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HK1062081B - Electromagnetic emission reduction technique for shielded connectors - Google Patents

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Info

Publication number
HK1062081B
HK1062081B HK04105009.4A HK04105009A HK1062081B HK 1062081 B HK1062081 B HK 1062081B HK 04105009 A HK04105009 A HK 04105009A HK 1062081 B HK1062081 B HK 1062081B
Authority
HK
Hong Kong
Prior art keywords
connector shell
layer
logic ground
coupled
current path
Prior art date
Application number
HK04105009.4A
Other languages
English (en)
French (fr)
Chinese (zh)
Other versions
HK1062081A1 (en
Inventor
Alok Tripathi
Dennis Miller
Original Assignee
Intel Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/940,147 external-priority patent/US6700455B2/en
Application filed by Intel Corporation filed Critical Intel Corporation
Publication of HK1062081A1 publication Critical patent/HK1062081A1/en
Publication of HK1062081B publication Critical patent/HK1062081B/en

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Claims (21)

  1. Vorrichtung, welche umfaßt:
    ein Steckergehäuse (7) auf einer Leiterplatte;
    mehrere Steckerstifte (60), die mit dem Steckergehäuse (7) gekoppelt sind;
    eine Metallplatte in einer Signalschichtmetallisierung (21, 22, 23, 24), die mit den mehreren Steckerstiften (60) gekoppelt ist; und
    einen Hochfrequenzwechselstrompfad (2) von niedriger Impedanz, welcher mit dem Steckergehäuse (7) und einer Masseschicht (11) gekoppelt ist, wobei der Hochfrequenzwechselstrompfad (2) von niedriger Impedanz mit Hilfe von Zwischenebenenkondensatoren der Leiterplatte (5) implementiert ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Zwischenebenenkondensatoren in der Leiterplatte gebildet sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Hochfrequenzwechselstrompfad (2) von niedriger Impedanz mehrere Metallplatten in mehreren Signalschichten (21, 22, 23, 24) umfaßt, welche mehrere Kondensatorplatten bilden, die mit dem Steckergehäuse (7) und mehreren Masseschichten (11) zueinander parallel gekoppelt sind.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mehreren Steckerstifte (60) durch mehrere Masseschichten (11) laufen, um direkten Kontakt mit mehreren Signalschichten (21, 22, 23, 24) herzustellen, ohne für einen direkten Strompfad zu den mehreren Masseschichten (11) zu sorgen.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche ferner wenigstens einen diskreten Kondensator umfaßt, der mit einer oberen Signalschicht gekoppelt ist, um einen Niederfrequenzwechselstrompfad gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und der Masseschicht (11) bereitzustellen.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche ferner wenigstens einen diskreten Kondensator (71) umfaßt, der mit einer zweiten Signalschicht gekoppelt ist, um einen Niederfrequenzwechselstrompfad gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und der Masseschicht (11) bereitzustellen.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Abmessung wenigstens eines der diskreten Kondensatoren (71) so ist, daß eine erste Resonanzfrequenz einer Struktur größer als eine höchste interessierende Frequenz ist, die in einem Datenmuster auftritt.
  8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Masseschicht (11) in der Leiterplatte (5) gebildet ist.
  9. Verfahren, welches umfaßt:
    Bereitstellen eines Steckergehäuses (7); und
    Verbinden einer Reihe von parallelen Kondensatoren, die in einer Leiterplatte (5) ausgebildet sind, mit dem Steckergehäuse (7), wodurch ein Hochfrequenzwechselstrompfad von niedriger Impedanz zwischen dem Steckergehäuse und einer Masseschicht mit Hilfe der Reihe von parallelen Kondensatoren implementiert wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, welches ferner umfaßt:
    direktes Verbinden einer Kondensatorplatte in einer Signalschichtmetallisierung mit dem Steckergehäuse (7); und
    Bereitstellen eines Hochfrequenzwechselstrompfades (2) von niedriger Impedanz zu einer Masseschicht (11).
  11. Verfahren nach Anspruch 10, welches ferner umfaßt:
    direktes Verbinden der Kondensatorplatten der Signalschicht mit dem Steckergehäuse (7) durch mehrere Steckerstifte (60), die durch mehrere Masseschichten (11) laufen, ohne einen direkten elektrischen Kontakt mit der Masse herzustellen.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, welches ferner umfaßt:
    Verbinden zusätzlicher diskreter Kondensatoren (71) mit einer Signalschichtmetallisierung (21, 22, 23, 24); und
    Bereitstellen eines Niederfrequenzwechselstrompfades von niedriger Impedanz gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und einer Masseschicht (11).
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, welches ferner umfaßt:
    Verbinden zusätzlicher diskreter Kondensatoren (71) mit einer unteren Signalschichtmetallisierung (21, 22, 23, 24); und
    Bereitstellen eines Niederfrequenzwechselstrompfades von niedriger Impedanz gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und einer Masseschicht (11).
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, welches ferner umfaßt:
    Dimensionieren der Kondensatorplatte, so daß eine erste Resonanzfrequenz einer Struktur größer als eine größte interessierende Frequenz ist, die in einem Datenmuster auftritt.
  15. System, welches umfaßt:
    eine Leiterplatte (5);
    ein Steckergehäuse (7), das mit der Leiterplatte gekoppelt ist;
    mehrere Steckerstifte (60), die mit dem Steckergehäuse (7) gekoppelt sind;
    einen Abschnitt einer Signalschicht, der direkt mit den mehreren Steckerstiften verbunden ist; und
    einen Hochfrequenzwechselstrompfad (2) von niedriger Impedanz von dem Steckergehäuse (7) zu einer Masseschicht (11), wobei der Hochfrequenzwechselstrompfad (2) von niedriger Impedanz mit Hilfe von Zwischenebenenkondensatoren der Leiterplatte (5) implementiert ist.
  16. System nach Anspruch 15, wobei die Zwischenebenenkondensatoren in der Leiterplatte (5) ausgebildet sind.
  17. System nach Anspruch 15 oder 16, welches ferner umfaßt:
    mehrere Kondensatorkontaktflächen der Signalschicht, die direkt mit den mehreren Steckerstiften (60) verbunden sind, wodurch mehrere parallel verbundene Kondensatoren bereitgestellt werden.
  18. System nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei ferner:
    der Abschnitt der Signalschicht, welcher direkt mit den mehreren Steckerstiften (60) verbunden ist, ist derart dimensioniert, daß eine erste Resonanzfrequenz einer Struktur größer als eine höchste interessierende Frequenz in einem Datenmuster ist.
  19. System nach einem der Ansprüche 15 bis 18, welches ferner umfaßt:
    wenigstens einen diskreten Kondensator (71), der mit einer unteren Signalschicht gekoppelt ist, um einen Niederfrequenzwechselstrompfad von geringer Impedanz gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und der Masseschicht (11) bereitzustellen.
  20. System nach einem der Ansprüche 15 bis 19, welches ferner umfaßt:
    wenigstens einen diskreten Kondensator (71), der mit einer oberen Signalschicht gekoppelt ist, um einen Niederfrequenzwechselstrompfad von geringer Impedanz gekoppelt mit dem Steckergehäuse (7) und der Masseschicht (11) bereitzustellen.
  21. System nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei die Masseschicht (11) in der Leiterplatte ausgebildet ist.
HK04105009.4A 2001-08-23 2002-08-01 Electromagnetic emission reduction technique for shielded connectors HK1062081B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/940,147 2001-08-23
US09/940,147 US6700455B2 (en) 2001-08-23 2001-08-23 Electromagnetic emission reduction technique for shielded connectors
PCT/US2002/024671 WO2003019733A1 (en) 2001-08-23 2002-08-01 Electromagnetic emission reduction technique for shielded connectors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HK1062081A1 HK1062081A1 (en) 2004-10-15
HK1062081B true HK1062081B (en) 2007-04-27

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