FR3032555B1 - Procede de report d'une couche utile - Google Patents

Procede de report d'une couche utile Download PDF

Info

Publication number: FR3032555B1
Authority: FR; France
Prior art keywords: deferring; useful layer; useful; layer
Prior art date: 2015-02-10
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.): Active

Application number

FR1551046A

Other languages

English (en)

Other versions

FR3032555A1 (fr

Inventor

Didier Landru

Oleg Kononchuk

Nadia Ben Mohamed

Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)

Soitec SA

Original Assignee

Soitec SA

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

2015-02-10

Filing date

2015-02-10

Publication date

2018-01-19

2015-02-10 Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA

2015-02-10 Priority to FR1551046A priority Critical patent/FR3032555B1/fr

2016-01-28 Priority to JP2016014598A priority patent/JP6606705B2/ja

2016-02-03 Priority to CN201610076558.7A priority patent/CN105870048B/zh

2016-02-08 Priority to US15/018,465 priority patent/US9922867B2/en

2016-08-12 Publication of FR3032555A1 publication Critical patent/FR3032555A1/fr

2018-01-19 Application granted granted Critical

2018-01-19 Publication of FR3032555B1 publication Critical patent/FR3032555B1/fr

Status Active legal-status Critical Current

2035-02-10 Anticipated expiration legal-status Critical

Classifications

- H10P90/1916—
- H10P10/12—
- H10P30/204—
- H10P30/208—
- H10P95/90—
- H10W10/181—

FR1551046A 2015-02-10 2015-02-10 Procede de report d'une couche utile Active FR3032555B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
FR1551046A FR3032555B1 (fr)	2015-02-10	2015-02-10	Procede de report d'une couche utile
JP2016014598A JP6606705B2 (ja)	2015-02-10	2016-01-28	有用層を移動する方法
CN201610076558.7A CN105870048B (zh)	2015-02-10	2016-02-03	用于转移有用层的方法
US15/018,465 US9922867B2 (en)	2015-02-10	2016-02-08	Method for transferring a useful layer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
FR1551046		2015-02-10
FR1551046A FR3032555B1 (fr)	2015-02-10	2015-02-10	Procede de report d'une couche utile

Publications (2)

Publication Number	Publication Date
FR3032555A1 FR3032555A1 (fr)	2016-08-12
FR3032555B1 true FR3032555B1 (fr)	2018-01-19

Family

ID=52737357

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
FR1551046A Active FR3032555B1 (fr)	2015-02-10	2015-02-10	Procede de report d'une couche utile

Country Status (4)

Country	Link
US (1)	US9922867B2 (fr)
JP (1)	JP6606705B2 (fr)
CN (1)	CN105870048B (fr)
FR (1)	FR3032555B1 (fr)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
FR3061988B1 (fr)	2017-01-13	2019-11-01	Soitec	Procede de lissage de surface d'un substrat semiconducteur sur isolant
FR3063176A1 (fr) *	2017-02-17	2018-08-24	Soitec	Masquage d'une zone au bord d'un substrat donneur lors d'une etape d'implantation ionique
FR3074958B1 (fr) *	2017-12-08	2020-05-29	Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives	Procede de collage par adhesion directe
FR3079346B1 (fr) *	2018-03-26	2020-05-29	Soitec	Procede de fabrication d'un substrat donneur pour le transfert d'une couche piezoelectrique, et procede de transfert d'une telle couche piezoelectrique
FR3091620B1 (fr) *	2019-01-07	2021-01-29	Commissariat Energie Atomique	Procédé de transfert de couche avec réduction localisée d’une capacité à initier une fracture
FR3093715B1 (fr) *	2019-03-15	2021-03-05	Soitec Silicon On Insulator	Dispositif de maintien pour un ensemble à fracturer
FR3113772B1 (fr) *	2020-08-25	2024-05-03	Commissariat Energie Atomique	Procédé de transfert d’une couche mince sur un substrat receveur comportant des cavités et une région dépourvue de cavités en bordure d’une face de collage
FR3126809B1 (fr) *	2021-09-06	2024-10-25	Soitec Silicon On Insulator	Procede de transfert d’une couche utile sur une face avant d’un substrat support
FR3135820B1 (fr)	2022-05-18	2024-04-26	Commissariat Energie Atomique	Procédé de transfert d'une couche depuis un substrat source vers un substrat destination
FR3144694A1 (fr) *	2022-12-28	2024-07-05	Commissariat A L' Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives	Procédé de fabrication d’une structure multicouche comprenant une couche de silicium poreux

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JP2001525991A (ja) *	1997-05-12	2001-12-11	シリコン・ジェネシス・コーポレーション	制御された劈開プロセス
JP2000124092A (ja) *	1998-10-16	2000-04-28	Shin Etsu Handotai Co Ltd	水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
JP2000349264A (ja) *	1998-12-04	2000-12-15	Canon Inc	半導体ウエハの製造方法、使用方法および利用方法
JP4313874B2 (ja) *	1999-02-02	2009-08-12	キヤノン株式会社	基板の製造方法
US7176108B2 (en) *	2002-11-07	2007-02-13	Soitec Silicon On Insulator	Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation
EP1429381B1 (fr) *	2002-12-10	2011-07-06	S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies	Procédé de fabrication d'un matériau composé
JP3886959B2 (ja) *	2002-12-10	2007-02-28	エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス．アー．	材料複合体の製造方法
CN1823400A (zh) *	2003-07-15	2006-08-23	财团法人神奈川科学技术研究院	氮化物半导体器件及其制备方法
FR2861497B1 (fr)	2003-10-28	2006-02-10	Soitec Silicon On Insulator	Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
US20060027459A1 (en) *	2004-05-28	2006-02-09	Lake Shore Cryotronics, Inc.	Mesoporous silicon infrared filters and methods of making same
US9362439B2 (en) *	2008-05-07	2016-06-07	Silicon Genesis Corporation	Layer transfer of films utilizing controlled shear region
KR101378933B1 (ko) *	2007-02-08	2014-04-11	소이텍	고도의 열 발산적인 기판의 제조 방법
JP5096556B2 (ja) *	2007-04-17	2012-12-12	アイメック	基板の薄層化方法
JP5245380B2 (ja) *	2007-06-21	2013-07-24	信越半導体株式会社	Ｓｏｉウェーハの製造方法
FR2920912B1 (fr) *	2007-09-12	2010-08-27	S O I Tec Silicon On Insulator Tech	Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche
FR2926674B1 (fr) *	2008-01-21	2010-03-26	Soitec Silicon On Insulator	Procede de fabrication d'une structure composite avec couche d'oxyde de collage stable
FR2987166B1 (fr) *	2012-02-16	2017-05-12	Soitec Silicon On Insulator	Procede de transfert d'une couche

2015
- 2015-02-10 FR FR1551046A patent/FR3032555B1/fr active Active
2016
- 2016-01-28 JP JP2016014598A patent/JP6606705B2/ja active Active
- 2016-02-03 CN CN201610076558.7A patent/CN105870048B/zh active Active
- 2016-02-08 US US15/018,465 patent/US9922867B2/en active Active

Also Published As

Publication number	Publication date
CN105870048A (zh)	2016-08-17
FR3032555A1 (fr)	2016-08-12
US9922867B2 (en)	2018-03-20
CN105870048B (zh)	2020-09-04
US20160233125A1 (en)	2016-08-11
JP6606705B2 (ja)	2019-11-20
JP2016149538A (ja)	2016-08-18

Publication	Publication Date	Title
FR3032555B1 (fr)	2018-01-19	Procede de report d'une couche utile
IL257456B (en)	2022-05-01	A method of producing a two-dimensional material
EP3364977A4 (fr)	2019-09-04	Méthode de criblage d'inhibiteurs de ras
FR3044198B1 (fr)	2018-04-27	Procede de configuration d’une passerelle
EP3334891A4 (fr)	2019-06-19	Procédé de forage latéral
FR3024587B1 (fr)	2018-01-26	Procede de fabrication d'une structure hautement resistive
FR3028872B1 (fr)	2017-05-19	Procede de fractionnement
FR3020175B1 (fr)	2016-05-13	Procede de transfert d'une couche utile
FR3026214B1 (fr)	2017-05-19	Procede de gestion d'alertes
FR3008904B1 (fr)	2015-07-31	Procede de formation d'une couche hydrophobe
EP3470546A4 (fr)	2019-05-08	Procédé de formation de film
FR3008507B1 (fr)	2017-04-14	Procede de modelisation d'une surface non-axisymetrique
FR3045187B1 (fr)	2018-01-12	Procede de transmission d'une information numerique
FR3044626B1 (fr)	2017-12-01	Procede de suivi d'une cible
FR3020157B1 (fr)	2016-05-27	Procede de detection numerique
FI20155241L (fi)	2016-10-03	Menetelmä beta-spodumeenin valmistamiseksi alfa-spodumeenia sisältävästä raaka-aineesta
FR3021993B1 (fr)	2016-06-10	Procede de dimensionnement d'une turbomachine
FR3030092B1 (fr)	2018-01-05	Procede de representation tridimensionnelle d'une scene
FR3019310B1 (fr)	2016-04-01	Procede de geo-localisation de l'environnement d'un porteur
FR3032989B1 (fr)	2017-03-24	Banche de coffrage et procede de mise en place d'une banche
FR3026845B1 (fr)	2018-11-09	Procede de mouillage d'une sonotrode
FR3043372B1 (fr)	2017-12-08	Procede d'engagement de l'assistance hydraulique
FR3037686B1 (fr)	2017-06-02	Procede de deploiement d'une application dans un element securise
FR3030875B1 (fr)	2022-10-14	Procede d'obtention de motifs dans une couche
PL2982982T3 (pl)	2018-03-30	Sposób badania przesiewowego związków przy użyciu błonowego STIM1

Legal Events

Date	Code	Title	Description
2016-01-22	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 2
2016-08-12	PLSC	Publication of the preliminary search report	Effective date: 20160812
2017-01-24	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 3
2018-01-23	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 4
2020-01-22	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 6
2021-01-26	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 7
2022-01-27	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 8
2023-01-23	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 9
2024-01-23	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 10
2025-01-21	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 11
2026-01-21	PLFP	Fee payment	Year of fee payment: 12