HK1180295B - 包含铅-碲-硼-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途 - Google Patents

Description

包含铅-碲-硼-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途

发明领域

本发明提供了用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池装置的前侧面的厚膜浆料。厚膜浆料包含导电金属或其衍生物，以及分散在有机介质中的铅-碲-硼-氧化物。

发明背景

常规的具有p型基底的太阳能电池结构具有通常在电池的前侧面（光照面）上的负极和在背侧面上的正极。在半导体主体的p-n结上入射的适当波长的辐射充当产生电子-空穴对载荷子的外部能源。这些电子-空穴对载荷子在由p-n半导体结产生的电场中迁移，并且通过施加到半导体表面的传导性网格或金属触点收集。产生的电流流向外部电路。

传导性浆料（也称为油墨）通常用于形成传导性网格或金属触点。传导性浆料通常包含玻璃料、传导性物质（例如，银颗粒）和有机介质。为了形成金属触点，将传导性浆料以网格线或其它图案的形式印刷到基底上并且然后焙烧，在此期间在网格线与半导体基底之间形成电接触。

然而，结晶硅PV电池通常涂覆有减反射涂层例如氮化硅、氧化钛或氧化硅，以促进光照吸附，由此增加电池的效率。此类减反射涂层还充当绝缘体，这削弱从基底到金属触点的电子流动。为了克服此问题，传导性浆料应当在焙烧过程中穿透减反射涂层以形成与半导体基底具有电接触的金属触点。也希望形成金属触点与基底之间的强效粘结（即，粘附性）以及可焊性。

穿透减反射涂层并在焙烧时形成与基底的强效粘结的能力高度地取决于传导性浆料的组成和焙烧条件。效率（衡量PV电池性能的关键）也受到在焙烧的传导性浆料与基底之间制得的电接触质量的影响。

为了提供具有良好效率的用于制造PV电池的经济型方法，需要能够在低温下焙烧而穿透减反射涂层并提供与半导体基底之间的良好电接触的厚膜浆料组合物。

发明概述

本发明的一个方面为厚膜浆料组合物，包含：

a)基于组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

b)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

c)有机介质。

本发明的又一个方面为厚膜浆料组合物，包含：

a)基于组合物中的总固体计，84.5至99重量%的导电金属或其衍生物；

b)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；

c)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-锂-钛-氧化物；

和

d)有机介质。

本发明的另一个方面为方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到该半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到一个或多个绝缘膜上以形成层状结构，其中厚膜浆料组合物包含：

i)基于组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

iii)有机介质；以及

(c)焙烧半导体基底、一个或多个绝缘膜以及厚膜浆料，从而形成与一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极。

本发明的另一个方面为方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到所述半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到一个或多个绝缘膜上以形成层状结构，其中厚膜浆料组合物包含：

i)基于组合物中的总固体计，84.5至99重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；

iii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-锂-钛-氧化物；和

iv)有机介质；以及

(c)焙烧半导体基底、一个或多个绝缘膜以及厚膜浆料，从而形成与一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极。

本发明的另一个方面为制品，包括：

a)半导体基底；

b)半导体基底上的一个或多个绝缘层；和

c)与一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极，所述电极

包含导电金属和铅-碲-硼-氧化物。

附图简述

图1为示出制造半导体装置的工艺流程图。图1中所示的附图标号说明如下。

10：p-型硅基板

20：n-型扩散层

30：绝缘膜

40：p+层（背表面场，BSF）

60：沉积在背侧面上的铝浆

61：铝背面电极（通过焙烧背侧面铝浆而获得）

70：沉积在背侧面上的银或银/铝浆

71：银或银/铝背面电极（通过焙烧背侧面银浆而获得）

500：沉积在前侧面上的厚膜浆料

501：正面电极（通过焙烧厚膜浆料形成）

发明详述

太阳能光伏系统被视为是环保的，因为它们降低了对化石燃料的需求。

本发明提供了可用于制造具有改善的电性能的光伏装置的组合物。所述厚膜浆料组合物包含：

a)基于组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

b)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

c)有机介质。

所述厚膜浆料组合物可进一步包含：基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-锂-钛-氧化物。

如本文所定义，并未将有机介质视为厚膜浆料组合物中的固体的一部分。

导电金属

导电金属选自银、铜以及钯。导电金属可为薄片形式、球形形式、颗粒状形式、结晶形式、粉末或其它不规则形式以及它们的混合物。导电金属可在胶态悬浮液中提供。

当金属为银时，其形式可为银金属、银衍生物或它们的混合物。示例性衍生物包含：例如，银合金、氧化银(Ag₂O)、银盐例如AgCl、AgNO₃、AgOOCCH₃（乙酸银）、AgOOCF₃（三氟乙酸银）、正磷酸银(Ag₃PO₄)。也可使用与其它厚膜浆料组分相容的其它形式的银。

在一个实施方案中，导电金属或其衍生物为该厚膜浆料组合物的固体组分的约85至约99.5重量%。在另一个实施方案中，导电金属或其衍生物为该厚膜浆料组合物的固体组分的约90至约95重量%。

在一个实施方案中，厚膜浆料组合物的固体部分包含约85至约99.5重量%的球形银颗粒。在一个实施方案中，厚膜浆料组合物的固体部分包含约85至约90重量%的银颗粒以及约1至约9.5重量%的银薄片。

在一个实施方案中，厚膜浆料组合物包含导电的涂覆银颗粒。合适的涂层包含磷酸盐和表面活性剂。合适的表面活性剂包含聚氧乙烯、聚乙二醇、苯并三唑、聚(乙二醇)乙酸、月桂酸、油酸、癸酸、肉豆蔻酸、亚油酸、硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸盐、以及它们的混合物。盐抗衡离子可为铵、钠、钾、以及它们的混合物。

银的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，平均粒度为0.5-10微米；在另一个实施方案中，平均粒度为1-5微米。如本文所用，“粒度”或“D50”旨在表示“平均粒度”；“平均粒度”表示50%的体积分布粒度。体积分布粒度可以通过使用Microtrac粒度分析仪的激光衍射和分散方法来测定。

铅-碲-硼-氧化物组合物

本发明的一个方面涉及铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)组合物。在一个实施方案中，这些组合物可为玻璃组合物。在另一个实施方案中，这些组合物可为结晶的、部分结晶的、非晶态的、部分非晶态的或它们的组合。在一个实施方案中，Pb-Te-B-O组合物可包含多于一种的玻璃组合物。在一个实施方案中，Pb-Te-B-O组合物可包含玻璃组合物和附加的组合物，例如结晶组合物。在本文将使用术语“玻璃”或“玻璃组合物”来表示上述非晶态材料和结晶材料的任何组合。

在一个实施方案中，本文所述的玻璃组合物包含铅-碲-硼-氧化物。玻璃组合物还可包含附加组分，例如硅、银、锡、铋、铝、钛、铜、锂、铈、锆、钠、钒、锌、氟等。

铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)可通过使用本领域普通技术人员所理解的技术将PbO、TeO₂和B₂O₃（或者在加热时会分解为所需氧化物的其它材料）混合来制备。此类制备技术可涉及在空气或含氧气氛中加热混合物以形成熔融物、淬火熔融物，以及碾磨、铣削和/或筛选淬火的材料以提供具有所需粒度的粉末。铅、碲和硼氧化物的混合物的熔融通常被传导至800-1200℃的峰值温度。熔融混合物可例如在不锈钢压板上或反转不锈钢辊之间淬火，以形成片状物。所得的片状物可被研磨形成粉末。通常，研磨的粉末具有0.1至3.0微米的D₅₀。玻璃料制造领域的技术人员可使用可供选择的合成技术，例如但不限于水淬火、溶胶凝胶、喷雾热解、通过在金属压板上的急冷或适用于制造玻璃粉末的其它适当技术来淬火。

在一个实施方案中，用于制备Pb-Te-B-O的起始混合物可包含（基于总起始混合物的重量计）：PbO，其可为25至75重量%、30至60重量%或30至50重量%；TeO₂，其可为10至70重量%、25至60重量%或40至60重量%；B₂O₃，其可为0.1至15重量%、0.25至5重量%或0.4至2重量%。

在一个实施方案中，PbO、TeO₂和B₂O₃可为Pb-Te-B-O组合物的80-100重量%。在另一个实施方案中，PbO、TeO₂和B₂O₃可为Pb-Te-B-O组合物的85-100重量%或90-100重量%。

在另一个实施方案中，除了上述的PbO、TeO₂和B₂O₃之外，用于制备Pb-Te-B-O的起始混合物可包含下列中的一个或多个：PbF₂、SiO₂、BiF₃、SnO₂、Li₂O、Bi₂O₃、ZnO、V₂O₅、Na₂O、TiO₂、Al₂O₃、CuO、ZrO₂、CeO₂或Ag₂O。在一个实施方案中，这些组分中的一个或多个可为Pb-Te-B-O组合物的0-20重量%、0-15重量%或0-10重量%。在该实施方案的方面（基于总起始混合物的重量计）：

PbF₂可为0至20重量%、0至15重量%、或5至10重量%；

SiO₂可为0至11重量%、0至5重量%、0.25至4重量%、或0至0.5重量%；

BiF₃可为0至15重量%、0至10重量%、或1至10重量%；

SnO₂可为0至5重量%、0至2重量%、或0.5至1.5重量%；

ZnO可为0至5重量%、0至3重量%、或2至3重量%；

V₂O₅可为0至5重量%、0至1重量%、或0.5至1重量%；

Na₂O可为0至5重量%、0至3重量%、或0.1至1.5重量%；

CuO可为0至5重量%、0至3重量%、或2至3重量%；

ZrO₂可为0至3重量%、0至2重量%、或0.1至1重量%；

CeO₂可为0至5重量%、0至3重量%、或0.1至2.5重量%；

Li₂O可为0至5重量%、0.1至3重量%、或0.25至2重量%；

Bi₂O₃可为0至15重量%、0至10重量%、或5至8重量%；

TiO₂可为0至5重量%、0.25至5重量%、或0.25至2.5重量%；

Al₂O₃可为0至3重量%、0至2重量%、或0.1至2重量%；并且

Ag₂O可为0至10重量%、1至10重量%、或1至8重量%。

在一个实施方案中，Pb-Te-B-O可为均一粉末。在另一个实施方案中，Pb-Te-B-O可为多于一种粉末的组合，其中每种粉末可单独地为均一群体。多种粉末的总体组合的组成在如上所述的范围内。例如，Pb-Te-B-O可包含两种或更多种不同粉末的组合；单独地，这些粉末可具有不同的组成，并且可在或可不在如上所述的范围内；然而，这些粉末的组合在如上所述的范围内。

在一个实施方案中，Pb-Te-B-O组合物可包含一种粉末，其包括含有群组Pb、Te、B和O中的一些而非全部元素的均一粉末；以及第二粉末，其包含群组Pb、Te、B和O的元素中的一种或多种。例如，Pb-Te-B-O组合物可包含含有Pb、Te和O的第一粉末以及含有B₂O₃的第二粉末。在该实施方案的一个方面，粉末可被熔融在一起以形成均匀组合物。在该实施方案的另外方面，粉末可单独添加到厚膜组合物。

在一个实施方案中，Li₂O中的一些或全部可被Na₂O、K₂O、Cs₂O或Rb₂O代替，从而得到具有类似于上述列出的组合物的特性的玻璃组合物。在该实施方案中，总碱金属氧化物的含量可为0至5重量%、0.1至3重量%、或0.25至3重量%。

在另一个实施方案中，本文的一种或多种Pb-Te-B-O组合物可包含第三组的组分中的一个或多个：GeO₂、Ga₂O₃、In₂O₃、NiO、CoO、ZnO、CaO、MgO、SrO、MnO、BaO、SeO₂、MoO₃、WO₃、Y₂O₃、As₂O₃、La₂O₃、Nd₂O₃、Bi₂O₃、Ta₂O₅、V₂O₅、FeO、HfO₂、Cr₂O₃、CdO、Sb₂O₃、PbF₂、ZrO₂、Mn₂O₃、P₂O₅、CuO、Pr₂O₃、Gd₂O₃、Sm₂O₃、Dy₂O₃、Eu₂O₃、Ho₂O₃、Yb₂O₃、Lu₂O₃、CeO₂、BiF₃、SnO、SiO₂、Ag₂O、Nb₂O₅、TiO₂、Rb₂O、SiO₂、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Lu₂O₃、SnO₂以及金属卤化物（例如，NaCl、KBr、NaI、LiF、ZnF₂）。

因此如本文所用，术语“Pb-Te-B-O”还可包含金属氧化物，所述金属氧化物包括选自下列的元素的一种或多种氧化物：Si、Sn、Li、Ti、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Co、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce和Nb。

表1列出包含PbO、TeO₂、B₂O₃以及可用于制备铅-碲-硼-氧化物的其它任选化合物的粉末混合物的一些实例。该列表旨在进行说明而非进行限制。在表1中，将化合物的量示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。

通常，PbO和TeO₂粉末的混合物包含基于混合的粉末计5至95摩尔%的氧化铅以及5至95摩尔%的氧化碲。在一个实施方案中，铅-碲-硼-氧化物中的铅与碲的摩尔比介于5/95和95/5之间。在一个实施方案中，PbO和TeO₂粉末的混合物包含基于混合的粉末计30至85摩尔%的氧化铅以及15至70摩尔%的氧化碲。

本文所述的玻璃组合物，也称为玻璃料，其包含一定百分比的某些组分。具体地讲，该百分比指的是原料内所使用的组分的百分比，所述原料随后将如本文所述那样加工被形成玻璃组合物。此类命名对于本领域的技术人员为常规的。换句话讲，组合物包含某些组分，并且这些组分的百分比采用对应的氧化物形式的百分比来表示。如玻璃化学领域的普通技术人员所知，在制备玻璃的过程中可能会释放某一部分的挥发性物质。挥发性物质的一个实例为氧气。

如果原料为焙烧玻璃，那么本领域的普通技术人员可使用本领域技术人员已知的方法来计算本文所述的起始组分的百分比，所述方法包括但不限于：电感耦合等离子体-发射光谱法(ICPES)、电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)等。此外，可使用以下示例性技术：X射线荧光光谱法(XRF)、核磁共振光谱法(NMR)、电子顺磁共振波谱法(EPR)、穆斯堡尔光谱法、电子微探针能量分散光谱法(EDS)、电子微探针波长色散光谱法(WDS)、阴极发光法(CL)。

本领域的普通技术人员应认识到，选择的原材料可能无意地含有杂质，这些杂质在加工过程中可能会被混入到玻璃中。例如，存在的杂质的含量可在数百至数千ppm的范围内。

杂质的存在不会改变玻璃、厚膜组合物或焙烧而成的装置的特性。例如，即使厚膜组合物含有杂质，包含该厚膜组合物的太阳能电池亦可具有本文所述的效率。

铅-碲-硼-氧化物和铅-碲-锂-钛-氧化物组合物

本发明的一个方面涉及铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)和铅-碲-锂-钛-氧化物(Pb-Te-Li-Ti-O)组合物。在一个实施方案中，这些组合物可为玻璃组合物。在另一个实施方案中，这些组合物可为结晶的、部分结晶的、非晶态的、部分非晶态的或它们的组合。一个实施方案涉及Pb-Te-B-O和Pb-Te-Li-Ti-O组合物的混合物。

本发明的一个实施方案涉及包含Pb-Te-B-O和Pb-Te-Li-Ti-O的浆料。预期包括本文所述的Pb-Te-B-O浆料在内的浆料也可包含Pb-Te-Li-Ti-O。

在一个实施方案中，Pb-Te-Li-Ti-O组合物可包含多于一种的玻璃组合物。在一个实施方案中，Pb-Te-Li-Ti-O组合物可包含玻璃组合物和附加的组合物，例如结晶组合物。

Pb-Te-Li-Ti-O也可包含附加组分（例如硅、硼、银、锡等）的氧化物。

可采用类似于上文所述针对Pb-Te-B-O的方式制备铅-碲-锂-钛-氧化物(Pb-Te-Li-Ti-O)。

在一个实施方案中，用于制备Pb-Te-Li-Ti-O的起始混合物可包含（基于总起始混合物的重量计）：PbO，其可为25至80重量%、30至60重量%或30至50重量%；TeO₂，其可为10至70重量%、30至65重量%或50至65重量%；Li₂O，其可为0.1至5重量%、0.25至3重量%或0.5至2.5重量%；TiO₂，其可为0.1至5重量%、0.25至5重量%或0.5至3重量%。

在一个实施方案中，PbO、TeO2、Li2O和TiO2可为Pb-Te-Li-Ti-O组合物的80-100重量%、85-100重量%或90-100重量%。

在另一个实施方案中，除了上述的PbO、TeO₂、Li₂O和TiO₂之外，用于制备Pb-Te-Li-Ti-O的起始混合物还可包含SiO₂、SnO₂、B₂O₃或Ag₂O中的一个或多个。在一个实施方案中，这些组分中的一个或多个可为Pb-Te-Li-Ti-O组合物的0-20重量%、0-15重量%或0-10重量%。在该实施方案的方面（基于总起始混合物的重量计）：

SiO₂可为0至10重量%、0至9重量%、或2至9重量%；

SnO₂可为0至5重量%、0至4重量%、或0.5至1.5重量%；

B₂O₃可为0至10重量%、0至5重量%、或1至5重量%；并且

Ag₂O可为0至30重量%、0至20重量%、或3至15重量%。

在一个实施方案中，Pb-Te-Li-Ti-O可为均一粉末。在另一个实施方案中，Pb-Te-Li-Ti-O可为多于一种粉末的组合，其中每种粉末可单独地为均一群体。两种或更多种粉末的总体组合的组成在如上所述的范围内。例如，Pb-Te-Li-Ti-O可包含两种或更多种不同粉末的组合；单独地，这些粉末可具有不同的组成，并且可在或可不在如上所述的范围内；然而，这些粉末的组合在如上所述的范围内。

在一个实施方案中，Pb-Te-Li-Ti-O组合物可包含一种粉末，其包括含有群组Pb、Te、Li、Ti和O中的一些而非全部元素的均一粉末；以及第二粉末，其包含群组Pb、Te、Li、Ti和O的元素中的一种或多种。例如，Pb-Te-Li-Ti-O组合物可包含含有Pb、Te、Li和O的第一粉末以及含有TiO₂的第二粉末。在该实施方案的一个方面，粉末可被熔融在一起以形成均匀组合物。在该实施方案的另外方面，粉末可单独添加到厚膜组合物。

在一个实施方案中，Li₂O中的一些或全部可被Na₂O、K₂O、Cs₂O或Rb₂O代替，得到具有类似于上述列出组合物的特性的玻璃组合物。在该实施方案中，总碱金属氧化物的含量可为0至5重量%、0.1至3重量%、或0.25至3重量%。

在另一个实施方案中，本文的一种或多种Pb-Te-Li-Ti-O组合物可包含第三组的组分中的一个或多个：GeO₂、Ga₂O₃、In₂O₃、NiO、CoO、ZnO、CaO、MgO、SrO、MnO、BaO、SeO₂、MoO₃、WO₃、Y₂O₃、As₂O₃、La₂O₃、Nd₂O₃、Bi₂O₃、Ta₂O₅、V₂O₅、FeO、HfO₂、Cr₂O₃、CdO、Sb₂O₃、PbF₂、ZrO₂、Mn₂O₃、P₂O₅、CuO、Pr₂O₃、Gd₂O₃、Sm₂O₃、Dy₂O₃、Eu₂O₃、Ho₂O₃、Yb₂O₃、Lu₂O₃、CeO₂、BiF₃、SnO、SiO₂、Ag₂O、Nb₂O₅、TiO₂、Rb₂O、SiO₂、Na₂O、K₂O、Cs₂O、Lu₂O₃、SnO₂以及金属卤化物（例如，NaCl、KBr、NaI、LiF、ZnF₂）。

因此如本文所用，术语“Pb-Te-Li-Ti-O”还可包含选自下列的元素的一种或多种氧化物：Si、Sn、B、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Co、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Ti、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce和Nb。

表3列出了包含PbO、TeO₂、Li₂O、TiO₂以及可用于制备铅-碲-锂-钛-氧化物的其它任选化合物的粉末混合物的一些实例。该列表旨在进行说明而非进行限制。在表3中，将化合物的量示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。

在一个实施方案中，PbO和TeO₂粉末的混合物包含基于混合的粉末计5至95摩尔%的氧化铅以及5至95摩尔%的氧化碲。在一个实施方案中，铅-碲-锂-钛-氧化物中的铅与碲的摩尔比介于5/95和95/5之间。在一个实施方案中，PbO和TeO₂粉末的混合物包含基于混合的粉末计30至85摩尔%的氧化铅以及15至70摩尔%的氧化碲。

有机介质

厚膜浆料组合物的无机组分与有机介质混合以形成粘稠的浆料，所述浆料具有适用于印刷的稠度和流变性。可将多种惰性粘稠材料用作有机介质。有机介质可为这样的有机介质，无机组分可在浆料的制造、装运和贮藏期间以足够程度的稳定性分散于其中，以及可在丝网印刷过程期间分散在印刷丝网上。

合适的有机介质具有流变性，以提供固体的稳定分散、用于丝网印刷的适当粘度和触变性、基底和浆料固体的适当的可润湿性、良好的干燥速率、以及良好的焙烧特性。有机介质可包含增稠剂、稳定剂、表面活性剂和/或其它常见添加剂。有机介质可为一种或多种聚合物在一种或多种溶剂中的溶液。合适的聚合物包括乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯和乙二醇单乙酸酯的单丁基醚。合适的溶剂包括萜烯例如α-或β-萜品醇或它们与其它溶剂例如煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二醇和沸点高于150℃的醇以及醇酯的混合物。其它合适的有机介质组分包括：双(2-(2-丁氧基乙氧基)乙基己二酸酯、二价酸酯例如DBE、DBE-2、DBE-3、DBE-4、DBE-5、DBE-6、DBE-9和DBE1B、环氧化树脂酸辛酯、异四癸醇和氢化松香的季戊四醇酯。有机介质也可包含挥发性液体，以促进在基底上施用厚膜浆料组合物后快速硬化。

厚膜浆料组合物中有机介质的最佳量取决于施用浆料的方法和所用的具体有机介质。通常，厚膜浆料组合物包含70至95重量%的无机组分和5至30重量%的有机介质。

如果有机介质包含聚合物，则有机组合物可包含8至15重量%的聚合物。

厚膜浆料组合物的制备

在一个实施方案中，可通过以任何顺序混合导电金属粉末、Pb-Te-B-O粉末和有机介质来制备厚膜浆料组合物。在一个实施方案中，厚膜浆料组合物还可包含Pb-Te-Li-Ti-O。在一些实施方案中，首先混合无机材料，并且然后将其添加到有机介质中。如果需要，可通过添加一种或多种溶剂来调节粘度。提供高剪切的混合方法可能是有用的。

本发明的另一个方面为方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到该半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到一个或多个绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，其中厚膜浆料组合物包含：

i)基于组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

iii)有机介质；以及

(c)焙烧半导体基底、一个或多个绝缘膜以及厚膜浆料，从而形成与一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极。

本发明的另一个方面为方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到该半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到一个或多个绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，其中厚膜浆料组合物包含：

i)基于组合物中的总固体计，84.5至99重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；

iii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-锂-钛-氧化物；和

iv)有机介质；以及

(c)焙烧半导体基底、一个或多个绝缘膜以及厚膜浆料，从而形成与

一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极。

在一个实施方案中，厚膜浆料可包含基于固体计其量为0.5至15重量%、0.5至7重量%或1至3重量%的铅-碲-硼-氧化物。

在一个实施方案中，半导体装置由一种制品制成，该制品包括承载结点的半导体基底以及在其主表面上形成的氮化硅绝缘膜。该方法包括以下步骤：将具有穿透绝缘层能力的厚膜浆料组合物以预定形状和厚度并在预定位置施用（例如，涂覆或丝网印刷）到绝缘膜上，然后进行焙烧，使得厚膜浆料组合物与绝缘膜反应并穿透绝缘膜，从而与硅基板产生电接触。

该方法的一个实施方案在图1中示出。

图1(a)示出了单晶硅或多晶硅p型基底10。

在图1(b)中，形成具有相反极性的n型扩散层20以产生p-n结。n型扩散层20可使用三氯氧化磷(POCl₃)作为磷源、通过磷(P)的热扩散形成。在没有任何具体变型的情况下，n型扩散层20在硅p型基底的整个表面上形成。扩散层的深度能够通过控制扩散温度和时间而变化，并且通常在约0.3至0.5微米的厚度范围内形成。n型扩散层可具有几十欧姆/平方直至约120欧姆/平方的薄膜电阻率。

如图1(c)中所示，在用抗蚀剂等保护n型扩散层20的一个表面之后，通过蚀刻将n型扩散层20从多数表面移除使得其仅保留在一个主表面上。然后使用有机溶剂等将抗蚀剂移除。

接下来，在图1(d)中，在n型扩散层20上形成也用作减反射涂层的绝缘层30。绝缘层通常为氮化硅，但也可为SiN_x:H膜（即，绝缘膜包含在后续焙烧处理期间用于钝化的氢）、氧化钛膜、氧化硅膜、掺碳氮氧化硅膜、含碳的氮化硅膜、含碳的氧化硅膜或氧化硅/氧化钛膜。约700至的氮化硅膜厚度适用于约1.9至2.0的折射率。绝缘层30的沉积能够通过溅射、化学气相沉积、或其它方法进行。

然后形成电极。如图1(e)所示，将本发明的厚膜浆料组合物丝网印刷在绝缘膜30上，并且然后进行干燥。此外，将铝浆60和背侧面银浆70丝网印刷到基底的背侧面上，并依次进行干燥。在750至850℃的温度下焙烧几秒钟至几十分钟的时间。

因此，如图1(f)所示，在焙烧过程中，铝在背侧面上从铝浆扩散到硅基板中，从而形成包含高浓度铝掺杂剂的p+层40。该层一般被称为背表面场(BSF)层，并且有助于改善太阳能电池的能量转化效率。焙烧将干燥的铝浆60转变为铝背面电极61。同时焙烧背侧面银浆70，使其成为银或银/铝背面电极71。在焙烧期间，介于背侧面铝和背侧面银之间的边界呈现合金状态，从而实现电连接。铝电极占背面电极的大部分面积，部分归因于需要形成p+层40。同时，由于不可能对铝电极进行焊接，所以在背侧面的有限区域上形成银或银/铝背面电极作为用于通过铜带等互连太阳能电池的电极。

在前侧面上，本发明的厚膜浆料组合物500进行烧结并在焙烧期间穿透绝缘膜30，从而实现与n型扩散层20的电接触。此类型的方法通常被称为“烧透”。该烧透状态，即浆料熔融并且穿过绝缘膜30的程度，取决于绝缘膜30的质量和厚度、浆料的组成以及焙烧条件。当焙烧时，浆料500变为电极501，如图1(f)所示。

在一个实施方案中，绝缘膜选自氧化钛、氧化铝、氮化硅、SiN_x:H、氧化硅、掺碳氮氧化硅、含碳的氮化硅膜、含碳的氧化硅膜以及氧化硅/氧化钛膜。可通过溅射、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或热化学气相沉积方法来形成氮化硅膜。在一个实施方案中，通过热氧化、溅射或热化学气相沉积或等离子体化学气相沉积形成氧化硅膜。氧化钛膜可通过将包含钛的有机液体材料涂覆到半导体基底上并进行焙烧来形成，或者通过热化学气相沉积来形成。

在该方法的一个实施方案中，半导体基底可为单晶或多晶硅。

合适的绝缘膜包含一种或多种选自下列的组分：氧化铝、氧化钛、氮化硅、SiN_x:H、氧化硅以及氧化硅/氧化钛。在本发明的一个实施方案中，绝缘膜为减反射涂层(ARC)。绝缘膜可被施加到半导体基底上，或者其可自然地形成，例如在氮化硅的情况下。

在一个实施方案中，绝缘膜包括氮化硅层。可通过CVD（化学气相沉积）、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、溅射或其它方法来沉积氮化硅。

在一个实施方案中，对绝缘膜的氮化硅进行处理，以移除氮化硅的至少一部分。该处理可为化学处理。氮化硅的至少一部分被移除可导致介于厚膜浆料组合物导体和半导体基底之间的电接触改善。这样可导致半导体装置的效率改善。

在一个实施方案中，绝缘膜的氮化硅为减反射涂层的一部分。

厚膜浆料组合物能够以图案（例如，具有连接线的母线）的形式印刷在绝缘膜上。上述印刷可通过丝网印刷、电镀、挤出、喷墨、成型或多版印刷或色带进行。

在该电极形成过程中，将厚膜浆料组合物加热，以除去有机介质并烧结金属粉末。加热可在空气或含氧气氛中进行。该步骤通常称为“焙烧”。焙烧温度分布通常设置为使得来自干燥厚膜浆料组合物的有机粘结剂材料、以及存在的任何其它有机材料烧尽。在一个实施方案中，焙烧温度为750至950℃。烧结可在带式炉中使用高输送率（例如100至500cm/min）进行，最终保持时间为0.05至5分钟。多个温度区域（例如3至11个区域）可用于控制所需的热分布。

在焙烧时，导电金属和Pb-Te-B-O混合物穿透绝缘膜。穿透绝缘膜产生介于电极和半导体基底之间的电接触。在焙烧之后，可在半导体基底和电极之间形成夹层，其中该夹层包含碲、碲化合物、铅、铅化合物、硼化合物以及硅化合物中的一个或多个，其中硅可源自硅基板和/或一层或多层绝缘层。在焙烧之后，电极包含烧结的金属，其接触一层或多层绝缘层，并且也可接触下面的半导体基底。

本发明的另一个方面为通过以下方法形成的制品，所述方法包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到该半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到一个或多个绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，

其中厚膜浆料组合物包含：

i)基于组合物中的总固体计，85至99.5重量%的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量%的铅-碲-硼-氧化物；和

iii)有机介质；以及

(c)焙烧半导体基底、一个或多个绝缘膜以及厚膜浆料，从而形成与一个或多个绝缘层接触并与半导体基底电接触的电极。

此类制品可用于制造光伏装置。在一个实施方案中，该制品为半导体装置，其包括由厚膜浆料组合物形成的电极。在一个实施方案中，所述电极为硅太阳能电池上的前侧面电极。在一个实施方案中，该制品还包括背面电极。

实施例

厚膜浆料组合物的示例性制备和评估在下面进行描述。

实施例I

铅-碲-硼-氧化物的制备

表1的玻璃36-54和76以及表3的玻璃的铅-碲-硼-氧化物的制备

铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)组合物，即表1的编号为36-54和76的玻璃以及表3的编号为56-75的玻璃，通过混合和共混下列物质来制备：Pb₃O₄、TeO₂和B₂O₃粉末，以及任选地，如表1所示的Li₂O、Bi₂O₃、TiO₂、Al₂O₃PbF₂、SiO₂、BiF₃、SnO₂、ZnO、V₂O₅、Na₂O、CuO、ZrO₂、CeO₂和/或Ag₂O。将共混的粉末批料加载到铂合金坩埚中，然后将其插入使用空气或含O₂气氛的900-1000℃的熔炉中。在组分达到完全溶解后持续进行20分钟的热处理。然后用金属辊将得自组分熔融的所得低粘度液体淬火。然后经淬火的玻璃被研磨并过筛以提供具有0.1至3.0微米的D₅₀的粉末。

表1：玻璃料组合物，以重量百分比计

注释：表中的组合物显示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。

表1的玻璃1-35和55以及表2的玻璃77-90的铅-碲-硼-氧化物的制备

将TeO₂粉末（99+纯度%）、PbO或Pb₃O₄粉末、以及B₂O₃粉末（ACS试剂级，99+纯度%）以及任选地Bi₂O₃、Li₂O、Li₂CO₃、Al₂O₃、TiO₂、CuO、ZrO₂、Na₂O、Na₂CO₃、BiF₃、SiO₂和/或PbF₂的混合物置于合适的容器中滚动15至30分钟，以混合起始粉末。将起始粉末混合物放入铂坩埚中，然后在空气中以10℃/分钟的加热速率加热至900℃，并且然后保持在900℃下1小时以使混合物熔融。通过从熔炉中移出铂坩埚并将熔融物倾倒在不锈钢压板上而使该熔融物从900℃被淬火。将所得材料置于研钵中用研杵研磨至小于100目。然后将经研磨的材料置于聚乙烯容器中用氧化锆球和异丙醇进行球磨，直至D₅₀为0.5-0.7微米为止。然后将经球磨的材料与研磨球分离、干燥并使其穿过230目筛网，以提供厚膜浆料的制备中所用的粉末。

表2：玻璃料组合物，以重量百分比计

注释：表中的组合物显示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。TeO₂/PbO的比率为组合物的仅TeO₂与PbO之间的摩尔比。

表3：玻璃料组合物，以重量百分比计

玻璃料编号	SiO2	PbO	B2O3	Li2O	TiO2	Ag2O	SnO2	TeO2
									56	8.40	60.90		1.47	0.93		0.70	27.60
									57		46.04		0.40	4.18			49.38
58		46.78		0.83	2.22			50.17
									59		47.43		0.85	0.84			50.88
60		33.77		2.39	2.13			61.71
									61		45.35		0.48	0.43			53.74
62		36.19		1.99	1.77			60.05
									63		37.35		2.39	2.13			58.13
64		36.19		1.82	3.06			58.94
									65		40.81		2.39	2.13			54.67
66		44.28		0.16	0.42	12.29		42.84
									67		40.81		0.59	1.57	9.08		47.95
68		40.81		1.90	1.12			56.16
									69		45.77	1.09	0.80	0.71			51.64
70		41.20		0.34	2.30			56.16
									71		44.31	0.52	0.46	0.96	3.57		50.17
72		42.92	0.54	0.78	1.31			54.44
									73		4222		0.91	1.53			55.35
74		4825						51.75
									75		48.04		0.42				51.54

注释：表中的组合物显示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。

实施例II

浆料制备

针对表5、6和7的浆料制备

一般来讲，浆料制备使用以下程序制备：将来自表4的适量的溶剂、介质和表面活性剂称重，然后在混合罐中混合15分钟。

表4

由于银是固体中的主要成分，因此要增量添加以确保更好的润湿。充分混合后，浆料反复穿过三辊研磨机，压力从0逐渐增加至250psi。将辊的间隙设置为2密耳。使用布氏粘度计测量浆料粘度，并且加入适量的溶剂和树脂，以将浆料的粘度朝介于230和280Pa·s之间的目标值进行调节。用研磨细度(FOG)衡量分散程度。对于第四长的连续刮涂，浆料的典型FOG值小于20微米，当刮出50%的浆料时，FOG值小于10微米。

为了制备用于生成表5、6和7中的数据的最终浆料，将2重量%的来自表1的一种或多种玻璃料混合到银浆的一部分内，并且通过在本领域技术人员已知为研磨机的旋转玻璃板之间进行剪切来使其分散。

表5、6和7的浆料实例使用上述程序制备，其用于制备表中列出的符合以下细节的浆料组合物。经测试的浆料包含85至88%的银粉。实例使用D₅₀=2.0μm的单一球形银。

表11的浆料实例通过以下步骤制备：将如表中所述的一种或两种不同玻璃料粉末混合到适量的表4的介质中，然后以0至超过250psi的渐增压力以及2密耳的间隙进行辊磨以制备前体浆料。然后增量添加银粉，并将其混合到前体浆料中以确保银粉适当润湿。银粉为浆料组合物的85至88%。再次以0至75psi的渐增压力以及2密耳的间隙辊磨加入了全部银粉的浆料。添加树脂和溶剂以将粘度调节为介于230和280Pa·s之间。该实例使用D50=2.0um的单一球形银粉。

表8、9和10中的实例的厚膜浆料制备

将如表4所述的有机组分（~4.6g）放入Thinky混合广口瓶(ThinkyUSA,Inc.)中并以2000RPM持续进行2至4分钟的Thinky混合，直至实现良好共混为止。在玻璃广口瓶中将无机组分（Pb-Te-B-O粉末和银传导性粉末）滚动混合15分钟。无机组分的总重量为44g，其中42.5-43.5g为银粉，0.5-1.5g为PbO、TeO₂和B₂O₃粉末的混合物。然后将无机组分的三分之一加入装有有机组分的Thinky广口瓶中，并以2000RPM混合1分钟。重复进行该操作，直至加入并混合所有无机组分为止。使浆料冷却，通过添加溶剂并且然后以2000RPM混合1分钟来将粘度调节为介于200和500Pa·s之间。重复该步骤，直至获得所需粘度为止。然后以1密耳的间隙对浆料进行辊磨，在0psi下三次，在75psi下三次。用研磨细度(FOG)衡量分散程度。对于厚膜浆料而言，FOG值通常等于或小于20/10。在室温下24小时之后，将浆料的粘度调节为介于200和320Pa·s之间。3分钟之后，在粘度计中以10RPM测量粘度。在布氏粘度计(Brookfield,Inc.,（Middleboro,MA）)上用14号锭子和6号杯子对每种浆料的粘度进行测量。

实施例III

太阳能电池制备

表5、6和7中的实例的太阳能电池制备

对于表5、6和7中的实例而言，具有65Ω/□磷掺杂发射极层的多晶硅晶片得自GintechEnergyCorporation(Taiwan)或DeutscheCell(Germany)。用切割锯将6英寸(152mm)的正方形晶片削减为1.1英寸(28mm)的正方形。

所使用的太阳能电池通过各向同性的酸蚀刻而实现纹理化，并具有SiN_X:H的减反射涂层(ARC)。针对每个样本测量效率和填充因数。使用刮刀速度设为250mm/s的ETPL555型打印机进行丝网印刷，从而制得每个样本。所用丝网在具有325目和23μm线材的丝网中的20μm乳剂上具有以下图案：11条具有100μm开口的指状线和1条具有1.5mm开口的母线。将可商购获得的铝浆（DuPontPV381）印刷在装置的非受光（背）面上。

然后将两面均具有印刷图案的装置置于干燥箱中，在250℃的峰值温度下干燥10分钟。然后使基底的光照面向上，用CF7214Despatch6区红外线炉并使用560cm/min的带速进行焙烧，并且将起初的五个区设置为550-600-650-700-800以及将第六区设置为表5、6和7中所指示的温度。在处理过程中测量部件的实际温度。估计的每个部件的峰值温度为770-780℃，并且每个部件在4秒的总时间内均高于650℃。然后使用校准过的ST-1000测试仪对完全加工的样本进行PV性能测试。

针对每个样本测量效率和填充因数，如表5、6和7所示。针对每种浆料，示出6至10个样本的效率和填充因数的平均值以及中值。

表8、9和10的实例的太阳能电池制备

用于测试厚膜浆料性能的太阳能电池由具有65Ω/sq.磷掺杂发射极层的200微米DeutscheCell多晶硅晶片制成，所述多晶硅晶片具有经酸蚀刻的纹理化表面和70nm厚的PECVDSiN_x减反射涂层。使用金刚石多刃锯将晶片切削为28mm×28mm的晶片。在晶片被削减之后，使用AMI-PrescoMSP-485丝网印刷机对其进行丝网印刷，以提供一条母线、节距为0.254cm的十一条导线以及完全接地平面的丝网印刷的铝背侧面导体。印刷和干燥之后，将电池置于BTU国际快速热处理带式炉中进行焙烧。表8、9和10中示出的焙烧温度为最终峰值区域的炉设定值温度，其大约比实际晶片温度高125℃。焙烧的导线的中值线宽度为120微米，并且平均线高度为15微米。中值线电阻率为3.0×10^-6Ω·cm。预期28mm×28mm电池的性能将受到边缘效应的影响而使总体太阳能电池填充因数(FF)减少~5％。

表11的实例的太阳能电池制备

用于测试表11的厚膜浆料性能的太阳能电池由GintechEnergyCorporation(Taiwan)所提供的经碱纹理化的全6"×6"（152mm×152mm）65Ω/□单晶电池制成。将表6中所述的浆料的65线图案通过丝网印刷施加到电池的前侧面，所使用的丝网在325目、具有25μm乳剂的23μm网丝直径的丝网中具有80μm的开口。将铝背侧面浆料以及可商购获得的tabbing浆料(DuPontPV505)施加到电池的背侧面。使用I-V技术测量平均和中值效率以及填充因数，并将其示于表11中。

实施例IV

太阳能电池性能：效率和填充因数

太阳能电池性能：表5、6、7和11的效率与填充因数

测试根据本文所述方法构建的太阳能电池的转换效率。下面提供了示例性的测试效率的方法。

在一个实施方案中，将根据本文所述的方法构建的太阳能电池放置在用于测量效率的商业I-V测试仪（TelecomSTV，型号ST-1000）中。I-V测试仪中的氙弧灯模拟已知强度AM1.5的日光，并照射电池的正面。测试仪利用多点接触方法测量大约400负载电阻设置下的电流(I)和电压(V)以确定电池的电流电压曲线。填充因数(FF)和效率(Eff)均由电流电压曲线计算。

太阳能电池性能：表8、9和10的效率和填充因数

使用TelecomSTVCo.的ST-1000型IV测试仪在25℃±1.0℃下测量表8、9和10的实例的太阳能电池性能。I-V测试仪中的氙弧灯模拟已知强度的日光，并照射电池的正面。测试仪利用四点接触方法来测量在负载电阻设定值为大约400时的电流(I)和电压(V)，以确定电池的电流电压曲线。由电流电压曲线计算得出太阳能电池的效率(Eff)、填充因数(FF)以及串联电阻(Rs)（未示出Rs的数据）。使用Suns-VOC技术测定理想因数（未示出Suns-VOC数据）。

这些实例的效率和填充因数的中值和平均值在表8、9和10中示出。

表11：包含来自表1和表3的玻璃料的混合物的浆料的Eff％和FF结 果

比较实施例I：铋-碲-硼-氧化物

铋-碲-硼-氧化物的制备

使用氧化硼(B₂O₃)、氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO₂)、氧化铋(Bi₂O₃)、氧化碲(TeO₂)、碳酸锂(LiCO₃)和磷酸锂(LiPO₄)并通过上述实施例I中的工序l来制备包含铋-碲-硼-氧化物(Bi-Te-B-O)的如表12所示的组合物。表1的玻璃36-54和76以及表3的玻璃的铅-碲-硼-氧化物的制备

表12：铋-碲-硼-氧化物组合物，以氧化物的重量百分比计

注释：表中的组合物显示为基于总玻璃组合物的重量计的重量百分比。

浆料制备

使用玻璃A的浆料通过以下工序制备。通过混合适量的有机载体（表4）和银粉来制备浆料。银浆穿过三辊研磨机，压力从0逐渐增加至75psi。使用布氏粘度计测量银浆粘度，并且加入适量的溶剂和树脂，以将浆料的粘度朝着介于230和280Pa·s之间的目标值进行调节。通过混合适量的有机载体（表4）和玻璃粉A来制备另一种浆料。玻璃粉浆穿过三辊研磨机，压力从0逐渐增加至250psi。用研磨细度(FOG)衡量每种浆料的分散程度。对于第四长的连续刮涂，浆料的典型FOG值小于20微米，当刮出50%的浆料时，FOG值小于10微米。

使用行星式离心混合器(ThinkyCorporation(Tokyo,Japan))将银浆和玻璃粉浆混合在一起，以制成表13中显示出的最终浆料配方。

太阳能电池制备以及效率和填充因数测量

将浆料施加到在p-型基底上具有磷掺杂发射器的1.1"×1.1"经切割锯切割的多晶硅太阳能电池上。将浆料施加到具有62Ω/□发射器的DeutscheCell(DeutscheCell,Germany)多晶硅片。所使用的太阳能电池通过各向同性的酸蚀刻而实现纹理化，并具有SiN_X:H的减反射涂层(ARC)。针对每个样本测量效率和填充因数，如表13所示。使用刮刀速度设为200mm/s的ETPL555型印刷机进行丝网印刷，从而制得每个样本。所用丝网在具有325目和23μm线材的丝网中的20μm乳剂上具有以下图案：11条具有100μm开口的指状线和1条具有1.5mm开口的母线。将可商购获得的铝浆（DuPontPV381）印刷在装置的非受光（背）面上。

然后将两面均具有印刷图案的装置置于干燥箱中，在250℃的峰值温度下干燥10分钟。然后使基底的光照面向上，在CF7214Despatch6区红外线炉中进行焙烧，该红外线炉采用560cm/min的带速和500-550-610-700-800-HZ6的温度设定点，其中HZ6=885、900和915℃。在处理过程中测量部件的实际温度。估计的每个部件的峰值温度为745-775℃，并且每个部件在4秒的总时间内均高于650℃。然后使用校准过的ST-1000测试仪对完全加工的样本进行PV性能测试。

针对每个样本测量在表13中示出的效率和填充因数。针对每种浆料，示出6个样本的效率和填充因数的平均值以及中值。

Claims (15)

1.一种在光伏器件中用于形成电连接的厚膜浆料组合物，所述光伏器件包括半导体基底，在该半导体基底的一个主表面上具有至少一层绝缘层，所述厚膜浆料组合物包含：

a)基于所述组合物中的总固体计，85至99.5重量％的导电金属或其衍生物；

b)基于固体计0.5至15重量％的铅-碲-硼-氧化物，该铅-碲-硼-氧化物包括0.25-15重量％的B₂O₃、25-75重量％的PbO、10-70重量％的TeO₂；和

c)有机介质；

经烧制，该厚膜浆料能够透过所述至少一层绝缘层。

2.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述导电金属包括银。

3.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-硼-氧化物中的铅与碲的摩尔比介于5/95和95/5之间。

4.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-硼-氧化物还包含：0-20.0重量％的选自下列的组分：PbF₂、SiO₂、Bi₂O₃、BiF₃、LiO₂、SnO₂、AgO₂、ZnO、V₂O₅、Al₂O₃、Na₂O、TiO₂、CuO、ZrO₂和CeO₂。

5.根据权利要求4所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-硼-氧化物还包含：0.1-5重量％的TiO₂。

6.根据权利要求5所述的厚膜浆料组合物，其中所述有机介质还包括选自溶剂、稳定剂、表面活性剂和增稠剂的一种或多种添加剂。

7.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述导电金属为所述固体的90-95重量％。

8.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-硼-氧化物为至少部分结晶的。

9.根据权利要求4所述的厚膜浆料组合物，还包含选自下列的添加剂：PbF₂、SiO₂、Na₂O、K₂O、Rb₂O、Cs₂O、Al₂O₃、MgO、CaO、SrO、BaO、V₂O₅、ZrO₂、MoO₃、Mn₂O₃、Ag₂O、ZnO、Ga₂O₃、GeO₂、In₂O₃、SnO₂、Sb₂O₃、Bi₂O₃、BiF₃、P₂O₅、CuO、NiO、Cr₂O₃、Fe₂O₃、CoO、Co₂O₃和CeO₂。

10.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-硼-氧化物还包含选自Si、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Zr、Mo、Mn、Zn、B、P、Se、Sn、Ga、Ge、In、Sb、Bi、Ce、Cu、F、Ni、Cr、Fe、Co和Ag的一种或多种元素的氧化物。

11.根据权利要求1所述的厚膜浆料组合物，还包含：

基于固体计0.5至15重量％的铅-碲-锂-钛-氧化物。

12.根据权利要求11所述的厚膜浆料组合物，其中所述铅-碲-锂-钛-氧

化物包含：

25-80重量％的PbO、

10-70重量％的TeO₂、

0.1-5重量％的Li₂O、以及

0.1-5重量％的TiO₂。

13.一种形成光伏器件的方法，包括：

(a)提供半导体基底，其包括沉积到所述半导体基底的至少一个表面上的一个或多个绝缘膜；

(b)将厚膜浆料组合物施加到所述绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，其中所述厚膜浆料组合物包含：

i)基于所述组合物中的总固体计，85至99.5重量％的导电金属或其衍生物；

ii)基于固体计0.5至15重量％的铅-碲-硼-氧化物，该铅-碲-硼-氧化物包括0.25-15重量％的B₂O₃、25-75重量％的PbO、10-70重量％的TeO₂；和

iii)有机介质；以及

(c)焙烧所述半导体基底、绝缘膜和厚膜浆料，以形成与所述绝缘层接触并与所述半导体基底电接触的电极。

14.一种光伏器件，包括：

(a)半导体基底；

(b)位于所述半导体基底上的绝缘层；和

(c)与所述绝缘层接触并与所述半导体基底电接触的电极，所述电极是由权利要求1-12中任一项所述的厚膜浆料组合物制得的。

15.根据权利要求14所述的光伏器件，其中所述光伏器件为太阳能电池。