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DE8120651U1 - Temperaturstabilisierter Mikrowellen-Resonator - Google Patents

Temperaturstabilisierter Mikrowellen-Resonator

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Publication number
DE8120651U1
DE8120651U1 DE8120651U DE8120651U DE8120651U1 DE 8120651 U1 DE8120651 U1 DE 8120651U1 DE 8120651 U DE8120651 U DE 8120651U DE 8120651 U DE8120651 U DE 8120651U DE 8120651 U1 DE8120651 U1 DE 8120651U1
Authority
DE
Germany
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cavity resonator
resonator
cavity
coupling
quartz
Prior art date
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Application number
DE8120651U
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English (en)
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Telettra SpA
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Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/06Cavity resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/30Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/04Coaxial resonators

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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Temperaturstabilisierter Mikrowellen-Resonator
Die ^Teuerung betrifft einen Mikrowellen-Resonator, der temperaturstabilisiert ist, keiner iufrichten Abdichtung bedarf und bezüglich der Frequenz einfach einzustellen bzw. abzustimmen ist.
Es sind bereits verschiedene Arten von Mikrowellen-Resonatoren bekannt. Von den Resonatoren mit einer I
Metallwand und Gasfüllung sind die wichtigsten Typen
nach ihren Moden TEM zu unterscheiden:
1. TEM00: Koaxial-Resonator;
2. TEM10: Wellenleiter-Resonator;
3. TEM1.: Kreisform-Wellenleiter-Resonator;
4. TEM1: Kreisform-Wellenleiter-Resonator.
Es ist bekannt, daß die Stabilisierung der Hohlraumresonatorfrequenz bei Änderung von ümgebungsbedingungen (Temperatur und Luftfeuchtigkeit)ein schwieriges Pro- I blem darstellt, wenn eine Frequenzstabilität in der
Größenordnung von 10 /° C erzielt werden soll.
Die Resonanzfrequenz eines Resonators wird durch drei Grundfaktoren beeinflußt, nämlich
1. durch die temperaturbedingte Ausdehnung des Metalls des Resonators;
2. durch die dielektrische Konstante des die Resonanzkammer füllenden Gases ;
3. durch die Lastimpedanzen an den öffnungen, über die der Resonator mit der Umgebung gekoppelt ist.
In Bezug auf den Faktor 3 kann die Lastimpedanz vernachlässigbar reduziert werden, indem der Ankopplungsstöreinfluß entsprechend verkleinert und erforderlichenfalls ein Isolator zwischen Resonatorkammer und Last angeordnet wird.
In Bezug auf den Faktor 1 wurde bereits vorgeschlagen, das Resonatorgehäuse aus einem Metall mit niedrigem
Wärme-Ausdehnungskoeffizienten anzufertigen, z. B. aus Fe-Ni-Legierungen, die unter der Handelsbezeichnung
Invar oder Super-Invar bekannt sind und einen Ausdahnungskoeffizienten von höchstens 1,5' · 10 / C
bzw. 0,7 · 10~6/° C besitzen. Außerdem wird eine spezielle Wärmebehandlung zur Stabilisierung dieser Werkstoffe
vor und nach ihrer Verarbeitung vorgesehen. Auf diese
Weise hält das Enderzeugnis die vorgeschriebenen Werte des Ausdehnungskoeffizienten ein.
Bezüglich des Faktors 2 ist erforderlich, die Kammer luftdicht, d. h.. feuchtigkeits- und gasdicht abzudichten, bevor sie mit einem trockenen Inertgas (z. B. Stickstoff) gefüllt wird, um dadurch den Druckunterschied gegenüber der äußeren Umgebung anzuheben.
Diese Lösung ist jedoch sehr kompliziert, weil sämtliche Lötstellen der verschiedenen, die Resonatorkammer bildenden Teile sowie die Ankopplungsblenden und Abstimmmittel abgedichtet sein müssen.
Im Hinblick hierauf beschreibt die DE-OS 3 038 140 Hohlraumresonatoren, die keine Gasfüllung benötigen, weil in die Metallwand des Hohlraumresonators ein Quarzzylinder eingesetzt ist. Die genannte Patentanmeldung beschreibt Hohlraumresonatoren mit einer eine geringe Dicke besitzenden inneren Hülse aus einer kostspieligen Legierung (Invar), während der Außenmantel eines solchen Hohlraumresonators dicker ist und aus einer weniger teuren Legierung besteht.
Aufgabe der Neuerung, ist damit die Schaffung eines
ll
temperaturstabilisierten Resonators, bei dem nicht nur auf die Inertgasfüllung verzichtet werden kann, sondern auch die Verwendung von mehr oder weniger kostspieligen Legierungen für den Hohlraumkörper vollständig vermieden wird.
Diese Aufgabe wird gelöst für einen temperaturstabiiisierten, frequenzeinstellbaren Hohlraumresonator, bei dem der Körper des Resonators aus reinem amorphen Quarz hergestellt und mit mindestens einer Metallisierungsschicht überzogen ist.
Der neuerungsgemäße Hohlraumresonator weist keine Kammer oder dergleichen mit einer Metallwand aus einer mehr oder weniger teuren Legierung, sondern statt dessen einen Körper aus reinem amorphen Quarz auf, dessen Außenflächen, mit Ausnahme kleiner, für die Ankopplung benutzter Flächen, metallisiert sind.
Da der nöüerungsgemäße metallisierte amorphe Quarzkörper in zweckmäßiger Form und Größe hergestellt werden kann, läßt sich ein temperaturstabilisierter Resonator realisieren, der eine Feineinstellung der Resonanzfrequenz zuläßt und sich besonders für stabile Mikrowellenstrahler mit Ankopplung an eine geeignete aktive Schaltung eignet.
Der neuerungsgemäße Hohlraumresonator kann als Ersatz für alle bisherigen Mikrowellen-Hohlraumresonatoren mit Metallfläche benutzt werden, nämlich für TEMQC)-Typ Koaxial-Resonatoren mit 1 = λ/4 und 1 = λ/2, TE101-Typ-Rechteckleijter-Resonatoren sowie TE010-, TE111- und TE11-Typ-Kreisform-Wellenleiter-Resonatoren.
Im Vergleich zu den bisherigen Hohlraumresonatoren mit Metallwandung, insbesondere denjenigen unter Verwendung von Legierungen mit sehr niedrigem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, bietet der neuerungsgemäße Resonator Vorteile. Kosten werden infolge eines erheblich vereinfachten Aufbaues des Resonators eingespart, da schwierig zu verarbeitende Legierungen, wie Invar und Superinvar, nicht verwendet werden. Hieraus ergeben sich niedrigere Beschaffungs- und Betriebskosten. Aufgrund dieser Vorteile wird der neuerungsgemäße Hohlraumresonator, auch im Vergleich zur Vorrichtung nach der
genannten DE-OS 3 038 140 wettbewerbsfähiger. "
Eine weitere Kosteneinsparung ergibt sich durch den f Wegfall einer luftdichten Abdichtung oder Kapselung j-
des Hohlraums. Insbesondere werden hierdurch folgende |
Vorteile gewährleistet: [
·ο· · οβ» t «> β»»
1. Eine eindeutige Verbesserung der Abdichtung des Hohlraumresonators wird erreicht.
2. Es können Hohlraumresonatoren zylindrischen und rechteckigen Querschnitts sowie TEM00-Typ-Resonatoren hergestellt werden. Der Hohlraum-Resonator nach der genannten DE-OS 3 038 140 kann entweder nur als TEn11-Typ oder derart realisiert werden, daß ein elektrisches Feld E=O- auch in den orthogonalen Komponenten - in der Nähe der den Hohlraum begrenzenden Metalloberflächen herrscht.
3. Es werden Größe und Gewicht verringert, so daß sich eine größere Verwendungsvielseitigkeit ergibt und neuartige, beachtliche Möglichkeiten eröffnet werden, beispielsweise der Bau von Festfrequenzoszillatoren, direkt mit Mikrowellen-Frequenzen unter Vermeidung der Schwierigkeiten bezüglich Bauteilen oder Stromkreisen, die normalerweise bei den bisherigen Vorrichtungen nötig sind.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Neuerung in Verbindung mit der beiliegenden Zeichnung
näher beschrieben. Zur besseren Erläuterung und Erklärung der unterschiedlichen Ausführungsformen des neuerungsgemäßen Reso nators sind außerdem in den Figuren der Zeichnung einige vor teilhafte Anwendungsbeispiele der Neuerung dargestellt. Die Figuren zeigen im einzelnen:
Figur 1 den neuerungsgemäßen Resonator in einer vereinfachte] schematischen Darstellung in verschiedenen Stadien Während seiner Herstellung,
Figur 2 und 2A schematische und teilweise auseinander-'·' gezogene perspektivische Darstellungen des neuerungsgemäßen' Hohlraumresonators,
Figur 3, 3A und 3B weitere Einzelheiten des Resonators,
Figur 3A1, 3B1, 4, 4A und 5 ÄquivalentSchaltbilder des Hohlraumresonators und
Figur 6 eine teilweise im Schnitt gehaltene spezielle Ausführungsform der Neuerung..
Der neuerungsgemäße Hohlraumresonator weist im Verlauf seine: Herstellung die in der Figur 1 gezeigten Stadien auf. Diese v/erden im folgenden beschrieben:
Stadium I:
Aus einem Quarzstab sind kleine Quarzzylinder QU mit den erforderlichen Abmessungen bezüglich Durchmesser und Länge geschnitten.
A * ■ β · ·■·>·■
Stadium II:
Die Außenfläche des Zylinders QU ist. mit einer dünnen Metallschicht ME vorzugsweise mit einer Dicke im Mikrometerbereich beschichtet, z.B. durch Eintauchendes Zylinders in ein Bad mit Kupferlösung oder einer anderen Lösung eines leitfähigen Metalls.
Stadium IIIι
Der so metallisierte Quarzzylinder QU ist mit einer zweiten, sog. Verdickungs- bzw. Verstärkungsschicht aus einem Metallüberzug überzogen, bei dem es sich um dasselbe Metall wie bei der Metallschicht ME oder um ein unterschiedliches Metall handeln kann. Die Dicke dieser Verstärkungssicht INS liegt vorzugsweise im Zehntelmillimeterbereich; diese Verstärkungsschicht INS ist vorzugsweise auf galvanischem Wege aufgebracht. Es ist darauf hinzuweisen, daß die Metallschichten ME (Stadium II) und INS (Stadium III) auch auf andere Weise ausgebildet sein können, z. B. durch Aufstreichen eines leitfähigen Lacks (mit Kupfer, Silber oder dergleichen) oder durch Lackieren mit anschließender Galvanisierung im galvanischen Bad. In allen Fällen müssen die folgenden Eigenschaften eingehalten werden:
Quarzgüte: Zu verwenden ist reiner, amorpher Quarz,
etc · · · ·
— · O O ·0 » t
vorzugsweise optischer Güte, in Form von rektifizierten und bearbeiteten Stäben.
Metallisierung: Diese muß so sein, daß der Quarzzylinder mit einer fest an seiner Oberfläche haftenden, sehr gut leitfähigen Metalloberfläche versehen ist, damit der ft Einschluß von Luft oder· anderem Gas im Inneren des Resonanzhohlraums, d. h. in der Quarzmasse innerhalb der Metalloberfläche ausgeschlossen ist.
Die erste Metallisierungsschicht, die eine hohe elektrische Leitfähigkeit gewährleisten soll, und deren Dicke groß genug ist, um den gesamten, mit dem elektromagnetischen Resonanzfeld verbundenen elektrischen Strom aufnehmen zu können, ist zur Verbesserung der mechanischen Festigkeit vorzugsweise auf galvanischem Wege mit der leitfähigen Metallisierungsschicht INS versehen. Hierdurch werden die mechanischen und elektrischen Anschlüsse zur aktiven Vorrichtung oder zu den angekoppelten Vorrichtungen vereinfacht, denen der Hohlraumresonator die erforderlichen elektrischen Charakteristiken bieten muß.
Die Figuren 2, 3A und 3B veranschaulichen drei Arten der Ankopplung zwischen dem neuerungsgemäßen Hohlraum-
resonatorkörper CM und einem Mikrostreifen MST. Figur 2 veranschaulicht eine übertragungsleitung L mit ihrem dielektrischen Träger, ein Element FCC zur Herstellung des Kontaktes zum elektrischen Kontinuum der Anordnung, einen Aluminiumkörper CAL, bestehend aus einer Platte CAL1 mit einem Träger CAL", der senkrecht zur Platte CAL1 steht und aus einem ebenfalls senkrecht auf der Platte CAL' stehenden Gewindestift CIN. Der metallisierte Hohlraumresonator CM selbst besitzt eine zylindrische Form und ist mit einer zentralen, axialen Bohrung 10 zur Aufnahme des mit einer Mutter 11 zu versehenden Gewindestiftes CIN ausgestattet. Der Hohlraumresonator CN ist ein λ/2-Hohlraumresonator bzw. -Hohlleiter mit einer Bohrung FSO zur Aufnahme eines Koppelstifts SO für die Ankopplung des Hohlraumresonators an den Mikrostreifen MST.
Der Gewindestift CIN besteht vorzugsweise aus Invar. Figur 2A veranschaulicht die Anordnung im zusammengebauten Zustand und Figur 2 in auseinandergezogener, perspektivischer Darstellung.
Figur 3A veranschaulicht eir.e Möglichkeit zur Ankopplung des Mikrostreifens an den Hohlraumresonator CM über eine Blende IR.
α β α
Figur 3Α1 ist ein Äquivalentschaltbild dieses Mikrostreifens bei Ankopplung an den Rundhohlleiter bzw. den Hohlraumresonator CM über die Blende.
Figur 3B veranschaulicht einen Fall, in welchem der Mikrostreifen MST gemäß Figur 2A durch einen Mikrostreifen MST1 mit zwei Anschlüssen 15, 15' ersetzt ist. Ähnlich wie bei Figur 2A kann einer dieser Anschlüsse für die Feineinstellung der Resonanzfrequenz des Hohlraumresonators CM benutzt werden.
Figur 3B· zeigt das Äquivalentschaltbild der Anordnung gemäß Figur 3B mit über die Blende IR an den Hohlraumresonator CM angekoppelten Mikrostreifen-Anschlüssen 15, 15', wobei der Hohlraumresonator CM in seinen hohlen Träger S eingesetzt ist.
Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, besteht eines der vorteilhaftesten Merkmale der Neuerung darin, daß der neuerungsgemäße Hohlraumresonator mit fester Eigenfrequenz arbeitet, so daß er bei Ankopplung an eine aktive Schaltung vorteilhaft für stabile Oszillatoren benutzt werden kann.
Zur weiteren Kosteneinsparung bei der mechanischen
-> C e · · O* oca· β · a ο β
Of· · « Ct
Bearbeitung des Quarzstabs wird eine Frequenz-Feineinstellung ins Auge gefaßt, die durch eine schwache Ankopplung an ein geeignetes reaktives Netzwerk möglich ist, das aus Halbleiterelementen bestehen kann.
Ankopplung an den Hohlraumresonator: Obgleich auch induktive Ankopplungen möglich sind, erweisen Lieh kapazitive Ankopplungen oder Ankopplungen unter einem elektrischen Feld E als besonders günstig. Hierfür eignen sich insbesondere die beiden Möglichkeiten gemäß Figur 2 und 3A, nämlich eine kapazitive Ankopplung mittels des Koppelstiftes SO, der in die im Quarzzylinder CM vorgesehene Bohrung FSO eingelassen und darin mittels eines Kunstharzes verklebt ist. Der Koppelstift SO gemäß Figur 2 besteht vorzugsweise aus einer Metallegierung mit niedrigem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und einer seine Leitfähigkeit verbessernden Oberflächenbehandlung. Der Koppelstift kann auch metallisiert sein.
Die Ankopplung unter elektrischem Feld über die Blende IR (Figur 3A) an die metallisierte Quarzoberfläche ist durch Abtragung der Metallisierung in einem entsprechenden Bereich möglich. Die Herstellung von mittels des Hohlraumresonators stabilisierten Oszillatoren ist
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besonders interessant. Die an den Hohlraumresonator angekoppelte aktive Vorrichtung kann unter Verwendung von Halbleiterelementen, wie bipolaren Transistoren, Feldeffekttransistoren, GUNN-Dioden usw. verwirklicht sein. Der Schaltungseinbau des Resonators ist in verschiedenen Position möglich, beispielsweise in Reihen- oder Parallelschaltung zur Last, in Rückkopplungsschaltung, in Parallelschaltung mit dem aktiven Element
Ein besonderes Merkmal ist die Möglichkeit der'Veränderung der Oszillatorfrequenz durch einfaches Auswechseln des Hohlraumresonators gegen einen anderen mit geringfügig unterschiedlichen Abmessungen, während der aktive Schaltkreis unverändert bleibt. Zu diesem Zweck ist in den aktiven Schaltkreis ein geeignetes Netzwerk eingebaut und .integriert; mittels einer schwachen Hohlraumresonatorankopplung ermöglicht dieses Netzwerk eine Resonanzfrequenz-Feineinstellung des Hohlraumresonators selbst.
Im folgenden sind einige Ausführungsbeispiele von stabilen Oszillatoren mit einem Hohlraumresonator gemäß der Neuerung beschrieben:
Figur 4 veranschaulicht eine aus einem aktiven bipolaren
Element AT bestehende Vorrichtung auf dem Mikrostreifen MST. Wie schematisch dargestellt, kann diese Vorrichtung mit einem LC-Reihenresonanzkreis mit negativem Widerstand (-R) und niedrigem Gütefaktor ausgelegt sein, über die Blende IR ist ein zylindrischer Hohlraumresonator gemäß 'der Erfindung, der aus Bemessungsgründen in der TM - -Betriebsart betrieben wird, mit dieser Vorrichtung verbunden. Außerdem ist über diese Blende auch eine reaktive Schaltung schwach angekoppelt. Diese Schaltung ist ebenfalls auf einer Platte der aktiven Vorrichtung angeordnet. Die Ankopplung ist in Figur 3B veranschaulicht.
Figur 5 veranschaulicht das Äquivalentschaltbild, welches eine aktive Vorrichtung A, eine Last B, einen Hohlraumresonator C und eine Feineinstelleinrichtung D umfaßt. Wenn folgende Bedingungen gelten:
Q2 » Q1
f2 -
1 I < K · fQ, mit K << 1, und I-RI < Z , wobei bedeuten:
Q„ Gütefaktor
Q1 Gütefaktor
f„ Frequenz
f Frequenz
K Konstante
0 -R
Z0
Frequenz Widerstand Scheinwiderstand
dann werden durch zweckmäßige Änderung der Ankopplung (n : 1) die folgenden Oszillationsbedingungen am Streifen MM1 erreicht:
2O // Req = -|-Rl '' Xeq= "X
Die in Figur 6 veranschaulichte mechanische Konfiguration dieser Vorrichtung ist derart, daß die Schwingungsfrequenz durch einfaches Auswechseln des Hohlraumresonator geändert werden kann. Die Anordnung gemäß Figur 6 umfaßt einen Aluminiumkörper 1, einen mit dem Quarz-Hohlraumresonatorkörper 4 verlöteten Ring 2, Stäbe 3, einen mit dem Ring 2 versehenen Hohlraumresonator 4, Schrauben 5, einen Mikrostreifen 6 und eine Ankoppelfläche A.
Der a.us Invar bestehende Ring 2 ist mit dem Hohlraumresonatorkörper 4 verlötet. Der Ring hält den Resonatorkörper 4 mittels der Stäbe 3 schwebend. Hierdurch werden die mechanische Lage des Hohlraumresonators relativ zur Achse der Ankopplungsbohrung sowie Massekontinuität gewährleistet.
Ersichtlicherweise ist die Neuerung keineswegs auf die vorstehend dargestellten und beschriebenen Aus-
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führungsformen beschränkt, sondern verschiedenen Änderungen und Abwandlungen zugänglich; beispielsweise kann die feuerung auch auf eine Einzelphase anstelle von zwei oder drei Phasen angewandt werden.
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Claims (6)

  1. . - α 1 - σ ·:·
    Schutzansprüche :
    . Temperaturstabilisierter, frequenzein-stellbarer Hohlraumresonator mit einem Resonatorkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper (CM) aus reinem amorphen Quarz hergestellt und mit mindestens einer Metallisierungsschicht überzogen ist.
  2. 2. Hohlraumresonator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er einen rechteckigen, quaderförmigen oder zylindrischen Körper (CM) aus amorphen Quarz optischer Güte aufweist.
  3. 3. Hohlraumresonator nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die außenseitige Metallschicht eine dünne erste Schicht aus einem Metall hoher Leitfähigkeit sowie eine zweite Verdickungs- bzw. Verstärkungsschicht umfaßt.
  4. 4. Hohlraumresonator nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß zur Ankopplung an externe Schaltungen von kleinen Bereichen des Körpers die Metallschicht abgetragen ist.
  5. 5. Hohlraumresonator nach Anspruch 4, geJcennzeichnet durch einen Koppelstift (SO), der in eine im Quarzkörper vorgesehene Bohrung (FSO) eingesetzt ist.
  6. 6. Hohlraumresonator nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch Blenden (IR) in Form von Aussparungen in der Metallisierung.
DE8120651U 1980-07-16 1981-07-14 Temperaturstabilisierter Mikrowellen-Resonator Expired DE8120651U1 (de)

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