DE69620022T2

DE69620022T2 - Laser-sicherungsbankstruktur

Info

Publication number: DE69620022T2
Application number: DE69620022T
Authority: DE
Inventors: Kirk Prall; Tod Stone; S. Zagar
Original assignee: Micron Technology Inc
Current assignee: Micron Technology Inc
Priority date: 1995-12-22
Filing date: 1996-12-20
Publication date: 2002-07-18
Anticipated expiration: 2016-12-21
Also published as: AU1338797A; EP0868746A1; KR100307796B1; WO1997023907A1; US5636172A; DE69620022D1; EP0868746B1; KR19990076682A; US5747869A

Description

Technisches Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft generell integrierte Schaltungen und insbesondere den Aufbau einer Gruppe von Schmelzeinsätzen für integrierte Schaltungen.

Hintergrund der Erfindung

Eine integrierte Schaltung ist eine vollständige elektronische Schaltung mit Transistoren, Dioden, Widerständen und Kondensatoren einschließlich der dazugehörigen elektrischen Verbindungsleitungen, die komplett auf einem einzigen Siliziumchip untergebracht ist. Die integrierten Schaltungen werden immer kleiner, und die Schaltungen, die sie enthalten, immer komplexer. Durch diesen Anstieg der Komplexität stiegt auch die Wahrscheinlichkeit für eine Fehlfunktion der Chips aufgrund eines fehlerhaften Elements oder eines fehlerhaften Leiters an. Die Komplexität dieser Anordnungen und das Erfordernis, die Schaltungen miteinander zu verbinden, führen zu sehr geringen Toleranzen in den Eigenschaften. Eine Möglichkeit, dieses Erfordernis zu erfüllen, ist das Einarbeiten von Schmelzeinsätzen in die Anordnungen. Die Schmelzeinsätze können dann geöffnet werden, um fehlerhafte Bereiche zu isolieren, damit der Rest der Schaltung weiter verwendet werden kann. Schmelzeinsätze können auch dazu verwendet werden, eine Schaltung abzugleichen, einen bestimmten Modus einzustellen oder verschiedene Segmente der Schaltung freizugeben oder zu sperren. Durch die Verwendung von Schmelzeinsätzen sind die Hersteller von integrierten Schaltungen in die Läge, die Menge an Halbleiter-Ausschuß zu verringern. Der fortwährende Druck zur Verringerung des Gesamtgröße der integrierten Schaltungen macht es auch erforderlich, die Schmelzeinsätze und die anderen Elemente von integrierten Schaltungen so auszulegen, daß der dafür erforderliche Platz minimal ist.
Ein anderer Weg zur Verringerung des Halbleiter-Ausschusses ist das Vorsehen von redundanten Elementen in den integrierten Schaltungen. Wenn ein Primärelement fehlerhaft ist, kann dann dieses fehlerhafte Element durch ein redundantes Element ersetzt werden. Ein Beispiel für eine integrierte Schaltung mit redundanten Elementen sind die elektronischen Speicher. Eine typische Speicherschaltung enthält Millionen von gleichwertigen Speicherzellen, die in adressierbaren Zeilen und Spalten angeordnet sind. Durch das Vorsehen von redundanten Elementen können fehlerhafte Speicherzellen ersetzt werden. Da die einzelnen primären Speicherzellen eines Speichers einzeln adressierbar sind, umfaßt das Ersetzen einer fehlerhaften Zelle in der Regel das Öffnen von schmelzsicherungsartigen Kreisen, um eine redundante Zelle darauf zu "programmieren", auf die Adresse der defekten primären Zelle zu reagieren. Durch diesen Prozeß können sehr wirkungsvoll defekte primäre Speicherzellen dauerhaft ersetzt werden.
Die Schaltungsdesigner sind dauernd bemüht, die Anzahl von Elementen ohne einen entsprechenden Anstieg in der physikalischen Größe zu erhöhen. Eine Verringerung der Größe der einzelnen Elemente in den integrierten Schaltungen ist eine Möglichkeit zur maximalen Ausnutzung der verfügbaren Fläche. Bei einem Anstieg der Speicherdichte steigt jedoch auch die Anzahl der Schmelzeinsätze an, die für die Redundanz in einem gegebenen Speicherbaustein erforderlich sind. Ein 256 M-DRAM weist in der Regel mehr als 10 000 Laser-Schmelzeinsätze auf. Die meisten Komponenten von Speicherbausteinen können so verkleinert werden, daß die sich aus der höheren Dichte ergebenden Platzbeschränkungen berücksichtigt werden. Laser-Schmelzeinsätze für Redundanzzwecke können jedoch aufgrund der mechanischen Einschränkungen der gegenwärtigen Lasertechnologie nicht entsprechend verkleinert werden. Die Breite der Schmelzeinsätze muß so groß sein, daß der Laserlichtpunkt abgedeckt ist, so daß der Schmelzeinsatz eine große Menge an Hitze absorbieren kann. Außerdem muß der Abstand der Schmelzeinsätze untereinander so groß sein, daß die Toleranzen für die mechanische Laserausrichtung eingehalten werden können und daß verhindert wird, daß der neben einem explodierenden Schmelzeinsatz liegende Schmelzeinsatz ebenfalls unbeabsichtigt programmiert wird. Diese Laserausrichtoleranzen sowie das Erfordernis für eine große Passivierungsöffnung schränken die Länge des Schmelzeinsatzes ein. Gegenwärtig geben die die von den Laserreparaturerfordernissen vorgegebenen Grenzen einen Abstand der Schmelzeinsätze von etwa 3 Mikrometer vor. Das Erfordernis nach einer ansteigenden Zahl von Schmelzeinsätzen erzeugt in Verbindung mit der festen Einschränkung hinsichtlich des Abstandes der Schmelzsicherungen ein Bedürfnis nach Verbesserungen in den Laser-Schmelzeinsätzen. Schmelzeinsatzsysteme für integrierte Schaltungen sind zum Beispiel in den Patent Abstracts of Japan 18(008), (E- 1486) und der JP-A-05251563 sowie den Patent Abstracts of Japan 10(317), (E-449) und der JP-A-61128544 beschrieben.
Aus diesen und anderen, weiter unten noch angegebenen Gründen ersieht der Fachmann aus der vorliegenden Beschreibung, daß ein Bedürfnis nach einem Design besteht, mit dem eine erhöhte Dichte von Laser-Schmelzeinsätzen erreicht werden kann.
Die vorliegende Erfindung schafft ein entsprechend verbessertes System und ein entsprechend verbessertes Verfahren. Es wird ein Design mit einer effizienteren Form der Schmelzeinsätze beschrieben, das die Unterbringung von mehr Schmelzeinsätzen im gleichen physikalischen Raum ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird ein Laser-Schmelzeinsatzsystem für integrierte Schaltungen mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 geschaffen. Es wird auch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 9 beansprucht.
Bei einer Ausführungsform umfaßt die Anzahl von Gruppen von Laser- Schmelzeinsätzen eine erste Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen und eine zweite Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen, die so angeordnet sind, daß die zweite Gruppe von Laser- Schmelzeinsätzen neben der ersten Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen liegt, wobei die zweite Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen gegenüber der ersten Gruppe von Laser- Schmelzeinsätzen um einhundertachtzig (180) Grad gedreht ist. Bei einer anderen Ausführungsform ist die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen in einer integrierten Schaltung aus Polysilizium.
Bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegt die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen in einem dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM). Der DRAM umfaßt außer den Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen eine Anzahl von primären Speicherzellen und eine Anzahl von redundanten Speicherzellen. Der DRAM umfaßt des weiteren eine Redundanz-Freigabeschaltung mit einer Halteschaltung, die mit einem der Schmelzeinsätze aus der Anzahl von Gruppen von Laser- Schmelzeinsätzen verbunden ist, und einer Vergleichsschaltung, die mit der Halteschaltung und einer Anzahl von externen Adresseneingängen verbunden ist.
Einer weitere Ausführungsform der Erfindung umfaßt einen Speicher in der Form einer integrierten Schaltung mit einem Array von primären Speicherzellen, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mit einer Anzahl von redundanten Speicherzellen und mit einer Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Fig. 1A ist eine Blockdarstellung einer Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen für eine integrierte Schaltung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 1 B eine Blockdarstellung der relativen Positionen einer Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen für eine integrierte Schaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine Blockdarstellung einer bekannten Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen;
Fig. 3 eine Blockdarstellung einer Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen mit einer gemeinsamen Quelle;
Fig. 4 eine Blockdarstellung eines herkömmlichen DRAM-Bauelements; und
Fig. 5 eine Blockdarstellung einer herkömmlichen Schaltung für Schmelzeinsätze.

Genaue Beschreibung der Erfindung

Die folgende genaue Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen erfolgt anhand der beiliegenden Zeichnungen, die Teil der Beschreibung sind und in denen beispielhaft bestimmte bevorzugte Ausführungsformen dargestellt sind, mit denen die Erfindung ausgeführt werden kann. Diese Ausführungsformen sind ausreichend genau beschrieben, damit der Fachmann die Erfindung ausführen kann, und sie sind so zu verstehen, daß auch andere Ausführungsformen verwendet werden können und daß logische, mechanische und elektrische Änderungen erfolgen können, ohne daß vom Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung abgewichen wird. Die folgende genaue Beschreibung ist daher nicht einschränkend zu verstehen, und der Umfang der vorliegenden Erfindung wird nur durch die anhängenden Patentansprüche festgelegt.
Die folgende Beschreibung eines DRAMs soll nur ein allgemeines Verständnis für den Speicher erzeugen und keine vollständige Beschreibung aller Elemente und Merkmale eines DRAM umfassen. Die vorliegende Erfindung ist außerdem auf jede Größe und Art von integrierter Schaltung gleichermaßen anwendbar, einschließlich programmierbarer Logikschaltungen, Mikroprozessoren und Speicher, und nicht auf den im folgenden beschriebenen DRAM beschränkt.
Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Muster zum effizienten Plazieren von Schmelzeinsätzen, sie ist in der Fig. 1A gezeigt. Es ist ein Satz von Schmelzeinsätzen aus drei Schmelzeinsätzen dargestellt, die im folgenden als der linke Schmelzeinsatz 101, der mittlere Schmelzeinsatz 102 und der rechte Schmelzeinsatz 103 bezeichnet werden. Jeder Schmelzeinsatz weist einen schmalen Bereich 101a, 102a, 103a und einen breiten Bereich 101b, 102b, 103b auf. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Größe und der Abstand der schmalen Bereiche durch den minimalen Abstand und die Regeln für das Leiterdesign vorgegeben und die Größe und der Abstand der breiteren Bereiche durch die Regeln für das Design der Abstände und Breiten der Laser-Schmelzeinsätze. Der mittlere Schmelzeinsatz besteht aus einem schmalen und einem breiten Bereich 102a, 102b, die Ende an Ende verbunden sind und eine gemeinsame Mittellinie 100 besitzen. Der breite Bereich des linken und des rechten Schmelzeinsatzes 101b, 103b ist jeweils mit dem schmalen Bereich des entsprechenden Schmelzeinsatzes 101a, 103a verbunden, jedoch seitlich gegenüber dem schmalen Bereich um einen Abstand versetzt; der durch die Regeln für den Abstand von Laser-Schmelzeinsätzen festgelegt wird.
Durch das seitlich parallele Anordnen des linken Schmelzeinsatzes, des mittleren Schmelzeinsatzes und des rechten Schmelzeinsatzes derart, daß die schmalen Bereiche 101a, 102a, 103a nebeneinanderliegen und durch den Abstand getrennt sind, der durch den Minimalabstand und die Regeln für das Leiterdesign vorgegeben ist, wird ein Satz von Schmelzeinsätzen erzeugt. Bei einer Ausführungsform geben der Minimalabstand und die Regeln für das Leiterdesign einen Abstand von 1,25 um und eine Breite von 0,5 um vor. Die breiten Bereiche 101b, 102b, 103b liegen nebeneinander und sind durch den Abstand getrennt, der vom erforderlichen Abstand für die Laser-Schmelzeinsätze und den Designregeln für die Breite vorgegeben wird. Die Fig. 1B zeigt, wie aufeinanderfolgende Sätze von Schmelzeinsätzen jeweils um 180º gedreht und seitlich parallel zum vorhergehenden Satz von Schmelzeinsätzen derart angeordnet werden, daß die benachbarten Schmelzeinsätze jedes Satzes 103, 103' durch den Abstand getrennt sind, der vom erforderlichen Abstand für die Laser-Schmelzeinsätze und den Designregeln für die Breite vorgegeben wird. Dieses Muster wird wiederholt, bis der zur Verfügung stehende physikalische Raum gefüllt ist. Die in dieser Ausführungsform beschriebenen Schmelzeinsätze sind vorzugsweise aus Polysilizium, das auf der Oberseite einer integrierten Schaltung ausgebildet wird, und werden dadurch programmiert oder "geöffnet", daß ein Laser verwendet wird, um einen Teil des Polysilsziums zu verdampfen. Der Schmelzeinsatz weist daher normalerweise einen leitenden Durchgang von einem Ende zum anderen auf. Durch das Entfernen eines Teils des Schmelzeinsatzes kann der leitende Durchgang unterbrochen werden.
Die Fig. 2 zeigt ein herkömmliches Verfahren, bei dem gleichmäßig breite Schmelzeinsätze 201 bis 204 parallel zueinander unter Anwendung des für Laser-Schmelzeinsätze erforderlichen Abstands und der Designregeln für die Breite angeordnet werden. An einem Ende der Schmelzeinsätze befindet sich eine gemeinsame Masseleitung 210. Das andere Ende jedes Schmelzeinsatzes ist mit einer Schmelzeinsatzschaltung verbunden, von der ein Beispiel weiter unten beschrieben wird. Die Fig. 3 zeigt das Anordnen einer gemeinsamen Masseleitung 210 senkrecht zu den gleichmäßig breiten Schmelzeinsätzen 201 bis 204, die jeden der Schmelzeinsätze in der Mitte schneidet. Beide Ende jedes Schmelzeinsatzes sind mit einer Schmelzeinsatzschaltung verbunden. Ersichtlich führt diese Anordnung zu einer Verdopplung der Anzahl von zur Verfügung stehenden Schmelzeinsätzen, ohne daß der dafür benötigte Platz größer wird.
Ein Beispiel dafür, wie bei einem Halbleiterbauteil solche Schmelzeinsätze wie erfindungsgemäß beschrieben angewendet wird, ist in der Fig. 4 gezeigt. Der DRAM 400 der Fig. 4 umfaßt ein DRAM-Array 402, auf das ein Mikroprozessor 404 über Eingabe/Ausgabeverbindungen mit Adressenleitungen 406 zugreifen kann. Das DRAM-Array umfaßt Zeilen und Spalten von direkt adressierbaren Speicherregistern. Auf den DRAM wird über einen Adressenbus 406, Zeilen- und Spaltenadressenimpulssignale RAS* und CAS*, ein Schreibfreigabesignal WE*, ein Ausgabefreigabesignal OE* und unter Verwendung anderer herkömmlicher Steuersignale (nicht gezeigt) zugegriffen, die dem Fachmann bekannt sind. Der Zeilenadressenhaltepuffer 408 und der Zeilendekoder 410 nehmen aus dem auf den Adressenleitungen vorliegenden Zeilenadressensignal eine Zeilenadresse auf und dekodieren sie und adressieren die entsprechende Zeile des DRAM-Arrays. Gleichermaßen nehmen der Spaltenadressenhaltepuffer 412 und der Spaltendekoder 414 aus dem auf den Adressenleitungen vorliegenden Spaltenadressensignal eine Spaltenadresse auf und dekodieren sie und adressieren die entsprechende Spalte des DRAM-Arrays.
Der Datenbus 416 erhält während eines Schreibzyklusses vom Mikroprozessor zum Einschreiben in das DRAM-Array Speicherregisterdaten zugeführt. Die im DRAM gespeicherten Daten können während eines Lesezyklusses auf den Bus 416 übertragen werden. Die Steuerlogik 418 wird dazu verwendet, die vielen zur Verfügung stehenden Funktionen des DRAMs zu steuern. Verschiedene Steuerschaltungen und Signale, die hier nicht im einzelnen angegeben werden, initiieren und synchronisieren den Betrieb des DRAMs, wie es dem Fachmann bekannt ist. Die Steuerschaltung 418 kann Freigabeschaltungen für redundante Speicherelemente enthalten. Das heißt, daß das Speicherarray sowohl primäre als auch redundante Speicherzellen enthält. Wenn festgestellt wird, daß eine primäre Speicherzelle defekt ist, kann eine redundante Speicherzelle so programmiert werden, daß sie an die Stelle der defekten primären Zelle tritt. Die Steuerschaltung 418 steuert daher sowohl den Zeilendekoder 410 als auch den Spaltendekoder 414 so, daß die richtige Speicherzelle adressiert wird.
Einige der Eingänge und Ausgänge des DRAMs 400, die zur Kommunikation mit dem Mikroprozessor 404 verwendet werden, werden im folgenden beschrieben. Der Schreibfreigabeeingang (WE*) wird dazu verwendet, beim Zugriff auf den DRAM einen Lese- oder Schreibzyklus auszuwählen. Um aus dem DRAM-Array auszulesen, ist die WE*-Leitung auf hohem Pegel, wenn CAS* abfällt. Wenn die WE*-Leitung beim Abfall von CAS* auf dem niedrigen Pegel ist, wird in den DRAM eingeschrieben. Der Eingang für den Zeilenadressenimpuls (RAS*) wird dazu verwendet, die neun Zeilenadressenbits und den Impuls für WE*, CAS* und DQ zu takten. Bei Standardspeichern dient RAS* auch dazu, den Hauptchip freizugeben, und er muß abfallen, um ein DRAM-Array oder eine Übertragungsoperation einzuleiten. Der Eingang für den Spaltenadressenimpuls (CAS*) wird dazu verwendet, die neun Spaltenadressenbits zu takten.
Die Adresseneingangsleitungen werden dazu verwendet, die Zeilen- und Spaltenadresse zu identifizieren und wenigstens eine Speicherzelle aus den zur Verfügung stehenden Zellen des DRAM-Arrays 402 auszuwählen. Über die DRAM-Dateneingangs/Ausgangsleitungen 416 erfolgt die Dateneingabe und die Datenausgabe in bzw. aus dem DRAM-Array. Wie oben angegeben, ist die Beschreibung des DRAMs zum Zwecke der Darstellung der vorliegenden Erfindung vereinfacht, und es ist keine vollständige Beschreibung aller Merkmale eines DRAMs vorgesehen.
Ein Beispiel für die Verwendung einer Schmelzeinsatzschaltung in einem elektronischen Speicher ist in der Fig. 5 gezeigt. In einem Speicher wie dem oben beschriebenen DRAM ist in der Regel eine Redundanzfreigabeschaltung 500 enthalten. Die Rendundanzfreigabeschaltung kann in der Steuerschaltung 418 enthalten sein, um auf eine redundante Speicherzelle zuzugreifen, wenn auf der Adressenleitungen 406 die Adresse für eine defekte primäre Zelle erhalten wird. Zum Vergleichen jeder Adressenleitung mit einer Bezugsleitung 570 wird ein Komparator 560 verwendet. Auch wenn nur eine Bezugsleitung dargestellt ist, ist klar, daß bei der bevorzugten Ausführungsform jede Adressenleitung eine entsprechende Bezugsleitung besitzt. Für jede redundante Speicherzelle im Speicherarray ist außerdem eine Redundanzfreigabeschaltung 500 vorgesehen.
Um eine redundante Speicherzelle freizugeben, wird der Schmelzeinsatz 540 wie oben angegeben so programmiert, daß die Bezugsleitung 570 zu der Adresse einer defekten Speicherzelle paßt. Das heißt, daß der Schmelzeinsatz 540 normalerweise einen leitenden Durchgang von einem Ende zum anderen aufweist. Das Eingangssignal am Inverter 550 ist daher auf niedrigem Pegel und das Ausgangssignal 570 davon auf hohem Pegel. Wenn der Schmelzeinsatz programmiert ist, kann das Eingangssignal des Inverters schweben, bis es auf die richtige Spannung gebracht wird. Um den Zustand des Schmelzeinsatzes zu "lesen" und das Eingangssignal des Inverters festzulegen, sind Transistoren 510, 520 und 530 vorgesehen. Wenn am Gate des Transistors 510 während der Einschaltsequenz der Speicherschaltung ein niedriges Signal anliegt, wird der Transistor 510 aktiviert und die Source des Transistors 520 hoch auf VCC gepulst. Wenn der Schmelzeinsatz 540 nicht programmiert ist, wird die Leitung 580 heruntergezogen. Wenn dagegen der Schmelzeinsatz 540 programmiert ist, wird das Eingangssignal für den Inverter 550 durch den Transistor 520 hochgezogen. Das Gate des Transistors 530 wird mit dem Ausgangssignal des Inverters 550 heruntergezogen, wodurch der Transistor 530 eingeschaltet wird, der das Eingangssignal des Inverters 550 auf hohem Pegel hält. Es ist klar, daß zur Freigabe der redundanten Speicherelemente viele verschiedene Schaltungen verwendet werden können, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf die hier beschriebene Schaltung beschränkt.
Außerdem können bei integrierten Schaltungen einschließlich Speichern die Schmelzeinsätze der vorliegenden Erfindung immer dann angewendet werden, wenn Schmelzeinsätze erforderlich sind.

Schlußfolgerung

Es wurde eine räumlich optimierte Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen für die Verwendung bei integrierten Schaltungen beschrieben. Das Muster der Schmelzeinsätze wird dazu verwendet, die maximale Anzahl von Schmelzeinsätzen in integrierten Schaltungen zu erhöhen, wodurch es möglich wird, die Dichte von Bauteilen in der Schaltung zu erhöhen.
Auch wenn hier spezielle Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurden, ist dem Fachmann klar, daß jede Anordnung, die dafür vorgesehen ist, den gleichen Zweck zu haben, die spezielle gezeigte Ausführungsform ersetzen kann. Die Anmeldung soll jede Anpassung oder Abänderung der vorliegenden Erfindung abdecken. Die Erfindung wird daher nur durch die Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt.

Claims

1. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung, mit

einer Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen in einer integrierten Schaltung, wobei jede Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen umfaßt

einen mittleren Schmelzeinsatz (102) mit einem schmalen Bereich (102a) und einem breiten Bereich (102b), die Ende an Ende miteinander verbunden sind und die eine gemeinsame Mittellinie (100) haben;

einen ersten äußeren Schmelzeinsatz (101) mit einem schmälen Bereich (101a) und einem breiten Bereich (101b), der so neben dem mittleren Schmelzeinsatz angeordnet ist, daß der schmale Bereich des ersten äußeren Schmelzeinsatzes neben dem schmalen Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes liegt und der breite Bereich des ersten äußeren Schmelzeinsatzes neben dem breiten Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes, wobei der breite Bereich des ersten äußeren Schmelzeinsatzes seitlich gegenüber dem schmalen Bereich des ersten äußeren Schmelzeinsatzes versetzt ist, so daß der breite Bereich des ersten äußeren Schmelzeinsatzes in einer zur Mittellinie (100) senkrechten Richtung und von dieser weg versetzt ist, und

einen zweiten äußeren Schmelzeinsatz (103) mit einem schmalen Bereich (103a) und einem breiten Bereich (103b), der so neben dem mittleren Schmelzeinsatz und auf der zum ersten äußeren Schmelzeinsatz entgegengesetzten Seite angeordnet ist, daß der schmale Bereich des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes neben dem schmalen Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes liegt und der breite Bereich des zweiten äußeren Schrnelzeinsatzes neben dem breiten Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes, wobei der breite Bereich des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes seitlich gegenüber dem schmalen Bereich des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes versetzt ist, so daß der breite Bereich des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes in einer zur Mittellinie (100) senkrechten Richtung und von dieser weg versetzt ist.

2. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen umfaßt

eine erste Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen; und

eine zweite Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen, die so angeordnet ist, daß sie neben der ersten Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen liegt, wobei die zweite Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen gegen die erste Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen um einhundertachtzig (180) Grad gedreht ist.

3. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen aus Polysilizium auf einer integrierten Schaltung ausgebildet sind.

4. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen in einem dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) (400) ausgebildet sind, wobei der DRAM

eine Anzahl von Primärspeicherzellen; und

eine Anzahl von redundanten Speicherzellen umfaßt.

5. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 4, wobei der DRAM ferner eine Redundanzfreigabeschaltung (500) mit einer an einen der Schmelzeinsätze der Anzahl von Gruppen von Laser- Schmelzeinsätzen angeschlossenen Halteschaltung; und

einer mit der Halteschaltung und einer Anzahl von externen Adresseneingängen verbundenen Vergleichsschaltung (560) umfaßt.

6. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 4, wobei die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen eine erste Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen; und

eine zweite Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen umfaßt, die so angeordnet ist, daß sie neben der ersten Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen liegt und gegen die erste Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen um einhundertachtzig (180) Grad gedreht ist.

7. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen aus Polysilizium auf dem DRAM ausgebildet sind.

8. Laser-Schmelzeinsatzsystem für eine integrierte Schaltung nach Anspruch 4, mit einer Redundanzfreigabeschaltung (500) mit

einer an einen der Schmelzeinsätze der Anzahl von Gruppen von Laser- Schmelzeinsätzen angeschlossene Halteschaltung; und

einer mit der Halteschaltung und einer Anzahl von externen Adresseneingängen verbundenen Vergleichsschaltung (560).

9. Verfahren zum Ausbilden eines Laser-Schmelzeinsatzsystems für eine integrierten Schaltung, wobei

eine Anzahl von Gruppen von Laser-Schmelzeinsätzen auf der integrierten Schaltung hergestellt wird, wobei jede Gruppe von Laser-Schmelzeinsätzen aufweist einen mittleren Schmelzeinsatz (102) mit einem schmalen Bereich (102a) und einem breiten Bereich (102b), die Ende an Ende miteinander verbunden sind und eine gemeinsame Mittellinie (100) haben, und mit einem ersten und einem zweiten äußeren Schmelzeinsatz (101, 103) mit einem schmalen Bereich (101a, 103a) und einem breiten Bereich (101b, 103b), wobei der erste und der zweite äußere Schmelzeinsatz auf entgegengesetzten Seiten des mittleren Schmelzeinsatzes so angeordnet sind, daß die schmalen Bereiche des ersten und des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes einen ersten Abstand von dem schmalen Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes aufweisen und die breiten Bereiche des ersten und des zweiten äußeren Schmelzeinsatzes einen zweiten Abstand von dem breiten Bereich des mittleren Schmelzeinsatzes aufweisen, der größer ist als der erste Abstand.