[go: up one dir, main page]

ITMI940442A1 - Impianto di rivestimento sotto vuoto - Google Patents

Impianto di rivestimento sotto vuoto Download PDF

Info

Publication number
ITMI940442A1
ITMI940442A1 IT000442A ITMI940442A ITMI940442A1 IT MI940442 A1 ITMI940442 A1 IT MI940442A1 IT 000442 A IT000442 A IT 000442A IT MI940442 A ITMI940442 A IT MI940442A IT MI940442 A1 ITMI940442 A1 IT MI940442A1
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
vessel
substrate
coating
source
vacuum coating
Prior art date
Application number
IT000442A
Other languages
English (en)
Inventor
Gunter Brauer
Ulrich Patz
Michael Scherer
Joachim Szczyrbowski
Original Assignee
Leybold Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Ag filed Critical Leybold Ag
Publication of ITMI940442A0 publication Critical patent/ITMI940442A0/it
Publication of ITMI940442A1 publication Critical patent/ITMI940442A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1269524B publication Critical patent/IT1269524B/it

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Description

DESCRIZIONE
dell'invenzione industriale
L'invenzione riguarda un impianto di rivestimento sotto vuoto per il rivestimento di una regione di sub-strato mediante un catodo di vaoorizzazione, presentante un bersaglio, come sorgente di rivestimento, il quale è disposto internamente ad un recipiente eseguito come una tazza con un lato aperto, applicabile a tenuta sul substrato.
Un impianto di rivestimento sotto vuoto del tipo sopra c’tato è oggetto del US-A-4 514 275. In un tale impianto di rivestimento non occorre, per il rivestimento di una regione localizzata su un substrato ad ampia superficie, che il recipiente abbia un volume così grande da poter alloggiare l'intero substrato, perchè il substrato forma una parte della parete del recipiente. Occorre che il recipiente abbia soltanto una sezione trasversale che sia poco più grande della regione da rivestire. Perciò, l'impianto di rivestimento sotto vuoto noto è di struttura molto compatta. Esso è adatto per esempio in particolare per l'applicazione di uno strato sensibile sul cristallo di un autoveicolo.
Negli impianti di rivestimento sotto vuoto, nei quali la fronte di rivestimento è un catodo di vaporizzazione con un bersaglio, accade frequentemente che il bersaglio reagisca facilmente con parti costituenti dell'atmosfera, per cui esso non deve venire esposto all'atmosfera. Ciò però non è evitabile nell'impianto di rivestimento sotto vuoto noto, perchè l'atmosfera dopo la separazione del recipiente e del bersaglio dal latoche in tal modo viene aperto può affluire nel recipiente eseguito come tazza.
Lo scopo dell’invenzione è quello di esguire un impianto di rivestimento sotto vuoto del tipo sopra citato, in modo che come materiale di vaporizzazione possano venire impiegati anche bersagli facilmente reagenti con parti costituenti dell'aria.
Questo problema viene risolto secondo lai nvenzi one per il fatto che il recipiente è suddiviso in una camera di sorgente e in una camera di substrato da una parete di intercettazione spostabile a tenuta davanti alla sorgente di rivestimento. In un tale impio di rivestimento sotto vuoto la parte della tazza nella quale si trova il bersaglio può venire separata dalla parte con il substrato, prima che il substrato venga separato dalla tazza ossia prima che possa penetrare aria nella tazza.
Costruttivamente, è particolarmente facile realizzare la separazione della camera di sorgente, se la parete di intercettazione è supportata da un albero disposto girevolm su un lato della tazza ed è eseguita spostabile a tenuta entro la tazza.
La camera di sorgente può essere eseguita particolarmente comoatta, e secondo un'altra forma di esecuzione dell'invenzione il catodo di vaporizzazione è supportato nella tazza in modo traslabile in direzione del substrato.
Strati diversi possono venire applicati in rapida successione, se secondo un altro sviìuDpo dell'invenzione nella tazza è previsto un dispositivo selettore con almeno due sorgenti di rivestimento diverse. Mediante un tale dispositivo selettore è possibile eseguire anche fasi di processo diverse, per esempio attacco chimico con sorgente di ioni, pulitura ionica, processi ad alta frequenza e a corrente continua, processi reattivi e non reattivi, o processi PECVD.
L'invenzione ammette numerose forme di realizzazione. A ulteriore chiarimento del suo principio base, una di/esse e un particolare modificato sono rappresentati nel disegno e verranno descritti nel seguito. Mostrano
in figura 1, una sezione verticale di un impianto di rivestimento sotto vuoto secondo l'invenzione, e in figura 2, una sezione verticale di un particolare dell'impianto modificato/alla figura 1.
La figura 1 mostra un substrato 1, che è costituito da un cristallo di finestrino di un autoveicolo, sul quale viene applicato da sopra un recioiente 2, eseguito come tazza, con il suo lato frontale aoerto. Una tenuta perimetrale 3 chiude a tenuta il recipiente 2 risoetto al substrato 1. In tal modo viene creata una camera sotto vuoto 4, che è delimitata dal recipiente 2 e verso il basso, vista nel disegno, dal substrato 1. Una pompa turbomolecolare 5, che è collegata a flangia direttamente al recipiente 2, serve per l'evacuazione della camera sotto vuoto 4. Nel recipiente 2 è disposta una sorgente di rivestimento 6, che in questo esempio di esecuzione è costituita da un impianto di vaporizzazione con un bersaglio 7. Mediante una doppia freccia 8 è indicato che la sorgente di rivestimento 6 con il suo bersaglio 7 può essere fatta allontanare più o meno dal substrato 1. Quando la sorgente di rivestimento 6 si trova nella sua posizione più sollevata una parete di intercettazione 9, rappresentata spezzata, che è disposta su un albero girevole 10, può venire ruotata in modo da farla entrare a tenuta nel recipiente 2 sotto la sorgente di rivestimento 6. Questa parete di intercettazione 9 suddivide allora il recipiente 2 in una camera di sorgente 11 al di sopra della parete di intercettazione 9 e in una camera di substrato 12 al di sotto della parete di intercettazione 9.
Secondo figura 2, nella camera sotto vuoto 4 è disposto un dispositivo selettore 13, che in questo esempio di realizzazione è eseguito come un carosello e porta due bersagli 7, 7a. Con una rotazione mediante un albero 14 il bersaglio 7, 7a di volta in volta desiderato può venire portato in posizione allineata con il substrato 1, in modo da poter vaporizzare strati diversi.
Elenco dei numeri di riferimento
1 Substrato
2 Recipiente
3 Tenuta
4 Camera sotto vuoto
5 Pompa t urbomolecolare
6 Sorgente di rivestimento
7 Bersaglio
8 Doppia freccia
9 Parete di intercettazione 10 Albero
11 Camera di sorgente
12 Camera di substrato
13 Dispositivo selettore 14 Albero

Claims (4)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Impianto di rivestimento sotto vuoto per il rivestimento di una regione su un substrato mediante un catodc di vaporizzazione, presentante un bersaglio, come sorgente di rivestimento, il quale è disposto internamente ad un recipiente eseguito come tazza con un lato aperto, applicabile a tenuta sul substrato, caratterizzato dal fatto che il recipiente (2) è suddiviso da una Darete di intercettazione (9) spostabils a tenuta davanti alla sorgente di rivestimento (6) in una camera di sorgente (11) e in una camera di substrato (12).
  2. 2. Impianto di rivestimento sotto vuoto secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che la parete di intercettazione (9) è supportata da un albero (10) disposto girevolmente su un lato del recipiente (2) ed è eseguita spostabile a tenuta entro il recipiente {2).
  3. 3. Impianto di rivestimento sotto vuoto secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che la sorgente di rivestimento (6) è supportata nel recipiente (2) in modo traslabile in direzione del substrato (1).
  4. 4. Impianto di rivestimento sotto vuoto secondo almeno una delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che nel recipiente (2) è previsto un dispositivo selettore (13) con almeno due bersagli diversi (7, 7a).
ITMI940442A 1993-04-23 1994-03-10 Impianto di rivestimento sotto vuoto IT1269524B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4313353A DE4313353C2 (de) 1993-04-23 1993-04-23 Vakuum-Beschichtungsanlage

Publications (3)

Publication Number Publication Date
ITMI940442A0 ITMI940442A0 (it) 1994-03-10
ITMI940442A1 true ITMI940442A1 (it) 1995-09-10
IT1269524B IT1269524B (it) 1997-04-08

Family

ID=6486228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ITMI940442A IT1269524B (it) 1993-04-23 1994-03-10 Impianto di rivestimento sotto vuoto

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5372693A (it)
JP (1) JPH06346235A (it)
DE (1) DE4313353C2 (it)
FR (1) FR2704240B1 (it)
IT (1) IT1269524B (it)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4341635C2 (de) * 1993-12-07 2002-07-18 Unaxis Deutschland Holding Vakuumbeschichtungsanlage
US5908565A (en) * 1995-02-03 1999-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Line plasma vapor phase deposition apparatus and method
US5812405A (en) * 1995-05-23 1998-09-22 Viratec Thin Films, Inc. Three variable optimization system for thin film coating design
US6325901B1 (en) * 1996-04-18 2001-12-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of producing a cathode-ray tube and apparatus therefor
US6103069A (en) * 1997-03-31 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance
IT1298891B1 (it) * 1998-02-06 2000-02-07 Ca Te V Centro Tecnologie Del Impianto da vuoto portatile provvisto di precamera per la deposizione di film sottili su superfici anche inamovibili.
DE10247888A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung zur Erzeugung von Plasmen durch Hochfrequenzentladungen
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
US9644260B1 (en) * 2012-03-16 2017-05-09 Oliver James Groves Portable sputtering apparatus and method
DE102014004323B4 (de) 2014-03-25 2021-11-11 Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover Beschichtungseinrichtung zum zumindest teilweisen Beschichten einer Oberfläche

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU43878A1 (it) * 1963-06-10 1964-12-10
JPS57134559A (en) * 1981-02-12 1982-08-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Physical vapor deposition device
US4416759A (en) * 1981-11-27 1983-11-22 Varian Associates, Inc. Sputter system incorporating an improved blocking shield for contouring the thickness of sputter coated layers
US4450062A (en) * 1981-12-22 1984-05-22 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS63270457A (ja) * 1987-04-24 1988-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置
JPH0791645B2 (ja) * 1989-04-28 1995-10-04 株式会社日立製作所 薄膜形成装置
US5254236A (en) * 1991-01-25 1993-10-19 Shibaura Engineering Works Co., Ltd. Sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
ITMI940442A0 (it) 1994-03-10
US5372693A (en) 1994-12-13
JPH06346235A (ja) 1994-12-20
DE4313353A1 (de) 1994-10-27
FR2704240B1 (fr) 1998-02-20
FR2704240A1 (fr) 1994-10-28
IT1269524B (it) 1997-04-08
DE4313353C2 (de) 1997-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ITMI940442A1 (it) Impianto di rivestimento sotto vuoto
US4592306A (en) Apparatus for the deposition of multi-layer coatings
US3521765A (en) Closed-end machine for processing articles in a controlled atmosphere
KR100430336B1 (ko) 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
US4523985A (en) Wafer processing machine
KR101205752B1 (ko) 성막원, 증착 장치, 유기 el 소자의 제조 장치
GB1466790A (en) Deposition of layers in a vacuum
EP0147890A1 (en) Apparatus for processing articles in a controlled environment
US20120027952A1 (en) Transport device having a deflectable sealing frame
US5993556A (en) Vacuum treatment system for depositing thin coatings
KR960031642A (ko) 멀티 챔버 스퍼터링 장치
JP5898523B2 (ja) 真空処理装置および真空処理装置を用いた物品の製造方法
ES2159065T3 (es) Instalacion de tratamiento en vacio para aplicar capas sobre substratos.
US6126792A (en) Method for the application of a scratch protection layer and an antireflection coating system and apparatus for its execution
CA1177638A (en) Apparatus for physical vapor deposition
US3691053A (en) Getter-sputtering apparatus
US5314363A (en) Automated system and method for assembling image intensifier tubes
US4030789A (en) Method of manufacturing an electric discharge tube
JPS569249A (en) Electrically conductive infrared shielding glass and its manufacture
KR20240120361A (ko) 이온주입을 이용한 소재표면 개질장치
KR100408161B1 (ko) 양산용 다층 박막 제작장치
US6325901B1 (en) Method of producing a cathode-ray tube and apparatus therefor
US4052115A (en) Device for manufacturing electron tube having a radiation-sensitive layer
US5487689A (en) High throughput assembly station and method for image intensifier tubes
US3143594A (en) Demountable multiple stage ultra-high vacuum system

Legal Events

Date Code Title Description
0001 Granted
TA Fee payment date (situation as of event date), data collected since 19931001

Effective date: 19990226