JP2000053921A - 反射防止被膜形成組成物 - Google Patents
反射防止被膜形成組成物Info
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Abstract
の反射防止被膜を形成し得る反射防止被膜形成組成物を
提供する。 【解決手段】 低屈折率硬化被膜を与え得る化合物と、
高屈折率硬化被膜を与え得る化合物とを含有する反射防
止被膜形成組成物であって、低屈折率硬化被膜を与え得
る化合物が硬化されてなる被膜の表面自由エネルギーが
高屈折率硬化被膜を与え得る化合物が硬化されてなる被
膜の表面自由エネルギーよりも小さいことを特徴とする
反射防止被膜形成組成物。
Description
組成物に関する。
の反射防止被膜は、ディスプレイ表面、レンズなどのガ
ラス製光学製品、合成樹脂製光学製品などの表面に形成
されて、広く使用されている。かかる反射防止被膜とし
ては、通常、屈折率が基材の屈折率よりも小さい低屈折
率の物質からなる被膜が使用されている。かかる反射防
止被膜としては、例えば低屈折率物質層を蒸着、スパッ
ター、イオンプレーティングなどの物理気相堆積(Physi
cal Vapor Deposition、PVD)法により基材の表面に
形成する方法が知られているが、真空中で形成する必要
があるため、操作が煩雑であるという問題があった。
率の硬化被膜を与え得る化合物が硬化されてなる被膜が
知られている。これは低屈折率の硬化被膜を与え得る化
合物を含有する反射防止被膜形成組成物を基材の表面に
塗布後、硬化することにより形成されるものであるた
め、反射防止被膜を形成するための操作が簡便であるこ
とから、広く用いられている。
範囲の可視光の反射率を低減するために、高屈折率の物
質からなる層と低屈折率の物質からなる層との多層の反
射防止被膜、いわゆるマルチコーティングが知られてい
る。
するには、基材の表面に、高屈折率の硬化被膜を与え得
る化合物を含有する反射防止被膜形成組成物を塗布後、
硬化させた後、更に低屈折率の硬化被膜を与え得る化合
物を含有する反射防止被膜形成組成物を塗布後、硬化さ
せる必要があり、2回の塗布、硬化を必要とするもので
あった。
1回の塗布、硬化操作によって多層の反射防止被膜を形
成し得る反射防止被膜形成組成物を開発するべく、鋭意
検討した結果、低屈折率硬化被膜を与え得る化合物と、
高屈折率硬化被膜を与え得る化合物とを含有する組成物
を用いることにより、目的とする多層の反射防止被膜が
容易に得られることを見出し、本発明に至った。
屈折率硬化被膜を与え得る化合物と、高屈折率硬化被膜
を与え得る化合物とを含有する反射防止被膜形成組成物
であって、低屈折率硬化被膜を与え得る化合物が硬化さ
れてなる被膜の表面自由エネルギーが高屈折率硬化被膜
を与え得る化合物が硬化されてなる被膜の表面自由エネ
ルギーよりも小さいことを特徴とする反射防止被膜形成
組成物を提供するものである。
を構成する一成分である低屈折率硬化被膜を与え得る化
合物とは、基材の表面に塗布後、硬化されることによっ
て、低屈折率の反射防止被膜を形成することができる化
合物であって、通常の単層の反射防止被膜の形成に使用
されると同様のものが使用し得る。かかる化合物の硬化
方法は特に限定されるものではなく、紫外線照射により
硬化する化合物、電子線照射により硬化する化合物、放
射線照射により硬化する化合物、加熱により硬化する化
合物などを用いることができる。
得る化合物とは、基材の表面に塗布後、硬化されること
によって、高屈折率の反射防止被膜を形成することがで
きる化合物であって、上記した低屈折率硬化被膜を与え
得る化合物と組合わせて、通常の多層の反射防止被膜の
形成に使用されると同様のものが使用し得る。かかる化
合物の硬化方法は特に限定されるものではなく、紫外線
照射により硬化する化合物、電子線照射により硬化する
化合物、放射線照射により硬化する化合物、加熱により
硬化する化合物などを用いることができるが、低屈折率
硬化被膜を与え得る化合物の硬化方法と同様の方法で硬
化し得るものを選択して使用することが、塗布後の硬化
を容易にし得る点で好ましい。
と、高屈折率硬化被膜を与え得る化合物とは、低屈折率
硬化被膜を与え得る化合物が硬化されてなる被膜の表面
自由エネルギーが高屈折率硬化被膜を与え得る化合物が
硬化されてなる被膜の表面自由エネルギーよりも小さい
ことが必要であるが、本発明の反射防止被膜形成組成物
においては、かかる表面自由エネルギーの関係を満足す
るように、低屈折率硬化被膜を与え得る化合物と高屈折
率硬化被膜を与え得る化合物とを適宜選択して組合わせ
て使用される。
は、低屈折率硬化被膜を与え得る化合物が硬化された被
膜の表面自由エネルギーが、低屈折率硬化被膜を与え得
る化合物が硬化された被膜の表面自由エネルギーよりも
小さいので、塗布後硬化される際に、低屈折率硬化被膜
を与え得る化合物が高屈折率硬化被膜を与え得る化合物
よりも表面側(外側)に偏析し易い傾向にあり、その結
果、得られる被膜は、低屈折率硬化被膜が高屈折率硬化
被膜よりも表面側(外側)となって、多層(2層)の反
射防止層を構成するものと考えられる。かかる関係を満
足するためには、例えば低反射率硬化被膜を与え得る化
合物としてフッ素原子を含有する化合物を使用し、高屈
折率硬化被膜を与え得る化合物としてフッ素原子を含有
しない化合物を使用すればよい。
されてなる硬化被膜の屈折率(n1)と高屈折率硬化被
膜を与え得る化合物が硬化されてなる硬化被膜の屈折率
(n 2)とは、その差が0.1以上であることが好まし
く、広い波長範囲における反射防止効果に優れる多層の
反射防止被膜を得ることができる。なお、低屈折率硬化
被膜を与え得る化合物が硬化されてなる硬化被膜の屈折
率(n1)は通常、1.5以下、好ましくは1.45以
下であり、通常は、1.1以上である。また、高屈折率
硬化被膜を与え得る化合物が硬化されてなる硬化被膜の
屈折率(n2)は、通常1.5以上、好ましくは1.5
5以上であり、通常は1.7以下である。本発明の反射
防止被膜形成組成物における低屈折率硬化被膜を与え得
る化合物と、高屈折率硬化被膜を与え得る化合物との含
有量の比は、得られる反射防止被膜における低屈折率硬
化被膜の屈折率(n1)および厚み、ならびに高屈折率
硬化被膜の屈折率(n2)および厚みを勘案して、適宜
選択される。これらの値によって、得られる反射防止被
膜の可視光の反射防止性能、即ち反射を防止し得る波長
範囲、反射率が変化するからである。
は。他の成分、例えば溶剤、添加剤を含有していてもよ
い。溶剤としては、通常の反射防止被膜形成組成物に使
用されると同様のものが使用され、用いる低屈折率硬化
被膜を与え得る化合物および高屈折率硬化被膜を与え得
る化合物や、目的とする基材の材質などに応じて適宜選
択される。添加剤としては、得られる反射防止被膜の硬
度を高めるための無機微粒子からなるフィラー、架橋
剤、帯電防止性を付与するための導電性高分子、導電性
無機微粒子、耐擦傷性を付与するための滑剤などが挙げ
られる。
反射防止被膜を得るには、例えば反射防止効果被膜形成
組成物を基材の表面に塗布後、硬化させればよい。
く、例えば無機ガラスであってもよいし、アクリル系樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスチレン、スチレン
−アクリル共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重
合体、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフ
ィン、シクロペンタジエンなどの合成樹脂であってもよ
い。また、その形状は特に限定されるものではなく、レ
ンズなどのように凸状または凹状であってもよいし、板
状またはフィルム状の平面状であってもよい。塗布方法
は特に限定されるものではなく、バーコーターによる方
法、ロールコーターによる方法、ディップコーターによ
る方法などの通常の方法で塗布することができる。溶剤
を使用した場合には、塗布後、溶剤を風乾などの方法に
より蒸発させる。
え得る化合物および高屈折率硬化被膜を与え得る化合物
に応じて適宜選択すればよく、紫外線照射、電子線照
射、放射線照射、加熱になどの方法により硬化すること
ができる。
が、かかる反射防止被膜の上にさらに本発明の反射防止
被膜形成組成物を塗布し、硬化させることによって、4
層の反射防止被膜を得ることもできる。また、塗布後、
硬化する操作を繰り返すことによって、6層またはそれ
以上の多層の反射防止被膜を得ることもできる。
射率の小さいレンズ、液晶表示装置、陰極線管(CR
T)、プラズマディスプレイ、プロジェクションディス
プレイなどの各種ディスプレイや、それらの前面板など
の用途に使用し得る。
回の塗布、硬化操作であっても、多層(2層)の反射防
止被膜を形成し得るので、多層の反射防止被膜を容易に
製造し得る。
するが、本発明はかかる実施例により限定されるもので
はない。
ェイエスアール(株)製、「JM5022」、固形分の含
有量は3%、溶剤はメチルイソブチルケトン〕をアクリ
ル系樹脂板〔住友化学工業(株)製、「スミペックスE0
00」、厚み2mm〕の表面にバーコーター(5#)を
用いて塗布後、紫外線を照射すれば、屈折率(n1)
1.437の被膜を有する基材を得る。
重量部)をメチルイソブチルケトン(97重量部)に溶
解して得た溶液をアクリル系樹脂板〔スミペックスE0
00、厚み2mm〕の表面にバーコーター(5#)を用
いて塗布後、風乾し、紫外線を照射すれば、屈折率(n
2)1.689の被膜を有する基材を得る。
ェイエスアール(株)製、「JM5022」、固形分の含
有量は3%、溶剤はメチルイソブチルケトン〕100重
量部と、高屈折率硬化被膜を与え得る化合物〔ビス(4
−メタクロイルチオフェニル)スルフィド〕3重量部と
をマグネチックスターラーで10分間攪拌して反射防止
被膜形成組成物を得た。なお、ビス(4−メタクロイル
チオフェニル)スルフィドをアクリル系樹脂板〔スミペ
ックスE000〕塗布後硬化して得る被膜の表面自由エ
ネルギーは、低屈折率硬化被膜を与え得る化合物を含有
する溶液〔JM5022〕を塗布後硬化して得られる被
膜の表面自由エネルギーよりも小さい。この反射防止被
膜形成組成物をアクリル系樹脂板〔住友化学工業(株)
製、「スミペックスE000」、厚み2mm〕の一方の
面にバーコーター(5#)を用いて塗布後、風乾し、紫
外線を照射して、多層(2層)の反射防止層を有する低
反射基材を得た。
ルテープ〔ニチバン(株)製、「ビニールテープVT−5
0」〕を貼り、分光光度計〔島津製作所製、「MCP−
3100」〕を用いて、反射防止被膜が形成された側の
面から入射角5°(鉛直方向を0°とした値)における
絶対鏡面反射測定を行ったところ、Y値〔JIS Z8
722〕は0.89であった。各波長における反射率
(アルミニウム板の反射率を100%とする絶対鏡面反
射率)をプロットした図1に示す。
射率をプロットした図である。
Claims (4)
- 【請求項1】低屈折率硬化被膜を与え得る化合物と、高
屈折率硬化被膜を与え得る化合物とを含有する反射防止
被膜形成組成物であって、低屈折率硬化被膜を与え得る
化合物が硬化されてなる被膜の表面自由エネルギーが高
屈折率硬化被膜を与え得る化合物が硬化されてなる被膜
の表面自由エネルギーよりも小さいことを特徴とする反
射防止被膜形成組成物。 - 【請求項2】低屈折率硬化被膜を与え得る化合物が硬化
されてなる被膜の屈折率と、高屈折率硬化被膜を与え得
る化合物が硬化されてなる被膜の屈折率との差が0.1
以上である請求項1に記載の反射防止被膜形成組成物。 - 【請求項3】請求項1に記載の反射防止被膜形成組成物
が塗布後、硬化されてなる反射防止被膜。 - 【請求項4】請求項3に記載の反射防止被膜が基材の表
面に形成されてなる低反射基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227990A JP2000053921A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 反射防止被膜形成組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227990A JP2000053921A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 反射防止被膜形成組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000053921A true JP2000053921A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16869450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10227990A Pending JP2000053921A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 反射防止被膜形成組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000053921A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515100A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | エルジー・ケム・リミテッド | 反射防止コーティング組成物およびこれを用いて製造された反射防止フィルム |
| US7879530B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective coating composition, antireflective coating, and patterning process |
| KR101044113B1 (ko) | 2007-11-13 | 2011-06-28 | 주식회사 엘지화학 | 반사방지 코팅 조성물 및 이것을 이용하여 제조된 반사방지필름 |
| JP2012168416A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | 反射防止フィルムの製造方法、反射防止フィルム、塗布組成物 |
| US8313890B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective coating composition, antireflective coating, and patterning process |
| US8951917B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-02-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming resist underlayer film and patterning process using the same |
| US9069247B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist lower layer film-forming composition containing the same, and patterning process |
| US9075309B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process |
| US9176382B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming titanium-containing resist underlayer film and patterning process |
| US9188866B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming titanium-containing resist underlayer film and patterning process |
| US9315670B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming resist underlayer film and patterning process |
| JP2016085883A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 有機金属材料および方法 |
| US9377690B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compositon for forming metal oxide-containing film and patterning process |
-
1998
- 1998-08-12 JP JP10227990A patent/JP2000053921A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515100A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | エルジー・ケム・リミテッド | 反射防止コーティング組成物およびこれを用いて製造された反射防止フィルム |
| US8213086B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-07-03 | Lg Chem, Ltd. | Coating composition for antireflection with resistance and antireflection characteristic and antireflection film prepared by using the same |
| US7879530B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective coating composition, antireflective coating, and patterning process |
| KR101044113B1 (ko) | 2007-11-13 | 2011-06-28 | 주식회사 엘지화학 | 반사방지 코팅 조성물 및 이것을 이용하여 제조된 반사방지필름 |
| US8313890B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective coating composition, antireflective coating, and patterning process |
| JP2012168416A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | 反射防止フィルムの製造方法、反射防止フィルム、塗布組成物 |
| US8951917B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-02-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming resist underlayer film and patterning process using the same |
| US9069247B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist lower layer film-forming composition containing the same, and patterning process |
| US9075309B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process |
| US9377690B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Compositon for forming metal oxide-containing film and patterning process |
| US9315670B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming resist underlayer film and patterning process |
| US9176382B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming titanium-containing resist underlayer film and patterning process |
| US9188866B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming titanium-containing resist underlayer film and patterning process |
| JP2016085883A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 有機金属材料および方法 |
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