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FR3139665B1 - Dispositif électronique intégré et procédé de fabrication correspondant - Google Patents

Dispositif électronique intégré et procédé de fabrication correspondant Download PDF

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FR3139665B1
FR3139665B1 FR2208975A FR2208975A FR3139665B1 FR 3139665 B1 FR3139665 B1 FR 3139665B1 FR 2208975 A FR2208975 A FR 2208975A FR 2208975 A FR2208975 A FR 2208975A FR 3139665 B1 FR3139665 B1 FR 3139665B1
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FR
France
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electronic device
integrated electronic
corresponding manufacturing
layer
carrier structure
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FR2208975A
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English (en)
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FR3139665A1 (fr
Inventor
Raphael Aubry
Mourad Azzaz
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Valeo Comfort and Driving Assistance SAS
Original Assignee
Valeo Comfort and Driving Assistance SAS
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Publication date
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Priority to EP23749107.1A priority patent/EP4584821A1/fr
Priority to PCT/EP2023/071474 priority patent/WO2024052013A1/fr
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    • H10W44/226—
    • H10W44/251—

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Abstract

Il est proposé un dispositif électronique intégré (1) comportant au moins un composant réalisé sur une structure porteuse (2) comportant un substrat semi-conducteur, une piste d’interconnexion (8) qui s’étend sur la structure porteuse depuis le composant jusqu’à une face latérale (9) du dispositif, la piste d’interconnexion comportant une couche de matériau oxydable (12) supportant une couche continue de matériau conducteur (13), dans lequel la couche de matériau oxydable est discontinue.Il est également proposé un procédé de fabrication d’un tel dispositif. Figure pour l’abrégé : Fig. 2
FR2208975A 2022-09-08 2022-09-08 Dispositif électronique intégré et procédé de fabrication correspondant Active FR3139665B1 (fr)

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JP2001244419A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd 高周波モジュール及び移動体検知モジュール
JP4927358B2 (ja) * 2004-07-27 2012-05-09 ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器

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EP4584821A1 (fr) 2025-07-16
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CN119856283A (zh) 2025-04-18

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