DE69610449T2 - Halbleiterquelle mit grosser spektraler Breite und hoher Ausgangsleistung - Google Patents
Halbleiterquelle mit grosser spektraler Breite und hoher AusgangsleistungInfo
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Halbleiterlichtquellen und insbesondere eine Halbleiterlichtquelle mit einer spektral breiten Hochleistungsausgabe.
- Hochleistungs-Halbleiterlichtquellen wie zum Beispiel Laser liefern eine hohe Ausgangsleistung über ein relativ schmales optisches Spektrum. Andere Halbleiterlichtquellen wie zum Beispiel Leuchtdioden (LEDs) und superleuchtende LEDs liefern eine geringe Ausgangsleistung über ein relativ breites optisches Spektrum. Zum Beispiel können Laser in der Regel etwa einige wenige Milliwatt Leistung in eine Einmoden- Lichtleitfaser über ein Spektrum einkoppeln, das aus diskreten Longitudinal-Moden besteht, die jeweils eine Linienbreite von weniger als einem Ångström aufweisen. Handelsübliche LEDs andererseits können in der Regel nur etwa 100 Mikrowatt in eine Lichtleitfaser einkoppeln, aber über ein kontinuierliches Lichtspektrum mit einer Breite von 500-1000 Ångsröm.
- Eine Halbleiterlichtquelle, die mit einer hohen Ausgangsleistung über ein breites optisches Spektrum arbeitet, wird in Goldberg et al., Electron. Lett., 1994, 30, (20), S. 1682-1684, gezeigt. Wie aus Fig. 1 von Goldberg ersichtlich ist, wird die Ausgabe aus einer superleuchtenden LED über eine Linse in einen Breitflächenverstärker eingekoppelt.
- Der Erfinder hat erkannt, daß die oben angeführte Lichtquelle für Goldberg et al. mehrere Unzulänglichkeiten aufweist, durch die sie für verschiedene Anwendungen, insbesondere in Kommunikationssystemen, ungeeignet wird. Zum Beispiel liefern Breitbereichverstärker keine Wellenleitung in der Transversalrichtung (d. h. der Richtung in der Ebene des Verstärkers senkrecht zu der optischen Ausbreitungsrichtung). Als Folge tritt die optische Kopplung zwischen der Verstärkerausgabe und einer Einmoden-Lichtleitfaser auf ineffiziente Weise auf und erfordert ein unhandliches Linsensystem, das sich zwischen dem Verstärker und der Faser befindet. Außerdem ist eine große Komponente der Ausgabe aus Breitflächenverstärkern auf eine verstärkte spontane Emission zurückzuführen, und dies führt zu einem unerwünscht kleinen optischen Modulationsindex oder Signal/Rausch-Löschverhältnis. Schließlich erfordern verjüngte Breitflächenverstärker aufgrund ihrer Größe große Eingangs-Modulationsströme und sind aufgrund ihrer großen Kapazität auf einen Betrieb bei niedrigen Modulationsfrequenzen beschränkt.
- Deshalb wurde gemäß der vorliegenden Erfindung eine Lichtquelle entwickelt, bei der die oben erwähnten Unzulänglichkeiten nicht mehr auftreten. Die Lichtquelle enthält eine Leuchtdiode und eine Lichtleitfaser mit einem an den Ausgang der Leuchtdiode angekoppelten ersten Ende. Ein Transversal-Ein- oder -Mehrmoden-Halbleiter-Lichtverstärker weist einen Eingang auf, der an ein zweites Ende der Lichtleitfaser angekoppelt ist. Die Lichtquelle kann aus diskreten Komponenten oder, als Alternative, als ein monolithisch integriertes Bauelement hergestellt werden.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Halbleiterlichtquelle gemäß der vorliegenden Erfindung.
- Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines Transversal- Einmoden-Halbleiter-Lichtverstärkers, der in der in Fig. 1 gezeigten Lichtquelle eingesetzt werden kann.
- Fig. 3(a) zeigt die optische Ausgangsleistung aus dem Verstärker als Funktion des LED-Einspeisungsstroms bei verschiedenen Verstärker-Vorströmen für eine Ausführungsform der Erfindung, während Fig. 3(b) die optische Ausgangsleistung zeigt, nachdem sie an eine Einmodenfaser angekoppelt wird, die mit dem Verstärkerausgang verbunden ist.
- Fig. 4 zeigt die Verstärkung des Verstärkers für verschiedene LED- und Verstärkerströme, bestimmt aus den Daten in Fig. 3.
- Fig. 5 zeigt die optischen Ausgangsspektra aus der Lichtquelle der vorliegenden Erfindung für verschiedene LED-Ströme.
- Fig. 6 zeigt eine alternative Ausführungsform der Erfindung, die als ein monolithisch integriertes Bauelement hergestellt ist.
- Fig. 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer geätzten vergrabenen Mesa-Heterostruktur, die in der in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform der Erfindung verwendet werden kann.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Hochleistungs-Halbleiterlichtquelle gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine spektral breite Hochleistungs-Lichtausgabe liefert. Das Ausgangssignal einer kantenemittierenden LED 2 wird an ein Ende einer Lichtleitfaser 4 angekoppelt. Das ferne Ende der Faser 4 wiederum wird an einen Transversal-Ein- oder Mehrmoden-Halbleiter-Lichtverstärker (STMO oder MTMO) 6 angekoppelt. Im Gegensatz zu dem von Goldberg verwendeten Breitflächenverstärker liefern die in der vorliegenden Erfindung verwendeten STMO- oder MTMO- Verstärker eine Transversal-Wellenleitung des Lichtsignals. Wenn in der erfindungsgemäßen Halbleiterlichtquelle ein STMO-Verstärker verwendet wird, ist die Lichtleitfaser vorzugsweise eine Einmodenfaser. Wenn ein MTMO-Verstärker verwendet wird, ist die Lichtleitfaser vorzugsweise eine Mehrmodenfaser, um eine effiziente optische Kopplung sicherzustellen.
- Der STMO-Verstärker 6 wird aus einem Transversal-Einmodenhalbleiterlaser hergestellt. Eine reflexmindernde Beschichtung wird auf die Laser- Facetten aufgebracht, um Laseroszillationen zu unterdrücken. Die vorliegende Erfindung kann einen STMO-Verstärker verwenden, der aus einem Transversal- Einmoden-Halbleiterlaser hergestellt wird. Beispiele geeigneter Laserstrukturen werden in M. J. O'Mahony, Journal of Lightwave Technology, Band 6, S. 531, 1988, und N. A. Olsson, Journal of Lightwave Technology, Band 7, S. 1071, 1989, offengelegt. Ein Beispiel eines STMO-Verstärkers ist in Fig. 2 gezeigt. Der Verstärker wird hergestellt, indem auf die abgespaltenen Facetten 17 und 18 eines Halbleiterlasers reflexmindernde (AR-)Beschichtungen aufgebracht werden. Die AR-Beschichtung kann zum Beispiel eine dielektrische Schicht aus Siliziumoxid sein. Die Dicke der dielektrischen Schicht ist gleich einem Viertel der Wellenlänge des sich in der Struktur ausbreitenden Lichts. Eine aktive Führungsschicht 13 ist zwischen die Mantelschichten 12, 14, 15 und 16 geschichtet. Die Mantelschicht 12 ist p-dotiert, während die Mantelschicht 14 n-dotiert ist. Die Mantelschichten 14 und 16 dienen als Stromsperrschichten. Der Brechungsindex der aktiven Führungsschicht 13 ist größer als der Brechungsindex der Mantelschichten 12, 14, 15 und 16. Wenn der Verstärker als ein STMO- Verstärker dienen soll, sollten die Dicke und Breite der aktiven Schicht 13 so klein sein, damit nur die Grundschwingungsart geführt wird. Das optische Verstärkungsspektrum des Verstärkers wird durch die Bandlücken-Wellenlänge der Schicht 13 bestimmt.
- Bei einer konkreten Ausführungsform der Erfindung ist die LED eine handelsübliche Transversal- Einmoden LED mit einer Spitzenausgabe bei 1,3 Mikrometer und einem Vorstrom von 30 mA. Die Spitzenausgabe verschiebt sich auf 1,28 Mikrometer bei einem Vorstrom von 60 mA aufgrund von Halbleiter- Bandfüllung. Die LED wird in ihrer superleuchtenden Betriebsart mit etwas optischer Verstärkung betrieben, bei der die Halbleistungsbreite ihres Ausgangsspektrums bei etwa 600 Ångsröm gehalten wird. Die LED wird mit einer Einmodenfaser verkapselt, die als die in Fig. 1 gezeigte Lichtleitfaser 4 dienen kann. Weitere Einzelheiten bezüglich des LED-Entwurfs findet man zum Beispiel in B. D. Patterson et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, Band 30, S. 703, 1994. Einzelheiten bezüglich der Herstellung solcher LEDs findet man zum Beispiel in Kashima et al., Journal of Lightwave Technology, Band 10, Nr. 11, S. 1644, 1992. Der bei dieser Ausführungsform der Erfindung verwendete STMO-Verstärker 6 besitzt ein Verstärkungsspektrum mit einer Mitte bei etwa 1, 3 Mikrometer und wird aus einem auf kanalisiertem Substrat vergrabenen Heterostrukturlaser mit einem aktiven Hauptkörperbereich gebildet. Nach dem Beschichten beider Laserfacetten mit einer reflexmindernden Beschichtung beträgt die Verstärkungs- Spitzenwellenlänge des Bauelements ungefähr 1,255 Mikrometer, was aus seinem spontanen Emissionsspektrum bestimmt wird. Obwohl das Reflexionsvermögen der Beschichtung idealerweise gleich Null sein sollte, wird die Leistung durch Reflexionsvermögen von etwa 10&supmin;³ nicht wesentlich verschlechtert. Der Verstärker sollte eine Verstärkungs-Spitzenwellenlänge aufweisen, die mit der Spitzen-Emissionswellenlänge der LED übereinstimmt. Es können auch andere Verstärkerstrukturen verwendet werden, wie zum Beispiel eine vergrabene Capped-Mesa- Heterostruktur.
- Fig. 3 zeigt die gemessene Ausgangsleistung als Funktion des LED-Einspeisungsstroms bei verschiedenen Verstärker-Vorströmen für das Bauelement von Fig. 3. Fig. 3(a) zeigt die Ausgangsleistung aus dem Verstärker 6, und Fig. 3(b) zeigt das Ausgangssignal, nachdem es an eine Einmodenfaser angekoppelt wurde, die mit dem Verstärkerausgang verbunden ist. Eine Verstärkerausgabe von 2,3 mW und eine Faserausgabe von 1 mW wurden erzielt, wenn der Verstärker und die LED beide mit einem Vorstrom von 100 mA, entsprechend einer Verstärkung von 13,5 dB des Verstärkers, betrieben wurden. Der Wirkungsgrad der Kopplung von Verstärker zu Faser betrug 46%. Die Lichtintensität für einen LED-Strom von Null ist auf die verstärkte spontane Emission (ASE) aus dem Verstärker zurückzuführen. Die Verstärkung, um die der Verstärker das LED- Eingangssignal verstärkt, kann aus Fig. 3 bestimmt werden und ist in Fig. 4 gezeigt. Die Verstärkung wird bei geringen LED-Strömen (in der Nähe von 20 mA) oder einer geringen LED-Eingangsleistung vermindert. Diese Verminderung wird durch die Rotverschiebung des LED-Spektrums bei Entfernung von der Verstärker- Verstärkungsspitze verursacht. Fig. 5 zeigt die Ausgangsspektra für die erfindungsgemäße Lichtquelle, wenn der LED-Strom auf 100 mA gesteigert wird, während der Verstärker bei einem Vorstrom von 80 mA gehalten wird. Das unterste Spektrum in Fig. 2 zeigt das Spektrum, wenn die LED keinen Vorstrom erhält. Diese Kurve entspricht somit dem spontanen Spektrum des Verstärkers. Wenn der LED-Strom vergrößert wird, ist die Ausgabe vorherrschend aus dem verstärkten Spektrum der LED zusammengesetzt.
- Fig. 6 zeigt eine alternative Ausführungsform der Erfindung, bei der die Lichtquelle als ein monolithisch integriertes Bauelement hergestellt wird. In diesem Fall werden die LED 42 und der Verstärker 46 auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt. Die Ausgangsfacette der Struktur neben dem Verstärker sollte mit einer AR-Beschichtung versehen werden. Die neben der LED liegende Facette kann gegebenenfalls mit einer teilweisen AR-Beschichtung oder einem optischen Absorber ausgestattet werden. Die LED und der Verstärker können in jeder beliebigen bekannten Strukturkonfiguration hergestellt werden, darunter vergrabene geätzte Mesa-Heterostrukturen und auf kanalisiertem Substrat vergrabene Heterostrukturen. Ein integrierter Wellenleiter 44 ersetzt die Lichtleitfaser 4 und koppelt die LED 42 an den Verstärker 46 an. Die LED 42 ist elektrisch von dem Verstärker 46 isoliert. Die elektrische Isolation sollte ausreichen, um sicherzustellen, daß die LED 42 und der Verstärker 46 unabhängig voneinander einen Vorstrom erhalten können.
- Die LED 42 ist außerdem optisch an den Verstärker 46 angekoppelt, mit einem vorbestimmten Betrag optischen Verlusts, der zur Verringerung des Koppelwirkungsgrads eingeführt wird. Der Grad der optischen Entkopplung sollte ungefähr gleich dem optischen Verlust sein, der zwischen der LED und dem Verstärker auftritt, wenn diese als diskrete Bauelemente hergestellt werden, wie zum Beispiel in der Ausführungsform von Fig. 1. Die optische Entkopplung sollte groß genug sein, um Laseroszillationen zu unterdrücken, und ihr genauer Wert hängt von den internen Wirkungsgraden der Lichtquelle ab. Zum Beispiel hat sich ein optischer Verlust von ungefähr 6-8 dB als für Lichtquellen mit großer Wellenlänge ausreichend erwiesen, die bei 1,3 und 1,55 Mikrometer arbeiten. Ohne eine optische Isolation würde das Bauelement zu oszillieren beginnen und somit die Eigenschaften eines Lasers und nicht die einer LED aufweisen. Ein optischer Verlust, der ausreicht, um den erforderlichen Grad der optischen Entkopplung zu erzielen, kann durch jedes beliebige bekannte Mittel eingeführt werden, wie zum Beispiel durch Einfügen eines optischen Absorbers zwischen der LED 42 und dem Verstärker 46 oder durch Ausstatten des integrierten Wellenleiters 44 mit einem y-Verzweigungskoppler, der einen vorbestimmten Teil von Lichtenergie entfernt. Als Alternative kann der optische Verlust eingeführt werden, indem eine Modenfehlanpassung zwischen der LED 42 und dem Verstärker 46 eingeführt wird, um einen Teil der Lichtleistung abzustrahlen.
- Fig. 7 zeigt eine Querschnittsansicht einer vergrabenen geätzten Mesa-Heterostruktur, die sowohl für die LED 42 als auch den Verstärker 46 verwendet werden kann. Die Struktur enthält ein n-InP-Substrat 52, auf dem eine n-InP-Mantelschicht 54 abgelagert wird. Eine 0,2 Mikrometer dicke InGaAsP-Aktivschicht 56 wird auf der Mantelschicht 54 abgelagert. Eine 1,7 Mikrometer dicke p-InP-Mantelschicht 58 wird dann auf der Aktivschicht 56 abgelagert. Eine 0,1 Mikrometer dicke p-InGaAs-Kontaktschicht 59 wird auf der Mantelschicht 58 abgelagert. Nachdem die obigen Schichten abgelagert wurden, wird die Struktur in die Mantelschicht 54 hinein heruntergeätzt, um ein Wellenleiter-Mesa mit einer Breite von etwa 1,5 Mikrometer an der Position der Aktivschicht 56 zu bilden. Der Herstellungsprozeß wird dann fortgesetzt, indem eine Fe-dotierte InP-Halbisolationsschicht 51 auf beiden Seiten des Wellenleiter-Mesas abgelagert wird. Die Halbisolationsschicht 51 liefert sowohl eine Stromsperrung als auch eine optische Eingrenzung. Statt Fe-dotiertem InP kann die Schicht 51 auch aus in Sperrichtung betriebenen n-p-n-InP-Schichten oder einer Kombination sowohl aus Fe-dotierten InP- als auch in Sperrichtung betriebenen n-p-n-InP-Schichten hergestellt werden. Die Struktur wird dann von der Substratseite aus auf eine Dicke von etwa 100 Mikrometer verdünnt. Als letztes wird das Bauelement fertiggestellt, indem entsprechende elektrische Kontakte an beiden Oberflächen des Bauelements angebracht werden. Das heißt, es sollte ein p-Kontakt wie zum Beispiel AuZn/Au auf die oberste Schicht und ein n-Kontakt wie zum Beispiel AuSn/Au an dem Substrat angebracht werden. Zur Erzielung der elektrischen Isolation sollten die LED und der Verstärker mit separaten Kontaktflächen auf der P-Seite ausgestattet werden. Zusätzlich sollte die leitfähige Schicht 59 in dem Bereich zwischen der LED und dem Verstärker entfernt werden, Gegebenenfalls kann eine zusätzliche elektrische Isolation erzielt werden, indem der Teil der Mantelschicht 58 zwischen der LED und dem Verstärker teilweise geätzt wird, ohne den darunterliegenden Wellenleiter zu ätzen. Die Aktivschicht 56 kann wie oben beschrieben als eine hauptkörperartige Schicht oder als Alternative als eine Reihe von Mehrfach-Quantenmuldenschichten hergestellt werden. Da die Lichtverstärkung des Bauelements polarisationsabhängig ist, ist eine Hauptkörper- Aktivschicht wünschenswert, da sie die Polarisationsempfindlichkeit verringert. Wenn die Aktivschicht 56 für den integrierten Wellenleiter 44 verwendet wird und kein Strom an sie angelegt wird, wird der Wellenleiter 44 zu einem Absorber, der den optischen Verlust zwischen der LED 42 und dem Verstärker 46 bereitstellt. Der optische Verlust wird gegeben durch e-αL, wobei α die Absorption und L die Länge des Wellenleiters 44 ist. Als Alternative kann die Aktivschicht 56 durch eine passive Führungsschicht ersetzt werden, und der Koppelverlust kann durch einen y-Verzweigungskoppler oder eine Modenfehlanpassung in dem Wellenleiterbereich 44 bereitgestellt werden.
- Die Lichtquelle der vorliegenden Erfindung kann aus einem beliebigen ternären oder quarternären Legierungssystem mit Halbleiter mit direkter Bandlücke hergestellt werden, dessen verschiedene Legierungen so gewählt werden können, daß sie Gitterkonstanten in der Nähe der Gitterkonstante des Substratkristalls aufweisen, bei dem es sich zum Beispiel um GaAs oder InP handeln kann. Materialsysteme zur Herstellung der Lichtquelle sind zum Beispiel InGaAsP/InP, GaAs/AlGaAs, GaAs/AlAs, InGaAs/InGaAs/InAlAs, InGaAs/InGaAlAs und GaAsSb/GaAlAsSb. Die Betriebswellenlänge von aus diesen Materialien hergestellten Bauelementen beträgt in der Regel zwischen 0,8 und 1,6 Mikrometer. Zum Beispiel arbeiten Lichtquellen, die aus InGaAsP/InP hergestellt werden, in der Regel entweder bei 1,3 oder 1,55 Mikrometer.
Claims (24)
1. Halbleiterlichtquelle mit:
einer Leuchtdiode (2),
einer Lichtleitfaser (4) mit einem an den
Ausgang der Leuchtdiode angekoppelten ersten Ende; und
einem optischen
Transversal-Einmoden-Halbleiterverstärker (6) mit einem an ein zweites Ende der
Lichtleitfaser angekoppelten Eingang.
2. Lichtquelle nach Anspruch 1, wobei die
Lichtleitfaser eine Einmoden-Lichtleitfaser ist.
3. Monolithisch integrierte Halbleiterlichtquelle
mit:
einer Leuchtdiode (42), die auf einem Substrat
ausgebildet ist;
einem Wellenleiter (44), der auf dem Substrat
integriert ist und ein an den Ausgang der Leuchtdiode
angekoppeltes erstes Ende aufweist; und
einem optischen
Transversal-Einmoden-Halbleiterverstärker (46), der auf dem Substrat ausgebildet
ist und einen an ein zweites Ende des Wellenleiters
angekoppelten Eingang aufweist.
4. Lichtquelle nach Anspruch 3, wobei der
Wellenleiter ein optischer Einmoden-Wellenleiter ist.
5. Halbleiterlichtquelle mit:
einer Leuchtdiode (2);
einer Lichtleitfaser (4) mit einem an den
Ausgang der Leuchtdiode angekoppelten ersten Ende; und
einem optischen
Transversal-Mehrmoden-Halbleiterverstärker (6) mit einem an ein zweites Ende der
Lichtleitfaser angekoppelten Eingang.
6. Lichtquelle nach Anspruch 5, wobei die
Lichtleitfaser eine Mehrmoden-Lichtleitfaser ist.
7. Monolithisch integrierte Halbleiterlichtquelle
mit:
einer Leuchtdiode (42), die auf einem Substrat
ausgebildet ist;
einem Wellenleiter (44), der auf dem Substrat
integriert ist und ein an den Ausgang der Leuchtdiode
angekoppeltes erstes Ende aufweist; und
einem optischen
Transversal-Mehrmoden-Halbleiterverstärker (46), der auf dem Substrat ausgebildet
ist und einen an ein zweites Ende des Wellenleiters
angekoppelten Eingang aufweist.
8. Lichtquelle nach Anspruch 7, wobei der
Wellenleiter ein optischer Mehrmoden-Wellenleiter ist.
9. Lichtquelle nach einem der vorangehenden
Ansprüche, wobei die Leuchtdiode ein Spitzen-
Ausgangssignal bei einer Wellenlänge von ungefähr
1,3 um aufweist.
10. Lichtquelle nach Anspruch 9, wobei der
Verstärker ein Verstärkungsspektrum aufweist, dessen
Mitte bei ungefähr 1,3 um liegt.
11. Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei die Leuchtdiode ein Spitzen-Ausgangssignal bei
einer Wellenlänge von ungefähr 1,55 um aufweist.
12. Lichtquelle nach Anspruch 11, wobei der
Verstärker ein Verstärkungsspektrum aufweist, dessen
Mitte bei ungefähr 1,55 um liegt.
13. Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1, 2, 5
oder 6, wobei der Verstärker ein auf kanalisiertem
Substrat vergrabener Heterostrukturlaser mit Facetten
mit reflexmindernden Beschichtungen zur Unterdrückung
von Laseroszillationen ist.
14. Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1, 2, 5
oder 6, wobei der Verstärker ein vergrabener Capped-
Mesa-Heterostrukturlaser (17, 18) mit Facetten mit
reflexmindernden Beschichtungen zur Unterdrückung von
Laseroszillationen ist.
15. Lichtquelle nach einem der Ansprüche 3, 4, 7
oder 8, wobei die Leuchtdiode elektrisch von dem
optischen Verstärker isoliert ist.
16. Lichtquelle nach Anspruch 15, wobei die
Leuchtdiode optisch mit einem vorbestimmten Grad von
Lichtverlust an den optischen Verstärker angekoppelt
ist.
17. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei der
Lichtverlust ungefähr gleich 6-8 dB ist.
18. Lichtquelle nach Anspruch 16, weiterhin mit
einem auf dem Substrat ausgebildeten optischen
Absorbierer zur Bereitstellung des Lichtverlusts.
19. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei die
Leuchtdiode und der Laser als geätzte vergrabene Mesa-
Heterostrukturen hergestellt werden.
20. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei die
Leuchtdiode und der Laser als vergrabene Capped-Mesa-
Heterostrukturen hergestellt werden.
21. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei der
Wellenleiter einen y-Verzweigungskoppler zur
Bereitstellung des vorbestimmten Grads von Lichtverlust
enthält.
22. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei zwischen
der Leuchtdiode und dem Verstärker zur Bereitstellung
des vorbestimmten Grads von Lichtverlust eine
Modenfehlanpassung bereitgestellt wird.
23. Lichtquelle nach Anspruch 16, wobei eine
Ausgangsfacette der integrierten Lichtquelle neben dem
Verstärker eine reflexmindernde Beschichtung aufweist.
24. Lichtquelle nach Anspruch 23, wobei eine
Facette der integrierten Lichtquelle neben der LED eine
teilweise reflexmindernde Beschichtung aufweist.
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