープキャリア１１を図１に示す製造装置１の
処理台４の凹部４ａに載置し、少なくとも半導体チップ
２０の上面およびインナーリード１６全体に樹脂２１を
塗布して封止するのであるが、本実施形態では、樹脂２
１の塗布に先立ち、まず処理台４に載置されたテープキ
ャリア１１の高さを測定する測定工程を行う。

【００２７】測定工程では、テープキャリア１１を、補
強プレート１８を処理台４側に向けて処理台４の凹部４
ａに載置し、図２（ａ）に示すようにクランパー５を下
降させて有機フィルム１２側からテープキャリア１１の
半導体チップ２０の周辺を除く全体を一定の圧力で押圧
し、これによりテープキャリア１１を処理台４に密着固
定する。そして、この状態で製造装置１の測定手段６に
よりテープキャリア１１の厚みからインナーリード１６
の高さを正確に測定する。

【００２８】次いで、測定されたインナーリード１６の
高さを基準にしてノズル３の先端が最適な高さ位置とな
るように調整する調整工程を行う。上記したように製造
装置１では、測定手段６がインナーリード１６の高さを
測定すると、制御手段９が測定されたインナーリード１
６の高さからテープキャリア１１への樹脂２１の塗布に
最適なノズル３の先端の高さ位置を求め、求めた高さ位
置がノズル３の先端となるように移動手段８を制御す
る。したがって、製造装置１により、ノズル３の先端は
テープキャリア１１への樹脂２１の塗布に最適な高さ位
置に自動的に調整される。

【００２９】上記測定工程および調整工程を行った後
は、ノズル３から半導体チップ２０の上面およびインナ
ーリード１６全体に樹脂２１を塗布し、加熱処理等によ
り塗布した樹脂２１を硬化させて図２（ｂ）に示すごと
く半導体チップ２０の上面およびインナーリード１６全
体を封止する。上記樹脂２１の塗布は、クランパー５で
テープキャリア１１を処理台４に密着固定したままの状
態で行う。これによって設定した塗布量および塗布状態
に高精度に塗布できることになる。

【００３０】製造装置１では、テープキャリア１１への
樹脂２１の塗布後、一旦、クランパー５が上昇し、次に
封止処理するテープキャリア１１が処理台４に載置され
る。あるいは、クランパー５が上昇するとともに次に封
止処理するテープキャリア１１上にクランパー５が移動
し、上記した測定、調整、塗布の動作を繰り返し行う。

【００３１】上記のように樹脂封止を行った後は、テー
プキャリア１１には、従来と同様にカバープレート接
着、外部電極形成、外形カット等の処理が施される。す
なわち、図２（ｃ）に示すように補強プレート１８と半
導体チップ２０の裏面とに接着剤２２およびダイボンド
剤２６等により金属製のカバープレート２３を接着す
る。次いで、図２（ｄ）に示すようにテープキャリア１
１の有機フィルム１２上に外部電極となる複数の半田ボ
ール電極２４を形成する。この際、有機フィルム１２の
孔１５を介して導電パターン１３と電気的に接続するよ
うに半田ボール２４を形成する。

【００３２】その後、図２（ｅ）に示すようにテープキ
ャリア１１を半導体装置の外形にカットすることにより
半導体装置２５が製造される。なお、樹脂封止後の工程
は一例であって、順序が異なる様々な工程を適用するこ
とが可能であるのはもちろんである。

【００３３】このように本実施形態の製造方法では、テ
ープキャリア１１を上方から押圧することにより処理台
４に密着固定した後、この状態でテープキャリア１１の
高さからインナーリード１６の高さを測定するので、従
来のようにテープキャリア１１が処理台４から浮くこと
がなく、インナーリード１６の高さを常に精度良く測定
することができる。

【００３４】また素子単位毎にインナーリード１６の高
さを測定し、測定結果を基準にしてノズル３の先端の高
さ位置を調整するので、たとえ素子単位間でインナーリ
ード１６の高さにばらつきがあっても、このばらつきが
反映されることなくボンディング後のインナーリード１
６からノズル３の先端までの高さを常に最適な一定の値
に高精度に設定することができる。

【００３５】さらにテープキャリア１１を処理台４に密
着固定したままノズル３から樹脂２１を吐出させるの
で、設定通りの樹脂塗布量および塗布状態に樹脂２１を
精度良く塗布できる。したがって、作業安定性に優れた
封止作業を行うことができるとともに、高品質の半導体
装置２５を安定して製造することができる。

【００３６】また本実施形態の製造装置１によれば、テ
ープキャリア１１を上方から押圧して処理台４に密着固
定するためのクランパー５と、処理台４に載置されたテ
ープキャリア１１のインナーリード１６の高さを測定す
る測定手段６とを備えているので、本実施形態の方法を
確実に実施することができる。またインナーリード１６
の高さの測定、ノズル３の先端の最適な高さ位置への調
整が制御手段９の制御によって自動的に行われるため、
人為的なミスや作業者毎の測定結果のばらつきを防止で
きるとともに、一素子毎にインナーリード１６の高さの
測定、ノズル３の先端の位置の調整を行っても、歩留り
にほとんど影響を与えないという利点がある。

【００３７】なお、本実施形態の製造装置では、測定手
段の演算部が制御手段とは別に設けられている例を述べ
たが、制御手段に測定手段の演算部の機能を持たせても
よく、この例に限定されない。

【００３８】また、本実施形態の製造装置および製造方
法では、測定手段がテープキャリアのインナーリードの
高さのみを測定する場合について述べたが、テープキャ
リアのインナーリードの高さと半導体チップの高さとの
双方を測定するようにしてもよい。そして、これらの高
さ位置を基準にしてノズルの先端の高さ位置を調整する
ことも可能である。

【００３９】半導体チップの高さを測定する場合には、
クランパーでテープキャリアを押圧した際に、半導体チ
ップの裏面が処理台の凹部の底面に高精度に密着するよ
うに凹部が形成されることになる。また測定手段のセン
サで検出されたテープキャリア全体の厚みからテープキ
ャリアの有機フィルム、導電パターン、導電パターンと
補強プレートとの間の接着剤の厚み等の必要分を減算し
た値が半導体チップの高さとして求められ、この値に半
導体チップの高さからの最適なノズルの先端の高さ位置
が加算されて塗布に最適なノズルの先端の高さが設定さ
れる。そして、この設定値とインナーリードの高さから
設定された最適なノズルの先端の高さとの双方を考慮し
てノズルの先端の高さが決定されることになる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の製造方法によれば、テープキャリアを上方から押
圧して処理台に密着固定した後、この状態でテープキャ
リアの高さを測定するので、テープキャリアの高さを常
に精度良く測定することができる。また素子単位毎にテ
ープキャリアの高さを測定してノズルの先端の高さ位置
を調整するので、たとえ素子単位間でテープキャリアの
高さにばらつきがあってもこのばらつきが反映されず、
テープキャリアからノズルの先端までの高さを常に最適
な一定の値に高精度に設定することができる。したがっ
て、作業安定性に優れた封止作業を行うことができると
ともに、高品質の半導体装置を安定して製造することが
できる。

【００４１】また本発明に係る半導体装置用製造装置よ
れば、テープキャリアを上方から押圧して処理台に密着
固定するための固定手段と、処理台に載置されたテープ
キャリアの高さを測定する測定手段とを備えているの
で、本発明の半導体装置の製造方法を確実に実施するこ
とができる。よって、本発明の製造方法と同様の効果を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置用製造装置の一実施形
態の概略構成図を示す説明図である。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施形態を工程順に示す要部側断面図であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は従来のＴＡＢ技術による半導
体装置の製造方法のインナーリードボンディングまでの
一工程例を示す要部側断面図である。

【図４】従来の半導体装置の製造方法における塗布処理
を説明する図である。

【符号の説明】

１…製造装置、３…ノズル、４…処理台、５…クランパ
ー、６…測定手段、６ａ…センサ、６ｂ…演算部、８…
移動手段、９…制御手段、１１…テープキャリア、１６
…インナーリード、２０…半導体チップ、２１…樹脂、
２５…半導体装置

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップがボンディングされてなる
   テープキャリアのその半導体チップに、該テープキャリ
   アの上方に配置されたノズルの先端から樹脂を塗布して
   半導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法にお
   いて、 前記半導体チップを樹脂封止する毎に、樹脂を塗布する
   に先立ち、 前記テープキャリアを上方から押圧することにより処理
   台に密着固定してこの状態でテープキャリアの高さを測
   定する測定工程と、 前記測定工程にて得たテープキャリアの高さを基準にし
   て前記ノズルの先端の高さ位置を調整する調整工程とを
   行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記測定工程では、前記テープキャリア
   のインナーリードの高さと前記半導体チップの高さとの
   うち、少なくともインナーリードの高さを前記テープキ
   ャリアの高さから測定することを特徴とする請求項１記
   載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記樹脂を塗布する際には、前記テープ
   キャリアを前記処理台に密着した状態で塗布を行うこと
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 半導体チップがボンディングされてなる
   テープキャリアのその半導体チップに、該テープキャリ
   アの上方に配置されたノズルの先端から樹脂を塗布して
   半導体チップを樹脂封止する際に用いる半導体装置用製
   造装置であって、 前記テープキャリアを載置するための処理台と、 前記処理台に前記テープキャリアを載置した際に該テー
   プキャリアを上方から押圧して処理台に密着固定するた
   めの固定手段と、 前記処理台に載置された際のテープキャリアの高さを測
   定する測定手段とを備えていることを特徴とする半導体
   装置用製造装置。
5. 【請求項５】 前記測定手段は、前記固定手段に設けら
   れて該固定手段の押圧により前記テープキャリアから加
   わる圧力を検出するセンサと、 前記センサからの検出結果に基づいて前記テープキャリ
   アの高さを求める演算部とを有してなることを特徴とす
   る請求項４記載の半導体装置用製造装置。
6. 【請求項６】 前記処理台に載置されたテープキャリア
   の半導体チップに樹脂を塗布するノズルと、 前記ノズルを上下方向に移動するための移動手段と、 前記測定手段で測定されたテープキャリアの高さから該
   テープキャリアへの樹脂の塗布に最適なノズルの先端の
   高さ位置を求め、該高さ位置がノズルの先端となるよう
   に前記移動手段を制御する制御手段とを備えていること
   を特徴とする請求項４記載の半導体装置用製造装置。