DE923496C - Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern - Google Patents

Description

Es wurde bereits ein Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern vorgeschlagen, bei welchen auf eine Grundplatte aus einem Metall der Eisengruppe eine Wis-mutschicht aufgebracht wird, bevor auf diese in irgendeiner Weise, sei es durch Aufdampfen, durch elektrolytische oder galvanische Methoden, die Selengleichrichterschicht aufgebracht wird. Besonders vorteilhaft ist es dabei, -die Selenschicht durch Aufdampfen auf die Wismutschicht niederzuschlagen. Es zeigt sich jedoch, daß die auf die Wismutschicht aufgedampfte Selenschicht zur Blasenbildung neigt, also mindestens teilweise in sehr mangelhafter mechanischer Verbindung mit der Grundplatte steht. Wie Versuche ergeben haben, tritt dieser Mangel dann ein, wenn in der aufgebrachten Wismutschicht Luft absorbiert ist. Sorgt man dagegen erfindungsgemäß dafür, daß die Wismutschicht vor der Bedampfung mit Selen mit einem geeigneten Gas, etwa mit Stickstoff, in Berührung kommt, wobei gegebenenfalls die am Wisr mut adsorbierte Luft, insbesondere der Sauerstoff der Luft durch Vakuumanwendung entfernt wird und die Wismutschicht mit Stickstoff z. B. von Atmosphärendruck in Berührung gebracht, gewissermaßen aufgeladen wird, dann unterbleibt Blasenbildung. Es zeigt sich nämlich, daß für die Blasenbildung der Sauerstoff der Luft infolge von Oxydationsvorgängen verantwortlich ist. Dies ergibt sich durch den folgenden Versuch: Bringt man eine mit Wismut überzogene Trägerplatte, die

mit Luft in Berührung war, in ain Vakuumgefäß, evakuiert und läßt alsdann Stickstoff in· das Gefäß, dann tritt keine Blasenbildung nach der Aufdampfung des Selens ein. Ist aber die Wismutschicht einmal mit Stickstoff aufgeladen, dann ist die Wirkung so nachhaltig, daß auch nach längerem Verweilen der Trägerplatte an der Luft bei später aufgedampfter Selenschicht keine Blasenbildung mehr eintritt. Dabei ist es so, daß das bei der nachträgliehen Selenaufdampfung erforderliche Vakuum die an der Wismutschicht adsorbierte Luft nicht zu entfernen vermag. Vielmehr ist ein Aufladen mit einem geeigneten Gas notwendig, um die Berührung der Wismutschicht mit atmosphärischer Luft unwirksam zu machen. Man kann zwar, wie es bereits vorgeschlagen wurde, im selben Vakuum nach dem Bedampfen der Grundplatte mit Wismut gleich das Selen auf diese Wismutschicht aufbringen. Dieses Verfahren hat jedoch die Nachteile, daß nicht nur eine komplizierte Apparatur mit zwei Verdampfern benötigt wird, sondern daß auch durch vagabundierende Dämpfe beide Schmelzen verunreinigt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren vermeidet diese Nachteile und hat den Vorteil, daß die mit Wismut bedampften Grundplatten dem Vakuumraum der ersten Apparatur entnommen und (nach eventueller Lagerung) in einer zweiten Apparatur oder in der ersten nach Auswechseln des Verdampfers mit Selen bedampft werden können.

Auf diese Weise erhält man reine Wismut- und Selenschichten, wie sie in einer Apparatur mit zwei Verdampfern nicht erhalten werden können. Außerdem kann beispielsweise das Aufdampfen des Selens in einer Halogenatmosphäre, wie an sich bekannt, durchgeführt werden, ohne daß das Wismut davon angegriffen wird.

Es ist auch bekannt, zu bedampfende Teile zu entgasen und in einem Schutzgas zu lagern. Abgesehen davon, daß dieses Verfahren nicht bei der Herstellung von Selengleichrichtern bekanntgeworden ist oder angewendet wurde, hielt man es nicht für möglich, daß die mit Schutzgas Geladenen Teile auch für längere Zeit an der Luft gelagert werden könnten, ohne daß die Schutzwirkung verlorengeht.

Gemäß der Erfindung erfolgt also die Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern, bei welchen auf eine Trägerplatte aus Eisen, vernickeltem Eisen oder aus einem Werkstoff der Eisengruppe des Periodischen Systems der Elemente eine Wismutschicht aufgebracht worden ist, um auf diese die Selenschicht aufzudampfen, in der Weise, daß die wismutierte Trägerelektrode vor der Bedampfung mit Selen durch Evakuierung und durch anschließende Aufladung mit einem geeigneten Gas, wie Stickstoff, vorzugsweise unter Atmosphärendruck, von den an der Wismutschicht adsorbierten Luft- bzw. Sauerstoffresten befreit wird. Als geeignet hat sich neben Stickstoff z. B. noch Leuchtgas gezeigt.

Mit diesem Verfahren werden Selengleichrichter erzielt, bei welchen die Neigung zur Blasenbildung unterdrückt ist und welche vorzügliche elektrische Eigenschaften und nur geringe Alterung aufweisen. Wenn einmal die Wismutschicht mit Stickstoff aufgeladen ist, kann eine längere Zeit bis zur Bedampfung mit Selen verstreichen, ohne daß Blasenbildung zu befürchten ist, d. h., die Platte kann auch mit Luft in Berührung kommen. Die Wismut- und die Selenfoedampfung kann also mit Zeitabstand in zwei getrennten Vorgängen erfolgen. Es wird bemerkt, daß auch ibei . Leichtmetallgrundplatten Blasenbildung eintritt, welche mit denselben Maßnahmen, wie sie für Eisengrundplatten vorgesehen worden sind, unterbunden werden kann.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern, bei welchen auf eine Trägerplatte aus Eisen, vernickeltem Eisen oder aus einem Werkstoff der Eisengruppe des Periodischen Systems der Elemente oder auch aus Leichtmetall eine Wismutschicht aufgebracht worden ist, um auf diese die gleichrichtende Selenschicht aufzudampfen, dadurch gekennzeichnet, daß bei Berührung der aufgedampften oder sonstwie aufgebrachten Wismutschicht mit der Luft die wismutierte Trägerelektrode vor der Bedampfung mit Selen durch Evakuierung und durch anschließende Aufladung mit einem geeigneten Gas, z. B. Stickstoff oder Leuchtgas, vorzugsweise unter Atmosphärendruck, von den in der Wismutschicht adsorbierten Luft- bzw. Sauerstoffresten befreit wird.

   Angezogene Druckschriften: Espe und Kno-Il »Handbuch der Vakuumtechnik«, Verlag Springer, Berlin 1936, S. 120.

   9596 2.55