[go: up one dir, main page]

FI118196B - Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur - Google Patents

Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur Download PDF

Info

Publication number
FI118196B
FI118196B FI20050707A FI20050707A FI118196B FI 118196 B FI118196 B FI 118196B FI 20050707 A FI20050707 A FI 20050707A FI 20050707 A FI20050707 A FI 20050707A FI 118196 B FI118196 B FI 118196B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
diffusion
layers
protective layer
layer
diffusion layers
Prior art date
Application number
FI20050707A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20050707A0 (sv
FI20050707L (sv
Inventor
Maxim A Odnoblyudov
Vladislav E Bougrov
Original Assignee
Optogan Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optogan Oy filed Critical Optogan Oy
Publication of FI20050707A0 publication Critical patent/FI20050707A0/sv
Priority to FI20050707A priority Critical patent/FI118196B/sv
Priority to RU2008102874/28A priority patent/RU2391746C2/ru
Priority to US11/988,055 priority patent/US7763904B2/en
Priority to CNB200680023943XA priority patent/CN100568560C/zh
Priority to KR1020087002038A priority patent/KR101238310B1/ko
Priority to PCT/FI2006/000220 priority patent/WO2007003684A1/en
Priority to JP2008518877A priority patent/JP5247439B2/ja
Priority to EP06764446A priority patent/EP1908122A4/en
Priority to HK08113431.2A priority patent/HK1124172B/xx
Priority to TW095122874A priority patent/TWI390724B/zh
Publication of FI20050707L publication Critical patent/FI20050707L/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI118196B publication Critical patent/FI118196B/sv
Priority to US12/829,466 priority patent/US8062913B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Claims (14)

1. Halvledarstruktur (1), vilken är bildad av nitrider av metaller ur grupp III, vilka har wurtzitk- 5 ristallstruktur, och vilken är odlad i gasfas pä ett (0001) -orienterat halvledarsubstrat (2, 3), vilken struktur omfattar ett nedre mantelskikt (4); ett övre mantelskikt (5) , vilket är odlat 10 ovanför det nedre mantelskiktet, vilket Övre mantel skikt har en jämn Övre yta (9), vilket Övre mantel-skikts gitterkonstant är den samma som gitterkonstan- / ten av det nedre mantelskiktet; och λ ett diffusionsomräde (6, 7), vilket är place- [ 15 rat mellan det nedre mantelskiktet (4) och det övre f mantelskiktet (5) för diffunderande av ljus som fram- ../ skrider i halvledarstrukturen (1) , vilket diffusions-omräde har en brytningskoefficient, vilken är en annan än brytningskoefficienterna av mantelskikten, och 20 icke-jämna ytor för anordnande av gränsytor som dif-funderar ljus mellan diffusionsomrädet och mantelskik- .. ten, ..-..4 * » : kännetecknad därav, att diffusionsom- • # · rädet omfattar flera diffusionsskikt (6, 7) , vars sam- : 1·· 25 mansättningar och tjocklekar är valda för att undgä • 1 · ίί#>ί bildande av dislokationer som spanning ästadkommer i : diffusionsomrädet, och att bredvid varandra varande ··· · ·'2. dif fusionsskikt (6, 7) har olika brytningskoef f icien- ) • « « ter för ytterligare bättrande av diffusionseffektivi- • 30 teten. · • · · .
2. Halvledarstruktur (1) enligt patentkrav 1, *** kännetecknad därav, att nämnda nitrider har • · S/.; formen AlxGa1,x,yInyN, väri 0 < x < 1 och 0 < y < 1. / *:2:
/ 3. Halvledarstruktur (1) enligt patentkrav 1 35 eller 2, kännetecknad därav, att nämnda nedre • 1 1 1, och övre mantelskikt är av samma material. 2 • · · · # • · 118196 '
4. Halvledarstruktur (1) enligt patentkrav 3, ) I kännetecknad därav, att diffusionsskikten (6, >, 7) är gitteranpassade i förhällande till mantelskikten (4, δ) . *
5. Halvledarstruktur (1) enligt patentkrav 3, .:. kännetecknad därav, att dif fusionsskikten (6, 7) är gittermissanpassade i förhällande till det nedre och Övre mantelskiktet (4, 5), tjockleken av vart och ett diffusionsskikt är mindre än Matthews-Blakeslees 10 kritiska tjocklek, och att det ena av tvä bredvid var-andra varande diffusionsskikt har en positiv och det andra har en negativ gittermissanpassning i förhällande till mantelskikten (4, 5) för att undgä ackumula- tion av spänning i diffusionsskikten. i
6. Halvledarstruktur (1) enligt nägot av pa- tentkraven 1 - 5, kännetecknad därav, att det nedre mantelskiktet och diffusionsskikten har Övre ytor, väri finns fasetter vars kristallografiska index > är andra än (0001) och index av typ {1100}. /¾1 20
7. Förfarande för framställning av en halvle- -i darstruktur (1), vilken halvledarstruktur är bildad av ·. ^ nitrider av metaller ur grupp III, vilka har en wurt- i j zitkristallstruktur, och vilken är odlad i gasfas pä y : **· ett (0001) -orienterat halvledarsubstrat (2, 3), vil- r- *·« ·*·#< 25 ket förfarande omfattar följande steg .**·. odlande i gasfas av ett nedre mantelskikt ·♦♦* . . (4) 7 • · · “!.* odlande i gasfas av ett diffusionsomräde (6, Λ * · *** 7) ovanför det nedre mantelskiktet för diffunderande 30 av ljus som framskrider i halvledarstrukturen (1), • · · *.ί.* vilket dif fusionsomräde har en brytningskoef f icient, • · · vilken är en annan än brytningskoef f icienten av det : nedre mantelskiktet, och icke-jämna ytor; och • ·« odlande i gasfas av ett Övre mantelskikt (5) • » . 35 ovanför diffusionsomrädet, vilket övre mantelskikt har •» · : en jämn övre yta (9) , en brytningskoef f icient, vilken är en annan än brytningskoefficienten av diffusionsom- ; 4 118196 rädet och en gitterkonstant, vilken är den samma som gitterkonstanten av det nedre mantelskiktet, ii kännetecknat därav, att odlande av diffusionsomrädet omfattar stegen, väri flera diffu- ; 5 sionsskikt (6, 7) odlas, vars sammansättningar och > tjocklekar är valda för att undgä bildande av disloka- '! tioner som spanning ästadkommer i skiktgränsytorna, och bredvid varandra varande diffusionsskikt har olika brytningskoefficienter för ytterligare bättrande av 10 diffusionseffektiviteten.
8. Förfarande enligt patentkrav 7, kännetecknat därav, att nämnda nitrider har formen Alx_ 7 Gax-x.ylnyN, väri 0 < x < 1 och 0 <, y ί 1.
9. Förfarande enligt patentkrav 7 eller 8, - 15 kännetecknat därav, att nämnda nedre och övre > mantelskikt är av samma material. ··
10. Förfarande enligt patentkrav 9, k ä n - i: netecknat därav, att dif fusionsskikt (6, 7) od- 1 las, vars gitterkonstanter är samma som gitterkonstan- 20 ten av mantelskikten (4,5).
11. Förfarande enligt patentkrav 9, kän- netecknat därav, att dif fusionsskikt odlas, vil- | • *·· ka vart och ett har en gitterkonstant, vilken är en : **: annan än gitterkonstanten av mantelskikten (4, 5), . : 25 tjocklek, vilken är mindre än Matthews-Blakeslees kri- .*·*. tiska tjocklek, och av tvä bredvid varandra varande • · · : .·. dif fusionsskikt (6, 7) har det ena en större och det • · · *•1/ andra en mindre gitterkonstant än gitterkonstanten av ,5 • · *, *** mantelskikten (4, 5) för att undgä ackumulation av 30 spanning i diffusionsskikten. f
* · · *·:·* 12. Förfarande enligt nägot av patentkraven 7 d • ti *...* -11, kännetecknat därav, att ett nedre man- 4 .‘· ί telskikt och dif fusionsskikt odlas, varav vart och ett • · t 1 • · ,...· har en övre yta, väri finns fasetter, vars kristallo- * t • 35 grafiska index är andra än (0001) och index av typ • · * * — „ : .· {1100}. « 5‘ • * 24 ..11 81 96
13. Förfarande enligt patentkrav 12, kän- '1 netecknat därav, att odlande av nedre mantel- '* skiktet omfattar ett steg av bildande av anhopningar (14) pä en (0001) -orienterad yta, väri höjden av dj 5 nämnda anhopningar är 0,1 - 1,5 μιη och ytdensiteten är 107 - 108 cm-2. 1
14. Förfarande enligt patentkrav 13, k ä n -netecknat därav, att nämnda anhopningar (14) bildas i en process, vilken bestär av en serie korta 10 läg-temperaturdepositioner, vilka utförs inom tempera- turomrädet 450 - 700 °C, vilka följes av hög- J temperaturbehandlingsperioder, vilka utförs inom tem-peraturomrädet 900 - 1150 °C. ? . i . · ·· . ',S ·« • · • ·· * ♦ · ♦ · * · * · · M Λ * · ♦ ··· ’ · • ♦ • · ··· ♦ · .-..-1 ♦ · · ♦ · · ··♦ · ···--• · • » • · . - % • · » d • · · * * · • · --:¾ • · ; *·» • · • · · • *· • · ····' * · ·· · • · « • · . ♦ · ***** , i
FI20050707A 2005-01-07 2005-07-01 Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur FI118196B (sv)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20050707A FI118196B (sv) 2005-07-01 2005-07-01 Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur
JP2008518877A JP5247439B2 (ja) 2005-07-01 2006-06-20 半導体構造および半導体構造を製造する方法
US11/988,055 US7763904B2 (en) 2005-01-07 2006-06-20 Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
CNB200680023943XA CN100568560C (zh) 2005-07-01 2006-06-20 半导体结构及制造半导体结构的方法
KR1020087002038A KR101238310B1 (ko) 2005-07-01 2006-06-20 반도체 구조 및 반도체 구조의 제조 방법
PCT/FI2006/000220 WO2007003684A1 (en) 2005-07-01 2006-06-20 Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
RU2008102874/28A RU2391746C2 (ru) 2005-07-01 2006-06-20 Полупроводниковая структура и способ изготовления полупроводниковой структуры
EP06764446A EP1908122A4 (en) 2005-07-01 2006-06-20 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
HK08113431.2A HK1124172B (en) 2005-07-01 2006-06-20 Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure
TW095122874A TWI390724B (zh) 2005-07-01 2006-06-26 半導體結構體及其製造方法
US12/829,466 US8062913B2 (en) 2005-07-01 2010-07-02 Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20050707 2005-07-01
FI20050707A FI118196B (sv) 2005-07-01 2005-07-01 Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20050707A0 FI20050707A0 (sv) 2005-07-01
FI20050707L FI20050707L (sv) 2007-01-02
FI118196B true FI118196B (sv) 2007-08-15

Family

ID=34803175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20050707A FI118196B (sv) 2005-01-07 2005-07-01 Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7763904B2 (sv)
EP (1) EP1908122A4 (sv)
JP (1) JP5247439B2 (sv)
KR (1) KR101238310B1 (sv)
CN (1) CN100568560C (sv)
FI (1) FI118196B (sv)
RU (1) RU2391746C2 (sv)
TW (1) TWI390724B (sv)
WO (1) WO2007003684A1 (sv)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182069A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Toshiba Corp 半導体発光素子
TWI321366B (en) * 2007-02-09 2010-03-01 Huga Optotech Inc Epi-structure with uneven multi-quantum well and the method thereof
DE102008035784A1 (de) * 2008-07-31 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8129205B2 (en) * 2010-01-25 2012-03-06 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices and associated methods of manufacturing
DE102011012925A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
RU2485630C2 (ru) * 2011-08-04 2013-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Способ изготовления светодиода
US9269858B2 (en) * 2011-08-31 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods
JP7094082B2 (ja) * 2017-06-14 2022-07-01 日本ルメンタム株式会社 光半導体素子、光サブアセンブリ、及び光モジュール
CN109143764A (zh) * 2018-11-05 2019-01-04 成都菲斯特科技有限公司 成像结构、投影屏幕及投影系统

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3954534A (en) 1974-10-29 1976-05-04 Xerox Corporation Method of forming light emitting diode array with dome geometry
TW253999B (sv) * 1993-06-30 1995-08-11 Hitachi Cable
DE19629920B4 (de) 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US6849472B2 (en) * 1997-09-30 2005-02-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Nitride semiconductor device with reduced polarization fields
JP3196833B2 (ja) * 1998-06-23 2001-08-06 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
JP3592553B2 (ja) * 1998-10-15 2004-11-24 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体装置
US6614059B1 (en) * 1999-01-07 2003-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device with quantum well
JP2001102690A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp 窒化物系半導体レーザ装置
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6657236B1 (en) * 1999-12-03 2003-12-02 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
US6903376B2 (en) 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
DE10033496A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
WO2002017369A1 (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Showa Denko K.K. Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
CN1284250C (zh) * 2001-03-21 2006-11-08 三菱电线工业株式会社 半导体发光元件
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2003092426A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2003101157A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US6683327B2 (en) 2001-11-13 2004-01-27 Lumileds Lighting U.S., Llc Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices
JP3968566B2 (ja) * 2002-03-26 2007-08-29 日立電線株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス
JP3776824B2 (ja) * 2002-04-05 2006-05-17 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
CN1484349A (zh) * 2002-09-16 2004-03-24 铼德科技股份有限公司 发光元件的微共振腔的多层反射膜及其制程
US6921804B2 (en) 2003-03-25 2005-07-26 Equistar Chemicals L.P. Cascaded polyolefin slurry polymerization employing disengagement vessel between reactors
RU2231171C1 (ru) * 2003-04-30 2004-06-20 Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" Светоизлучающий диод
US6781160B1 (en) * 2003-06-24 2004-08-24 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US6847057B1 (en) 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
JPWO2005020396A1 (ja) * 2003-08-26 2006-10-19 ソニー株式会社 ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2005093682A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法
KR100714639B1 (ko) * 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US8062913B2 (en) 2011-11-22
US20100314662A1 (en) 2010-12-16
WO2007003684A1 (en) 2007-01-11
FI20050707A0 (sv) 2005-07-01
RU2008102874A (ru) 2009-08-10
FI20050707L (sv) 2007-01-02
EP1908122A4 (en) 2013-03-27
TW200705657A (en) 2007-02-01
TWI390724B (zh) 2013-03-21
US20090127574A1 (en) 2009-05-21
JP2008545261A (ja) 2008-12-11
US7763904B2 (en) 2010-07-27
KR20080034441A (ko) 2008-04-21
RU2391746C2 (ru) 2010-06-10
EP1908122A1 (en) 2008-04-09
CN101213676A (zh) 2008-07-02
KR101238310B1 (ko) 2013-02-28
JP5247439B2 (ja) 2013-07-24
HK1124172A1 (zh) 2009-07-03
CN100568560C (zh) 2009-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI118196B (sv) Halvledarstruktur och förfarande för framställning av en halvledarstruktur
US7745843B2 (en) Semiconductor light emitting device
CN107863426B (zh) 氮化铝系半导体深紫外发光元件
EP2410582A2 (en) Rod type light emitting device and method for fabricating the same
CN104685644B (zh) 光电子器件和用于其制造的方法
Shabani et al. Deep‐Red‐Emitting Colloidal Quantum Well Light‐Emitting Diodes Enabled through a Complex Design of Core/Crown/Double Shell Heterostructure
TW200525782A (en) Photonic crystal light emitting device
WO2006103933A1 (ja) 自発光デバイス
CN102945902B (zh) 一种光子晶体结构的发光二极管及其应用
Zhang et al. Enhancing the light extraction efficiency for AlGaN-based DUV LEDs with a laterally over-etched p-GaN layer at the top of truncated cones
FR3003397A1 (fr) Structures semi-conductrices dotées de régions actives comprenant de l&#39;INGAN
CN1996629A (zh) 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
Zheng et al. In-depth insights into polarization-dependent light extraction mechanisms of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes
TW200406072A (en) Manufacturing method of light emitting device and light emitting device
JP2002033513A (ja) 発光素子
JP2008226962A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
CN117438513A (zh) Uvb-led外延结构及其制备方法
TW201338196A (zh) 發光二極體
US20070158662A1 (en) Two-dimensional photonic crystal LED
TWI290775B (en) Lighting system with high and improved extraction efficiency
CN119384135B (zh) 深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法
Liu et al. Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells
TW200826314A (en) Vertical conductive LED and manufacture method thereof
Anum et al. Advancing III-Phosphide Red Light-emitting Diode Performance Through Ternary and Graded Ternary Electron Blocking Layer
CN119546011A (zh) 一种Micro-LED光源及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 118196

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed