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EP0073031A2 - Anordnung zur Erzeugung von Feldemission und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Anordnung zur Erzeugung von Feldemission und Verfahren zu ihrer Herstellung Download PDF

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Publication number
EP0073031A2
EP0073031A2 EP82107613A EP82107613A EP0073031A2 EP 0073031 A2 EP0073031 A2 EP 0073031A2 EP 82107613 A EP82107613 A EP 82107613A EP 82107613 A EP82107613 A EP 82107613A EP 0073031 A2 EP0073031 A2 EP 0073031A2
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrode
insulating layer
arrangement according
layer
edges
Prior art date
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EP82107613A
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English (en)
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Inventor
Dieter Dr. Fischer
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Battelle Institut eV
Original Assignee
Battelle Institut eV
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Definitions

  • the invention relates to an arrangement for generating field emission on an element consisting of an electrically insulating plate, a first electrode, an insulating layer and a second electrode. It also relates to specific uses of such an arrangement and methods for its manufacture.
  • the invention is therefore based on the object of providing a simply constructed arrangement which can be used as a field emitter and with which gas discharges, in particular in plasma panels, can be ignited without delay.
  • the electrode 4 according to the invention consists preferably of a c a. 0.5 / ⁇ m thick aluminum layer. It is produced according to one of the methods described above in order to achieve island formation on the edges. In the case of photolithographic production, it can be structured in a simple manner in such a way that the total length of its edges, which face the electrode 2, is as large as possible. In the example according to FIG. 2, this is done through a window cutout 6.
  • the individual element can be very small, for example approx. 10 / um x 10 / um.
  • the field emission is measured with the aid of a secondary electron multiplier (Channeltron).
  • a secondary electron multiplier Channeltron
  • another is placed at a distance of approx. 50 / um from the electrode 4 with the aid of a spacer Electrode 7 attached, which is designed as a network.
  • the funnel 8 of a channeltron is located approximately 5 mm above the network 7.
  • the channeltron's gain is approximately 10 8 .
  • the arrangement is built into an evacuable housing and evacuated to approx. 10 mbar.
  • a voltage of +2.5 kV to +4.5 kV is applied in connection 9 of the channeltron and a voltage of +100 V to +200 V is applied to network 7.
  • the electrode 4 is at ground potential. If a voltage pulse of approximately 100 V is applied to the electrode 2, field emission occurs at the edges of the electrode 4. Part of the emitted electrons is accelerated by the suction network 7 to the channeltron and amplified there. After a delay time of approx. 25 ns (running time in the channeltron), the amplified signal can be measured at connection 10. The field emission occurs only in a period of approx. 100 ns and then breaks off again, even if the voltage at the electrode 2 is still present.
  • the threshold voltage for field emission in the example according to FIG. 4 is approximately 85 V. Because of this threshold, matrix control of many individual elements according to FIGS. 6a) and b) is possible.
  • the electrodes 2 form the rows, the electrodes 4 the columns of the matrix. They are separated from one another by the insulating layer 3. In the idle state, for example, all electrodes are at ground potential. If one now applies to one of the electrodes 2, for example -50 V and to one of the electrodes 4, for example + 50 V, the potential difference of 100 V lies at the crossing point of the two electrodes, which leads to field emission at this point if the islands are charged accordingly. The potential difference of 50 V is not exceeded anywhere else in the matrix, so that no field emission can occur there. The emission is detected in the arrangement described in FIG. 3.
  • FIG. 5 The structure of an electret store is shown in FIG. 5.
  • the memory is built up between two glass plates 1 and 1 '.
  • Parallel conductor tracks 2, 2 'and an insulating layer 3, 3' are applied to each of these plates.
  • a network is then produced in such a way that it forms the second electrode 4, 4 'with upstream islands and that the meshes of the network lie opposite the conductor tracks 2, 2'.
  • the insulating layers 3, 3 ' are charged (formed) with the aid of the liquid contact method and the
  • the glass is mounted with the aid of a spacer in such a way that the conductor tracks 2, 2 'applied to them run perpendicular to one another.
  • the gap is filled with neon + 0.1 argon and forms the gas discharge gap.
  • each crossing point of the conductor tracks 2, 2 ' ie in the meshes of the two networks 4, 4', there is a storage element in each case.
  • the network 4, 4 ' is connected to ground, the conductor tracks 2, 2' are driven earth-symmetrically to ignite the element located at the crossing point.
  • the full ignition voltage U Z is only at the crossing point of the first two electrodes 2, 2 '.
  • the voltage U L / 2 lies between the controlled first electrodes 2, 2 'and the associated network meshes 4, 4', so that field emission occurs at the network edges provided with islands. The electrons emitted thereby lead to instantaneous ignition of the gas discharge at the crossing point of the first electrodes 2, 2 '.

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Abstract

Bei einer Anordnung zur Erzeugung von Feldemission an einem Element, das aus einer elektrisch isolierenden Platte (1), einer ersten Elektrode (2), einer Isolierschicht (3) und einer zweiten Elektrode (4) besteht, werden den Kanten der zweiten Elektrode (4) kleine metallische Inseln (5) vorgelagert. Vorzugsweise bestehen die Inseln (5) aus dem Elektrodenmaterial.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von Feldemission an einem Element bestehend aus einer elektrisch isolierenden Platte, einer ersten Elektrode, einer Isolierschicht und einer zweiten Elektrode. Sie betrifft ferner spezielle Verwendungsmöglichkeiten einer solchen Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
  • Verfahren zur Erzeugung von Feldemission aus Metallen im Vakuum sind seit langem bekannt. Sie arbeiten meistens mit einer oder mehreren feinen Wolframspitzen und nützen das erhöhte elektrische Feld aus, das beim Anlegen einer Spannung zwischen den Spitzen und einer Gegenelektrode an den Spitzen entsteht. Zur Erzielung praktisch verwertbarer Emissionsströme sind an den Spitzen Feldstärken von mehr als 107V/cm erforderlich. Neuerdings werden solche Feldemitter auch auf photolithographischem Weg in Verbindung mit speziellen Aufdampfprozessen hergestellt (C.A. Spindt et al., J.Appl. Phys. 47,12 (1970) S. 5248). Anordnungen dieser Art werden meistens für die Verwendung als Kaltkathoden konzipiert, wo Dauerströme geliefert werden müssen. Sie sind jedoch auch für kurzzeitige Emissionen, z.B. zum Triggern von Gasentladungen geeignet. Anordnungen zur Ansteuerung diskreter Einzelemitter in einer Matrix sind bisher aber nicht bekanntgeworden. Ein anderes Verfahren zur Erzeugung von Feldemission verwendet Dünnfilm-MIM-Strukturen (Metall-Isolator-Metall). Unter Verwendung dieser Strukturen ist versucht worden, über eine Matrix ansteuerbare Emitter herzustellen (R.W. Lomax, J.G. Simmons, Radio and Electron., Mai 1968, S. 265). Dies ist jedoch aufgrund deren Kennlinie nur durch Vorschalten von Dioden möglich. Zudem ist die reproduzierbare Herstellbarkeit schwierig.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine einfach aufgebaute Anordnung zu schaffen, die als Feldemitter verwendbar ist und mit der Gasentladungen, insbesondere in Plasma-Panels verzögerungsfrei gezündet werden können.
  • Es hat sich gezeigt, daß sich diese Aufgabe in technisch fortschrittlicher Weise mit einer Anordnung der eingangs genannten Art lösen läßt, bei der den Kanten der zweiten Elektrode kleine metallische Inseln vorgelagert sind. Vorteilhafte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anordnung sind in den Patentansprüchen bis 5 beschrieben. Die Patentansprüche b bis 14 betreffen Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anordnung. Patentansprüche 15 bis 17 haben drei Verwendungsmöglichkeiten zum Gegenstand.
  • Die erfindungsgemäße Anordnung kann wie folgt hergestellt werden:
    • 1. Die Inseln an den Kanten der zweiten Elektrode ergeben sich zwangsläufig beim Aufdampfen der Elektrode durch eine Maske hindurch, die nicht völlig auf der Isolierschicht aufliegt. Der Abstand zwischen der Maske und der Isolierschicht sollte vorteilhafterweise 10 bis 50 µm betragen. Dies kann erzielt werden, wenn die Maske ohne anzudrücken locker auf die Isolierschicht aufgelegt wird. Durch diesen Spalt werden die Ränder der Aufdampfschicht nicht scharfkantig, weil die Aufdampfquelle, z.B. Schiffchen oder Wendel, nicht punktförmig ist. Die Schichtdicke fällt dort vielmehr stetig innerhalb einiger /um auf Null ab. Dünne Aufdampfschichten von z.B. kleiner als ca. 5 nm sind jedoch nicht mehr zusammenhängend, sondern besitzen Inselstruktur. Dies tritt auch an der stetig auslaufenden Aufdampfkante auf.
    • 2. Die Inseln können auf einfache Weise auch photolithographisch hergestellt werden. Dabei wird von einer an der Oberfläche leicht aufgerauhten Isolierschicht ausgegangen. Die rauhe Oberfläche der Isolierschicht kann z.B. erhalten werden, wenn die Isolierschicht aus Polytetrafluoräthylen besteht. Hierfür wird das Substrat mit der ersten Elektrode in eine wäßrige Polytetrafluoräthylen-Dispersion eingetaucht und anschließend bei 400 °C gesintert. Die Schichtdicke beträgt ca. 2 bis 5 /um.
      Bei Materialien, die glatte Beschichtungen ergeben, kann eine Mikrorauhigkeit der Oberfläche z.B. durch Ätzung erhalten werden. Bei einer Si02-Schicht kann die Ätzung mit Flußsäure durchgeführt werden. Die Oberflächenrauhtiefe sollte ca. 0,1 bis 0,5 /um betragen.
      Auf diese rauhe Oberfläche wird dann die zweite Elektrode in an sich bekannter Weise in einer Schichtdicke von ca. 0,1 bis 0,5 µm photolithographisch aufgebracht. Die aufgedampfte Metallschicht wird anschließend mit Photolack beschichtet, wobei die Photolackschicht etwas dicker als die Rauhigkeitstiefe der Isolierschicht ist, durch eine Photomaske hindurch belichtet und entwickelt. An den belichteten Stellen wird er unter Freilegung der Metallschicht entfernt. Anschließend wird die Metallschicht so lange geätzt, bis der verbliebene, nicht belichtete Photolack an den Rändern unterätzt wird, und zwar mit einer Eindringtiefe von mehr als 0,1 µm, vorzugsweise 0,5 bis 1 µm. Durch die Mikrorauhigkeit der Oberfläche der Isolierschicht erfolgt die Unterätzung nicht gleichmäßig, so daß kleine metallische, floatende Inseln entstehen.
  • Die Erfindung wird anhand von beiliegenden, lediglich einen Ausführungsweg darstellenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen in schematischer Vereinfachung
    • Figur 1 im Querschnitt den Aufbau eines Einzelelementes;
    • Figur 2 in Draufsicht ein Einzelelement;
    • Figur 3 eine Anordnung zur Messung der Feldemission bei einem erfindungsgemäßen Element;'
    • Figur 4a bis g) Feldemission an einem Element mit an den Kanten der zweiten Elektrode vorgelagerten Inseln;
    • Figur 5 Aufbau eines dynamischen Speichers in auseinandergezogener Darstellung und
    • Figur b eine mögliche Matrixausbildung aus vielen Einzelelementei Figur 1 zeigt ein Einzelelement der Anordnung, bestehend aus einer isolierenden Trägerplatte 1, einer ersten Elektrode 2, einer Isolierschicht 3 und einer zweiten Elektrode 4. Legt man nun zwischen die Elektroden 2 und 4 eine Spannung an, wobei die Elektrode 4 negativ gepolt ist, so tritt an den Kanten der Elektrode 4 bei genügend hoher Spannung Feldemission auf, die auf die hohe Feldstärke an diesen Kanten zurückzuführen ist. Dieser Effekt ist bekannt. Weiter ist bekannt, daß aus Oberflächen von Metallen, die Oxid- oder Anlaufschichten bilden, wie z.B. Aluminium oder Magnesium, Feldemission bereits bei Feldstärken von ca. 105 V/cm auftritt. Es hat sich nun aber überraschenderweise gezeigt, daß die Feldemission besonders hoch ist, wenn den Kanten der Elektrode 4 kleine metallische Inseln 5 vorgelagert sind. Ohne diese Inseln muß die zwischen den Elektroden 2 und 4. anzulegende Spannung zwei- bis dreimal so groß sein wie bei vorhandenen Inseln, um eine meßbare Feldemission zu erreichen.
  • Die Elektrode 4 besteht erfindungsgemäß vorzugsweise aus einer ca. 0,5 /um dicken Aluminiumschicht. Sie wird nach einem der oben beschriebenen Verfahren hergestellt, um an den Kanten die Inselbildung zu erzielen. Bei photolithographischer Herstellung kann sie auf einfache Weise so strukturiert werden, daß die Gesamtlänge ihrer Kanten, die der Elektrode 2 gegenüberstehen, möglichst groß wird. Im Beispiel nach Figur 2 geschieht dies durch einen Fensterausschnitt 6. Das Einzelelement kann sehr klein sein, z.B. ca. 10 /um x 10 /um.
  • Gemäß der in Figur 3 dargestellten Anordnung wird mit Hilfe eines Sekundärelektronen-Vervielfachers (Channeltron) die Feldemission gemessen. Hierfür wird im Abstand von ca. 50 /um zur Elektrode 4 mit Hilfe eines Abstandhalters eine weitere Elektrode 7 angebracht, die als Netz ausgebildet ist. Schließlich befindet sich ca. 5 mm über dem Netz 7 der Trichter 8 eines Channeltrons. Die Verstärkung des Channeltrons beträgt ca. 108. Die Anordnung wird in ein evakuierbares Gehäuse eingebaut und auf ca. 10 mbar evakuiert.
  • Im Anschluß 9 des Channeltrons wird eine Spannung von +2,5 kV bis +4,5 kV und an das Netz 7 wird eine Spannung von +100 V bis +200 V angelegt. Die Elektrode 4 liegt an Erdpotential. Wird an die Elektrode 2 ein Spannungsimpuls von ca. 100 V angelegt, so tritt an den Kanten der Elektrode 4 Feldemission auf. Ein Teil der emittierten Elektronen wird durch das Saugnetz 7 zum Channeltron hin beschleunigt und dort verstärkt. Nach einer Verzögerungszeit von ca. 25 ns (Laufzeit im Channeltron) ist am Anschluß 10 das verstärkte Signal meßbar. Die Feldemission erfolgt nur in einem Zeitraum von ca. 100 ns und bricht dann wieder ab, auch wenn die Spannung an der Elektrode 2 weiterhin anliegt. Soll erneut Feldemission erfolgen, so muß die Polarität der Spannung an der Elektrode 2 umgekehrt werden, wodurch wieder eine Emission von ca. 100 ns Dauer erfolgt usw. Dieser Effekt ist mit dem Ladungszustand an den Kanten der Elektrode 4 vorgelagerten Inseln erklärbar. Die Inseln werden während der Emission gegenüber den Kanten je nach Vorzeichen des Potentials an der Elektrode 2 entweder positiv oder negativ aufgeladen. Diese Ladungszustände bleiben auch nach Abschalten der Spannung zwischen den Elektroden 2 und 4 erhalten. Die Feldemission an einem solchen Element wird in den Figuren 4a) bis 4g) gezeigt, in denen jeweils eine Einzelzelle im Schnitt dargestellt ist.
  • Die Inseln 5 bilden mit der Elektrode 2 die Kapazität C1 und mit der geerdeten zweiten Elektrode 4 die Kapazität C2 (Fig.4a). Der Einfachheit halber ist angenommen worden, daß C1 = C2 ist. Legt man an die Elektrode 2 die Spannung -U an (z.B. -150 V), so liegt die Insel 5 auf -U/2 (Fig. 4b). Wegen des kleinen Abstands zur Kante der zweiten Elektrode 4 entsteht aber zu dieser hin eine hohe Feldstärke. Dadurch kommt es zur Elektronenemission von den Inseln 5 zur Kante hin, wobei das Potential der Inseln 5 um den Betrag ΔU positiver wird (Fig. 4 c).
  • Die Emission hört auf, wenn
    • - entweder die Potentialdifferenz -U/2 + ΔU so klein wird, daß keine weitere Feldemission stattfindet
    • - oder bei Verwendung von Aluminium als Elektrodenmaterial die auf der Oxidhaut vorhandenen, besetzten Oberflächenzustände (die eine genügend kleine Austrittsarbeit besitzen) geleert worden sind.
  • Nach Abschalten der Spannung -U bleiben positiv geladene Inseln 5 zurück (Fig. 4d). Bei erneutem Anlegen der Spannung -U erfolgt keine Emission mehr.
  • Nun wird an die erste Elektrode 2 die Spannung +U angelegt (Fig. 4e). Dadurch werden die Inseln 5 auf das Potential +U/2 + ΔU angehoben, so daß jetzt die Feldemission von der Elektrodenkante zu den Inseln 5 hin stattfinden kann. Dadurch wird das Potential der Inseln 5 kleiner (Fig. 4f), und die Emission bricht bei einer Potentialdifferenz +U/2 -ΔU' wieder ab. Nach Abschalten von +U bleiben jetzt die Inseln 5 negativ geladen (Fig. 4g).
  • Wird nun an die erste Elektrode 2 erneut die Spannung -U angelegt, so kann der dargestellte Zyklus von neuem beginnen.
  • Die Schwellspannung für Feldemission im Beispiel gemäß Fig. 4 liegt bei ca. 85 V. Wegen dieser Schwelle ist eine Matrixansteuerung vieler Einzelelemente nach Figur 6a) und b) möglich. Die Elektroden 2 bilden die Zeilen, die Elektroden 4 die Spalten der Matrix. Sie sind durch die Isolierschicht 3 voneinander getrennt. Im Ruhezustand liegen z.B. alle Elektroden an Erdpotential. Legt man nun an eine der Elektroden 2 z.B. -50 V und an eine der Elektroden 4 z.B. +50 V an, so liegt am Kreuzungspunkt der beiden Elektroden die Potentialdifferenz von 100 V, die bei entsprechendem Ladungszustand der Inseln an dieser Stelle zur Feldemission führt. An den anderen Stellen der Matrix wird nirgendwo die Potentialdifferenz von 50 V überschritten, so daß dort keine Feldemission auftreten kann. Der Nachweis der Emission erfolgt in der in Fig. 3 beschriebenen Anordnung.
  • Weitere Einsatzmöglichkeiten bestehen in der Verwendung zum Triggern von Gasentladungen, z.8. in Plasma-Panels oder zum verzugsfreien Einleiten von Gasentladungen im Elektretspeicher, der in der DE-OS 26 27 249 beschrieben ist.
  • Der Aufbau eines Elektretspeichers wird in Figur 5 gezeigt. Der Speicher wird zwischen zwei Glasplättchen 1 und 1' aufgebaut. Auf jedes dieser Plättchen werden parallele Leiterbahnen 2, 2' und darauf eine Isolierschicht 3, 3' aufgebracht. Darauf wird dann ein netz derart hergestellt, daß es die zweite Elektrode 4, 4' mit vorgelagerten Inseln bildet und daß die Maschen des Netzes den Leiterbahnen 2, 2' gegenüberliegen. Zum Schluß werden die Isolierschichten 3, 3' mit Hilfe des Flüssig-Kontakt-Verfahrens aufgeladen (formiert) und die Gläschen mit Hilfe eines Abstandhalters derart montiert, daß die auf ihnen aufgebrachten Leiterbahnen 2, 2' senkrecht zueinander verlaufen. Der Zwischenraum wird mit Neon + 0,1 Argon gefüllt und bildet die Gasentladungsstrecke. An jedem Kreuzungspunkt der Leiterbahnen 2, 2', d.h. in den Maschen der beiden Netze 4, 4' liegt jeweils ein Speicherelement. Das Netz 4, 4' liegt auf Masse, die Leiterbahnen 2, 2' werden zur Zündung des am Kreuzungspunkt liegenden Elementes erdsymmetrisch angesteuert. Nur am Kreuzungspunkt der beiden ersten Elektroden 2, 2' liegt die volle Zündspannung UZ. Gleichzeitig liegt zwischen den angesteuerten ersten Elektroden 2, 2' und den zugehörigen Netzmaschen 4, 4' die Spannung UL/2, so daß an den mit Inseln versehenen Netzkanten eine Feldemission auftritt. Die dabei emittierten Elektronen fuhren zur verzögerungsfreien Zündung der Gasentladung am Kreuzungspunkt der ersten Elektroden 2, 2'.

Claims (17)

1. Anordnung zur Erzeugung von Feldemission an einem Element, bestehend aus einer elektrisch isolierenden Platte, einer ersten Elektrode, einer Isolierschicht und einer zweiten Elektrode, dadurch gekennseichnet, daß den Kanten der zweiten Elektrode (4) kleine metallische Inseln (5) vorgelagert sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Inseln (5) aus dem Elektrodenmaterial bestehen.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (2,4) mehrerer Elemente die Zeilen und Spalten einer Matrix bilden und durch die Isolierschicht (3) voneinander getrennt sind.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanten der zweiten Elektrode (4) durch beliebige Strukturierung verlängert sind.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode (4) mit einem Fensterausschnitt (6) versehen ist und die Inseln (5) entlang der Kanten des Fensterausschnitts vorgelagert sind.
6. Verfahren zur Herstellung der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer elektrisch isolierenden Platte in an sich bekannter Weise die erste Elektrode und darauf die Isolierschicht aufgebracht werden und daß anschließend eine der Form der zweiten Elektrode entsprechende Maske so auf die Isolierschicht gelegt wird, daß ein geringer Spalt zwischen der Maske und der Isolierschicht vorhanden ist und die zweite Elektrode durch Aufdampfen aus einer nicht punktförmigen Quelle erhalten wird, wobei unmittelbar unterhalb der Kanten der Maske durch die abnehmende Dicke der Elektrodenschicht metallische Inseln entstehen.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Spalt zwischen der Maske und der Isolierschicht ca. 10 bis 50 µm beträgt.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Spalt zwischen der Maske und der Isolierschicht erhalten wird, indem die Maske ohne anzudrücken locker auf die Isolierschicht aufgelegt wird.
9. Verfahren zur Herstellung der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer elektrisch isolierenden Platte in an sich bekannter Weise die erste Elektrode und darauf die Isolierschicht aufgebracht werden, wobei die Oberfläche der Isolierschicht leicht aufgerauht ist und daß auf die Isolierschicht die zweite Elektrode in an sich bekannter Weise photolithographisch aufgebracht wird und daß die nach der Entfernung des belichteten Photolacks freigelegte Elektrodenschicht so lange geätzt wird, daß der am Rand verbliebene, nicht entfernte Photolack unterätzt wird, wobei durch die Rauhigkeit der Oberfläche der Isolierschicht an den Kanten der Elektracicnsrhicht metallische Inseln entstehen.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflàchenrauhtiefe der Isolierschicht 0,1 bis 0,5 /um betragt.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Eindringtiete der Unterätzung unter der Photolackschicht mehr als 0,1 /um, vorzugsweise 0,5 bis 1 /um beträgt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Metallschicht, welche die zweite Elektrode bildet, 0,1 bis 0,5 um und die Dicke der photolackschicht 1 /um beträgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die rauhe Oberfläche der Isolierschicht durch geeignete Materialauswahl, z.B. Polytetrafluoräthylen, erzielt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die rauhe Oberfläche der Isolierschicht durch Ätzung erhalten wird.
15. Verwendung der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5 als Digitalspeicher mit löschendem Lesen.
16. Verwendung der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5 zum verzugsfreien Auslösen von Gasentladungen in Plasma-Panels.
17. Verwendung der Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5 zum verzugsfreien Auslösen von Gasentladungen im Elektretspeicher.
EP82107613A 1981-08-26 1982-08-20 Anordnung zur Erzeugung von Feldemission und Verfahren zu ihrer Herstellung Withdrawn EP0073031A3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813133786 DE3133786A1 (de) 1981-08-26 1981-08-26 Anordnung zur erzeugung von feldemission und verfahren zu ihrer herstellung
DE3133786 1981-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0073031A2 true EP0073031A2 (de) 1983-03-02
EP0073031A3 EP0073031A3 (de) 1985-12-04

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP82107613A Withdrawn EP0073031A3 (de) 1981-08-26 1982-08-20 Anordnung zur Erzeugung von Feldemission und Verfahren zu ihrer Herstellung

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JP (1) JPS5878350A (de)
AU (1) AU8757782A (de)
BR (1) BR8204960A (de)
DE (1) DE3133786A1 (de)
ZA (1) ZA826237B (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316027A1 (de) * 1983-05-03 1984-11-08 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Photodetektor
EP0260075A3 (en) * 1986-09-08 1989-05-10 The General Electric Company, P.L.C. Vacuum devices
EP0299461A3 (en) * 1987-07-15 1990-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device
US5661362A (en) * 1987-07-15 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
EP1035559A3 (de) * 1999-02-25 2006-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Substrat mit Elektronen-Emittern und Anzeigevorrichtung mit einem solchen Substrat
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1272504A (en) * 1986-11-18 1990-08-07 Franz Prein Surface for electric discharge
DE3642749A1 (de) * 1986-12-15 1988-06-23 Eltro Gmbh Oberflaechen fuer elektrische entladungen
EP0278405B1 (de) * 1987-02-06 1996-08-21 Canon Kabushiki Kaisha Elektronen emittierendes Element und dessen Herstellungsverfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3277313A (en) * 1963-07-05 1966-10-04 Burroughs Corp Solid state quantum mechanical tunneling apparatus
US3359448A (en) * 1964-11-04 1967-12-19 Research Corp Low work function thin film gap emitter
DE1589822A1 (de) * 1967-04-26 1970-03-26 Gentsch Dr Horst Emitter-Diode zur Erzeugung von Ionen und freien Elektronen
DE2627249A1 (de) * 1976-06-18 1977-12-29 Battelle Institut E V Speicherelement fuer einen loeschbaren, digitalen permanentspeicher

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316027A1 (de) * 1983-05-03 1984-11-08 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Photodetektor
EP0260075A3 (en) * 1986-09-08 1989-05-10 The General Electric Company, P.L.C. Vacuum devices
US5749763A (en) * 1987-07-15 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulted from electrodes
US5066883A (en) * 1987-07-15 1991-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5532544A (en) * 1987-07-15 1996-07-02 Ganon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5661362A (en) * 1987-07-15 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
EP0299461A3 (en) * 1987-07-15 1990-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device
US5759080A (en) * 1987-07-15 1998-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated form electrodes
US5872541A (en) * 1987-07-15 1999-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Method for displaying images with electron emitting device
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
EP1035559A3 (de) * 1999-02-25 2006-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Substrat mit Elektronen-Emittern und Anzeigevorrichtung mit einem solchen Substrat

Also Published As

Publication number Publication date
EP0073031A3 (de) 1985-12-04
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