DE859916C - Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter - Google Patents
Aus Metalloxyd bestehender HalbleiterInfo
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- DE859916C DE859916C DENDAT859916D DE859916DA DE859916C DE 859916 C DE859916 C DE 859916C DE NDAT859916 D DENDAT859916 D DE NDAT859916D DE 859916D A DE859916D A DE 859916DA DE 859916 C DE859916 C DE 859916C
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Classifications
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- H01C—RESISTORS
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Description
- Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter Bekanntlich macht die Herstellung eines einwandfreien Kontaktes auf Halbleitern, insbesondere Heißleitern, recht erhebliche Schwierigkeiten, @ und es ist eine Reihe von Verfahren, die alle mehr oder weniger große Nachteile haben, bekannt.
- Die Erfindung geht einen neuen Weg und schlägt vor, bei aus Metalloxyden bestehenden Halbleitern, insbesondere Kupferoxydheißleitern, den Rohkörper: oberflächlich zu reduzieren und auf der so entstehenden Metallschicht die Anschlußlrähte anzubringen. Hierdurch werden die bei anderen Kontaktierverfahren erforderlichen hohen Temperaturen mit ihren unerwünschten Rückwirkungen auf den Halbleiter vermieden. Um eine erneute Oxydierung der so gewon- nenen Metallschicht zu verhindern, empfiehlt sich, vor der Anbringung der Kotakte die Metallschicht mit einem Überzug, z. B. aus Silber, zu versehen. Die Aufbringung dieser Schutzschicht kann z. B. galvanisch oder in anderer geeigneter Weise erfolgen. Die Anwendung eines solchen Verfahrens ließ* zu-' nächst das Auftreten ausgeprägter Sperrschichten zwischen dem Metalloxyd und der reduzierten Metallschicht befürchten. Die Versuche zeigten jedoch, daß die Spannungsabhängigkeit nicht so groß ist, daß derartig hergestellte Kontakte unbrauchbar sind. Die Sperrwirkung selbst ist zudem im weiten Maße abhängig von der Art, wie die Reduktion des Oxyds durchgeführt wird. Insbesondere ergab sich die Möglichkeit, praktisch sperrwirkungsfreie Elektroden herzustellen wenn die Reduktion bei niederer Temperatur, z. B. Zimmertemperatur, in einer Säure bei Anwe-senheit eines_ unedlen _Metalls, wie__Zink _k_ _oder_ Aluminium, vorgenommen wird.
- Während jedoch die zunächst erforderliche Aufbringung der Metallschicht hohe Temperaturen erfordert, wenn man z. B. eine Silberschicht auf einen Kupferoxydheißleiter aufbringt, wird bei der Reduzierung des Metalloxyds gemäß der Erfindung die Anwendung hoher Temperaturen und damit die schädliche Rückwirkung dieser Temperaturen auf den Heißleiter vermieden.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter, insbesopdere Kupferoxydheißleiter, dadurch gekennzeich :et, däß.die Oberfläche des Metalloxydkörpers an der zu ko ntaktierenden'Stelle reduziert ist, insbesondere so reduziert ist; daß- zwischen Metalloxydoberfläche und der reduzierten Metallschicht keine'öder nur eine geringe Sperrwirkung auftritt und auf der reduzierten Metallschicht der Kontakt in an sich bekannter Weise angebracht, z. B. angelötet, ist. a. Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf die reduzierte Metallschicht ein die erneute Oxydation verhindernder Überzug, z. B. aus Silber, vorzugsweise galvanisch aufgebracht ist. 3. Verfahren zur Herstellung einer möglichst sperrwirkungsfreien reduzierten Schicht bei einem Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Reduzierung bei niederer Temperatur, z. B. Zimmertemperatur, in einer Säure bei Anwesenheit eines une31e:i Metalls, wie Zink oder Aluminium, vorgenommen wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP0013417 | 1948-10-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE859916C true DE859916C (de) | 1952-10-30 |
Family
ID=7364610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT859916D Expired DE859916C (de) | 1948-10-01 | Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE859916C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1415406B1 (de) * | 1958-04-30 | 1970-08-20 | Siemens Ag | Keramischer Widerstand mit hohem positiven Temperaturkoeffizienten seines Gesamtwiderstandswertes |
| DE3004736A1 (de) * | 1979-02-09 | 1980-08-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Nicht-lineare widerstandselemente und verfahren zu deren herstellung |
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- DE DENDAT859916D patent/DE859916C/de not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
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| DE3004736A1 (de) * | 1979-02-09 | 1980-08-21 | Tdk Electronics Co Ltd | Nicht-lineare widerstandselemente und verfahren zu deren herstellung |
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