[go: up one dir, main page]

JP2000040964A - Comparison circuit and AD conversion circuit - Google Patents

Comparison circuit and AD conversion circuit

Info

Publication number
JP2000040964A
JP2000040964A JP10208782A JP20878298A JP2000040964A JP 2000040964 A JP2000040964 A JP 2000040964A JP 10208782 A JP10208782 A JP 10208782A JP 20878298 A JP20878298 A JP 20878298A JP 2000040964 A JP2000040964 A JP 2000040964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
comparison
amplifier circuit
output
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10208782A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshito Habuka
敏人 羽深
Hiroyuki Yonetani
浩幸 米谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP10208782A priority Critical patent/JP2000040964A/en
Publication of JP2000040964A publication Critical patent/JP2000040964A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のCMOSインバータ型増幅回路を用い
た比較回路を備えた逐次比較型AD変換回路において
は、変換動作の最終段階でローカルDA変換回の出力が
アナログ入力とほぼ等しくなるので、増幅回路の入力電
圧は論理しきい値に近付いて貫通電流が流れる時間が長
いため消費電力が多いという課題があった。 【解決手段】 CMOSインバータ型増幅回路(AM
P)と、該増幅回路の入出力端子間に接続された第1の
スイッチ手段(SW2)と、前記増幅回路の入力端子と
アナログ入力端子との間に接続されたサンプリング容量
(Cs)と、該サンプリング容量の一方の端子に上記ア
ナログ入力端子の電圧または比較電圧を選択的に供給可
能な切換えスイッチ手段(SW1)とからなる比較回路
(CMP)において、上記増幅回路を構成するMOSF
ETと直列に第2のスイッチ手段(MP4,MN4)を
接続して、このスイッチ手段を上記サンプリング容量へ
のアナログ入力のサンプリング期間中および上記増幅回
路の入力の安定期間のみ導通させて増幅動作を行なわせ
るように構成した。
(57) Abstract: In a successive approximation type AD conversion circuit including a comparison circuit using a conventional CMOS inverter type amplifier circuit, an output of a local DA conversion is almost equal to an analog input at a final stage of a conversion operation. Therefore, there is a problem that the input voltage of the amplifier circuit approaches the logic threshold value and the through current flows for a long time, so that the power consumption is large. SOLUTION: A CMOS inverter type amplifier circuit (AM)
P), a first switch means (SW2) connected between the input and output terminals of the amplifier circuit, a sampling capacitor (Cs) connected between the input terminal and the analog input terminal of the amplifier circuit, In a comparison circuit (CMP) comprising a switching switch means (SW1) capable of selectively supplying a voltage of the analog input terminal or a comparison voltage to one terminal of the sampling capacitor, a MOSF constituting the amplification circuit
The second switch means (MP4, MN4) is connected in series with the ET, and this switch means is turned on only during the sampling period of the analog input to the sampling capacitor and during the stable period of the input of the amplifier circuit to perform the amplification operation. It was configured to do so.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、CMOS(相補型
MOSFET)インバータ型の増幅回路を用いた比較回
路の低消費電力化技術に関し、例えば逐次比較型AD変
換回路を構成する比較回路に利用して有効な技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for reducing the power consumption of a comparison circuit using a CMOS (complementary MOSFET) inverter type amplifier circuit, and is used, for example, for a comparison circuit constituting a successive approximation type AD conversion circuit. Effective technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、逐次比較型AD変換回路を構成す
る比較回路として、例えば図6に示すような回路があ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a comparison circuit constituting a successive approximation type AD conversion circuit, for example, there is a circuit as shown in FIG.

【0003】図6に示されている比較回路は、電源電圧
端子間に直列形態に接続されたpチャネルMOSFET
MP1とnチャネルMOSFET MN1からなるC
MOSインバータ型増幅回路AMPのゲート入力端子側
にサンプリング容量Csおよび切換えスイッチSW1を
接続するとともに、入出力端子間にスイッチSW2を設
け、このスイッチSW2をオンさせた状態でスイッチS
W1を入力端子INa側に接続して、アナログ入力Vin
と増幅回路(インバータ)AMPの論理しきい値電圧V
LTとの差電圧を容量Csにチャージし、その後スイッチ
SW2をオフ状態にして増幅回路AMPの入出力端子間
をオープンとしてスイッチSW1を比較電圧Vcの入力
端子INc側に切り換えることにより、アナログ入力信
号Vinと比較電圧Vcとの比較を行ない、比較結果を増
幅して出力する。
The comparison circuit shown in FIG. 6 is a p-channel MOSFET connected in series between power supply voltage terminals.
C composed of MP1 and n-channel MOSFET MN1
The sampling capacitor Cs and the changeover switch SW1 are connected to the gate input terminal side of the MOS inverter type amplifier circuit AMP, and a switch SW2 is provided between the input and output terminals.
W1 is connected to the input terminal INa side, and the analog input Vin
And the logic threshold voltage V of the amplifier circuit (inverter) AMP
The capacitor Cs is charged with a voltage difference from LT, then the switch SW2 is turned off to open the input / output terminals of the amplifier circuit AMP, and the switch SW1 is switched to the input terminal INc side of the comparison voltage Vc, thereby obtaining an analog input signal. The comparison between Vin and the comparison voltage Vc is performed, and the comparison result is amplified and output.

【0004】具体的には、直前に容量Csにチャージし
た電圧Vinよりも比較電圧Vcの方が低ければ増幅回路
AMPの入力電圧は論理しきい値よりも低いため出力は
ハイレベルになり、直前に容量Csにチャージした電圧
Vinよりも比較電圧Vcの方が高ければ増幅回路AMP
の入力電圧は論理しきい値よりも高いため出力はロウレ
ベルになるので、アナログ入力電圧Vinと比較電圧Vc
との大小に応じた出力が得られるというものである。そ
して、この比較結果は、クロックCKに同期してラッチ
動作を行なうラッチ回路LTHにラッチされる。
More specifically, if the comparison voltage Vc is lower than the voltage Vin charged to the capacitor Cs immediately before, the input voltage of the amplifier circuit AMP is lower than the logical threshold, and the output becomes high level. If the comparison voltage Vc is higher than the voltage Vin charged in the capacitor Cs, the amplifier circuit AMP
Since the input voltage is higher than the logical threshold, the output becomes low level, so that the analog input voltage Vin and the comparison voltage Vc
The output according to the magnitude of the above is obtained. The comparison result is latched by a latch circuit LTH that performs a latch operation in synchronization with the clock CK.

【0005】図7は図6の比較回路を逐次比較型AD変
換回路に利用したときの動作波形を示す。図6の逐次比
較型AD変換回路においては、スイッチSW1の比較電
圧側に比較回路CMPによる比較結果をDA変換するロ
ーカルDA変換回路LDACからの電圧(ステップ状に
変化する電圧)が順次供給される。図7においては、タ
イミングt3,t5,t7にて増幅回路AMPの出力が
ラッチ回路LTHにラッチされるため、ローカルDA変
換回路LDACからの電圧が変化し、これに応じて増幅
回路AMPの入力端子(ノードA)の電位も変化してい
る。
FIG. 7 shows operation waveforms when the comparison circuit of FIG. 6 is used in a successive approximation type AD conversion circuit. In the successive approximation type A / D conversion circuit of FIG. 6, a voltage (a voltage that changes in a step-like manner) is sequentially supplied to a comparison voltage side of the switch SW1 from a local D / A conversion circuit LDAC that performs D / A conversion of a comparison result by the comparison circuit CMP. . In FIG. 7, since the output of the amplifier circuit AMP is latched by the latch circuit LTH at timings t3, t5, and t7, the voltage from the local DA conversion circuit LDAC changes, and the input terminal of the amplifier circuit AMP is correspondingly changed. The potential of (node A) is also changing.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図6に示されている比
較回路を利用した逐次比較型AD変換回路においては、
変換動作の最終段階(図7の期間Tc3)でローカルDA
変換回路LDACの出力がアナログ入力とほぼ等しくな
るので、増幅回路の入力電圧は論理しきい値に近付き、
その結果MOSFET MP1,MN1に貫通電流が流
れてしまう。
In the successive approximation type AD conversion circuit using the comparison circuit shown in FIG.
At the final stage of the conversion operation (period Tc3 in FIG. 7), the local DA
Since the output of the conversion circuit LDAC becomes almost equal to the analog input, the input voltage of the amplifier circuit approaches the logic threshold,
As a result, a through current flows through the MOSFETs MP1 and MN1.

【0007】このように、図6の比較回路は貫通電流が
流れる時間が長く消費電力が多いとともに、貫通電流が
流れる際に電源電圧にノイズが発生してそれが電源配線
を経由して他の回路に悪影響を与えるおそれがあるとい
う問題点があることが明らかとなった。
As described above, the comparison circuit shown in FIG. 6 has a long time for the through current to flow and consumes a large amount of power. In addition, when the through current flows, noise is generated in the power supply voltage. It became clear that there was a problem that the circuit could be adversely affected.

【0008】この発明の目的は、低消費電力、低ノイズ
の比較回路を提供することにある。この発明の他の目的
は、CMOSインバータ型の増幅回路を用いた比較回路
の貫通電流を防止して、この比較回路を含む逐次比較型
AD変換回路の低消費電力化および低ノイズ化を図るこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a comparison circuit with low power consumption and low noise. It is another object of the present invention to prevent a through current of a comparison circuit using a CMOS inverter type amplifier circuit, and to reduce power consumption and noise of a successive approximation A / D conversion circuit including the comparison circuit. It is in.

【0009】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面
から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0011】すなわち、直列形態のpチャネルMOSF
ETおよびnチャネルMOSFETからなるCMOSイ
ンバータ型の増幅回路と、該増幅回路の入出力端子間に
接続された第1のスイッチ手段と、上記増幅回路の入力
端子とアナログ入力端子との間に接続されたサンプリン
グ容量と、該サンプリング容量の一方の端子に上記アナ
ログ入力端子の電圧または比較電圧を選択的に供給可能
な切換えスイッチ手段とからなる比較回路において、上
記増幅回路を構成するMOSFETと直列に第2のスイ
ッチ手段を接続して、このスイッチ手段を上記サンプリ
ング容量へのアナログ入力のサンプリング期間中および
上記増幅回路の入力の安定期間のみ導通させて増幅動作
を行なわせるように構成したものである。
That is, a serial p-channel MOSF
A CMOS inverter-type amplifier circuit composed of an ET and an n-channel MOSFET; first switch means connected between input / output terminals of the amplifier circuit; and an input terminal connected to an analog input terminal of the amplifier circuit. And a changeover switch means for selectively supplying a voltage of the analog input terminal or a comparison voltage to one terminal of the sampling capacitor. The second switch means is connected, and the switch means is turned on only during the sampling period of the analog input to the sampling capacitor and only during the stable period of the input of the amplifier circuit to perform the amplification operation.

【0012】上記した手段によれば、不要な期間は増幅
回路の電流経路が遮断されるため、アナログ入力と比較
電圧との電位差が小さくて直列形態のpチャネルMOS
FETおよびnチャネルMOSFETが共にオン状態に
されるような場合にも貫通電流が流れるのを防止するこ
とができ、これによって低消費電力化および低ノイズ化
を図るという上記目的を達成することができる。
According to the above-mentioned means, the current path of the amplifier circuit is cut off during an unnecessary period, so that the potential difference between the analog input and the comparison voltage is small, and the p-channel MOS transistor of the serial type is used.
Even when both the FET and the n-channel MOSFET are turned on, it is possible to prevent a through current from flowing, thereby achieving the object of reducing power consumption and noise. .

【0013】また、上記増幅回路の次段にラッチ回路を
設け、該ラッチ回路と上記第2のスイッチ手段を同一の
信号(クロック信号)で制御するように構成する。これ
によって、新たに設けた電流遮断用のスイッチ手段の制
御信号を容易に形成することができる。
Further, a latch circuit is provided at the next stage of the amplifier circuit, and the latch circuit and the second switch means are controlled by the same signal (clock signal). This makes it possible to easily form a control signal for the newly provided current cutoff switch means.

【0014】さらに、上記電流遮断用の第2のスイッチ
手段は、増幅回路を構成する直列形態のpチャネルMO
SFETおよびnチャネルMOSFETのそれぞれの側
に設けるようにする。これにより、増幅回路の出力がハ
イレベルへ変化するときとロウレベルへ変化するときの
動作特性をほぼ同じにすることができ、増幅回路の特性
バランスを良くすることができる。
Further, the second switch means for interrupting the current is a p-channel MO of a serial form constituting an amplifier circuit.
It is provided on each side of the SFET and the n-channel MOSFET. As a result, the operating characteristics when the output of the amplifier circuit changes to a high level and when the output changes to a low level can be made substantially the same, and the characteristic balance of the amplifier circuit can be improved.

【0015】なお、上記増幅回路は1段のみならず2段
あるいは3段以上縦続接続させても良い。そして、その
場合には、各増幅回路に貫通電流防止用のスイッチ手段
を接続する。
The amplifier circuit may be connected not only in one stage but also in two or three or more stages. In that case, a switch means for preventing a through current is connected to each amplifier circuit.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明に係る比較回路を用いた逐
次比較型AD変換回路の一実施例を示す。図1に示され
ているAD変換回路は、アナログ入力端子INaに入力
されたアナログ入力Vinと比較側入力端子INcに入力
された比較電圧Vcを比較する比較回路CMPと、該比
較回路CMPの出力をラッチするラッチ回路LTHと、
該ラッチ回路LTHの複数ビットの出力に基づいてコー
ドを形成するコード形成回路CDCと、コード形成回路
CDCから出力されるコードをDA変換して上記比較電
圧Vcを形成するローカルDA変換回路LDACとによ
り構成されている。
FIG. 1 shows an embodiment of a successive approximation type AD conversion circuit using a comparison circuit according to the present invention. The AD conversion circuit shown in FIG. 1 includes a comparison circuit CMP that compares an analog input Vin input to an analog input terminal INa with a comparison voltage Vc input to a comparison-side input terminal INc, and an output of the comparison circuit CMP. A latch circuit LTH for latching
A code forming circuit CDC for forming a code based on a plurality of bits output from the latch circuit LTH, and a local DA converting circuit LDAC for DA converting the code output from the code forming circuit CDC and forming the comparison voltage Vc. It is configured.

【0018】上記コード形成回路CDCは、使用するロ
ーカルDA変換回路LDACにより発生するコードが決
定されるもので、例えば簡単なシフトレジスタにより構
成される場合もある。
The code forming circuit CDC determines a code generated by a local DA conversion circuit LDAC to be used, and may be constituted by, for example, a simple shift register.

【0019】また、上記比較回路CMPは、電源電圧端
子間に直列形態に接続されたpチャネルMOSFET
MP1とnチャネルMOSFET MN1からなるCM
OSインバータ型増幅回路AMPと、該増幅回路AMP
のゲート入力端子とアナログ入力端子INaとの間に接
続されたサンプリング容量Csおよび切換えスイッチS
W1と、増幅回路の入出力端子間に接続されたスイッチ
SW2と、上記pチャネルMOSFET MP1と電源
電圧端子Vccとの間に接続された電流遮断用のMOSF
ET MP4と、nチャネルMOSFET MN1と直
列形態に接続された電流遮断用のMOSFET MN4
とから構成されている。そして、これらの電流遮断用M
OSFET MP4,MN4は、上記ラッチ回路LTH
を動作させるクロックCKとそれをインバータINVで
反転した信号によって制御されるように構成されてい
る。
The comparison circuit CMP includes a p-channel MOSFET connected in series between power supply voltage terminals.
CM consisting of MP1 and n-channel MOSFET MN1
OS inverter type amplifier circuit AMP and said amplifier circuit AMP
Capacitor Cs and changeover switch S connected between the gate input terminal of
W1, a switch SW2 connected between the input and output terminals of the amplifier circuit, and a current cutoff MOSF connected between the p-channel MOSFET MP1 and the power supply voltage terminal Vcc.
ET MP4 and current blocking MOSFET MN4 connected in series with n-channel MOSFET MN1
It is composed of And these current interrupting M
OSFETs MP4 and MN4 are connected to the latch circuit LTH.
Is controlled by a clock CK for operating the clock signal and a signal obtained by inverting the clock CK by an inverter INV.

【0020】この実施例の比較回路CMPは、スイッチ
SW2をオンさせた状態でスイッチSW1を入力端子I
Na側に接続して、アナログ入力Vinと増幅回路(イン
バータ)AMPの論理しきい値電圧VLTとの差電圧をサ
ンプリング容量Csにチャージし、その後スイッチSW
2をオフ状態にして増幅回路AMPの入出力端子間をオ
ープンとしてスイッチSW1を比較電圧Vcの入力端子
INc側に切り換えることにより、アナログ入力信号V
inと比較電圧Vcとの比較を行ない、比較結果を増幅し
て出力する。
In the comparison circuit CMP of this embodiment, the switch SW1 is connected to the input terminal I while the switch SW2 is turned on.
Na, and charges a sampling capacitor Cs with a difference voltage between the analog input Vin and the logical threshold voltage VLT of the amplifier circuit (inverter) AMP.
2 is turned off, the input and output terminals of the amplifier circuit AMP are opened, and the switch SW1 is switched to the input terminal INc side of the comparison voltage Vc.
In is compared with the comparison voltage Vc, and the comparison result is amplified and output.

【0021】具体的には、直前にサンプリング容量Cs
にチャージした電圧Vinよりも比較電圧Vcの方が低け
れば増幅回路AMPの入力電圧は論理しきい値よりも低
いため出力はハイレベルになり、直前にサンプリング容
量Csにチャージした電圧Vinよりも比較電圧Vcの方
が高ければ増幅回路AMPの入力電圧は論理しきい値よ
りも高いため出力はロウレベルになるので、アナログ入
力電圧Vinと比較電圧Vcとの大小に応じた出力が得ら
れるというものである。そして、この比較結果は、クロ
ックCKに同期してラッチ動作を行なうラッチ回路LT
Hにラッチされる。しかもこの実施例では、クロックC
Kによって上記電流遮断用のMOSFET MP4,M
N4を上記サンプリング容量Csへのアナログ入力のサ
ンプリング期間中および上記増幅回路AMPの入力が安
定する期間のみ導通させて増幅動作を行なわせるように
構成されている。
Specifically, the sampling capacitance Cs immediately before
If the comparison voltage Vc is lower than the voltage Vin charged to the amplifier circuit AMP, the input voltage of the amplifier circuit AMP is lower than the logical threshold, so that the output goes to a high level, and is compared with the voltage Vin charged to the sampling capacitor Cs immediately before. If the voltage Vc is higher, the input voltage of the amplifier circuit AMP is higher than the logical threshold and the output becomes low level, so that an output corresponding to the magnitude of the analog input voltage Vin and the comparison voltage Vc is obtained. is there. The result of the comparison is a latch circuit LT that performs a latch operation in synchronization with clock CK.
Latched to H. Moreover, in this embodiment, the clock C
The current interrupt MOSFETs MP4, M
N4 is turned on only during the sampling period of the analog input to the sampling capacitor Cs and during the period when the input of the amplifier circuit AMP is stabilized, so that the amplification operation is performed.

【0022】図2は図1に示されているAD変換回路の
動作波形を示す。
FIG. 2 shows operation waveforms of the AD conversion circuit shown in FIG.

【0023】この実施例のAD変換回路においては、先
ずスイッチSW2をオンさせてインバータ型増幅回路A
MPの入出力端子を短絡させた状態で、スイッチSW1
を入力端子INa側に接続する(期間Ts)。また、こ
のときクロックCKはロウレベルにされてスイッチMO
SFET MP4,MN4はオン状態にされる。する
と、増幅回路AMPの入出力端子が短絡されることによ
って、ノードAおよびBの電位は図2(b),(c)の
ように、インバータ(AMP)の論理しきい値電圧VLT
に変化する。従って、この間増幅回路AMPには貫通電
流が流れることとなる。
In the AD conversion circuit of this embodiment, first, the switch SW2 is turned on to turn on the inverter type amplification circuit A.
With the input / output terminal of MP short-circuited, switch SW1
Is connected to the input terminal INa side (period Ts). At this time, the clock CK is set to the low level and the switch MO
The SFETs MP4 and MN4 are turned on. Then, the input / output terminals of the amplifier circuit AMP are short-circuited, so that the potentials of the nodes A and B become the logical threshold voltage VLT of the inverter (AMP) as shown in FIGS.
Changes to Therefore, a through current flows through the amplifier circuit AMP during this time.

【0024】なお、図2には、ノードAの電位が接地電
位からVLTに近づく場合が示されているが、AD変換回
路の前の状態によって、破線で示すようにノードAの電
位が電源電圧Vcc側からVLTに近づく場合もある。そし
て、ノードAおよびBの電位がインバータ(AMP)の
論理しきい値電圧VLTにされることによって、アナログ
入力Vinと論理しきい値電圧VLTとの差電圧がサンプリ
ング容量Csにチャージされる。
FIG. 2 shows a case where the potential of node A approaches VLT from the ground potential. However, depending on the state before the AD conversion circuit, the potential of node A is changed to the power supply voltage as shown by a broken line. It may approach VLT from the Vcc side. Then, by setting the potentials of the nodes A and B to the logic threshold voltage VLT of the inverter (AMP), the difference voltage between the analog input Vin and the logic threshold voltage VLT is charged to the sampling capacitor Cs.

【0025】その後、クロックCKをハイレベルにさせ
MOSFET MP4,M4をオフさせかつスイッチS
W2をオフにして増幅回路AMPの入出力端子間をオー
プン状態としてスイッチSW1をローカルDA変換回路
LDACから供給される比較電圧Vcが入力されている
端子INc側に切り換える(タイミングt1)。する
と、アナログ入力信号Vinと比較電圧Vcの高低に応じ
て増幅回路AMPの入力すなわち図1のノードAの電位
が変化する(期間Tc1)。図2には、アナログ入力信号
Vinよりも比較電圧Vcの方が低かった場合が示されて
いる。
Thereafter, the clock CK is set to a high level to turn off the MOSFETs MP4 and M4, and the switch S
W2 is turned off to open the input and output terminals of the amplifier circuit AMP, and the switch SW1 is switched to the terminal INc to which the comparison voltage Vc supplied from the local DA converter LDAC is input (timing t1). Then, the input of the amplifier circuit AMP, that is, the potential of the node A in FIG. 1 changes according to the level of the analog input signal Vin and the level of the comparison voltage Vc (period Tc1). FIG. 2 shows a case where the comparison voltage Vc is lower than the analog input signal Vin.

【0026】そして、ノードAの電位が安定した頃を見
計らってクロックCKをロウレベルに変化させる。これ
によって、増幅回路AMPの出力すなわちノードBの電
位がハイレベルまたはロウレベル(ここではハイレベ
ル)に変化する(タイミングt2)。つまり、アナログ
入力信号Vinと比較電圧Vcとの比較を行なった結果が
ノードBに現れる。そして、この出力状態は、タイミン
グt3でクロックCKがハイレベルに変化されることに
よって後段のラッチ回路LTHにラッチされる。
Then, the clock CK is changed to a low level when the potential of the node A is stabilized. Thus, the output of the amplifier circuit AMP, that is, the potential of the node B changes to a high level or a low level (high level here) (timing t2). That is, the result of comparison between the analog input signal Vin and the comparison voltage Vc appears at the node B. The output state is latched by the subsequent latch circuit LTH by changing the clock CK to the high level at the timing t3.

【0027】上記ラッチ回路LTHのラッチ動作により
その出力が確定すると、その出力はコード形成回路CD
Cに供給されて新しいコードが発生されるため、ローカ
ルDA変換回路LDACの出力が変化する。そのため、
スイッチSW1を介してローカルDA変換回路LDAC
の出力電圧が容量Csに伝わりノードAの電位が変化す
る(期間Tc2)。この実施例のAD変換回路では比較回
路CMPでの比較動作ごとにローカルDA変換回路LD
ACの出力電圧は増幅回路AMPの論理しきい値VLTに
近づく(VLTとの電位差が小さくなる)ようにコード形
成回路CDCによるコードの生成が行われる。
When the output is determined by the latch operation of the latch circuit LTH, the output is output to the code forming circuit CD.
Since the new code is supplied to C and the new code is generated, the output of the local DA conversion circuit LDAC changes. for that reason,
Local DA conversion circuit LDAC via switch SW1
Is transmitted to the capacitor Cs, and the potential of the node A changes (period Tc2). In the AD conversion circuit of this embodiment, the local D / A conversion circuit LD is used for each comparison operation in the comparison circuit CMP.
The code is generated by the code forming circuit CDC so that the AC output voltage approaches the logical threshold value VLT of the amplifier circuit AMP (the potential difference from VLT becomes smaller).

【0028】そして、ノードAの電位が安定した頃に再
びクロックCKをロウレベルに変化させる。これによっ
て、増幅回路AMPの出力すなわちノードBの電位がハ
イレベルまたはロウレベル(ここではハイレベル)にな
る(タイミングt4)。そして、この出力状態は、タイ
ミングt5でクロックCKがハイレベルに変化されるこ
とによって後段のラッチ回路LTHにラッチされる。
Then, when the potential of the node A is stabilized, the clock CK is changed to the low level again. As a result, the output of the amplifier circuit AMP, that is, the potential of the node B becomes high level or low level (high level here) (timing t4). This output state is latched by the subsequent latch circuit LTH by changing the clock CK to the high level at the timing t5.

【0029】上記動作を繰り返すことによってノードA
の電位は徐々に増幅回路AMPの論理しきい値VLTに近
づいて行く。その結果、ラッチ回路LTHからはアナロ
グ入力VinをAD変換した結果(コード)が得られる。
しかも、AD変換動作の最終ステップになるほどノード
Aの電位は徐々に増幅回路AMPの論理しきい値VLTに
近づくため、増幅回路AMPには貫通電流が流れ易くな
る。しかるにこの実施例では、増幅回路AMPを構成す
るMOSFET MP1,MN1と直列にMOSFET
MP4,MN4を設けてクロックCKで制御し、各変
換ステップの最後の部分でのみ増幅回路AMPを活性化
させるようにしているため、図2(d)の期間Tc3のハ
ッチングの期間のような僅かな時間しか貫通電流が流れ
ないようになる。従来の比較回路を用いたAD変換回路
における同様な状態での貫通電流を示す図7(d)と比
較すると明らかなように、本実施例の比較回路を使用し
たAD変換回路では大幅に貫通電流が減少されることが
分かる。
By repeating the above operation, node A
Gradually approaches the logic threshold VLT of the amplifier circuit AMP. As a result, a result (code) obtained by AD-converting the analog input Vin is obtained from the latch circuit LTH.
In addition, since the potential of the node A gradually approaches the logical threshold value VLT of the amplifier circuit AMP as the final step of the AD conversion operation, a through current easily flows through the amplifier circuit AMP. However, in this embodiment, the MOSFETs MP1 and MN1 constituting the amplification circuit AMP are connected in series with the MOSFETs MP1 and MN1.
Since MP4 and MN4 are provided and controlled by the clock CK, and the amplifier circuit AMP is activated only in the last part of each conversion step, a slight period like the hatched period Tc3 in FIG. The through current will flow only for a short time. As is clear from comparison with FIG. 7D showing the through current in the same state in the AD converter circuit using the conventional comparison circuit, it is clear that the AD converter circuit using the comparison circuit of this embodiment has a large through current. It can be seen that is reduced.

【0030】なお、上記ラッチ回路LTHの出力は、上
記コード形成回路CDCに供給される他、出力を受ける
回路の構成に応じてそのまま直ちにAD変換結果として
インタフェース回路を介して出力されたり、あるいはシ
リアル−パラレル変換回路によってパラレルデータに変
換されてから出力される場合もある。
The output of the latch circuit LTH is supplied to the code forming circuit CDC, and is immediately output as an AD conversion result via an interface circuit as it is depending on the configuration of the circuit receiving the output, or the output of the latch circuit LTH is serially output. -In some cases, the data is output after being converted into parallel data by a parallel conversion circuit.

【0031】図3は、本発明に係る比較回路を用いた逐
次比較型AD変換回路の他の実施例を示す。この実施例
は、CMOSインバータ型増幅回路を3段縦続接続する
とともに、各増幅回路を構成するpチャネルMOSFE
T MP1,MP2,MP3と直列に電流遮断用のpチ
ャネルMOSFET MP4,MP5,MP6を、ま
た、各増幅回路を構成するnチャネルMOSFET M
N1,MN2,MN3と直列に電流遮断用のnチャネル
MOSFET MN4,MN5,MN6を、それぞれ接
続し、それらのスイッチMOSFET MP4,MP
5,MP6を、クロックCKにより、またMOSFET
MN4,MN5,MN6をクロックCKを反転するイ
ンバータINVの出力で制御するようにしたものであ
る。
FIG. 3 shows another embodiment of the successive approximation type AD conversion circuit using the comparison circuit according to the present invention. In this embodiment, a CMOS inverter type amplifier circuit is cascade-connected in three stages, and a p-channel MOSFET constituting each amplifier circuit is connected.
P-channel MOSFETs MP4, MP5, and MP6 for interrupting current in series with T MP1, MP2, and MP3, and n-channel MOSFETs M that constitute each amplifier circuit.
N1, MN2 and MN3 are connected in series with n-channel MOSFETs MN4, MN5 and MN6 for interrupting current, respectively, and their switch MOSFETs MP4 and MPN are connected.
5, MP6 by clock CK and MOSFET
MN4, MN5 and MN6 are controlled by the output of an inverter INV that inverts the clock CK.

【0032】この実施例の比較回路においても、第1の
実施例と同様にクロックCKがロウレベルの期間のみ各
増幅回路AMP1,AMP2,AMP3が活性化される
ため、比較回路の入力ノードAの電位が増幅回路AMP
の論理しきい値VLTに近づくAD変換動作の最終ステッ
プにおいても各増幅回路AMP1、AMP2、AMP3
に流れる貫通電流をさらに減少させることができ、電源
ノイズも低減させることができる。しかもこの実施例で
は、CMOSインバータ型増幅回路が3段縦続接続され
ているため、比較回路のゲインを高めることができる。
In the comparison circuit of this embodiment, as in the case of the first embodiment, the amplifier circuits AMP1, AMP2 and AMP3 are activated only during the period when the clock CK is at the low level. Is the amplifier circuit AMP
Of the amplifier circuits AMP1, AMP2, AMP3 also in the final step of the AD conversion operation approaching the logical threshold value VLT.
Can be further reduced, and power supply noise can also be reduced. Moreover, in this embodiment, since the CMOS inverter type amplifier circuits are cascaded in three stages, the gain of the comparison circuit can be increased.

【0033】次に、本発明に係る比較回路を備えたAD
変換回路を使用して好適なシステムの一例を説明する。
図5はCD(コンパクト・ディスク)やDVD(デジタ
ル・ビデオ・ディスク)などのディスク装置の概略構成
を示す。
Next, an AD having a comparison circuit according to the present invention will be described.
An example of a suitable system using a conversion circuit will be described.
FIG. 5 shows a schematic configuration of a disk device such as a CD (compact disk) and a DVD (digital video disk).

【0034】図5のディスク装置の構成を簡単に説明す
ると、50はディスク、51はディスクを回転させるス
ピンドルモータ、52はディスク50に記憶されたデー
タの読取り、書込みを行なうピックアップ、53はピッ
クアップ52の位置決め(トラッキング)用のスレッ
ド、54はスレッド53を駆動するモータ、55はピッ
クアップ52の焦点合わせ用のアクチュエータである。
The structure of the disk device shown in FIG. 5 will be described briefly. 50 is a disk, 51 is a spindle motor for rotating the disk, 52 is a pickup for reading and writing data stored in the disk 50, and 53 is a pickup 52 Is a thread for positioning (tracking), 54 is a motor for driving the thread 53, and 55 is an actuator for focusing the pickup 52.

【0035】上記実施例のAD変換回路は、上記ピック
アップ52からの信号(アナログ)をデジタル信号に変
換するのに使用される。AD変換回路56で変換された
信号は信号処理&制御回路57に供給されて制御用デー
タが計算され、DA変換回路58でアナログ信号に変換
されて上記スレッド駆動モータ54やフォーカス用のア
クチュエータ55に供給されて、フィードバック制御が
行われる。
The AD conversion circuit of the above embodiment is used to convert a signal (analog) from the pickup 52 into a digital signal. The signal converted by the AD conversion circuit 56 is supplied to a signal processing & control circuit 57, where control data is calculated. The signal is converted into an analog signal by a DA conversion circuit 58, and the converted signal is sent to the thread drive motor 54 and the focus actuator 55. Then, feedback control is performed.

【0036】なお、図5においては、AD変換回路56
は信号処理&制御回路57と別の半導体集積回路として
構成されている場合が示されているが、AD変換回路5
6と信号処理&制御回路57とを同一の半導体チップ上
に形成して1チップすることも可能である。
In FIG. 5, the AD conversion circuit 56
Shows a case where the signal processing and control circuit 57 is configured as a separate semiconductor integrated circuit from the A / D conversion circuit 5.
6 and the signal processing & control circuit 57 may be formed on the same semiconductor chip to form one chip.

【0037】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば上記
実施例では、各増幅回路を構成するpチャネルMOSF
ET MP1,MP2,MP3と電源電圧端子Vccとの
間およびnチャネルMOSFET MN1,MN2,M
N3と接地点との間に電流遮断用のpチャネルMOSF
ET MP4,MP5,MP6とnチャネルMOSFE
T MN4,MN5,MN6をそれぞれ接続している
が、貫通電流防止用のMOSFETは、増幅回路を構成
するpチャネルMOSFET MP1,MP2,MP3
とnチャネルMOSFET MN1,MN2,MN3と
の間に設けるようにしても良い。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say. For example, in the above embodiment, the p-channel MOSF
Between ET MP1, MP2, MP3 and power supply voltage terminal Vcc and n-channel MOSFETs MN1, MN2, M
P-channel MOSF for interrupting current between N3 and ground
ET MP4, MP5, MP6 and n-channel MOSFE
Although T MN4, MN5 and MN6 are connected to each other, MOSFETs for preventing shoot-through current are p-channel MOSFETs MP1, MP2 and MP3 constituting an amplifier circuit.
And n-channel MOSFETs MN1, MN2, and MN3.

【0038】また、上記実施例では、増幅回路の出力を
ラッチするラッチ回路LTHはクロックCKの立ち上が
りでデータを取り込むエッジトリガタイプを用いている
が、レベルが確定してからデータを取り込むレベルトリ
ガタイプのラッチ回路であっても良い。
Further, in the above embodiment, the latch circuit LTH for latching the output of the amplifier circuit uses the edge trigger type for taking in data at the rising edge of the clock CK, but the level trigger type for taking in data after the level is determined. Latch circuit may be used.

【0039】さらに、上記実施例では、各増幅回路を構
成するpチャネルMOSFET MP1,MP2,MP
3およびnチャネルMOSFET MN1,MN2,M
N3と直列に電流遮断用のpチャネルMOSFET M
P4,MP5,MP6とnチャネルMOSFET MN
4,MN5,MN6をそれぞれ接続しているが、電流遮
断用のMOSFETはpチャネル側またはnチャネル側
のいずれか一方のみであっても良い。ただし、いずれか
一方のみにすると、各増幅回路の出力がハイレベルへ変
化するときとロウレベルへ変化するときの動作特性がア
ンバランスになるが、実施例のようにpチャネル側とn
チャネル側にそれぞれ電流遮断用のMOSFETを設け
ることにより、増幅回路の出力がハイレベルへ変化する
ときとロウレベルへ変化するときの動作特性をほぼ同じ
にすることができ、増幅回路の特性バランスを良くする
ことができるという利点がある。
Further, in the above embodiment, the p-channel MOSFETs MP1, MP2, MP
3 and n-channel MOSFETs MN1, MN2, M
A p-channel MOSFET M for interrupting current in series with N3
P4, MP5, MP6 and n-channel MOSFET MN
4, MN5 and MN6 are connected to each other, but the current interrupting MOSFET may be only one of the p-channel side and the n-channel side. However, if only one of them is used, the operation characteristics when the output of each amplifier circuit changes to a high level and when the output changes to a low level become unbalanced.
By providing a current interrupting MOSFET on each channel side, the operating characteristics when the output of the amplifier circuit changes to a high level and when the output changes to a low level can be made almost the same, and the characteristic balance of the amplifier circuit is improved. There is an advantage that can be.

【0040】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である逐次比
較型AD変換回路に用いられる比較回路に適用した場合
について説明したが、この発明はそれに限定されるもの
でなく、CMOSインバータ型の増幅回路を含む比較回
路およびそれを内蔵した半導体集積回路に広く利用する
ことができる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a comparison circuit used in a successive approximation type A / D conversion circuit, which is the background of the application, has been described. However, the present invention can be widely applied to a comparison circuit including a CMOS inverter type amplifier circuit and a semiconductor integrated circuit incorporating the same.

【0041】[0041]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0042】すなわち、この発明に従うと、低消費電
力、低ノイズのCMOSインバータ型の比較回路が得ら
れ、この比較回路を使用した逐次比較型AD変換回路の
低消費電力化および低ノイズ化を図ることができるとい
う効果がある。
That is, according to the present invention, a CMOS inverter type comparison circuit with low power consumption and low noise is obtained, and the successive approximation type A / D conversion circuit using this comparison circuit is reduced in power consumption and noise. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る比較回路を使用した逐次比較型A
D変換回路の第1の実施例を示す回路構成図である。
FIG. 1 shows a successive approximation type A using a comparison circuit according to the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a first embodiment of the D conversion circuit.

【図2】図1のAD変換回路の特に比較回路の動作タイ
ミングを示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform chart showing operation timings of the AD conversion circuit of FIG. 1 and particularly of a comparison circuit;

【図3】本発明に係る比較回路を使用した逐次比較型A
D変換回路の第2の実施例を示す回路構成図である。
FIG. 3 is a successive approximation type A using a comparison circuit according to the present invention.
FIG. 6 is a circuit configuration diagram illustrating a second embodiment of the D conversion circuit.

【図4】図3のAD変換回路の特に比較回路の動作タイ
ミングを示す波形図である。
FIG. 4 is a waveform chart showing operation timings of the AD conversion circuit of FIG. 3, particularly, a comparison circuit;

【図5】本発明を適用した逐次比較型AD変換回路の応
用システムの一例としてのディスク型メディアの再生装
置の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a disk-type medium reproducing apparatus as an example of an application system of a successive approximation type AD conversion circuit to which the present invention is applied.

【図6】従来のCMOSインバータ型増幅回路を用いた
比較回路の一例を示す回路構成図である。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram showing an example of a comparison circuit using a conventional CMOS inverter type amplifier circuit.

【図7】図6の比較回路の動作タイミングを示す波形図
である。
FIG. 7 is a waveform chart showing operation timings of the comparison circuit of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

AMP 増幅回路 CMP 比較回路 LTH ラッチ回路 CDC コード形成回路 LDAC ローカルAD変換回路 Cs サンプリング容量 Vin アナログ入力 Vc 比較電圧(ローカルAD変換回路の出力) AMP amplification circuit CMP comparison circuit LTH latch circuit CDC code formation circuit LDAC local AD conversion circuit Cs sampling capacitance Vin analog input Vc comparison voltage (output of local AD conversion circuit)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米谷 浩幸 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 Fターム(参考) 5J022 AA02 AB01 BA02 BA06 CF01 CF07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroyuki Yoneya 5-22-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo F-term in Hitachi Super LSI Systems Co., Ltd. 5J022 AA02 AB01 BA02 BA06 CF01 CF07

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直列形態のpチャネルMOSFETおよ
びnチャネルMOSFETからなりこれらのMOSFE
Tのゲート端子が入力端子とされドレイン端子が出力端
子とされた増幅回路と、該増幅回路の入力端子と出力端
子との間に接続された第1のスイッチ手段と、上記増幅
回路の入力端子とアナログ入力端子との間に設けられた
サンプリング容量と、該サンプリング容量の一方の端子
に上記アナログ入力端子の電圧または比較電圧を選択的
に供給可能な切換えスイッチ手段とからなる比較回路に
おいて、上記増幅回路を構成するMOSFETと直列に
第2のスイッチ手段を接続して、このスイッチ手段を上
記サンプリング容量へのアナログ入力のサンプリング期
間中および上記増幅回路の入力が安定する期間のみ導通
させて増幅動作を行なわせるように構成したことを特徴
とする比較回路。
1. A MOSFET comprising a p-channel MOSFET and an n-channel MOSFET in a series configuration.
An amplifier circuit having a gate terminal of T as an input terminal and a drain terminal as an output terminal; first switch means connected between an input terminal and an output terminal of the amplifier circuit; and an input terminal of the amplifier circuit A comparison circuit comprising: a sampling capacitor provided between the input terminal and the analog input terminal; and a switch device capable of selectively supplying a voltage of the analog input terminal or a comparison voltage to one terminal of the sampling capacitor. A second switch is connected in series with the MOSFET constituting the amplifier circuit, and the switch is turned on only during the sampling period of the analog input to the sampling capacitor and during the period when the input of the amplifier circuit is stabilized, thereby performing the amplification operation. A comparison circuit characterized by performing the following.
【請求項2】 上記増幅回路の次段にラッチ回路を設
け、該ラッチ回路と上記第2のスイッチ手段と同一の信
号で制御するようにしたことを特徴とする請求項1に記
載の比較回路。
2. A comparison circuit according to claim 1, wherein a latch circuit is provided at a stage subsequent to said amplification circuit, and said latch circuit and said second switch are controlled by the same signal. .
【請求項3】 上記第2のスイッチ手段は、増幅回路を
構成する直列形態のpチャネルMOSFETおよびnチ
ャネルMOSFETのそれぞれの側に設けられてなるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の比較回路。
3. The device according to claim 1, wherein said second switch means is provided on each side of a p-channel MOSFET and an n-channel MOSFET in a series configuration constituting an amplifier circuit. Comparison circuit.
【請求項4】 請求項1、2または3に記載の比較回路
と、該比較回路の出力をラッチするラッチ回路と、上記
比較回路の出力に基づいてコードを形成するコード形成
回路と、該コード形成回路の出力をDA変換して上記比
較回路における比較電圧として供給するDA変換回路と
を備えてなることを特徴とするAD変換回路。
4. A comparison circuit according to claim 1, 2 or 3, a latch circuit for latching an output of the comparison circuit, a code formation circuit for forming a code based on an output of the comparison circuit, and the code An A / D conversion circuit, comprising: a D / A conversion circuit that performs D / A conversion of an output of the formation circuit and supplies the output as a comparison voltage in the comparison circuit.
JP10208782A 1998-07-24 1998-07-24 Comparison circuit and AD conversion circuit Withdrawn JP2000040964A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10208782A JP2000040964A (en) 1998-07-24 1998-07-24 Comparison circuit and AD conversion circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10208782A JP2000040964A (en) 1998-07-24 1998-07-24 Comparison circuit and AD conversion circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000040964A true JP2000040964A (en) 2000-02-08

Family

ID=16562023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10208782A Withdrawn JP2000040964A (en) 1998-07-24 1998-07-24 Comparison circuit and AD conversion circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000040964A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020090315A (en) * 2001-05-25 2002-12-02 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 Comparator and analog-to-digital converter
US6867723B1 (en) 2003-09-09 2005-03-15 Fujitsu Limited AD converter with reduced current consumption
JP2006121378A (en) * 2004-10-21 2006-05-11 Nec Electronics Corp A/d converter
US7573413B2 (en) 2006-09-14 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic circuit protecting against the effect of injection current and analog to digital conversion circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020090315A (en) * 2001-05-25 2002-12-02 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 Comparator and analog-to-digital converter
US6867723B1 (en) 2003-09-09 2005-03-15 Fujitsu Limited AD converter with reduced current consumption
JP2006121378A (en) * 2004-10-21 2006-05-11 Nec Electronics Corp A/d converter
US7573413B2 (en) 2006-09-14 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic circuit protecting against the effect of injection current and analog to digital conversion circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040108879A1 (en) Comparison apparatus operated at a low voltage
US6798243B1 (en) Apparatus and method for level-shifting input receiver circuit from high external voltage to low internal supply voltage
US6020768A (en) CMOS low-voltage comparator
JP2003504860A (en) High voltage protection circuit of standard CMOS process
US5469097A (en) Translator circuit with symmetrical switching delays
EP1037212B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0865149A (en) Ouasi-static no-loss gate
JP3227946B2 (en) Level conversion circuit
JP4856186B2 (en) High speed comparator
JP4705264B2 (en) Switching regulator
US7199638B2 (en) High speed voltage level translator
JP2000040964A (en) Comparison circuit and AD conversion circuit
JP3490045B2 (en) Low noise buffer circuit
US5532628A (en) Fast comparator circuit
JP3597058B2 (en) Voltage comparator and A / D converter
JPH10256914A (en) D / A converter
JP3739224B2 (en) Differential amplifier
JPH09200004A (en) Level conversion circuit
JPH0318119A (en) Complementary type metallic-oxide semiconductor translator
JP2007329518A (en) Chopper type comparator
KR100452643B1 (en) Apparatus for comparison with improved low level property
JP2000090683A (en) Sense amplifier circuit
JPH0638573B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US20250260416A1 (en) Comparator capable of operating at low power supply voltage
JP2702828B2 (en) Address input buffer circuit for semiconductor memory device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20051004