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DE69704544T2 - Optischer Halbleiterverstärker - Google Patents

Optischer Halbleiterverstärker

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DE69704544T2
DE69704544T2 DE69704544T DE69704544T DE69704544T2 DE 69704544 T2 DE69704544 T2 DE 69704544T2 DE 69704544 T DE69704544 T DE 69704544T DE 69704544 T DE69704544 T DE 69704544T DE 69704544 T2 DE69704544 T2 DE 69704544T2
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DE
Germany
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soa
light
optical
waveguide
input
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Shotaro Kitamura
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung:
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Technik optischer Kommunikation und insbesondere einen optischen Halbleiterverstärker zum Verstärken und Auslöschen von Signallicht.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik:
  • Optische Halbleiterverstärker (die hierin "SOA" genannt werden) sind Vorrichtungen mit einem optischen Verstärkungsmedium in Form eines optischen Streifen- Wellenleiters, d. h. "einem aktiven Streifen". Der SOA verstärkt zum Verstärken von Signallicht ohne sein Umwandeln in ein elektrisches Signal.
  • SOAs haben eine Struktur, die grundsätzlich dieselbe wie bei Halbleiterlasern ist. Jedoch haben SOAs Vorrichtungsenden, die mit antireflektierenden Beschichtungen übeizogen sind, um ihr Licht-Reflexionsvermögen zu reduzieren, so daß SOAs keine Struktur eänes optischen Resonators haben.
  • Daher unterdrücken SOAs selbst dann, wenn ein Träger injiziert wird, eine Laseroszillation, gaben aber aufgrund einer stimulierten Emission in Antwort auf eingegebenes Signallicht verstärktes Licht aus.
  • Über SOAs ist in verschiedenen Dokumenten berichtet, die folgende sind:
  • (1) I. Cha. et. al. " Electr. Lett. Vol. 25, S. 1241-1242 (1989);
  • (2) C. E. Zah, et. al., Electr. Lett. Vol. 23, S. 990-991 (1987);
  • (3) S. KiLamura, et. al., IEEE Photonics Technol. Lett. Vol. 7, S. 147-148 (1995);
  • (4) L. F. Tiemeijer, OAA '94, Technical Digest 34/VVD1-1 (1994);
  • (5) P. Doussiere, et. al., ECOC '96, Proceeding Vol. 3, Wed 2.4 (1996); und
  • (6) S. Chelles, et al., ECOC '96, Proceeding Vol. 4, ThB 2,5 (1996).
  • Die Dokumente (4)-(6) offenbaren sogar eine Modularisierung eines SOA und optischer Fasern und berichten darüber, daß die Verstärkung zwischen den optischen Fasern 20 dB oder darüber sein kann und die gesättigte Ausgabe von verstärktem Signallichfnahezu 10 dBm ist.
  • SOAs funktionieren als trägerinjiziertes optisches Gatter sowie als Vorrichtung zum Verstärken von Signallicht.
  • Insbesondere verstärkt der aktive Streifen eines SOA Signallicht, wenn es eingeschaltet ist, d. h. wenn Strom in den aktiven Streifen injiziert wird, und zeigt eine hohe Lichtabsorptionsfähigkeit, wenn es ausgeschaltet ist, d. h. wenn kein Strom in den aktiven Streifen injiziert wird. Daher kann der optische Wellenleiter mit dem aktiven Streifen, der als seine Kernschichfdient, geführtes Licht ein- und ausschalten.
  • Es ist eine starke Nachfrage nach optischen Koppelfeld-Schaltem für Signallicht- Querveribindungsanwendungen in zukünftigen 0optischen Kommunikationsnetzwerken vorauszusehen. SOAs sind gegenwärtig am vielversprechendsten zur Anwendung als optische Gatterelemente von solchen optischen Koppelfeld-Schaltern. Das Löschverhältnis von SOAs zu der Zeit, zu welcher sie ein- und ausgeschaltet werden, ist größer als dasjenige von Elektro-Absorptions-Halbleitermodulatoren oder optischen Richtkopplerschaltem.
  • Daher werden optische Koppelfeld-Schalter dann, wenn sie unter Verwendung von SOAs als optische Gatterelemente ausgebildet werden, optische Kommunikationsnetzwerke mit sehr geringem Übersprechen realisieren können.
  • Berichte über die optische Gatterfunktion von SOAs sind in folgenden Dokumenten zu sehen:
  • (7) S. Kitamura, et al., ECOC '96, Proceeding Vol. 3, WeP 17 (1996); und
  • (8) G. Soulage, et al., ECOC '96, Proceeding Vol. 4, ThD 2,1 (1996).
  • Diese Dokumente berichten über Löschverhältnisse von 50 dB oder darüber.
  • Jedoch haben die in den Dokumenten (4)-(8) offenbarten SOAs eine komplexe Struktur und können nicht effizient hergestellt werden, weil sie unter Verwendung eines Linsensystems modularisiert werden.
  • In den letzten Jahren sind Anstrengungen unternommen worden, einen SOA und optische Fasern durch direktes und optisches Koppeln des SOA mit den optischen Fasern ohne die Verwendung eines Linsensystems zu modularisieren.
  • Gemäß diesen Anstrengungen kann von einer der optischen Fasern zum SOA injiziertes Signallicht nicht durch ein Linsensystem konvergiert werden. Zum Wiedergutmachen eines Verlustes an Signallicht, der durch das Fehlen eines Linsensystems verursacht wird, ist versucht worden, das äußerste Ende der optischen Faser in eine hemisphärische Form auszubilden, oder es ist versucht worden, den SOA mit einer Struktur zum Umwandeln einer Lichtfleckgröße zu versehen.
  • Bei Lichtleitfasern (optischen Fasern), die ohne Linsensystem direkt an die gegenüberliegenden Enden eines SOA gekoppelt sind, wird ein Teil eines von einer der optischen Fasern emittierten Signallichts nicht mit dem optischen Wellenleiter des SOA optisch gekoppelt, sondern läuft um den optischen Wellenleiter herum und erreicht die andere optische Faser direkt.
  • Solches Licht wird Streulicht genannt. Wenn ein SOA als Schaltgatter verwendet wird, wird Streulicht durch den aktiven Streifen nicht optisch absorbiert, wenn es ausgeschaltet ist, d. h. wenn kein Strom in den aktiven Streifen injiziert wird, und somit wird das Löschverhältnis des SOA erniedrigt.
  • Das Löschverhältnis von solchen vereinfachten SOA-Modulen mit optischen Fasern, die mit ihm direkt optisch gekoppelt sind, ist etwa 30 dB. Wenn ein optischer Koppelfeld-Schalter mit vielen Eingangs- und Ausgangsanschlüssen aus solchen SOAs ausgebildet ist, dann ist das reduzierte Löschverhältnis verantwortlich für ein Signal-Übersprechen.
  • Aus US 5 088 105 ist ein optischer Verstärker bekannt, der einen Wellenleiter aufweist, der einen nichtlinearen Lichtpfad zur Verfügung stellt. Der Wellenleiter ist in S-Form gakrümmt oder gebogen, so daß kein geradliniger Lichtpfad innerhalb des Wellenleiters von einer Eingangsseite zu einer Ausgangsseite existiert. Ein ähnlicher optischer Verstärker ist gleichermaßen aus dem Dokument "Optischer Verstärker mit niedriger Lumineszenz", Neues aus der Technik, no. 6, Dezember 1981, Seite 1 bekannt. Der Artikel "Fabrication and performance of 1.5 um GaInAsP travelling wave laser amplifier with angled facets", Electronics Letters, vol. 23, no. 19, Seiten 990-992 beschreibt Wanderwellen-Laserverstärker mit winkelförmigen Seiten anstelle von Antireflexionsbeschichtungen, um eine Fabry-Perot-Resonanz zu unterdrücken.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen SOA zu schaffen, der ein gutes Löschverhältnis hat und in bezug auf die Struktur einfach ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein optischer Halbleiterverstärker geschaffen, wie er in den Ansprüchen 1 und 2 definiert ist.
  • Von der optischen Eingangsfaser in den optischen Wellenleiter injiziertes Licht wird durch den S-förmigen optischen Wellenleiter geführt und in die optische Ausgangsfaser emittiert. Streulicht, das von der optischen Eingangsfaser in einen Bereich um den optischen Wellenleiter herum eintritt, wandert im wesentlichen geradeaus und tritt nicht in die optische Ausgangsfaser ein, die mit dem Lichtausgangsende des gekrümmten optischen Wellenleiters ausgerichtet ist.
  • Daher erreicht von der optischen Eingangsfaser emittiertes Streulicht die optische Ausgangsfaser nicht, obwohl die optischen Fasern ohne Verwendung eines Linsensystems mit den Eingangs- und Ausgangsenden des optischen Wellenleiters optisch gekoppelt sind. Der optische Halbleiterverstärker liefert somit ein gutes Löschverhältnis, wenn er als optisches Gatterelement verwendet wird.
  • Der optische Halbleiterverstärker kann verschiedene spezifische Strukturen haben.
  • Der optische Wellenleiter hat eine S-Form, wobei das Lichteingangsende und das Lichtausgangsende voneinander versetzt sind. Da die optischen Fasern, die mit den gegenüberliegenden Enden des optischen Wellenleiters optisch gekoppelt sind, parallel zueinander und ohne Ausrichtung zueinander positioniert sein können, können die optischen Fasern mit Einfachheit in einer Position angeordnet werden.
  • Das Lichteingangsende und das Lichtausgangsende können um einen Abstand von wenigstens 20 um voneinander versetzt sein. Wenn die optischen Fasern einen Durchmesser von 9 um haben, wie es der Fall bei allgemeinen optischen Fasern ist, und der optische Halbleiterverstärker eine Gesamtlänge von etwas weniger als 1 mm hat, wie es der Fall bei allgemeinen optischen Halbleiterverstärkern ist, dann kann gut verhindert werden, daß von einer der optischen Fasern emittiertes Streulicht in die andere optische Faser eintritt. In diesem Fall kann der optische Halbleiterverstärker ein Löschverhältnis von etwa 40 dB oder darüber haben und Funktionen durchführen, die als optisches Gatterelement erforderlich sind.
  • Wenn das Lichteingangsende und das Lichtausgangsende voneinander versetzt sind, sind sie beispielsweise um den Abstand zwischen einer Längenausdehnung der zentralen Achse des Lichteingangsendes und der zentralen Achse des Endes des Lichtausgangsendes voneinander beabstandet.
  • Der optische Halbleiterverstärker hat eine Lichtabschirmung, die zwischen einer Längenausdehnung der zentralen Achse des Lichteingangsendes und dem Lichtausgangsende angeordnet ist, und/oder eine Lichtabschirmung, die zwischen einer Längenausdehnung der zentralen Achse des Lichtausgangsendes und dem Lichteingangsende angeordnet ist. Streulicht um ein Eingangs-Wellenleiterende, das von einer optischen Faser injiziert wird, divergiert und breitet sich in einem Medium einer Mantelschicht und eines Substrats aus. Jedoch wird die Divergenz und die Ausbreitung durch die Lichtabschirmungen blockiert und erreicht somit nicht das gegenüberliegende Wellenleiterende. Daher tritt das Streulicht nicht in die optische Ausgangsfaser ein, die mit dem gegenüberliegenden Wellenleiter ausgerichtet ist. Das Löschverhältnis des optischen Halbleiterverstärkers wird durch die Lichtabschirmungen verbessert.
  • Jede der Lichtabschirmungen kann eine Vertiefung aufweisen. Wenn die Lichtabschirmungen in der Form von Vertiefungen sind, können sie mit Einfachheit ausgebildet werden.
  • Der optische Halbleiterverstärker kann weiterhin ein Substrat aufweisen, und der optische Wellenleiter kann eine Schicht aufweisen, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die Lichtabschirmung kann einen Teil enthalten, der sich von einer Oberfläche des Substrats in das Substrat erstreckt und eine Tiefe von wenigstens 4 um hat. Wenn der optische Faserkern einen Durchmesser von etwa 9 um hat, wie es der Fall bei allgemeinen optischen Fasern ist, dann sind die untersten Teile der Lichtabschirmungen so tief wie der unterste Teil der Faserkernkontur, so daß die Lichtabschirmungen beim Blockieren von Streulicht äußerst effektiv und zuverlässig sind.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen klar werden, die Beispiele der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist eine Draufsicht von oben, die die interne Wellenleiterstruktur eines SOA zeigt;
  • Fig. 2 ist eine vertikale Querschnittsansicht des in Fig. 1 gezeigten SOA;
  • Fig. 3 ist eine schematische Ansicht, die ein Experiment zum Messen von Streulicht darstellt;
  • Fig. 4 ist eine Kurve, die Löschverhältnis-Kennlinien des in Fig. 3 gezeigten SOA zeigt;
  • Fig. 5 ist eine Kurve, die die Beziehung zwischen einem SOA- Löschverhältnis und einem Nachteil eines Übersprechens bzw. Nebensprechens eines 8 · 8-Koppelfeld-Schalters zeigt;
  • Fig. 6 ist eine Draufsicht von oben, die die interne Wellenleiterstruktur eines SOA zeigt;
  • Fig. 7 ist eine Draufsicht von oben, die die interne Wellenleiterstruktur eines SOA gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX der Fig. 7.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Gleiche oder entsprechende Teile sind in allen Ansichten mit gleichen oder entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet.
  • Die Fig. 1 und 2 zeigen einen SOA 1.
  • Wie es in Fig. 2 gezeigt ist, ist der SOA 1 als BHS-(Buried Head Structural = vergrabene Kopfstruktur)-Typ-LD-(Laserdioden)-Struktur auf einem Substrat 2 durch einen MDVPE-(Metal Oxide Vapor Phase Epitaxy = Metalloxid-Flüssigphasenepitaxie)-Prozeß hergestellt. Der SOA 1 hat einen aktiven Streifen 3, der in einer Mantelschicht 4 eingebettet ist, wobei der aktive Streifen 3 als optischer Wellenleiter zum Führen von Licht mit einer Wellenlänge von 1,55 um dient.
  • Das Substrat 2 ist aus n-InP ausgebildet. Eine n-Elektrode 6 aus Au/Ti ist auf einer unteren Oberfläche des Substrats 2 ausgebildet. Der aktive Streifen 3, der eine gegebene Form hat, ist auf einer Pufferschicht 5 ausgebildet, die auf dem Substrat 2 ausgebildet ist und auch in der Mantelschicht 4 eingebettet ist.
  • Der aktive Streifen 3 weist eine massige InGaAsP-Schicht auf und hat einen trapezförmigen Querschnitt mit einer Dicke von 3000 Å und einer Breite von 4500 Å. Der aktive Streifen hat eine solche Form, daß die Verstärkung bzw. der Gewinn einer Verstärkung nicht von einer Polarisierung abhängt. Die Mantelschicht 4 weist p-Typ-InP auf und enthält einen BH-Bereich mit einer Dicke von 5 um.
  • Eine Abdeckschicht 7 aus p&spplus;-lnGaAs mit einer Dicke von 1000 Å ist auf einer oberen Oberfläche der Mantelschicht 4 ausgebildet. Stromblockierungsschichten 8 sind jeweils auf einer Seite der Schichten 4, 7 ausgebildet. Die Mantelschicht 4, die Abdeckschicht 7 und die Stromblockierungsschichten 8 werden durch MOVPE gleichzeitig aufgewachsen.
  • Nachdem die Mantelschicht 4, die Abdeckschicht 7 und die Stromblockierungsschichten 8 gleichzeitig aufgewachsen sind, werden diejenigen Teile, die andere als die Mantelschicht 4 sind, die eine Breite von 10 um hat, durch eine Protonenbombardierung in eine Isolierschicht umgewandelt. Eine Passivierungsschicht 9 aus SiO&sub2; wird auf einer oberen Oberfläche der Blockierungsschichten 8 abgelagert. Eine p-Elektrode 10 aus Au/Ti wird auf der Abdeckschicht 7 in einem Bereich, der frei von der Passivierungsschicht 9 ist, über dem aktiven Streifen 3 ausgebildet.
  • Wie es in Fig. 1 gezeigt ist, hat der aktive Streifen 3, der als der optische Wellenleiter des SOA 1 dient, im wesentlichen eine als S gebogene Form. Eine Gesamtlänge L0 des SOA 1 ist 800 um. Der als S gebogene aktive Streifen 3 ist 350 um lang, und die Krümmung der Biegung hat einen Radius R von 1,5 mm. An jedem Ende des als S gebogenen aktiven Streifens 3 ist ein gerader Wellenleiter 11 und 12 mit einer Länge von 200 um angebracht. Die Wellenleiter 11 und 12 erstrecken sich parallel zueinander und sind in horizontaler Richtung zueinander um einen Abstand L2 von 50 um versetzt oder beabstandet. Die Dicke der Wellenleiter 11 und 12 beträgt in einem Bereich nahe dem Ende des aktiven Streifens 3000 A und an ihren Spitzen 500 Å. Die Dicke ist jeweils kegelförmig, um eine Lichtfleckgröße an den Wellenleiterspitzen aufzuweiten bzw. zu vergrößern. Das Licht mit einer vergrößerten Fleckgröße an der Spitze des Wellenleiters 11 oder 12 kann ohne Verwendung eines Linsensystems direkt mit dem flachen Ende der optischen Faser 15 gekoppelt werden.
  • Die entgegengeetzten Enden des SOA 1 sind mit antireflektierenden Beschichtungen (AR-Beschichtungen) 13 in Form von SiON-Filmen überzogen. Zum effektiven Reduzieren des Licht-Reflexionsvermögens der Enden des SOA 1 schließt der Wellenleiter 11, 12 die Enden des SOA 1 mit den Fensterbereichen 14 kurz, die zwischen den Seiten des SOA 1 und den Enden des Wellenleiters 11, 12 angeordnet sind. Das Licht-Reflexionsvermögen der Enden des SOA 1 wird durch die Fensterbereiche 14 und die antireflektierenden Beschichtungen 13 auf etwa 0,1% reduziert.
  • Die flachen Enden der optischen Fasern 15 sind mit den jeweiligen entgegengesetzten Enden des SOA 1 in Ausrichtung mit dem Wellenleiter 11, 12 optisch gekoppelt. Der SOA 1 kann Signallicht verstärken, das aus einer der optischen Fasern 15 (der optischen Eingangsfaser 15) eintritt, und das verstärkte Signallicht zur anderen optischen Faser 15 (zur optischen Ausgangsfaser 15) ausgeben, und kann auch ein Signallicht löschen, das von einer der optischen Fasern 15 eintritt, und somit das Signallicht nicht zur anderen optischen Faser 15 ausgeben.
  • Da der aktive Streifen 3 in S-Form gekrümmt ist, werden die optischen Eingangs- und Ausgangsfasern 15, die mit dem Wellenleiter 11, 12 ausgerichtet sind, zueinander nicht ausgerichtet gehalten. Folglich tritt Streulicht, das von einer der optischen Fasern 15 erzeugt wird, nicht in die andere optische Faser 15 ein.
  • Nachfolgend werden die Ergebnisse eines vom Erfinder durchgeführten Experiments beschrieben. Beim Experiment wurde ein Teststück 21 bestehend aus einem Substrat 2 und einer Schicht, die der Mantelschicht 4 entspricht und auf dem Substrat 2 angebracht ist, vorbereitet, wie es in Fig. 3 gezeigt ist. Optische Monomode-Fasern 15, die jeweils ein flaches Ende und einen Durchmesser von 9 um haben, sind so positioniert, daß sich jeweilige gegenüberliegende Enden des Teststücks 21 gegenüberstehen.
  • Dann wurde Signallicht von einer der optischen Fasern 15 (der optischen Eingangsfaser 15) zum Teststück 21 injiziert, und die Intensität von vom Teststück 21 zur anderen optischen Faser 15 (zur optischen Ausgangsfaser 15) ausgegebenem Signallicht wurde als die Größe von Streulicht gemessen, während gleichzeitig die optische Ausgangsfaser 15 relativ zum Teststück 21 bewegt wurde, wie es gezeigt ist. Das aus der gemessenen Intensität des Streulichts geschätzte Löschverhältnis wurde in bezug auf den Abstand (den versetzten Abstand), um welchen die optischen Eingangs- und Ausgangsfasern 15 voneinander beabstandet sind, ausgedruckt. Wie es in Fig. 4 gezeigt ist, wurde bestätigt, daß das Löschverhältnis und der Abstand im wesentlichen proportional zueinander waren und daß das Löschverhältnis etwa 40 dB war, wenn der Abstand 20 um war.
  • Für einen optischen Koppelfeld-Schalter, bei dem SOAs als optische Gatterelemente verwendet werden, sollte ein Löschverhältnis der SOAs zum Erreichen eines Nachteils Eines Übersprechens von beispielsweise weniger als 1 dB wenigstens 40 dB sein, wie es in Fig. 5 gezeigt ist. Wenn dieses Löschverhältnis nicht erfüllt ist, dann wird ein Nachteil eines Übersprechens stark ansteigen. Anders ausgedrückt kann dann, wenn der Abstand, um welchen die optischen Eingangs- und Ausgangsfasern 15 an den entgegengesetzten Seiten des SOA 1 voneinander beabstandet sind, 20 um oder größer ist, das von einem optischen Gatterelement geforderte Löschverhältnis von 40 dB erreicht werden.
  • Wie es in Fig. 1 gezeigt ist, wurden die optischen Fasern 15 mit einem versetzten Abstand von 50 um relativ zu einem SOA 1 positioniert. Signallicht wurde von einer der optischen Fasern 15 zum SOA 1 injiziert, und ein Photostrom, der durch den SOA 1 fließt, wurde gemessen. Ein optischer Kopplungsverlust zwischen der optischen Faser 15 und dem SOA 1 wurde auf jeder Seite des SOA 1 als 3 dB geschätzt.
  • Dann wurde ein Strom von 30 mA in den SOA 1 injiziert, und Signallicht mit einer Wellenlänge λ von 1,55 um und einer Intensität von 0 dBm wurde durch die optische Eingangsfaser 15 zum SOA 1 injiziert. Das Signallicht wurde vom SOA 1 durch die optische Ausgangsfaser 15 ohne Einfügungsverlust (wobei die Verstärkung zwischen den optischen Fasern 15 0 dB ist) ausgegeben. Wenn kein Strom injiziert wurde, d. h. wenn der aktive Streifen ausgeschaltet war, hatte das von der optischen Ausgangsfaser 15 ausgegebene Signallicht eine Intensität von -50 dBm oder weniger.
  • Es ist somit bestätigt worden, daß der SOA 1, der direkt mit den optischen Fasern optisch gekoppelt ist, ein hohes Löschverhältnis von 50 dB oder darüber erreichen kann und gut als optisches Gatterelement funktionieren kann. Da der aktive Streifen 3 in einer S-Form gekrümmt ist, werden die optischen Fasern 15 parallel zueinander und normal zur Seite des SOA 1 gehalten. Somit können die Fasern mit Leichtigkeit positioniert werden.
  • Fig. 6 zeigt einen SOA 41. Der SOA 41 hat einen im wesentlichen als S gebogenen geformten aktiven Streifen 42, dessen Länge und Krümmung dieselben wie diejenigen des SOA 1 sind, d. h. L3 = 350 um und R = 1,5 mm. Jedoch ist der aktive Streifen 42 auf eine derartige Weise ausgebildet, daß die Wellenleiter 11 und 12 zu den Vorrichtungsseiten schräg ausgerichtet sind. Wenn Ströme im Bereich von 0-30 mA zum SOA 41 injiziert wurden, wurde bestätigt, daß das Löschverhältnis des SOA 41 50 dB oder darüber war.
  • Im Fall des SOA 31 und 41 ist das effektive Lichtreflexionsvermögen der entgegengesetzten Vorrichtungsenden sehr reduziert, weil die Wellenleiterenden zu den Vorrichtungsseiten schräg ausgerichtet sind, d. h. die Seiten abgewinkelt sind. Daher haben der SOA 31 und 41 einen Vorteil beim Erhalten einer höheren Faser zu- Faser-Verstärkung als der SOA 1, sowie zufriedenstellende bzw. ausreichende Löschverhältnisse. Wenn ein Strom von 100 mA injiziert wurde, erhielt der SOA 31 und 41 15 dB oder darüber als Faser-zu-Faser-Verstärkung. Andererseits ist die Modulerzeugungs-Rate bei dem SOA 31 oder 41 niedriger als beim SOA 1, weil in dem Fall des S()A 31 oder 41 die Faserenden in schräger Richtung geerdet werden müssen unci schräg positioniert werden müssen. Insoweit die SOAs 1, 31, 41 für sich selbst unterschiedliche Vorteile und Nachteile haben, sollten die SOAs 1, 31, 41 unter Berücksichtigung einer erforderlichen Vorrichtungsleistung und der Erzeugurigsrate selektiv verwendet werden.
  • Bei dem SOA siind die optischen Fasern 15 voneinander versetzt oder beabstandet, um zu verhindern, daß Streulicht von einer der optischen Fasern 15 zur anderen optischen Faser 15 übertragen wird. Jedoch leiden die voneinander versetzten optischen Fasern 15 noch an dem Problem einer Übertragung von Streulicht.
  • Die Fig. 7 und 8 zeigen einen SOA 51 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das derart entwickelt ist, daß es effektiver ist, mit Lichtabschirmungen zu verhindern, daß Streulicht übertragen wird.
  • Wie es in den Fig. 7 und 8 gezeigt ist, hat der SOA 51 eine erste Lichtabschirmung 52, die in einem Raum zwischen dem Wellenleiter 11 und einer weitergeführten Achse seines Wellenleiters 12 ausgebildet ist, und eine zweite Lichtabschirmung 53, die in einem Raum zwischen einer Längenausdehnung der zentralen Achse des Wellenleiters 11 und seinem Wellenleiter 12 angeordnet ist. Die erste und die zweite Lichtabschirmung 52, 53 erstrecken sich parallel zum Wellenleiter 11, 12 und schließen den aktiven Streifen 3 kurz.
  • Jede der ersten und zweiten Lichtabschirmungen 52, 53 weist eine Vertiefung auf, die sich von der Oberfläche der Passivierungsschicht 9 in das Substrat 2 erstreckt. Jede der ersten und zweiten Lichtabschirmungen 52, 53 enthält einen Teil, der sich von der Oberflächenebene des Substrats 2 in das Substrat 2 erstreckt und eine Tiefe L11 von 4 um oder darüber hat. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel hat jede der ersten und zweiten Lichtabschirmungen 52, 53 eine Breite L10 von 10 um, die Tiefe L11 ist 5 um und das Zentrum jeder der ersten und zweiten Lichtabschirmungen 52, 53 ist vom Zentrum des aktiven Streifens 3 in transversaler Richtung um einen Abstand L12 von 25 um beabstandet.
  • Streulicht um den Eingangswellenleiter 11, das von der optischen Faser 15 injiziert wird, divergiert und breitet sich in einem Medium der Mantelschicht 4 und des Substrats 2 aus. Jedoch wird die Divergenz und die Ausbreitung durch die erste und zweite Lichtabschirmung 52, 53 blockiert und erreicht somit nicht den gegenüberliegende n Wellenleiter 12. Daher tritt kein Streulicht in die optische Ausgangsfaser 15 ein, die mit dem Wellenleiter 12 ausgerichtet ist. Das Löschverhältnis des SOA 51 ist somit besser als diejenigen der SOAs 1, 31, 41.
  • Die erste und die zweite Lichtabschirmung 52, 53 können auf einfache Weise ausgebildet werden, weil sie in der Form von Vertiefungen sind. Da ihre Teile, die sich von der Oberfläche des Substrats 2 in das Substrat 2 nach unten erstrecken, die Tiefe L11 von 4 um oder darüber haben, sind dann, wenn die optischen Fasern 15 einen Durchmesser von etwa 9 um haben, wie es der Fall bei allgemeinen optischen Fasern ist, die untersten Teile der ersten und der zweiten Lichtabschirmung 52, 53 außerhalb der Endoberflächen der optischen Fasern 15 positioniert, so daß die erste und die zweite Lichtabschirmung 52, 53 beim Blockieren von Streulicht äußerst effektiv und zuverlässig sind. Ein Teststück des SOA 51 wurde vorbereitet und in bezug auf ein Löschverhältnis auf dieselbe Weise wie bei dem Teststück gemäß dem SOA 1 vermessen. Es wurde bestätigt, daß das Löschverhältnis des Teststücks besser als dasjenige des Teststücks gemäß dem SOA 1 war.
  • Während bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Verwendung spezifischer Ausdrücke beschrieben worden sind, dient eine solche Beschreibung nur darstellenden Zwecken, und es ist zu verstehen, daß Änderungen und Variationen ohne Abweichung vom Schutzumfang der Erfindung durchgeführt werden können.

Claims (6)

1. Optischer Halbleiterverstärker, der einen aktiven Streifen (3) mit einer als S gebogenen Form aufweist, wobei Eingangs- und Ausgangs-Wellenleiterenden voneinander versetzt sind, gekennzeichnet durch eine Lichtabschirmung (53), die zwischen einer weitergeführten Achse des Eingangs-Wellenleiterendes und dem Ausgangs-Wellenleiterende ausgebildet ist.
2. Optischer Halbleiterverstärker, der einen aktiven Streifen (3) mit einer als S gebogenen Form aufweist, wobei Eingangs- und Ausgangs-Wellenleiterenden voneinander versetzt sind, gekennzeichnet durch eine Lichtabschirmung (52), die zwischen einer weitergeführten Achse des Ausgangs-Wellenleiterendes und dem Eingangs-Wellenleiterende ausgebildet ist.
3. Optischer Halbleiterverstärker nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Eingangsund Ausgangs-Wellenleiterenden voneinander um einen Abstand von wenigstens 20 um versetzt sind.
4. Optischer Halbleiterverstärker nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der aktive Streifen in S-Bogenform (42) auf eine derartige Weise ausgebildet ist, daß die Eingangs- und Ausgangs-Wellenleiterenden zu Vorrichtungsseiten schräg ausgerichtet sind.
5. Optischer Halbleiterverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Lichtabschirmung (52, 53) eine Vertiefung aufweist.
6. Optischer Halbleiterverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, der weiterhin ein Substrat (2) aufweist, und den über dem Substrat ausgebildeten aktiven Streifen (3), wobei die Lichtabschirmung (52, 53) einen Teil enthält, der sich von der Substratoberflächenebene in eine Tiefe von wenigstens 4 um erstreckt.
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