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FR1149035A - Protection des dispositifs semi-conducteurs - Google Patents

Protection des dispositifs semi-conducteurs

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Publication number
FR1149035A
FR1149035A FR1149035DA FR1149035A FR 1149035 A FR1149035 A FR 1149035A FR 1149035D A FR1149035D A FR 1149035DA FR 1149035 A FR1149035 A FR 1149035A
Authority
FR
France
Prior art keywords
protection
semiconductor devices
semiconductor
devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
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English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Edison Swan Electric Co Ltd
Original Assignee
Edison Swan Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edison Swan Electric Co Ltd filed Critical Edison Swan Electric Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of FR1149035A publication Critical patent/FR1149035A/fr
Expired legal-status Critical Current

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    • H10W74/131—
FR1149035D 1955-04-28 1956-04-25 Protection des dispositifs semi-conducteurs Expired FR1149035A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1149035X 1955-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1149035A true FR1149035A (fr) 1957-12-19

Family

ID=10877802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1149035D Expired FR1149035A (fr) 1955-04-28 1956-04-25 Protection des dispositifs semi-conducteurs

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1149035A (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160548B (de) * 1957-12-18 1964-01-02 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren von halbleitendem Germanium oder Silizium mit Schwefel
DE1242297B (de) * 1958-09-16 1967-06-15 Philips Nv Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160548B (de) * 1957-12-18 1964-01-02 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren von halbleitendem Germanium oder Silizium mit Schwefel
DE1242297B (de) * 1958-09-16 1967-06-15 Philips Nv Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

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