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EP1218799A1 - Abschirmung äusserer anregungen bei der vermessung schwingungsfähiger halbleitermembranen - Google Patents

Abschirmung äusserer anregungen bei der vermessung schwingungsfähiger halbleitermembranen

Info

Publication number
EP1218799A1
EP1218799A1 EP00964148A EP00964148A EP1218799A1 EP 1218799 A1 EP1218799 A1 EP 1218799A1 EP 00964148 A EP00964148 A EP 00964148A EP 00964148 A EP00964148 A EP 00964148A EP 1218799 A1 EP1218799 A1 EP 1218799A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
membrane
film
measuring
pellicle
acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP00964148A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gerd Stach
Thomas Struck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leica Microsystems CMS GmbH
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Leica Microsystems CMS GmbH
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leica Microsystems CMS GmbH, Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Leica Microsystems CMS GmbH
Publication of EP1218799A1 publication Critical patent/EP1218799A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Definitions

  • the invention relates to a method for optically measuring a vibratable and preferably structured membrane in a gas flow and / or acoustic excitation environment, in which a device for measuring the membrane is focused on it.
  • the invention further relates to the use of a pellicle for damping and / or shielding gas flows and / or acoustic excitations in the above method.
  • stencil masks The production and measurement of stencil masks is described in "Stencil Mask Technology for Ion Bea Lithograph", Procedures of BACUS (Bay Area Chromemask User Symposium, California), SPIE 1998.
  • the 150 mm diameter substrates used there have a membrane with a diameter of 126 mm. Test structures are located on this membrane, the position of which is optically measured.
  • the structures are measured in the clean rooms set up for semiconductor production, in which an upward-facing laminar flow of air causes continuous air filtering or cleaning.
  • This air flow leads to difficulties in measuring the described semiconductor membranes of stencil masks.
  • the membranes which are only a few micrometers thick and also have numerous structural curvatures and are therefore extremely unstable, are very easily excited to vibrate by air movements.
  • a measuring device When measuring such a membrane, a measuring device must be focused on the membrane level. If it swings in the vertical direction, for example, in addition to blurring, there are also horizontal displacements of the structural openings to be measured. These measurement errors are also acoustically excited in addition to air movements.
  • Pellicles are placed on the optical exposure through a reticle, that is to say through a quartz plate covered with a structured chrome layer, and serve to serve small ones Particles in the clean room do not deposit on the reticle, but, for example, a few millimeters above it on the pellicle film and do not cause the light beam to be masked or scattered during optical imaging.
  • the pellicle thus holds microparticles and others Contamination away from the ret cle surface.
  • pellicles The use of pellicles is described in VDI / VDE guidelines 3717, page 6 of March 1999 (see VDI / VDE manual for micro and remote technology).
  • the pellicles described have a film thickness of 0.8 to 2.85 ⁇ m and are used for optical exposure with wavelengths between 360 and 450 nm.
  • This method is intended to be simple, inexpensive and, if possible, using conventional devices for measuring massive and therefore hardly vibrable reticles be feasible
  • This object is achieved in that an optically transparent film is provided and the film and the membrane are arranged so that the gas flows and / or the acoustic excitations only reach the membrane through the film.
  • the film is so thin or - as can be seen from the VDI / VDE guidelines cited - even thinner than the membrane is and therefore can vibrate itself, the acoustic and air vibrations and thereby the vibrations of the membrane are damped to such an extent that a reliable measurement result is achieved or a measurement in many cases becomes possible in the first place.
  • a preferred embodiment provides that the membrane is placed on a base which is impermeable to the gas flows and / or the acoustic excitations and is covered with the film so that it is enclosed by the base and the film.
  • the base on the side facing the membrane can be flat or have a raised edge.
  • the base has a closed, non-vibratory plane under the membrane. If the membrane is placed on the plane and the film or the frame spanning the film is placed on this plane or on the plane, vibration-stimulating influences can only reach the membrane through the film.
  • the film consists essentially of nitrocellulose, that it is less than 5 ⁇ m thick, and that it is expediently a pellicle, i.e. H. Is part of a pellicle.
  • a pellicle i.e. H. Is part of a pellicle.
  • Ret cles of pellicles used against particle pollution can be used for the purpose of suppressing membrane vibrations, whereby a particularly simple and cost-effective shielding of the membrane is achieved.
  • the membrane is a stencil mask and that it consists essentially of silicon.
  • the membrane is preferably stored horizontally, and in this position lateral positional deviations of membrane structures are measured, which are the result of the the cause of the error and the vertical membrane vibrations.
  • measuring devices can be used in many cases, which are only designed for the measurement of non-vibrating objects such as chrome masks or solid semiconductor substrates, with which otherwise no or only poor measurement results could be achieved.
  • a pellicle for damping or shielding air movements such as those caused by the laminar gas flow prevailing in clean rooms or by acoustic influences, in the method described here enables a more precise measuring method with conventional means without additional costs.
  • FIGS. 1 and 2 show schematic representations of lateral deflections of a membrane, which are measured without a pellicle or with a pellicle placed over the membrane.
  • FIG. 3 shows schematically the arrangement of membrane
  • FIG. 1 shows a grid of markings which are arranged at a mutual spacing of 5 mm on a 6 x 6 cm section of a membrane of a 6-inch wafer.
  • the mapping of the lateral deflections is not to scale; the scale shown, which characterizes a deflection of 50 nanometers, applies to them.
  • Points that are not measured or measured only in one direction are identified by one or two intersecting rectangles. The points were measured -fold of 20 and average values for j Eden point of the raster formed.
  • the triple standard deviation as a measure of the lateral deflection is 13.77 nanometers for the point of the raster that is deflected most in the X direction.
  • a value of 6.29 nanometers results as a 3-fold standard deviation of the most deflected raster point
  • Figure 2 shows the measured deflections of the membrane when using a commercially available pellicle.
  • the lateral deflections are significantly smaller than in FIG. 1.
  • the 3-fold value of the standard deviation for the point deflected most strongly in the X direction is 2.73 nanometers, for the Y direction 3.56 nanometers.
  • the measurement reproducibility that can be obtained with this is about 3 nanometers, while that without using a pellicle is about 12 nanometers
  • FIG. 3 shows a stencil mask 1 with a semiconductor membrane 4.
  • the mask rests on a base 3 which, at least due to the air currents and acoustic excitations prevailing in the remainders, cannot be made to vibrate.
  • the base can be a quartz glass substrate, for example.
  • a pellicle 2 is placed thereon, which encloses the stencil mask between the pellicle film 5 and the substrate.
  • the membrane of the stencil mask 1 is shielded from external vibrations by the pellicle edge and by the substrate 3; these can only reach the membrane through the pellicle film

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

Beschrieben wird ein Verfahren zum optischen Vermessen einer schwingungsfähigen und vorzugsweise strukturierten Membran (4) in einer Gasströmungen und/oder akustischen Anregungen ausgesetzten Umgebung, in der eine Vorrichtung zum Vermessen der Membran auf diese fokussiert wird. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine optisch transparente Folie bereitgestellt wird und die Folie (5) und die Membran so angeordnet werden, dass die Gasströmungen und/oder die akustischen Anregungen die Membran nur durch die Folie hindurch erreichen. Mit Hilfe der Folie lassen sich äussere Luftbewegungen une dadurch auch Schwingungen der Membran dämpfen, so dass die Membran präzise vermessen werden kann.

Description

Beschreibung
Abschirmung äußerer Anregungen bei der Vermessung schwingungsfähiger Halblei ermembranen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum optischen Vermessen einer schwingungsfähigen und vorzugsweise strukturierten Membran in einer Gasstromungen und/oder akustischen Anregungen ausgesetzten Umgebung, in der eine Vorrichtung zum Vermessen der Membran auf diese fokussiert wird. Die Erfindung betrifft ferner die Verwendung eines Pellicle zur Dämpfung und/oder Abschirmung von Gasströmungen und/oder akustischen Anregungen bei dem obigen Verfahren.
Im Zuge der fortschreitenden Miniaturisierung in der Halbleiterfertigung werden anstelle optischer Beiichtungsmethoden, mit denen sich MikroStrukturen nur etwa bis zur Größe der verwendeten Wellenlänge erzeugen lassen, zunehmend andere Techniken wie die Elektronen oder -Ionenstrahllithographie eingesetzt. Beispielsweise werden Ionen auf eine Maske proji- ziert, die mit strukturbildenden Öffnungen durchsetzt ist, durch welche die Ionen das zu belichtende Substrat erreichen und dort ein Bild der Maskenstruktur erzeugen. Die bei dieser Technik eingesetzten Stencilmasken werden aus Halbleitersub- straten hergestellt, die fast bis zum Rand von der Rückseite her bis auf eine Restdicke von typischerweise 3 Mikrometern geätzt werden und in diesem Bereich die strukturbildenden Öffnungen aufweisen. Vor der Belichtung wird eine Vermessung der Stencilmasken bzw. ihrer 3 m dicken Membran zu Kontroll - zwecken vorgenommen.
Die Herstellung und Vermessung von Stencilmasken ist in „Stencil Mask Technology for Ion Bea Lithograph " , Procee- dings of BACUS (Bay Area Chromemask User Symposium, Kalifor- nien) , SPIE 1998 beschrieben. Die dort verwendeten Substrate von 150 mm Durchmesser weisen eine Membran mit einem Durchmesser von 126 mm auf. Auf dieser Membran befinden sich Teststrukturen, deren Lage optisch vermessen wird.
Die Vermessung der Strukturen erfolgt in den für die Halbleiterfertigung eingerichteten Reinräumen, in denen eine nach oben gerichtete Laminars römung der Luft eine kontinuierliche Luftfilterung bzw. -reinigung bewirkt. Diese Luftströmung führt zu Schwierigkeiten bei der Vermessung der beschriebenen Halbleitermembranen von Stencilmasken. Die nur wenige Mikrometer dicken und außerdem mit zahlreichen Strukcurö nungen durchsetzten und daher äußerst instabilen Membranen werden sehr leicht durch Luftbewegungen zu Schwingungen angeregt. Bei der Vermessung einer solchen Membran muß eine Meßvorrichtung auf die Membranebene fokussiert werden. Wenn diese beispielsweise in vertikaler Richtung schwingt, entstehen neben Unsch rfen auch horizontale Lageverschiebungen der auszumessenden Strukturöffnungen. Diese Meßfehler werden außer durch Luf bewegungen auch akustisch angeregt. Diese akustischen oder strömungsbedingten Luftbewegungen lassen sich jedoch oberhalb der zu vermessenden Membran nicht durch nicht schwingungsf higer Medien wie Glasscheiben oder Quarzsubstra- te abschirmen, weil deren Einsatz die Qualität der optischen Abbildung verschlechtern und zudem eine Fokussierung erschweren würde .
Eine Messung wird somit durch die auftretenden Membranschwingungen erschwert oder ist bei Überschreiten einer bestimmten Auslenkung nicht mehr reproduzierbar. Vor allem Membranen mit einer sehr geringen mechanischen Vorspannung und einer dementsprechend geringen Dis orsion sind aufgrund ihrer großen Schwingungsamplituden auf herkömmliche Weise noch nicht meßbar. Es besteht daher die Notwendigkeit, ein Verfahren zu finden, um eine reproduzierbare Messung schwingungsfähiger Membranen zu ermöglichen oder zu erleichtern. In der Halbleiterfertigung sind andererseits sogenannte „Pellicles", d. h. auf einen Rahmen gespannte und optisch transparente Folien im Einsatz. Pellicles werden bei der optischen Belichtung durch ein Reticle, d. h. durch eine mit einer strukturierten Chromschicht bedeckte Quarzplatte hindurch auf diese aufgesetzt und dienen dazu, kleine Partikel von der strukturierten Chromschicht fernzuhalten. In Reinräumen befindliche Partikel lagern sich nicht auf dem Reticle, sondern beispielsweise einige Millimeter darüber auf der Pellicle-Folie ab und führen bei der optischen Abbildung nicht zur Ausblendung oder Streuung des Lichtstrahls. Das Pellicle halt somit Mikropartikel und andere Verunreinigungen von der Ret cle-Oberflache fern.
Der Einsatz von Pellicles ist m den VDI/VDE-Richtlmien 3717, Blatt 6 vom März 1999 beschrieben (siehe VDI/VDE- Handbuch Mikro- und Fernwerktechnik) . Die beschriebenen Pellicles haben eine Foliendicke von 0,8 bis 2,85 μm und werden zur optischen Belichtung mit Wellenlängen von zwischen 360 und 450 nm eingesetzt.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, das eine genauere und zuverlässigere Ausmessung von scnwingungsf higen und insbesondere strukturierten Membranen, insbesondere von Stencilmasken ermöglicht Dieses Verfahren soll einfach, kostengünstig und möglichst mit Hilfe herkömmlicher Vorrichtungen zur Ausmessung massiver und daher kaum schwingungsfähiger Reticles durchführbar sein
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine optisch transparente Folie bereitgestellt wird und die Folie und die Membran so angeordnet werden, daß die Gasstromungen und/oder die akustischen Anregungen die Membran nur durch die Folie hindurch erreichen.
Obwohl die Folie eoenso dünn oder - wie aus den zitierten VDI/VDE-Richtlmien ersichtlich, noch d nner als die Membran ist und daher selbst schwingen kann, werden die akustischen und Luf schwingungen und dadurch auch die Schwingungen der Membran soweit gedämpft, daß ein zuverlässiges Meßergebnis erzielt oder eine Vermessung m vielen Fällen überhaupt erst möglich wird.
Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß die Membran auf eine für die Gasstromungen und/oder die akustischen Anregungen undurchlässige Unterlage gelegt und mit der Folie be- deckt wird, so daß sie von der Unterlage und der Folie eingeschlossen wird. Je nach Fassung der Folie kann die Unterlage auf der der Membran zugewandten Seite eben sein oder einen erhöhten Rand besitzen. Eine bevorzugte Ausführungsform sieht vor, daß die Unterlage unter dem Membran eine geschlossene, nicht schwingungsfähige Ebene aufweist. Wird auf die Ebene die Membran und auf diese oder auf die Ebene wiederum die Folie bzw. der die Folie aufspannende Rahmen gelegt, können schwingungsanregende Einflüsse die Membran nur durch die Folie hindurch erreichen.
Bevorzugte Ausfuhrungsformen hinsichtlich der Folie sehen vor, daß die Folie im wesentlichen aus Nitrozellulose besteht, daß sie weniger als 5 μm dick ist und daß sie zweckma- ßigerweise ein Pellicle, d. h. Bestandteil eines Pellicles ist. Somit können die herkömmlich zum Schutz von Chrom-
Ret cles vor Partikelverschmutzung eingesetzten Pellicles zweckentfremdet zur Unterdrückung von Membranschwingungen eingesetzt werden, wodurch eine besonders einfache und kostensparende Abschirmung der Membran erreicht wird.
Bevorzugte Ausführungsformen hinsichtlich der Membran sehen vor, daß die Membran eine Stencilmaske ist und daß diese im wesentlichen aus Silizium besteht.
Die Membran wird vorzugsweise horizontal gelagert, und in dieser Lage werden laterale Lageabweichungen von Membranstrukturen vermessen, die sich als Folge der zu untersuchen- den Fehlerursachen sowie der vertikalen Membranschwingungen ergeben.
Mit Hilfe der eingesetzten Folie bzw. des Pellicles können in vielen Fällen Meßvorrichtungen, die nur für die Ausmessung nicht schwingungsfähiger Objekte wie Chrommasken oder massiver Halbleitersubstrate ausgelegt sind, benutzt werden, mit denen sonst keine oder nur schlechte Meßergebnisse erzielbar wären.
Die erfindungsgemäße Verwendung eines Pellicles zur Dämpfung bzw. Abschirmung von Lu tbewegungen, wie sie durch die in Reinräumen herrschende laminare Gasströmung oder durch akustische Einflüsse entstehen, in dem hier beschriebenen Ver- fahren ermöglicht ein präziseres Meßverfahren mit herkömmlichen Mitteln, ohne daß Mehrkosten entstehen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 3 beschrieben.
Die Figuren 1 und 2 zeigen schematische Darstellungen lateraler Auslenkungen einer Membran, die ohne ein bzw. mit einem über die Membran gelegten Pellicle gemessen sind.
Figur 3 zeigt schematisch die Anordnung von Membran und
Pellicle auf einem Untergrund.
Figur 1 zeigt ein Raster von Markierungen, die im gegenseitigen Abstand von je 5 mm auf einem 6 x 6 cm großen Ausschnitt einer Membran eines 6-Zoll-Wafers angeordnet sind. Die Abbildung der lateralen Auslenkungen ist nicht maßstabsgetreu; für sie gilt der abgebildete, eine Auslenkung von 50 Nanometern kennzeichnende Maßstab. Nicht oder nur in einer Richtung vermessene Punkte sind durch eine bzw. zwei sich kreuzende Rechtecke gekennzeichnet. Die Punkte wurden j e 20 -fach vermessen und Mittelwerte f r jeden Punkt des Rasters gebildet. Bei einem Vergleich der Punkte untereinander ergibt sich für die dreifache Standard- Abweichung als Maß für die laterale Auslenkung ein Wert von 13,77 Nanometern für den am stärksten in X-Richtung ausgelenkten Punkt des Rasters. Für die Auslenkung m Y-Richtung ergibt sich ein Wert von 6,29 Nanometern als 3-fache Standard-Abweichung des am stärksten ausgelenkten Rasterpunkt
Figur 2 zeigt die gemessenen Auslenkungen der Membran bei Verwendung eines handelsüblichen Pellicles. Die lateralen Auslenkungen sind im Vergleich zu Figur 1 deutlich geringer Der 3-fache Wert der Standard-Abweichung für den am stärksten m X-Richtung ausgelenkten Punkt betragt 2,73 Nanometer, für die Y-Richtung 3,56 Nanometer. Die hiermit erhältliche Meßre- produzierbarkeit liegt bei etwa 3 Nanometern, diejenige ohne Verwendung eines Pellicles dagegen bei ca. 12 Nanometern
Figur 3 zeigt eine Stencilmaske 1 mit einer Halbleitermembran 4 Die Maske ruht auf einem Untergrund 3, der zumindest durch die m Remraumen herrschenden Luftströmungen und akustischen Anregungen nicht zum Schwingen gebracht werden kann Der Untergrund kann beispielsweise ein Quarzglassubstrat sein. Auf dieses wird ein Pellicle 2 gelegt, das die Stencilmaske zwi- sehen der Pellicle-Folie 5 und dem Untergrund einschließt Die Membran der Stencilmaske 1 ist durch den Pellicle-Rand sowie durch den Untergrund 3 vor äußeren Schwingungen abgeschirmt; diese können die Membran nur durch die Pellicle- Folie hindurch erreichen

Claims

Patentansprüche
1 Verfahren zum optischen Vermessen einer schwmgungsfähigen und vorzugsweise strukturierten Membran (4) m einer Gasstrό- mungen und/oder akustischen Anregungen ausgesetzten Umgebung, m der eine Vorrichtung zum Vermessen der Membran auf diese fokussiert wird, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß eine optisch transparente Folie (5) bereitgestellt wird und die Folie und die Membran so angeordnet werden, daß die Gasstromungen und/oder die akustischen Anregungen die Membran nur durch die Folie hindurch erreichen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch geken zeichnet, daß die Membran auf eine für die Gasstromungen und/oder die akustischen Anregungen undurchlässige Unterlage (3) gelegt und m t der Folie bedeckt wird, so daß sie von der Unterlage und der Folie eingeschlossen wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage unter der Membran eine geschlossene, nicht schwingungs ahige Ebene aufweist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch geke nzeichnet, daß die Folie im wesentlichen aus Nitrozellulose besteht
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie weniger als 5 μm dick ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie ein Pellicle (2) ist
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch geke nzeichnet, daß die Membran eine Stencilmaske (1) ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7 , dadurch gekennzeichnet, daß die Stencilmaske im wesentlichen aus Silizium besteht.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran horizontal gelagert wird und laterale Lageabweichungen von Membranstrukturen vermessen werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vorrichtung zum Vermessen von Chrommasken oder massiven Halbleitersubstraten als Vorrichtung zum Vermessen der Membran verwendet wird.
11. Verwendung eines Pellicles (2) zur Dämpfung und/oder Abschirmung von Gasstromungen und/oder akustischen Anregungen bei dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10.
EP00964148A 1999-09-16 2000-09-08 Abschirmung äusserer anregungen bei der vermessung schwingungsfähiger halbleitermembranen Withdrawn EP1218799A1 (de)

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PCT/EP2000/008791 WO2001020399A1 (de) 1999-09-16 2000-09-08 Abschirmung äusserer anregungen bei der vermessung schwingungsfähiger halbleitermembranen

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TW (1) TW480371B (de)
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