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DE9312528U1 - Schaltbare Steckdose - Google Patents

Schaltbare Steckdose

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Publication number
DE9312528U1
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DE
Germany
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semiconductor switch
socket according
socket
base
coupling device
Prior art date
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DE9312528U
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English (en)
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Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE9312528U priority Critical patent/DE9312528U1/de
Publication of DE9312528U1 publication Critical patent/DE9312528U1/de
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/66Structural association with built-in electrical component
    • H01R13/70Structural association with built-in electrical component with built-in switch
    • H02J13/1317
    • H02J13/38
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01R13/66Structural association with built-in electrical component
    • H01R13/665Structural association with built-in electrical component with built-in electronic circuit
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y04INFORMATION OR COMMUNICATION TECHNOLOGIES HAVING AN IMPACT ON OTHER TECHNOLOGY AREAS
    • Y04SSYSTEMS INTEGRATING TECHNOLOGIES RELATED TO POWER NETWORK OPERATION, COMMUNICATION OR INFORMATION TECHNOLOGIES FOR IMPROVING THE ELECTRICAL POWER GENERATION, TRANSMISSION, DISTRIBUTION, MANAGEMENT OR USAGE, i.e. SMART GRIDS
    • Y04S20/00Management or operation of end-user stationary applications or the last stages of power distribution; Controlling, monitoring or operating thereof

Landscapes

  • Electrophonic Musical Instruments (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Description

G 3 4 M DE
Siemens Aktiengesellschaft
Schaltbare Steckdose
5
Die Erfindung bezieht sich auf eine schaltbare Steckdose, deren Steckdosensockel in ein Gehäuse der Installationstechnik unter Putz oder auf Putz verlegbar ist und Schaltmittel zur Unterbrechung der Netzleiter aufweist.
Schaltbare Steckdosen können als Steckdosen mit sogenannter Kindersicherung ausgeführt sein, deren stromführende Leiter im Grundzustand gegen Zugriff gesichert sind oder deren verbraucherseitige Anschlüsse erst beim Einführen eines geeigneten Steckers zum Netz durchgeschaltet werden. Man hat auch schon daran gedacht, Steckdosen von zentraler Stelle aus zu schalten.
Vorschläge für schaltbare Steckdosen führten bisher zu 0 aufwendigen Konstruktionen. Vom Einsatz von Halbleitern hat man in der Praxis abgesehen, da derartige Halbleiterschalter recht voluminös waren und Schwierigkeiten bestanden, die Verlustleistung selbst bei Anschlüssen für 6 A abzuführen .
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine schaltbare Steckdose zu entwickeln, die in einem Gehäuse der Installationstechnik unter Putz oder auf Putz verlegbar ist und wenig Verlustleistung aufweist.
Die Lösung der geschilderten Aufgabe besteht nach der Erfindung in einer schaltbaren Steckdose nach Anspruch 1. Hierbei ist am Sockel ein Halbleiterschalter aus Siliziumkarbid angeordnet, an dessen Steuerelektroden eine Ansteuerschaltung angeordnet ist. Die Ansteuerschaltung kann im einfachsten Fall eine Durchverbindung zu externen Steuerleitungen herstellen. Ein Halbleiterschalter aus Silizium-
G 3 h 4 4 DE
karbid ermöglicht bei einem Volumen, wie es in Installationsdosen unterzubringen ist, die geringe anfallende Verlustleistung abzuführen. Die Ansteuerschaltung kann im Prinzip auch so ausgeführt sein, daß der Halbleiterschalter strombegrenzend wirkt.
Die Realisierung des Halbleiterschalters kann auf verschiedene Weise erfolgen: So können zwei antiseriell geschaltete FETs eingesetzt werden. Der Halbleiterschalter kann im wesentlichen auch aus zwei bipolaren Transistoren bestehen und er kann aus einem symmetrischen Junktion-FET gebildet sein. Der Halbleiterschalter kann durch zwei antiseriell geschaltete Thyristorisoren aufgebaut sein. Der Halbleiterschalter kann auch mit einem Triac arbeiten. Es kann auch ein Isolatet-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) eingesetzt werden.
An den Steuerelektroden kann auch eine Busankoppel-Einrichtung angeordnet werden, um die schaltbare Steckdose von einem Bus aus ansteuern zu können. Der Halbleiterschalter und die Busankoppel-Einrichtung können in Stapelausführung unter dem Steckdosensockel gehalten sein.
Die Erfindung soll nun anhand von in der Zeichnung grob schematisch wiedergegebenen Ausführungsbeispielen näher erläutert werden:
In Figur 1 ist eine schaltbare Steckdose mit Halbleiterschalter und Busankoppeleinrichtung in Stapelausführung schematisch dargestellt.
In Figur 2 ist eine schaltbare Steckdose in der Darstellungsweise nach Figur 1 wiedergegeben, bei der unter dem Steckdosensockel ein Halbleiterschalter angeordnet ist, der von externen Steuerleitungen aus angesteuert werden kann.
G 3 ^ ^ ^ DE
Die schaltbare Steckdose nach Figur 1 weist einen Steckdosensockel 1 in einem Gehäuse 2 der Installationstechnik auf. Am Sockel 1 ist ein Halbleiterschalter 3 aus Siliziumkarbid angeordnet, dessen Steuerelektroden im Ausführungsbeispiel von einer Busankoppeleinrichtung 4 angesteuert werden können. Die Busankoppeleinrichtung 4 ist an einem Bus 5 angeschlossen. Das Gehäuse 2 kann im Ausführungsbeispiel als Unterputzdose verstanden werden.
Der Halbleiterschalter kann durch zwei antiseriell geschaltete FETs gebildet werden, durch zwei bipolare Transistoren, oder durch einen symmetrischen Junction-FET. Der Halbleiterschalter kann im wesentlichen auch aus zwei antiseriell geschalteten Tyristoren bestehen oder durch einen Triac gebildet werden. Man kann auch einen Isolatet-Gate-Bipolar-Transistor hierfür einsetzen. Halbleiterschalter 3 und Busankoppeleinrichtung 4 können durch Steckverbindung oder in Flansch-Technik miteinander verbunden werden.
Die Steckdose nach Figur 2 weist einen am Steckdosensockel 1 angeordneten Halbleiterschalter 3 auf, der durch externe Steuerleitungen 6 ansteuerbar ist.

Claims (10)

G 3 &Iacgr; <» &Iacgr; DE Schut zansprüche
1. Schaltbare Steckdose, deren Steckdosensockel (1) in ein Gehäuse (2) der Installationstechnik unter Putz oder auf Putz verlegbar ist und Schaltmittel zur Unterbrechung der Netzleiter aufweist, dadurch gekennzeichnet , daß am Sockel (1) ein Halbleiterschalter (3) aus Siliziumkarbid angeordnet ist, an dessen Steuerlelektroden eine Ansteuerschaltung angeordnet ist.
2. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter (3) zwei antiseriell geschaltete FETs aufweist.
3. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter (3) im wesentlichen aus zwei bipolaren Transistoren besteht.
0 4. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter (3) im wesentlichen aus einem symmetrischen Junction-FET besteht.
5 5. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter (3) zwei antiseriell geschaltete Tyristoren aufweist.
6. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschalter (3) mit einem Triac arbeitet.
7. Steckdose nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter mit einem Isolatet-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) arbeitet.
G 3 ^ 1J ^ DE
8. Steckdose nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß für die Steuerelektroden ein externer Anschluß, (Steuerleitungen (6)) vorgesehen ist.
9. Steckdose nach Anspruch 1 oder einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an den Steuerelektroden eine Busankoppeleinrichtung (4) angeordnet ist.
10. Steckdose nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterschalter (3) und die Busankoppeleinrichtung (4) in Stapelausführung unter dem Steckdosensockel (1) gehalten sind.
DE9312528U 1993-08-20 1993-08-20 Schaltbare Steckdose Expired - Lifetime DE9312528U1 (de)

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