JP2000051687A

JP2000051687A - 堆積膜形成方法及び装置

Info

Publication number: JP2000051687A
Application number: JP10241125A
Authority: JP
Inventors: Toshiyasu Shirasago; 寿康白砂; Hitoshi Murayama; 仁村山; Tatsuji Okamura; 竜次岡村; Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山; Kazuhiko Takada; 和彦高田; Tatsuyuki Aoike; 達行青池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-08-12
Filing date: 1998-08-12
Publication date: 2000-02-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【解決手段】減圧可能な反応容器１１１１内に複数の円
筒状基体１１１２を同一円周上に配置し、該反応容器内
に成膜用原料ガスを導入するガス導入手段１１１５と、
高周波電力を前記反応容器内に導入する高周波電力導入
手段１１１６とを有し、該高周波電力によって前記成膜
用原料ガスを分解することにより、前記円筒状基体上に
膜堆積を行なう高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置において、前記高周波電力導入手段は、前記円筒
状基体の配置円内において、該円筒状基体の長手方向に
略平行に配置され、一端が電源に接続された内部電極１
１１６Ａと、前記円筒状基体の配置円外に配置された複
数の外部電極１１１６Ｂと、前記内部電極の電源接続側
の逆側と前記複数の外部電極とを接続する補助電極１１
１６Ｃとからなる。【効果】極めて優れた、電気的特性、光学的特性、光
導電特性、画像特性、耐久性、均一性および使用環境特
性を示す光受容部材を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基体上に堆積膜、とり
わけ機能性堆積膜、特に半導体デバイス、電子写真用光
受容部材、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、
光起電力デバイスなどに用いる、半導体膜（機能性堆積
膜）を形成するプラズマＣＶＤによる堆積膜形成方法及
び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス、電子写真用感光
体、画像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、光起電
力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素
子などに用いる素子部材として、アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）、例えば水素原子（Ｈ）または／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）（例えばフッ素、塩素など）で補償され
たアモルファスシリコン［以下、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）
と略記する］のような非単結晶質の堆積膜が提案され、
その中のいくつかは実用に付されている。そして、こう
した堆積膜は、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波、あるいはマイクロ波によるグロー
放電によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フ
ィルム、ステンレス、アルミニウムなどの基体上に堆積
膜を形成する方法により形成され、そのための装置も各
種提案されている。

【０００３】そうした堆積膜形成装置の一例として、図
６［図６（Ａ）及び図６（Ｂ）］に示す高周波プラズマ
ＣＶＤ法による堆積膜形成装置（以下、「高周波プラズ
マＣＶＤ装置」と略称する）を挙げることができる。図
６（Ａ）は、高周波プラズマＣＶＤ装置全体の構成を模
式的に示す図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）におけ
る線Ｘ−Ｘ′での模式的断面図である。図６［図６
（Ａ）及び図６（Ｂ）］に示す高周波プラズマＣＶＤ装
置は、大別すると、堆積装置６１００、原料ガスの供給
系６２００、反応容器６１１１内を減圧にするための排
気装置６３００から構成されている。堆積装置６１００
の反応容器６１１１内には、基体ホルダー６１１３に装
着された円筒状基体６１１２、基体加熱用ヒーター６１
１４、原料ガス導入管６１１５、及び高周波電力導入用
電極６１１６が設置されている。電極６１１６は、高周
波マッチングボックス６１１８を介して高周波電源６１
１７に接続されている。原料ガス供給系６２００は、Ｓ
ｉＨ₄，ＧｅＨ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆，ＰＨ₃などの原
料ガスのボンベ（図示せず）とバルブ（図示せず）およ
びマスフローコントローラー（図示せず）から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ６２６０を介して反応
容器６１１１内のガス導入管６１１５に接続されてい
る。

【０００４】図６に示す高周波プラズマＣＶＤ装置を用
いた成膜は、例えば以下のようにして行われる。図６
（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、反応容器６１１１
内に円筒状基体６１１２を設置し、排気バルブ６３１
１′を備えた排気管６３１１を介して反応容器６１１１
に連通した排気装置６３００（例えば拡散ポンプ）によ
り反応容器６１１１内を排気する。続いて、基体加熱用
ヒーター６１１４により円筒状基体６１１２の温度を５
０℃乃至４５０℃の所定の温度に制御する。円筒状基体
６１１２が所定の温度になったところで必要な原料ガス
をガス導入管６１１５を介して反応容器６１１１内に導
入する。次にマスフローコントローラー（図示せず）に
よって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。
その際、反応容器６１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の
所定の圧力になるように真空計（図示せず）をみながら
排気バルブ６３１１の開口を調整する。内圧が安定した
ところで、例えば周波数１０５ＭＨｚの高周波電源６１
１７を所望の電力に設定して、高周波マッチングボック
ス６１１８を介して反応容器６１１１内に高周波電力を
導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギー
によって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、
各円筒状基体６１１２上に所定の堆積膜が形成されると
ころとなる。所望の膜厚の堆積膜の形成が行われた後、
高周波電力の供給を止め、また反応容器への原料ガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数
回繰り返すことによって、所望の多層構造（例えば、光
受容層）を形成することができる。それぞれの層を形成
する際には必要な原料ガス用のバルブ以外のバルブはす
べて閉じられていることはいうまでもなく、また、成膜
後、原料ガスが反応容器６１１１内、および反応容器６
１１１に至る配管内に残留することを避けるために、排
気バルブ６３１１′を全開にして系内を一旦高真空に排
気する操作を必要に応じて行う。また、堆積膜形成中
は、モーター６１２０を駆動させ、ギヤー６１２１を介
して回転軸６１２２を回転させ各円筒状基体６１１２を
回転させることにより当該円筒状基体表面全体に亘って
均一な堆積膜を形成することができる。

【０００５】以上のようにして、例えば電子写真用光受
容部材のような大面積を有する堆積膜を形成する場合、
均一で良質な堆積膜を形成するため、また再現性および
生産性の向上のための装置構成も各種提案されている。
例えば、特開平６−２８７７６０号公報には、プラズマ
インピーダンス：Ｚｐ、カソード電極のインピーダン
ス：Ｚｃ、カソード電極を取り囲むアースシールドのイ
ンピーダンス：Ｚｓｈ、基体のホルダーのインピーダン
ス：Ｚａとし、各インピーダンス間で所定の関係を満た
すことにより、１３．５６ＭＨｚ以上の放電周波数を用
いてもプラズマ密度の均一化や膜厚分布の均一化を行え
る技術が開示されている。また、特開平８−２５３８６
５号公報には、反応容器内に複数の円筒状基体と、高周
波電力を印加する複数の電極を設置し、円筒状基体を囲
む電極は全て基体から等距離に配置することで、均一特
性の堆積膜を形成する技術が開示されている。更に、特
開平６−２４２６２４号公報には、周波数５０〜４５０
ＭＨｚの高周波電力を伴うことで膜質を向上させる技術
が開示されている。これらの技術により電子写真用光受
容部材の均一性および特性を向上させ、またその歩留を
向上することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の
光学露光系や、現像装置、転写装置の改良がなされた結
果、電子写真用光受容部材（以下、単に“光受容部材”
と称することもある）においても、従来以上の電子写真
特性の均一性の向上が求められるようになった。その
他、電子写真装置の高速化に対応し、複写プロセスのス
ピードアップもなされている。そのため、光受容部材の
特性の場所的バラツキといった問題は、従来のスピード
の複写システムにあっては必ずしも痛切ではなく場合に
よっては無視することもできた。しかし、レーザーなど
の可干渉光源を使用する高速の複写システムや、ファク
シミリシステム、プリンターシステムなどの高速連続画
像形成システム、特にデジタル高速連続画像システム、
さらには近年普及してきたフルカラー画像システムにお
いては、濃度むらなどは視覚的に明らかなものとなるた
め重大な問題であり、解決が望まれている。また、電子
写真装置の高画質、高速化、高耐久化は急速に進んでお
り、該装置に使用する光受容部材については電気的特性
や光導電特性の更なる向上とともに、帯電能、感度を維
持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延ばすことが求
められている。

【０００７】

【発明の目的】本発明の目的は、上述のごとき諸問題を
克服すると共に上述した要求を叶える光受容部材（特
に、電子写真用光受容部材）の実現を可能にする特性及
び均一性に優れた機能性堆積膜を効率的に形成できる成
膜方法及び装置を提供することにある。本発明の他の目
的は、所望の光受容部材の再現性及び生産性を向上し、
量産化を行う場合その歩留まりを飛躍的に向上させるこ
とを可能にするプラズマＣＶＤ法による成膜方法及び装
置を提供することにある。本発明の他の目的は、多様化
する光受容部材に対応し、安価に、かつ容易に、量産化
を行うことを可能にするプラズマＣＶＤ法による成膜方
法及び装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
課題を克服して、上記目的を達成すべく実験を介して鋭
意研究を行った。その結果、成膜技術、即ち、減圧可能
な反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に配置
し、該反応容器内に成膜用原料ガスを導入し、高周波電
力導入手段により高周波電力を前記反応容器内に導入
し、該高周波電力によってプラズマを生起せしめて前記
成膜用原料ガスを分解することにより、前記円筒状基体
上に堆積膜を行う成膜技術において、以下に述べるよう
な手だてを講ずることにより、所望の特性を有し且つ均
一性に優れた堆積膜を各円筒状基体上に効率的に形成で
き、これにより高品質の光受容部材（特に、電子写真用
光受容部材）を高歩留で多量生産することができること
が判った。即ち、前記高周波電力導入手段を、前記円筒
状基体の配置円内において、該円筒状基体の長手方向に
略平行に配置され、一端が電源に接続された内部電極
と、前記円筒状基体の配置円外に配置された外部電極
と、前記内部電極の電源接続側の逆側と前記複数の外部
電極とを接続する補助電極とからなり、該補助電極は、
前記高周波電力導入手段に高周波電力を印加し成膜用原
料ガスを分解した際に、該高周波電力導入手段近傍の電
界強度の弱い部分に位置するようにする。

【０００９】本発明は、以下に述べる堆積膜形成方法及
び装置を包含する。本発明の堆積膜形成方法は、減圧可
能な反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に配置
し、原料ガス導入手段により成膜用原料ガスを前記反応
容器内に導入し、高周波電力導入手段により高周波電力
を前記反応容器内に導入してプラズマを生起させて前記
成膜用原料ガスを分解することにより前記複数の円筒状
基体のそれぞれの上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法
であって、前記高周波電力導入手段は、前記円筒状基体
の配置円内において、該円筒状基体の長手方向に略平行
に配置され、一端が電源に接続された内部電極と、前記
円筒状基体の配置円外に配置された複数の外部電極と、
前記内部電極の電源接続側の逆側と前記複数の外部電極
とを接続する補助電極とからなり、さらに、前記高周波
電力導入手段に高周波電力を印加し成膜用原料ガスを分
解した際に、該高周波電力導入手段近傍の電界強度の弱
い部分が補助電極に位置するようにして前記堆積膜の形
成を行うことを特徴とするものである。本発明の堆積膜
形成装置は、減圧可能な反応容器と、該反応容器内に複
数の円筒状基体を同一円周上に配置するための基体保持
手段と、前記反応容器内に成膜用原料ガスを導入するた
めの原料ガス導入手段と、高周波電力を前記反応容器内
に導入するための高周波電力導入手段とを有し、前記原
料ガス導入手段を介して成膜用原料ガスを前記反応容器
内に導入すると共に前記高周波電力導入手段に高周波電
力を印加して前記反応容器内に導入し、プラズマを生起
せしめて前記成膜用原料ガスを分解することにより前記
複数の円筒状基体のそれぞれの上に堆積膜を形成する堆
積膜形成装置であって、前記高周波電力導入手段は、前
記円筒状基体の配置円内において、該円筒状基体の長手
方向に略平行に配置され、一端が電源に接続された内部
電極と、前記円筒状基体の配置円外に配置された複数の
外部電極と、前記内部電極の電源接続側の逆側と前記複
数の外部電極とを接続する補助電極とからなり、さら
に、前記高周波電力導入手段に高周波電力を印加し成膜
用原料ガスを分解した際に、該高周波電力導入手段近傍
の電界強度の弱い部分が補助電極に位置していることを
特徴とするものである。

【００１０】ところで、従来の成膜技術において、堆積
膜の特性を不均一にさせる要因として、原料ガスを分解
したときのプラズマの不均一が挙げられる。プラズマを
不均一にする要因として、次の２点が挙げられる。（１）電源から伝搬してきた高周波は、電極上で定在波
を形成する。この場合、電極先端は開放であるが、絶縁
体、プラズマなどのインピーダンスが複雑に影響しあ
い、その結果、放電空間内で電極上に波節の部分が形成
されていると推測される。その結果放電空間内で、電極
近傍の電界強度に不均一が発生し、プラズマを不均一に
すると考えられる。本発明者らの検討によると、堆積膜
の不均一性は、原料ガス（流量：Ｆｌｏｗ）に対する高
周波電力（Ｗａｔｔ）の割合（以下Ｗａｔｔ／Ｆｌｏｗ
と記載）をある程度上げることで緩和されるが、Ｗａｔ
ｔ／Ｆｌｏｗが低い場合には顕著化してくる傾向にあ
る。この原因は、Ｗａｔｔ／Ｆｌｏｗを上げることで波
節部以外のプラズマが強くなり、拡散によりある程度波
節部のプラズマの弱さを補うことができるが、Ｗａｔｔ
／Ｆｌｏｗを下げると波節部のプラズマの弱さを補えず
に不均一性が顕著化してくると考えられる。つまり、特
に波節の部分と他の部分で特性が大きく異なる傾向にあ
ると推測される。（２）電極を伝搬する高周波電圧は電極のインピーダン
スにより、伝搬するに従い減衰し、また、高周波電流は
プラズマに流れるため、同じく電極上を伝搬するに従い
高周波電圧はさらに減衰する。その結果電極上で高周波
電力の導入側と逆側で高周波電力の不均一が発生すると
考えられる。

【００１１】本発明によれば、上述したように、電源接
続側の逆側の電極の先端部から、円筒状基体の配置円外
まで伸びる補助電極を設けることにより、上記（２）の
原因による不均一を緩和することができると考えられ
る。つまり、伝搬するに従い電源接続側の逆側で減衰し
ていた高周波電力に、補助電極分の高周波電力が追加さ
れる。その結果、電極に沿って発生していた高周波電力
の不均一が緩和されると考えられる。さらに本発明によ
れば、高周波電力導入手段近傍の電界強度の弱い部分が
補助電極に位置しているため、上記（１）の原因による
不均一を緩和することができると考えられる。これら、
上記（１）及び（２）の不均一発生要因を緩和すること
で、その相乗効果として光受容部材の長手方向の特性の
均一性が大幅に向上する。

【００１２】また、本発明の構成による予期せぬ効果と
して、堆積膜で球状突起と呼ばれる構造欠陥の発生を低
減することが確認された。この原因に関しては定かでは
ないが以下のように考える。即ち、球状突起は基体表面
での付着物を核として成長を始めることが確認されてい
る。そのため、従来より成膜前の基体は厳密に洗浄さ
れ、クリンルームなどのダスト管理された環境により成
膜装置内に運搬されることにより、基体にダストが付着
することを極力避けるようにしてきた。このような清浄
な状態で成膜装置内に運搬された基体であっても、堆積
膜形成中においてダストが該基体に付着することがあ
る。即ち、放電空間内に原料ガスを導入し、電極により
高周波電力を導入することにより、原料ガスを分解し、
基体上に堆積膜を形成する際に、電極表面にも堆積膜が
堆積する。この堆積膜には、堆積膜形成時の自らの応
力、もしくは放電空間内でイオン衝撃によるエネルギー
を受けることにより、応力歪みが蓄積され、この応力歪
みがあるレベル以上蓄積されると、堆積膜が膜片となっ
て電極表面から剥がれ飛び、放電空間内に拡散し、その
一部が基体上に付着し、基体上の堆積膜を汚染し球状突
起が発生すると考えられる。また、従来の成膜装置にお
いては、高周波電力を印加する電極（カソード）の表面
積が、円筒状基体（アノード）の表面積に比べ小さいた
め、電極の表面電位はマイナス側に大きくシフトすると
考えられる。

【００１３】一方、本発明においては、高周波電力を印
加する電極の表面積が大幅に増加したことで、電極の表
面電位が変化していると考えられる。即ち、本発明にお
いては、高周波電力を印加する電極（カソード）の表面
積を大幅に増加し、円筒状基体（アノード）の表面積に
近づけたことで、電極の表面電位のマイナス側へのシフ
トが小さくなったと考えられる。その結果電極表面の堆
積膜が受けるイオン衝撃によるエネルギーが減少し、電
極表面の堆積膜の応力歪みが大幅に緩和されたと考えら
れる。同時に前述のように、電極近傍の電界強度の不均
一が緩和されるため、電極上に堆積する堆積膜の膜質の
均一性が向上し、これまでの膜質の不均一性から生じて
いた、応力歪みも緩和されると考えられる。これらの相
乗効果として、電極上の堆積膜の密着性が向上し、基体
上の堆積膜の汚染が減少すると考えられる。さらに、本
発明においては、電極の表面をセラミック材で被覆する
ことで、球状突起の生起をさらに減少させることができ
る。これは、セラミックは金属に比べて表面エネルギー
が大きいために堆積膜との付着力が大きくなるためと考
える。また、本発明によれば、大幅に改善された該特性
を有する光受容部材を効率的に製造できる。これは、外
部電極を円筒状基体の配置円外に配置することで、円筒
状基体の配置円外にもプラズマが広がり、円筒状基体の
配置円の外での原料ガスの分解過程、および円筒状基体
上での表面反応過程が改善され、円筒状基体の配置円の
外の位置で該基体上に堆積されていた堆積膜の膜質が向
上する。また、前述のように電極からの膜剥離を抑制す
ることで、放電を安定させることが可能となる。これに
より、大幅に改善された諸特性を有する所望の光受容部
材を再現性よく効率的に製造することができる。

【００１４】本発明においては、上述の外部電極は、円
筒状基体の配置円外において、該円筒状基体の長手方向
に略平行に配置するほうが、より効果的である。また、
高周波電力導入部は、導電性部材を母体とし、該部材の
表面をセラミック材で被覆するのが効果的である。該セ
ラミック材は、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＭｇＯ
のうちの少なくとも一つであるのが好ましい。更に、高
周波電力導入部を加熱または冷却する手段を設けるほう
が、効果的である。使用する高周波電力の周波数につい
ては、５０ＭＨｚ乃至４５０ＭＨｚの範囲とするのが望
ましい。

【００１５】以下、本発明を図面を用いて説明する。図
１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の高周波プラズマＣ
ＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を模式的に示す図で
ある。図１（Ａ）は堆積膜形成装置全体の構成を模式的
に示す図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）における線
Ｘ−Ｘ′での模式的断面図である。

【００１６】図１［図１（Ａ）及び図１（Ｂ）］に示す
堆積膜形成装置は、大別すると、堆積装置１１００、原
料ガスの供給系１２００、堆積装置１１００の反応容器
１１１１内を減圧にするための排気装置１３００から構
成されている。堆積装置１１００の反応容器１１１１内
には、基体加熱ヒーター１１１４を内部に有する基体ホ
ルダー１１１３に装着された円筒状基体１１１２、原料
ガス導入管１１１５、及び高周波電力導入手段１１１６
が設置されている。

【００１７】より詳しく説明するに、図１（Ａ）に示す
ように、反応容器１１１１内には、複数の基体ホルダー
１１１３が設けられ、それぞれの基体ホルダー上に円筒
状基体１１１２が配置されている。それぞれの基体ホル
ダー１１１３は、回転軸１１２２により支持され、該回
転軸は、駆動機構１１２１を介して駆動モーター１１２
０に連なっている。反応容器１１１１内に設けられたガ
ス導入管１１１５は、バルブ１１１９′を備えたガス供
給管１１１９を介して原料ガス供給系１２００に連通し
ている。反応容器１１１１は、排気管１３１１を備えて
おり、該排気管は排気バルブ１３１１′を備えていて排
気装置１３００（例えば、拡散ポンプなどの真空ポンプ
を有する）に連通している。

【００１８】高周波電力導入手段１１１６は、マッチン
グボックス１１１８を介して高周波電源１１１７に電気
的に接続されている。高周波電力導入手段１１１６は、
内部電極１１１６Ａ、外部電極１１１６Ｂ、及び補助電
極１１１６Ｃで構成されている。内部電極１１１６Ａ
は、同一円周上に配列された複数の円筒状基体１１１２
で包囲された内部空間１４００内で、該円筒状基体１１
１２の長手方向に略平行に配置されており、その一端は
高周波電源１１１７に電気的に接続され、他端は、反応
容器１１１１内で円筒状基体１１１２と同数の補助電極
１１１６Ｃに分岐接続されている。それぞれの補助電極
１１１６Ｃは、隣接する円筒状基体１１１２の間に位置
していて、同一円周上に配列された複数の円筒状基体１
１１２の外側の外部空間１５００に位置するように配置
された外部電極１１１６Ｂに接続されている。また、高
周波電力導入手段１１１６に高周波電力を印加し成膜用
原料ガスを分解した際に、高周波電力導入手段１１１６
近傍の電界強度の弱い部分は、内部電極１１１６Ａと外
部電極１１１６Ｂを接続する補助電極１１１６Ｃに位置
している。また外部電極１１１６Ｂの先端には、インピ
ーダンス調整手段１９００が設けられている。

【００１９】原料ガス供給系１２００は、ＳｉＨ₄，Ｇ
ｅＨ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆，ＰＨ₃などの原料ガスのボ
ンベ（図示せず）、バルブ（図示せず）、及びマスフロ
ーコントローラー（図示せず）から構成され、各原料ガ
スのボンベはバルブ１１１９′を備えたガス供給管１１
１９を介して反応容器１１１１内のガス導入管１１１５
に接続されている。ガス導入管１１１５は、複数のガス
放出孔（図示せず）を備えている。

【００２０】上述した構成の図１［図１（Ａ）及び図１
（Ｂ）］に示す堆積膜形成装置による成膜は、例えば、
以下のように行われる。即ち、図１（Ａ）及び図１
（Ｂ）に示すように、反応容器１１１１内に複数の円筒
状基体１１１２を配置し、排気装置１３００（例えば拡
散ポンプ）により反応容器１１１１内を排気する。続い
て、ヒーター１１１４により円筒状基体１１１２の温度
を５０℃乃至４５０℃の所定の温度に制御する。円筒状
基体１１１２が所定の温度になったところで、必要な原
料ガスをガス導入管１１１５を介して反応容器１１１１
内に導入する。次にマスフローコントローラー（図示せ
ず）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整
する。その際、反応容器１１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ
以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）をみ
ながら排気バルブ１３１１′の開口を調整する。内圧が
安定したところで、例えば周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源１１１７を所望の電力に設定して、高周波マッチン
グボックス１１１８及び高周波電力導入手段１１１６を
介して反応容器１１１１内に高周波電力を導入し、グロ
ー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応
容器内に導入された原料ガスが分解され、各円筒状基体
１１１２上に所定の堆積膜が形成されるところとなる。
所望の膜厚の堆積膜形成が行われた後、高周波電力の供
給を止め、また反応容器への原料ガスの流入を止め、堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
により、所望の多層構造の層（例えば、光受容層）を形
成することができる。それぞれの層を形成する際には必
要な原料ガス用のバルブ以外のバルブはすべて閉じられ
ていることはいうまでもなく、また、成膜後、原料ガス
が反応容器１１１１内、及び反応容器１１１１に至る配
管内に残留することを避けるために、排気バルブ１３１
１′を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。また、堆積膜形成中は、モーター１１
２０を駆動させ、駆動機構１１２１を介して回転軸１１
２２を回転させることにより円筒状基体１１１２を回転
させるこにより当該円筒状基体表面全体に亘って均一な
堆積膜を形成することができる。

【００２１】図２［図２（Ａ）及び図２（Ｂ）］は、本
発明の高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の
他の一例を模式的に示す図である。図２（Ａ）は、堆積
膜形成装置全体の構成を模式的に示す図であり、図２
（Ｂ）は、図２（Ａ）における線Ｘ−Ｘ′での模式的断
面図である。図２［図２（Ａ）及び図２（Ｂ）］に示す
堆積膜形成装置は、図１［図１（Ａ）及び図１（Ｂ）］
に示す堆積膜装置における外部電極（１１１６Ｂ）とイ
ンピーダンス調整手段（１９００）を、図２（Ａ）に示
すように変更したものであり、その他の構成は図１の装
置と同じである。

【００２２】図２［図２（Ａ）及び図２（Ｂ）］に示す
堆積膜形成装置は、図１［図１（Ａ）及び図１（Ｂ）］
に示す堆積膜形成装置と同様で、大別して、堆積装置２
１００、原料ガスの供給系２２００、堆積装置２１００
の反応容器２１１１内を減圧にするための排気装置２３
００から構成されている。堆積装置２１００の反応容器
２１１１内には、基体加熱ヒーター２１１４を内部に有
する基体ホルダー２１１３に装着された円筒状基体２１
１２、原料ガス導入管２１１５、及び高周波電力導入手
段２１１６が設置されている。

【００２３】より詳しく説明するに、図２（Ａ）に示す
ように、反応容器２１１１内には、複数の基体ホルダー
２１１３が設けられ、それそれの基体ホルダー上に円筒
状基体２１１２が配置されている。それぞれの基体ホル
ダー２１１３は、回転軸２１２２により支持され、該回
転軸は、駆動機構２１２１を介して駆動モーター２１２
０に連なっている。反応容器２１１１内に設けられたガ
ス導入管２１１５は、バルブ２１１９′を備えたガス供
給管２１１９を介して原料ガス供給系２２００に連通し
ている。反応容器２１１１は、排気管２３１１を備えて
おり、該排気管は排気バルブ２３１１′を備えていて排
気装置２３００（例えば、拡散ポンプなどの真空ポンプ
を有する）に連通している。

【００２４】高周波電力導入手段２１１６は、マッチン
グボックス２１１８を介して高周波電源２１１７に電気
的に接続されている。高周波電力導入手段２１１６は、
内部電極２１１６Ａ、外部電極２１１６Ｂ、及び補助電
極２１１６Ｃで構成されている。内部電極２１１６Ａ
は、同一円周上に配列された複数の円筒状基体２１１２
で包囲された内部空間２４００内で、該円筒状基体２１
１２の長手方向に略平行に配置されており、その一端は
高周波電源２１１７に電気的に接続され、他端は、反応
容器２１１１内で円筒状基体２１１２と同数の補助電極
２１１６Ｃに分岐接続されている。それぞれの補助電極
２１１６Ｃは、隣接する円筒状基体２１１２の間に位置
していて、同一円周上に配列された複数の円筒状基体２
１１２の外側の外部空間２５００に位置するように配置
された外部電極２１１６Ｂに接続されている。外部電極
２１１６Ｂは、図２（Ａ）に示すように、前記外部空間
２５００において、円筒状基体２１１２の長手方向に略
平行に配置されている。そして、外部電極２１１６Ｂの
先端は、図２（Ａ）に示すように、反応容器２１１１の
外部に設けられたインピーダンス調整手段２９００に接
続している。また、高周波電力導入手段２１１６に高周
波電力を印加し成膜用原料ガスを分解した際に、高周波
電力導入手段２１１６近傍の電界強度の弱い部分は、内
部電極２１１６Ａと外部電極２１１６Ｂを接続する補助
電極２１１６Ｃに位置している。

【００２５】原料ガス供給系２２００は、ＳｉＨ₄，Ｇ
ｅＨ₄，Ｈ₂，Ｂ₂Ｈ₆，ＰＨ₃などの原料ガスのボンベ
（図示せず）、バルブ（図示せず）、及びマスフローコ
ントローラー（図示せず）から構成され、各原料ガスの
ボンベは、バルブ２１１９′を備えたガス供給管２１１
９を介して反応容器２１１１内のガス導入管２１１５に
接続されている。ガス導入管２１１５は、複数のガス放
出孔（図示せず）を備えている。

【００２６】上述した構成の図２［図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）］に示す積膜形成装置による成膜は、例えば、以
下のように行われる。即ち、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）
に示すように、反応容器２１１１内に複数の円筒状基体
２１１２を配置し、排気装置２３００（例えば拡散ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、ヒ
ーター２１１４により円筒状基体２１１２の温度を５０
℃乃至４５０℃の所定の温度に制御する。円筒状基体２
１１２が所定の温度になったところで、必要な原料ガス
をガス導入管２１１５を介して反応容器２１１１内に導
入する。次にマスフローコントローラー（図示せず）に
よって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。
その際、反応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の
所定の圧力になるように真空計（図示せず）をみながら
排気バルブ２３１１′の開口を調整する。内圧が安定し
たところで、例えば周波数１０５ＭＨｚの高周波電源２
１１７を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス２１１８及び高周波電力導入手段２１１６を介して
反応容器２１１１内に高周波電力を導入し、グロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、各円筒状基体２１１
２上に所定の堆積膜が形成されるところとなる。所望の
膜厚の堆積膜形成が行われた後、高周波電力の供給を止
め、また反応容器への原料ガスの流入を止め、堆積膜の
形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによ
り、所望の多層構造の層（例えば、光受容層）を形成す
ることができる。それぞれの層を形成する際には必要な
原料ガス用のバルブ以外のバルブはすべて閉じられてい
ることはいうまでもなく、また、成膜後、原料ガスが反
応容器２１１１内、及び反応容器２１１１に至る配管内
に残留することを避けるために、排気バルブ２３１１′
を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。また、堆積膜形成中は、モーター２１２０
を駆動させ、駆動機構２１２１を介して回転軸２１２２
を回転させることにより円筒状基体２１１２を回転させ
ることにより当該円筒状基体表面全体に亘って均一な堆
積膜を形成することができる。

【００２７】図５［図５（Ａ）及び図５（Ｂ）］は、本
発明の高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の
更なる一例を模式的に示す図である。図５（Ａ）は、堆
積膜形成装置全体の構成を模式的に示す図であり、図５
（Ｂ）は、図５（Ａ）における線Ｘ−Ｘ´での模式的断
面図である。図５［図５（Ａ）及び図５（Ｂ）］に示す
堆積膜形成装置は、図２［図２（Ａ）及び図２（Ｂ）］
に示す堆積膜形成装置における高周波電力導入手段（２
１１６）の反応容器内での配列形態を図５（Ｂ）に示す
ように変更したものである。この変更点と、基体ホルダ
ーの数（即ち、円筒状基体の数）を増やし、ガス導入管
を内部空間（５４００）のみならず外部空間（５４０
０）にも配設した点以外は、図２に示す構成と同様であ
る。

【００２８】図５［図５（Ａ）及び図５（Ｂ）］におい
て、５１１１は反応容器、５１１２は円筒状基体、５１
１３は基体ホルダー、５１１４は基体加熱ヒーター、５
１１５はガス導入管、５１１６は高周波電力導入手段を
それぞれ示す。５１１９はバルブ５１１９′を備えたガ
ス供給管であり、該ガス供給管５１１９は、その一端は
原料ガス供給系５２００に連通し、他端は反応容器５１
１１内のガス導入管５１１５に連通している。原料ガス
供給系は、ＳｉＨ₄，ＧｅＨ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆，Ｐ
Ｈ₃などの原料ガスのボンベ（図示せず）、バルブ（図
示せず）、及びマスフローコントローラー（図示せず）
から構成されている。５３１１は、排気管であり、反応
容器５１１１内に開口している。排気管５３１１は、排
気バルブ５３１１′を備えていて、排気装置５３００
（例えば、拡散ポンプなどの真空ポンプを有する）に連
通している。円筒状基体５１１２が配置された基体ホル
ダーは、回転軸５１２２により保持され、該回転軸５１
２２は駆動機構５１２１を介して駆動モーター５１２０
に連なっている。なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示
すように、反応容器５１１１内には、１０個の円筒状基
体５１１２がそれぞれ基体ホルダー５１１３上に保持さ
れて同一円周上に間欠的に配列され、該円筒状基体によ
り包囲された内部空間５４００が形成される。５５００
は、同一円周上に配列された円筒状基体５１１２の外側
の外部空間である。本例の堆積膜形成装置においては、
図５（Ｂ）に示すように、前記内部空間５４００及び外
部空間５５００のそれぞれに、複数本のガス導入管５１
１５が配設されている。これらのガス導入管５１１５
は、それぞれ、複数のガス放出孔（図示せず）を備えて
いる。

【００２９】高周波電力導入手段５１１６は、マッチン
グボックス５１１８を介して高周波電源５１１７に電気
的に接続されている。高周波電力導入手段５１１６は、
内部電極５１１６Ａ、外部電極５１１６Ｂ、及び補助電
極５１１６Ｃで構成されている。内部電極５１１６Ａ
は、同一円周上に配列された円筒状基体５１１２で包囲
された内部空間５４００内で、該円筒状基体５１１２の
長手方向に略平行に配置されており、その一端は高周波
電源５１１７に電気的に接続され、他端は、反応容器５
１１１内で、円筒状基体５１１２の数の１／２に相当す
る数の補助電極５１１６Ｃに分岐接続している［図５
（Ｂ）参照］。補助電極５１１６Ｃはそれぞれ、図５
（Ｂ）に示すように、２つの隣接する円筒状基体５１１
２からなる組について、それぞれの隣接する組の間に位
置していて、同一円周上に配列された円筒状基体５１１
２の外側の外部空間５５００に位置するように配置され
た外部電極５１１６Ｂに接続されている。外部電極５１
１６Ｂは、図５（Ａ）に示すように、前記外部空間５５
００において、円筒状基体５１１２の長手方向に略平行
に配置されている。そして、外部電極５１１６Ｂの先端
は、図５（Ａ）に示すように、反応容器５１１１の外部
に設けられたインピーダンス調整手段５９００に接続し
ている。また、高周波電力導入手段５１１６に高周波電
力を印加し成膜用原料ガスを分解した際に、高周波電力
導入手段５１１６近傍の電界強度の弱い部分は、内部電
極５１１６Ａと外部電極５１１６Ｂを接続する補助電極
５１１６Ｃに位置している。

【００３０】上述した構成の図５［図５（Ａ）及び図５
（Ｂ）］に示す堆積膜形成装置による成膜は、例えば、
以下のように行われる。即ち、図５（Ａ）及び図５
（Ｂ）に示すように、反応容器５１１１内に複数の円筒
状基体５１１２を配置し、排気装置５３００（例えば拡
散ポンプ）により反応容器５１１１内を排気する。続い
て、ヒーター５１１４により円筒状基体５１１２の温度
を５０℃乃至４５０℃の所定の温度に制御する。円筒状
基体５１１２が所定の温度になったところで、必要な原
料ガスをガス導入管５１１５を介して反応容器５１１１
内に導入する。次にマスフローコントローラー（図示せ
ず）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整
する。その際、反応容器５１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ
以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見
ながら排気バルブ５３１１′の開口を調整する。内圧が
安定したところで、例えば周波数１０５ＭＨｚの高周波
電源５１１７を所望の電力に設定して、高周波マッチン
グボックス５１１８及び高周波電力導入手段５１１６を
介して反応容器５１１１内に高周波電力を導入し、グロ
ー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応
容器内に導入された原料ガスが分解され、各円筒状基体
５１１２上に所定の堆積膜が形成されるところとなる。
所望の膜厚の堆積膜形成が行われた後、高周波電力の供
給を止め、また反応容器への原料ガスの流入を止め、堆
積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すこと
により、所望の多層構造の層（例えば、光受容層）を形
成することができる。それぞれの層を形成する際には必
要な原料ガス用のバルブ以外のバルブはすべて閉じられ
ていることはいうまでもなく、また、成膜後、原料ガス
が反応容器５１１１内及び反応容器５１１１に至る配管
内に残留することを避けるために、排気バルブ５３１
１′を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。また、堆積膜形成中は、モーター５１
２０を駆動させ、駆動機構５１２１を介して回転軸５１
２２を回転させることにより円筒状基体５１１２を回転
させることにより当該円筒状基体表面全体に亘って均一
な堆積膜を形成することができる。

【００３１】本発明における、上述した高周波電力導入
手段（１１１６，２１１６，５１１６）について詳しく
説明する。本発明における、内部電極、外部電極及び補
助電極からなる高周波電力導入手段の材質は、導電性で
あればよく、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅなどの金属、及びこれ
らの合金、例えばステンレスなどを使用することができ
る。高周波電力導入手段を構成する内部電極、外部電極
及び補助電極の形状については、特に制限はなく、板
状、丸棒状、円筒状などが挙げられるが、放電の均一性
の面から、丸棒状、円筒状が好ましい。また、内部電
極、外部電極、補助電極は同一の形状で構成されてもよ
く、或いは別々の形状で構成されていてもよい。外部電
極は、上述したように、同一円周上に配列された円筒状
基体の配列の外側の外部空間（１５００，２５００，５
５００）に配置されていれば特に制限はないが、図２に
示すように、円筒状基体の長手方向に略平行に配置され
ているほうが、長手方向の特性の均一性の面で好まし
い。本発明における高周波電力導入手段（１１１６，２
１１６，５１１６）の形成方法に関しては、特に制限は
ない。即ち、内部電極、外部電極及び補助電極を一体的
に形成して高周波電力導入手段とすることができる。或
いは、内部電極、外部電極、補助電極を各々形成後、そ
れぞれを、溶接、ネジ止めなどで接続させて高周波電力
導入手段としてもよい。

【００３２】電界強度の弱い部分を、内部電極と外部電
極の間の補助電極に位置させる手段に関しては、特に制
限はないが、高周波電力導入手段の先端あるいは途中で
コンデンサーなどにより容量インピーダンス成分で調整
を行う手段、あるいは高周波電力導入手段の材質（例え
ば、非磁性材料と磁性材料）や太さ、形状、長さにより
インダクダンス成分で調整を行う手段などが挙げられる
が、装置の簡略性から、インダクダンス成分で調整を行
う手段が好ましく、特に、形状、長さでインダクダンス
成分の調整を行う手段が、簡易性の面から好ましい。ま
た、高周波電力導入手段を加熱または冷却する手段を設
けることにより、高周波電力導入手段とその上に堆積す
る膜との付着力を高め、より膜剥がれを防止することも
できる。高周波電力導入手段を加熱するか、冷却するか
は、使用する成膜用の原料ガス、形成する層に応じて
か、あるいは各成膜工程毎に必要に応じて選択すればよ
い。

【００３３】図４に、高周波電力導入手段に、該高周波
電力導入手段を冷却または加熱する手段を設ける場合の
例を示す。図４（Ａ）は、冷却手段を設ける場合の一例
を示す模式図であり、図４（Ｂ）は、加熱手段を設ける
場合の一例を示す模式図である。具体的には、図４
（Ａ）に示す例においては、内部電極４１１６Ａ、外部
電極４１１６Ｂ及び補助電極４１１６Ｃで構成される高
周波電力導入手段４１１６の内部を空洞とし、その中に
冷却手段４６００が設けられている。冷却手段４６００
は、パイプ状で、液体、気体などの冷却媒体を高周波電
力導入手段４１１６の内部に導入可能となっている。冷
却媒体導入部４６０２から導入された液体、気体など
は、パイプ状の冷却手段４６００の内部を通り、先端か
ら高周波電力導入手段４１１６の内部に矢印のように放
出され、高周波電力導入手段４１１６の内壁に沿って流
れていく。そして、高周波電力導入手段４１１６の一部
に設けられた排出部４６０１から、高周波電力導入手段
４１１６の外部に放出される。４６０３は絶縁体であ
り、冷却手段４６００と高周波電力導入手段４１１６を
絶縁する。冷却手段４６００は、吸熱体で構成されるも
のであれば特に制限されることはない。具体的には、液
体、気体などを冷却媒体として流すことができる冷却コ
イル、冷却板、冷却筒などが挙げられる。冷却手段４６
００の表面材質に関しても何ら制限はなくステンレス、
ニッケル、アルミニウム、銅などの金属類、セラミッ
ク、耐熱性高分子樹脂などを使用することができるが、
熱伝導性の優れた金属類が好ましい。

【００３４】図４（Ｂ）に示す例においては、高周波電
力導入手段４１１６の内部に加熱手段４７００が組み込
んであり、高周波電力導入手段４１１６と加熱手段４７
００の間は絶縁体４８００で絶縁されている。また、加
熱手段４７００は絶縁体４７０３の部分を介して高周波
電力導入手段４１１６の外部に導かれている。加熱手段
４７００の具体例としては、発熱体であれば特に制限さ
れることはない。具体的には、シース状ヒーターの巻き
付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーターなど
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプなど
の熱放射ランプ発熱体、液体、気体などを温度媒体とし
た熱交換手段による発熱体などが挙げられる。加熱手段
の表面材質に関しても何ら制限はなくステンレス、ニッ
ケル、アルミニウム、銅などの金属類、セラミック、耐
熱性高分子樹脂などを使用することができる。

【００３５】高周波電力導入手段（１１１６，２１１
６，５１１６）の表面をセラミック材で被覆するほう
が、該表面に堆積する膜の密着性の向上のために、好ま
しい。セラミック材で被覆方法としては、特に制限はな
いが、図３（Ａ）に示すように、例えばＡｌ₂Ｏ₃などの
セラミック材料からなる筒３５００を、高周波電力導入
手段３１１６の表面に密接するように装着してもよい。
さらに、図３（Ｂ）に示すように上記材料をＣＶＤ法、
メッキあるいは溶射手段などの表面コーティング法によ
り、高周波電力導入手段３１１６の表面にコーテイング
してもよい。図３（Ｂ）における３６００は、コーティ
ング材を示す。コーティング法のなかでも溶射手段は、
コスト面からあるいはコーティング対象物の大きさ形状
の制限を受けにくいためより好ましい。セラミック材
の、材質としては、特に制限はなく、例えば、Ａｌ
₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＭｇＯなど及びこれらの混
合材料が挙げられるが、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂などの耐酸
性の優れた材料が、基体上への堆積膜の形成において使
用する例えばハロゲン原子を含む化合物ガスなどに対す
る耐食性の面から好ましい。高周波電力導入手段の表面
を被覆するセラミック材の厚さは特に制限はないが、耐
久性および均一性を増すために、また製造コストの面か
ら、好ましくは１μｍ〜１０ｍｍの範囲であり、より好
ましくは１０μｍ〜５ｍｍの範囲である。

【００３６】本発明において、成膜に使用する基体とし
ては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支
持体としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，
Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅなどの金属、及びこ
れらの合金、例えばステンレスなどが挙げられる。ま
た、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアミドなどの合成樹脂のフィル
ムまたはシート、ガラス、セラミックなどの電気絶縁性
支持体の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電
処理した基体も用いることができる。本発明において使
用される基体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒
状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写真
用感光体を形成し得るように適宜決定するが、電子写真
用光受容部材としての可撓性が要求される場合には、基
体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、基体の製造上およ
び取り扱い上、機械的強度などの点から通常は１０μｍ
以上とされる。特にレーザー光などの可干渉性光を用い
て像記録を行う場合には、可視画像において現われる、
いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消
するために、基体の表面に凹凸を設けてもよい。基体の
表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号
公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８
５４号公報などに記載された公知の方法により形成でき
る。また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干
渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の方
法として、基体の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を設けてもよい。即ち、基体の表面が電子写真用感
光体に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しか
も該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。基
体の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により形成できる。

【００３７】上述した本発明の堆積膜形成装置を用い
て、例えば非晶質シリコン系の堆積膜を形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用
の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得
るＸ供給用の原料ガスを、反応容器内に所望のガス状態
で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あ
らかじめ所定の位置に設置されてある所定の基体上にａ
−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなる堆積膜（層）を形成する。

【００３８】上述したＳｉ供給用ガスとなり得る物質と
しては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀など
のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、これらの
中、層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さなど
の点でＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆が特に好ましいものである。
形成される堆積膜中に水素原子を構造的に導入し、水素
原子の導入割合の制御を一層容易になるようにして所望
の膜特性を得るためには、これらのＳｉ供給用ガスに更
にＨ₂および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して膜形成するのがよい。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複合種混
合しても差し支えない。使用するハロゲン原子（Ｘ）供
給用の原料ガスとしては、例えば、ハロゲンガス、ハロ
ゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体などのガス状のまたはガス化
し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。この他、
シリコン原子（Ｓｉ）とハロゲン原子（Ｘ）とを構成要
素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子
（Ｘ）を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げ
ることができる。そうしたハロゲン化合物としては、弗
素ガス（Ｆ₂），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃，ＢｒＦ₃，
ＢｒＦ₅，ＩＦ₃，ＩＦ₇などのハロゲン間化合物を挙げ
ることができる。ハロゲン原子（Ｘ）を含む珪素化合
物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、具体的には、例えば、ＳｉＦ₄，Ｓｉ₂Ｆ₆など
の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
堆積膜中に含有される水素原子または／及びハロゲン原
子の量を制御するには、例えば基体の温度、水素原子ま
たは／及びハロゲン原子を含有させるために使用される
原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力などを制
御すればよい。

【００３９】形成する堆積膜には必要に応じて伝導性を
制御する原子を含有させることができる。伝導性を制御
する原子は、堆積膜中に万遍なく均一に分布した状態で
含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分
布状態で含有している部分があってもよい。前記伝導性
を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆ
る不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周
期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族
原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律
表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記
する）を用いることができる。第ＩＩＩｂ族原子として
は、具体的には、硼素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），
ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ），タリウム（Ｔ
ｌ）などがあり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第
Ｖｂ族原子としては、具体的には、燐（Ｐ），砒素（Ａ
ｓ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂｉ）などがあ
り、特にＰ，Ａｓが好適である。堆積膜に含有される伝
導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×
１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１
０^-2〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１
×１０³原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【００４０】伝導性を制御する原子、例えば、第ＩＩＩ
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を堆積膜中に構造的に導
入するには、堆積膜形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質を
ガス状態で反応容器中に、堆積膜を形成するための他の
ガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導
入用の原料物質あるいは第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料
物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ族原
子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用
としては、Ｂ₂Ｈ₆，Ｂ₄Ｈ₁₀，Ｂ₅Ｈ₉，Ｂ₅Ｈ₁₀，Ｂ₆Ｈ
₁₁，Ｂ₆Ｈ₁₂，Ｂ₆Ｈ₁₄などの水素化硼素、ＢＦ₃，ＢＣ
ｌ₃，ＢＢｒ₃ などのハロゲン化硼素などが挙げられ
る。この他、ＡｌＣｌ₃，ＧａＣｌ₃，Ｇａ（ＣＨ₃）₃，
ＩｎＣｌ₃，ＴｌＣｌ₃なども挙げることができる。第Ｖ
ｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるの
は、燐原子導入用としては、ＰＨ₃，Ｐ₂Ｈ₄などの水素
化燐、ＰＨ₄Ｉ，ＰＦ₃，ＰＦ₅，ＰＣｌ₃，ＰＣｌ₅，Ｐ
Ｂｒ₃，ＰＢｒ₅，ＰＩ₃などのハロゲン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ₃，ＡｓＦ₃，ＡｓＣｌ₃，ＡｓＢ
ｒ₃，ＡｓＦ₅，ＳｂＨ₃，ＳｂＦ₃，ＳｂＦ₅，ＳｂＣ
ｌ₃，ＳｂＣｌ₅，ＢｉＨ₃，ＢｉＣｌ₃，ＢｉＢｒ₃など
も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。また、これらの伝導性を制御する原
子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／または
Ｈｅにより希釈して使用してもよい。

【００４１】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する堆積膜を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガ
スとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに
支持体温度を適宜設定することが必要である。希釈ガス
として使用するＨ₂および／またはＨｅの流量は、層設
計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給
用ガスに対しＨ₂および／またはＨｅを、通常の場合１
〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜１０倍
の範囲に制御することが望ましい。反応容器内のガス圧
も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、通常の場合１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは
５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏ
ｒｒとするのが好ましい。放電電力もまた同様に層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用
のガスの流量に対する放電電力を、通常の場合１〜２０
倍、好ましくは２．５〜１８倍、最適には３〜１５倍の
範囲に設定することが望ましい。さらに、基体の温度
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
通常の場合２００〜３５０℃とするのが望ましい。本発
明においては、堆積膜を形成するための基体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として上記範囲が挙げられるが、
これらの条件は通常は独立的に別々に決められるもので
はなく、所望の特性を有する堆積膜を形成すべく相互的
且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【００４２】本発明では、高周波導入手段に高周波電力
を印加することによって、原料ガスを分解する。本発明
に使用できる高周波電力の周波数は特に制限はないが、
本発明者らの実験によれば、周波数が５０ＭＨｚ未満の
場合は、条件によっては放電が不安定となり、堆積膜の
形成条件に制限が生じる場合があった。この他放電の不
安定が原因と考えられる特性の不均一が発生する場合が
あった。４５０ＭＨｚより大きいと、高周波電力の伝送
特性が悪化し、場合によってグロー放電を発生させるこ
と自体が困難になることがあった。この他、伝送特性の
悪化による電力導入側と逆側での特性の不均一が発生す
ることがあった。したがって５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ
の周波数範囲が最適である。高周波の波形については、
いずれのものでも差し支えないが、サイン波、矩形波な
どが適する。

【００４３】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。

【００４４】

【実施例１】図１に示した堆積膜形成装置を用い、長さ
３５８ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製
シリンダー（円筒状基体）上に、前述した図１の装置を
使用する場合の成膜手法に従って表１に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。本実施例においては、高
周波電力導入部には、ステンレスを用い、高周波電力の
周波数は１０５ＭＨｚを用いた。

【００４５】

【比較例１】図６に示した堆積膜形成装置を用いた以外
は、実験例１と同様にして電子写真用光受容部材を作製
した。

【００４６】

【評価】実施例１及び比較例１で得られた電子写真用光
受容部材（以下、単に光受容部材という）のそれぞれを
帯電能、長手方向帯電能むら、ゴーストメモリー、球状
突起数、白ポチについて以下の手法で評価した。

【００４７】

【帯電能】光受容部材を電子写真装置（キヤノン製ＮＰ
６７５０をテスト用に高速に改造）にセットし、帯電器
に８００μＡの電流を流し、コロナ帯電を行い、表面電
位計により電子写真用光受容部材の暗部表面電位を測定
する。この時の値をもって、帯電能とする。

【００４８】

【長手方向帯電能むら】長手方向に前述の方法で帯電能
を１１個所測定し、１１個所の帯電能の最大値と最小値
の差をもって、長手方向帯電能むらとする。

【００４９】

【ゴーストメモリー】前記電子写真装置に光受容部材を
セットし、キヤノン製ゴーストテストチャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．１、φ５ｍｍの
黒丸を貼り付けたものを原稿台の画像先端部に置き、そ
の上にキヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−
９０４２）を重ねて置いた際のコピー画像において、中
間コピー上に認められるゴーストチャートのφ５ｍｍの
反射濃度と中間調部分の反射濃度の差を測定する。この
時の差をゴーストメモリーとする。

【００５０】

【球状突起数】光受容部材の表面全域を光学顕微鏡で観
察し、１０ｃｍ²の面積内での直径１５μｍ以上の球状
突起の個数を調べる。得られる個数を球状突起数とす
る。

【００５１】

【白ポチ】前記電子写真装置に光受容部材をセットし、
キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７
３）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー
画像の同一面内にある０．２ｍｍ以上の白ポチについて
個数を調べる。得られる結果をもって白ポチの評価とす
る。

【００５２】上記の評価で得られた結果を表２に示す。
表２においては、比較例１について得られた値を１００
として、相対値で示されている。表２より明らかなよう
に、本発明の装置は、従来の装置に比べ特性の均一性が
よく、球状突起の発生数を低減することができる。さら
に、堆積膜の膜質を向上することができ、その結果、帯
電能、ゴーストメモリーなどの電子写真特性を向上させ
ることができる。

【００５３】

【実施例２】図２に示した堆積膜形成装置を用い、長さ
３５８ｍｍ、外径φ８０ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製
シリンダー（円筒状基体）上に、前述した図２の装置を
使用する場合の成膜手法に従って表１に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。本実施例においては、高
周波電力導入手段には、ステンレスを用い、高周波電力
の周波数は１０５ＭＨｚを用いた。

【００５４】

【比較例２】図６に示した堆積膜形成装置を用いた以外
は、実験例２と同様にして電子写真用光受容部材を作製
した。

【００５５】

【評価】実施例２及び比較例２で得られた電子写真用光
受容部材（以下、単に光受容部材という）のそれぞれ
を、帯電能、長手方向帯電能むら、ゴーストメモリー、
球状突起数、白ポチについて上述した評価手法で評価し
た。得られた結果を表３に示す。表３においては、比較
例２について得られた値を１００として、相対値で示さ
れている。表３より明らかなように、本発明の装置は、
従来の装置に比べ特性の均一性がよく、球状突起の発生
数を低減することができる。さらに、堆積膜の膜質を向
上することができ、その結果、帯電能、ゴーストメモリ
ーなどの電子写真特性を向上させることができる。ま
た、外部補助電極を、円筒状基体の配列の外側におい
て、該円筒状基体の長手方向に略平行に配置するほう
が、均一性の面で特に効果的であることが理解される。

【００５６】

【実施例３】図１に示した堆積膜形成装置を用い、実施
例１と同様に電子写真用光受容部材（以下、単に光受容
部材という）を作製した。本実施例においては、表面に
セラミック材料を被覆した以下の二種の高周波電力導入
手段を用い、それぞれの高周波電力導入手段について光
受容部材の作製を行った。即ち、図３（Ａ）に示すよう
に、ステンレス製の高周波電力導入手段３１１６に厚さ
５ｍｍのＡｌ₂Ｏ₃セラミックからなる円筒３５００を装
着したものと、図３（Ｂ）に示すように、ステンレス製
の高周波電力導入手段３１１６の表面に、Ａｌ₂Ｏ₃とＴ
ｉＯ₂を３：２の割合で混合した成分を主成分とするセ
ラミックを厚さ１５０μｍになるよう溶射したものとを
使用した。

【００５７】

【比較例３】図６に示した堆積膜形成を用い、比較例１
と同様にして電子写真用光受容部材（以下、単に光受容
部材という）を作製した。

【００５８】

【評価】実施例３で得られた光受容部材と比較例３で得
られた光受容部材のそれぞれを、上述した評価手法で帯
電能、長手方向帯電能むら、ゴーストメモリー、球状突
起数、白ポチについて評価した。得られた結果を表４に
示す。表４においては、比較例３について得られた値を
１００として、相対値で示されている。表４より明らか
なように、本発明の装置は、従来の装置に比べ特性の均
一性がよく、球状突起の発生数を低減することができ
る。さらに、堆積膜の膜質を向上することができ、その
結果、帯電能、ゴーストメモリーなどの電子写真特性を
向上させることができる。また、本発明の装置におい
て、高周波電力導入手段の表面をセラミック材で被覆す
ることにより、球状突起の発生数を大幅に低減すること
ができる。

【００５９】

【実施例４】図１に示した堆積膜形成装置を用い、表５
に示した条件で実施例１と同様に電子写真用光受容部材
を作製した。本実施例においては、高周波電力導入手段
１１１６として、図４（Ａ）に示すような冷却手段を備
えた高周波電力導入手段を用いた。即ち、図４（Ａ）に
示すように、ステンレス製の高周波電力導入手段４１１
６の内部を空洞とし、中に冷却ａｉｒ導入用の絶縁パイ
プ４６００が設けられ、絶縁パイプ４６００の内部を通
った冷却ａｉｒは、先端から高周波電力導入手段４１１
６の内部に矢印のように放出され、高周波電力導入手段
４１１６の内壁に沿って流れ、最後に外部に放出され
る。冷却ａｉｒは電荷注入阻止層、光導電層形成の際に
導入した。

【００６０】

【比較例４】図６に示した堆積膜形成装置を用い、高周
波導入手段６１１６には、ステンレス製の丸棒を用い、
表５に示した条件で電子写真用光受容部材を作製した。

【００６１】

【評価】実施例４及び比較例４で得られた電子写真用光
受容部材を、上述した評価手法で、帯電能、長手方向帯
電能むら、ゴーストメモリー、球状突起数、白ポチにつ
いて評価した。得られた結果を表６に示す。表６におい
ては、比較例４について得られた値を１００として、相
対値で示されている。表６より明らかなように、本発明
の装置は、従来の装置に比べ特性の均一性がよく、球状
突起の発生数を低減することができる。さらに、堆積膜
の膜質を向上することができ、その結果、帯電能、ゴー
ストメモリーなどの電子写真特性を向上させることがで
きる。また、高周波電力導入手段に冷却手段を設けるこ
とで、球状突起の抑制に特に効果的である。

【００６２】

【実施例５】図１に示した堆積膜形成装置を用い、表５
に示した条件で実施例１と同様に電子写真用光受容部材
を作製した。本実施例においては、高周波電力導入手段
１１１６に図４（Ｂ）のような加熱手段を備えた高周波
電力導入手段を用いた。即ち、図４（Ｂ）に示すよう
に、ステンレス製の高周波電力導入手段４１１６の内部
にシースヒーター４７００が組み込んであり、高周波電
力導入手段４１１６とシースヒーター４７００の間は絶
縁体４８００で絶縁されている。高周波電力導入手段４
１１６の加熱は、円筒状基体の加熱時に行い、高周波電
力導入手段４１１６が２３０℃になるよう行った。そし
て、堆積膜形成中は、ヒーター４７００はＯＦＦにし
た。

【００６３】

【比較例５】図６に示した堆積膜形成装置を用い、高周
波導入手段６１１６には、ステンレス製の丸棒を用いた
以外は、実施例５と同様にして電子写真用光受容部材を
作製した。

【００６４】

【評価】実施例５及び比較例５で得られた電子写真用光
受容部材を、上述した評価手法で、帯電能、長手方向帯
電能むら、ゴーストメモリー、球状突起数、白ポチにつ
いて評価した。得られた結果を表７に示す。表７におい
ては、比較例５について得られた値を１００として、相
対値で示されている。表７より明らかなように、本発明
の装置は、従来の装置に比べ特性の均一性がよく、球状
突起の発生数を低減することができる。さらに、堆積膜
の膜質を向上することができ、その結果、帯電能、ゴー
ストメモリーなどの電子写真特性を向上させることがで
きる。また、高周波電力導入手段に加熱手段を設けるこ
とで、球状突起の抑制に特に効果的である。

【００６５】

【実施例６】図１に示した堆積膜形成装置を用い、使用
する高周波電力の周波数を表８に示すように４０ＭＨｚ
〜５００ＭＨｚとし、それぞれの周波数で実施例１と同
様にして電子写真用光受容部材を作製した。得られた電
子写真用光受容部材を、上述した評価手法で、帯電能、
長手方向帯電能むら、ゴーストメモリー、球状突起数、
白ポチについて評価した。得られた結果を、表８に示
す。表８から明らかなように、５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨ
ｚ範囲においてはいずれも良好な結果が得られた。

【００６６】

【実施例７】図５に示した堆積膜形成装置を用い、長さ
３５８ｍｍ、外径φ３０ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製
シリンダー（円筒状基体）上に、前述した図５の装置を
使用する場合の成膜手法に従って表９に示す条件で電子
写真用光受容部材を作製した。本実施例において高周波
電力導入手段には、ステンレスを用い、表面には、Ａｌ
₂Ｏ₃製円筒で被覆した。また高周波電力の周波数は１０
５ＭＨｚを用いた。さらに原料ガスは、円筒状基体の配
列の内側（内部空間）とその外側（外部空間）に設けた
ガス導入管５１１５から反応容器内に導入した。作製し
た電子写真用光受容部材を、電子写真装置（キヤノン製
ＮＰ６０３０をテスト用に改造）にセットし、上述した
評価手法により、帯電能、長手方向帯電能むら、ゴース
トメモリー、球状突起数、白ポチについて評価したとこ
ろ、実施例１同様良好な結果が得られた。

【００６７】

【表１】

【００６８】

【表２】

【００６９】

【表３】

【００７０】

【表４】

【００７１】

【表５】

【００７２】

【表６】

【００７３】

【表７】

【００７４】

【表８】

【００７５】

【表９】

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、従来の光受容部材にお
ける諸問題を解決することができ、特に極めて優れた、
電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久
性、均一性および使用環境特性を示す光受容部材を形成
することができる。特に、上述したように、高周波プラ
ズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置において、使用する
高周波電力導入手段を、円筒状基体の配列円内におい
て、該円筒状基体の長手方向に略平行に配置され、一端
が電源に接続された内部電極と、前記円筒状基体の配置
円外に配置された複数の外部電極と、前記内部電極の電
源接続側の逆側と前記複数の外部電極とを接続する補助
電極とで構成し、さらに、前記高周波電力導入手段に高
周波電力を印加し成膜用原料ガスを分解した際に、該高
周波電力導入手段近傍の電界強度の弱い部分が前記補助
電極に位置しているようにすることで、光受容部材の特
性の均一性を向上することができる。また、堆積膜の膜
特性を大幅に向上させることが可能となり、堆積膜、コ
ゴーストメモリー等の光受容部材の特性が向上する。ま
た、本発明の堆積膜形成装置は、球状突起の発生数を減
少させ、その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状ま
たは、黒点状の画像欠陥を大幅に減少させることができ
る。また、再現性の向上、膜の生産性を向上し、量産化
を行う場合その歩留まりを飛躍的に向上できる。さら
に、多様化する光受容部材に対応し、安価に、かつ容易
に、量産化を行うことを可能にできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の堆積膜形成装置の１例を模式的に示す
図である。

【図２】本発明の堆積膜形成装置の１例を模式的に示す
図である。

【図３】本発明の堆積膜形成装置における高周波電力導
入手段の表面被覆手段の例を模式的に示す図である。

【図４】本発明の堆積膜形成装置における高周波電力導
入手段の冷却または加熱手段の例を模式的に示す図であ
る。

【図５】本発明の堆積膜形成装置の１例を模式的に示す
図である。

【図６】従来の堆積膜形成装置の１例を模式的に示す図
である。

【符号の説明】

１１１１，２１１１，５１１１，６１１１反応容器１１１２，２１１２，５１１２，６１１２円筒状支持
体１１１３，２１１３，５１１３，６１１３支持体保持
手段１１１４，２１１４，５１１４，６１１４，４７００
加熱手段４６００冷却手段１１１５，２１１５，５１１５，６１１５ガス導入管１１１６，２１１６，３１１６，４１１６，５１１６，
６１１６高周波導入手段１１１７，２１１７，５１１７，６１１７電源１１１８，２１１８，５１１８，６１１８マッチング
ボックス１１１９，２１１９，５１１９，６１１９原料ガス配
管１２００，２２００，５２００，６２００原料ガス供
給システム１９００，２９００，５９００インピーダンス調整手
段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡村竜次東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者秋山和敬東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者高田和彦東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者青池達行東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 BC04 CA02 CA03 CA25 CA47 EA01 EB01 EC21 FB04 FC11 4K030 CA14 FA03 GA07 KA04 KA05 KA14 KA19 KA22 LA15 LA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基
体を同一円周上に配置し、原料ガス導入手段により成膜
用原料ガスを前記反応容器内に導入し、高周波電力導入
手段により高周波電力を前記反応容器内に導入してプラ
ズマを生起させて前記成膜用原料ガスを分解することに
より前記複数の円筒状基体のそれぞれの上に堆積膜を形
成する堆積膜形成方法であって、前記高周波電力導入手
段は、前記円筒状基体の配置円内において、該円筒状基
体の長手方向に略平行に配置され、一端が電源に接続さ
れた内部電極と、前記円筒状基体の配置円外に配置され
た複数の外部電極と、前記内部電極の電源接続側の逆側
と前記複数の外部電極とを接続する補助電極とからな
り、さらに、前記高周波電力導入手段に高周波電力を印
加し成膜用原料ガスを分解した際に、該高周波電力導入
手段近傍の電界強度の弱い部分が補助電極に位置するよ
うにして前記堆積膜の形成を行うことを特徴とする堆積
膜形成方法。
【請求項２】前記外部電極が、前記円筒状基体の配置
円外において、該円筒状基体の長手方向に略平行に配置
されていることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形
成方法。
【請求項３】前記高周波電力導入手段の高周波電力導
入部が、導電性部材を母体とし、該部材の表面をセラミ
ック材で被覆した構成であることを特徴とする請求項１
または２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】前記セラミック材が、Ａｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ
₂，Ｃｒ₂Ｏ₃、及びＭｇＯのうちの少なくとも一つであ
ることを特徴とする請求項３に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】前記高周波電力導入手段は、その高周波
電力導入部を加熱または冷却する手段を有することを特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の堆積膜形成
方法。
【請求項６】前記高周波電力は、周波数が５０〜４５
０ＭＨｚであることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れかに記載の堆積膜形成方法。
【請求項７】減圧可能な反応容器と、該反応容器内に
複数の円筒状基体を同一円周上に配置するための基体保
持手段と、前記反応容器内に成膜用原料ガスを導入する
ための原料ガス導入手段と、高周波電力を前記反応容器
内に導入するための高周波電力導入手段とを有し、前記
原料ガス導入手段を介して成膜用原料ガスを前記反応容
器内に導入すると共に前記高周波電力導入手段に高周波
電力を印加して前記反応容器内に導入し、プラズマを生
起せしめて前記成膜用原料ガスを分解することにより前
記複数の円筒状基体のそれぞれの上に堆積膜を形成する
堆積膜形成装置であって、前記高周波電力導入手段は、
前記円筒状基体の配置円内において、該円筒状基体の長
手方向に略平行に配置され、一端が電源に接続された内
部電極と、前記円筒状基体の配置円外に配置された複数
の外部電極と、前記内部電極の電源接続側の逆側と前記
複数の外部電極とを接続する補助電極とからなり、さら
に、前記高周波電力導入手段に高周波電力を印加し成膜
用原料ガスを分解した際に、該高周波電力導入手段近傍
の電界強度の弱い部分が補助電極に位置していることを
特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項８】前記外部電極が、前記円筒状基体の配置
円外において、該円筒状基体の長手方向に略平行に配置
されていることを特徴とする請求項７に記載の堆積膜形
成装置。
【請求項９】前記高周波電力導入手段の高周波電力導
入部が、導電性部材を母体とし、該部材の表面をセラミ
ック材で被覆した構成であることを特徴とする請求項７
または８に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】前記セラミック材が、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｔｉ
Ｏ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃、及びＭｇＯのうちの少なくとも一つで
あることを特徴とする請求項９に記載の堆積膜形成装
置。
【請求項１１】前記高周波電力導入手段は、その高周
波電力導入部を加熱または冷却する手段を有することを
特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の堆積膜
形成装置。
【請求項１２】前記高周波電力導入手段に印加する前
記高周波電力は、周波数が５０〜４５０ＭＨｚであるこ
とを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の堆
積膜形成装置。