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DE69407749T2 - Schnell entscheidende Kippschaltung - Google Patents

Schnell entscheidende Kippschaltung

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DE69407749T2
DE69407749T2 DE69407749T DE69407749T DE69407749T2 DE 69407749 T2 DE69407749 T2 DE 69407749T2 DE 69407749 T DE69407749 T DE 69407749T DE 69407749 T DE69407749 T DE 69407749T DE 69407749 T2 DE69407749 T2 DE 69407749T2
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DE
Germany
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inverter
circuit
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feedback inverter
input
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Brian C Miller
Gordon W Motley
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Agilent Technologies Inc
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Hewlett Packard Co
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Description

    Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf elektronische Schaltungen und vor allem auf integrierte elektronische Schaltungen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Latchschaltung, die drei Invertiererschaltungen verwendet.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Latch-Einrichtungen in digitalen schaltungen können auf viele Arten gebildet werden, wobei jedoch eine übliche Art, um ein Latch in integrierten CMOS-schaltungen zu erzeugen, darin besteht, ein Paar von Invertierern zu verwenden, die Rücken an Rücken verbunden sind, wie es in Fig. 1 gezeigt ist. Wie es die schaltung von Fig. 1 zeigt, gibt ein Steuersignal 106, wenn dasselbe einen hohen Pegel aufweist, einen NFET 108 frei, wobei der NFET 108 ein Datensignal 104 mit dem Eingang eines Invertierers 110 verbindet. Der Invertierer 110 invertiert das an seinem Eingang anliegende Signal, um ein Ausgangssignal 116 zu erzeugen, welches wiederum durch einen Invertierer 112 als ein Rückkopplungssignal invertiert wird, um zu bewirken, daß die Schaltung den letzten Zustand speichert oder latcht. Der Invertierer 110 wird als Vorwärtskopplungsinvertierer und der Invertierer 112 als Rückkopplungsinvertierer bezeichnet.
  • Damit die Schaltung von Fig. 1 korrekt arbeitet, muß der Rückkopplungsinvertierer 112 ein kleinerer Invertierer sein und folglich ein schwächeres Treiberausgangssignal aufweisen als der Vorwärtskopplungsinvertierer 110. Dies ist notwendig, damit das Datensignal 104 das Eingangssignal 114 übersteuern kann, um den Eingang 114 in den korrekten Zustand zu zwingen, um das Latch von einem Zustand zu einem anderen zu ändern. Falls der Rückkopplungsinvertierer 112 zu schwach ist, kann die Schaltung jedoch instabil sein.
  • Es gibt zwei wichtige Charakteristika eines solchen Latch, nämlich die verstärkung und die Auflösungszeit. Die Verstärkung bestimmt bekanntlicherweise, wie groß ein Eingangssignal sein muß, um zu bewirken, daß der Invertierer das Eingangssignal invertiert, um ein invertiertes Ausgangssignal zu erzeugen. Die Auflösungszeit τ ist ein Punkt, an welchem das Ausgangssignal einen Wert annimmt, der gleich 63% seines ursprünglichen Wertes ist. Auf τ wirken sich hauptsächlich die verstärkung der Schaltung und die Kapazität der Schaltung aus, wobei gilt: je kleiner die Verstärkung und je größer die Kapazität, umso langsamer wird die Schaltung auflösen. Die Verstärkung kann verbessert werden, indem eine größere Stärke in die Rückkopplungsschleife eingebracht wird. Bei einem gewissen Punkt wird jedoch der Rückkopplungsinvertierer 112 so stark, daß derselbe durch das Datensignal 104 nicht übersteuert werden kann, um den Zustand des Latch zu ändern.
  • Es besteht in der Technik folglich ein Bedarf nach einem Verfahren zum Erzeugen einer Latch-Schaltung mit einem stärkeren Rückkopplungssignal, um die Auflösungszeit zu verbessern, während es noch möglich ist, daß das Rückkopplungssignal durch ein Eingangsdatensignal übersteuert wird. Die vorliegende Erfindung erfüllt diese und weitere Anforderungen des Stands der Technik.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Latch-Schaltung zu schaffen, die schnell auflöst.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung besteht darin, eine derartige Latch-Schaltung unter Verwendung von zwei Rückkopplungsinvertiererschaltungen zu schaffen.
  • Ein weiterer Aspekt besteht darin, den Ausgang von einer Rückkopplungsinvertiererschaltung von dem System zu trennen, wenn Daten in das Latch geladen werden.
  • Die obigen und weitere Aspekte der Erfindung werden von einer Latch-Schaltung erfüllt, die einen herkömmlichen Vorwärtskopplungsinvertierer und einen Rückkopplungsinvertierer aufweist, während ein zweiter Rückkopplungsinvertierer und eine Umschaltschaltung, um den zweiten Rückkopplungsinvertierer zu geeigneten Zeitpunkten in die Schaltung zu schalten oder von derselben zu trennen, hinzugefügt werden. Der zweite Rückkopplungsinvertierer wird von dem Steuersignal gesteuert, das Eingangsdaten in das Latch führt, um den Zustand des Latch zu ändern. Das heißt, wenn das steuersignal aktiviert ist, um Daten in das Latch zu führen, sperrt dasselbe Steuersignal den Ausgang des zweiten Rückkopplungsinvertierers. Der zweite Invertierer ist stärker als der erste Invertierer. Wenn nun der zweite Rückkopplungsinvertierer von dem System getrennt ist, bleibt der erste Rückkopplungsinvertierer in der Schaltung, um den Zustand des Latch beizubehalten, der jedoch schwächer ist, wodurch der erste Rückkopplungsinvertierer ohne weiteres von dem Eingangssignal übersteuert werden kann. Wenn das Steuersignal deaktiviert ist, verbindet die Umschaltschaltung den Ausgang des stärkeren Invertierers, um die Verstärkung zu erhöhen und um zu ermöglichen, daß die Schaltung ohne weiteres den gespeicherten Zustand beibehalten kann.
  • Bei einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung weist die Umschaltschaltung einen einzigen PFET-Transistor auf, wobei das Steuersignal mit dessen Gate verbunden ist. Da ein PFET hohe Werte besser durchlassen kann, beinhaltet ein zweites Ausführungsbeispiel einen NFET-Transistor, der parallel zu dem PFET angeordnet ist, wobei dessen Gate mit einem invertierten steuersignal verbunden ist. Folglich kann bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel sowohl ein PFET als auch ein dazu paralleler NFET den Ausgang des stärkeren Invertierers von der Schaltung trennen oder mit derselben verbinden.
  • Bei einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung schaltet die Umschaltschaltung Leistung und nicht dessen Ausgangssignal zu und von dem zweiten Rückkopplungsinvertierer um. Bei diesem Ausführungsbeispiel beeinflußt die Kapazität der Umschaltschaltung die Eingangskapazität des Latch nicht, da die Umschaltschaltung nicht mit dem Eingangssignal verbunden ist, wodurch die Auflösungszeit des Latch verbessert wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen und weitere Aspekte, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung besser verständlich werden, die in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen dargestellt ist. Es zeigen:
  • Fig. 1 eine bekannte Latch-Schaltung;
  • Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das einen zweiten Rückkopplungsinvertierer und einen PFET-Transistor verwendet, um die zweite Rückkopplungsschaltung mit der Schaltung zu verbinden oder von derselben zu trennen;
  • Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung, das einen zusätzlichen NFET-Transistor in der Umschaltschaltung verwendet; und
  • Fig. 4 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Umschaltschaltung Leistung zu dem zweiten Rückkopplungs invertierer schaltet.
  • Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels
  • Die folgende Beschreibung ist die momentan beste in Erwägung gezogene Art und Weise zum Ausführen der vorliegenden Erfindung. Diese Beschreibung sollte nicht in einem begrenzenden Sinne aufgefaßt werden, sondern dieselbe ist lediglich zum Zwecke der Beschreibung der allgemeinen Prinzipien der Erfindung vorgesehen. Der Bereich der Erfindung sollte durch Bezugnahme auf die angefügten Ansprüche bestimmt werden.
  • Fig. 1 zeigt eine bekannte Latch-Schaltung. Bezugnehmend nun auf Fig. 1 ist ein Vorwärtskopplungsinvertierer 110 parallel mit einem Rückkopplungsinvertierer 112 verbunden. Wenn ein Steuersignal 106 aktiv ist, d. h. einen hohen Pegel aufweist, gibt dasselbe einen NFET 108 frei, welcher ein Datensignal 104 mit dem Eingang 114 des Invertierers 110 verbindet. Der Invertierer 110 invertiert das Signal an seinem Eingang, um ein Ausgangssignal 116 zu erzeugen, welches erneut durch den Invertierer 112 als ein Rückkopplungssignal invertiert wird, um zu bewirken, daß die Schaltung den letzten Zustand speichert oder latcht.
  • Damit die Schaltung von Fig. 1 korrekt arbeitet, muß der Rückkopplungsinvertierer 112 kleiner sein und folglich ein schwächeres Treiberausgangssignal aufweisen als der Vorwärtskopplungsinvertierer 110. Dies ist notwendig, damit das Eingangsdatensignal 104 den Eingang 114 an dem Invertierer 110 übersteuern kann, um das Latch von einem Zustand zu einem anderen zu ändern.
  • Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Bezugnehmend nun auf Fig. 2 enthält das Latch 202 der vorliegenden Erfindung einen Vorwärtskopplungsinvertierer 204 und einen schwachen Rückkopplungsinvertierer 206. Ein NFET- Transistor 210 wird durch ein Steuersignal 106 ein- oder ausgeschaltet, um ein Datensignal 104 zu dem Eingang 214 des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 durchzuschalten oder nicht durchzuschalten. Ein zweiter Rückkopplungsinvertierer 208 ist angeschlossen, um das Ausgangssignal 216 des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 durch eine Umschaltschaltung, die einen Transistor 212 aufweist, zu dem Eingang des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 zurückzuführen. Wenn das Steuersignal 106 aktiviert ist, schaltet dasselbe den Transistor 210 ein und den Transistor 212 aus, wodurch das Latch folglich auf dieselbe Art und Weise wie das bekannte Latch von Fig. 1 arbeitet, während das Steuersignal 106 aktiv ist. Das heißt, daß ein Signal an dem Dateneingang 104 mit einem Eingang 214 des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 verbunden ist, welcher das Dateneingangssignal 104 invertiert, um das Ausgangssignal 216 zu erzeugen. Das Ausgangssignal 216 ist mit dem Eingang des schwachen Rückkopplungsinvertierers 206 verbunden, dessen Ausgang mit dem Eingang des Invertierers 204 zurückverbunden ist. Wegen der niedrigen Leistung des Ausgangstreibersignals des schwachen Invertierers 206 ist das Datensignal 104 in der Lage, den Ausgang des schwachen Invertierers 206 zu übersteuern, um zu ermöglichen, daß die Latch-Schaltung den Zustand ändert.
  • Wenn das Steuersignal 106 deaktiviert ist, ist der Transistor 212 eingeschaltet, wobei der Ausgang des starken Invertierers mit dem Eingang des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 verbunden ist, wodurch eine zusätzliche Verstärkung in der Schaltung geliefert wird, um die Auflösungszeit zu verbessern. In der Praxis sind die kombinierten Ausgangstreiberstärken des schwachen Rückkopplungsinvertierers 206 und des starken Rückkopplungsinvertierers 208 ungefähr gleich der Stärke des Vorwärtskopplungsinvertierers 204, wodurch ein stabiles Latch geschaffen ist. Die Stärke dieser Invertierer wird durch die Größe der Transistoren, die die Invertierer aufweisen, bestimmt, wodurch die kombinierte Größe des Invertierers 206 und des Invertierers 208 näherungsweise dieselbe wie die Größe der Transistoren ist, die der Invertierer 204 aufweist.
  • Das Verbinden des zweiten Rückkopplungsinvertierers mit der Schaltung verbessert die Verstärkung der Schaltung und folglich die Auflösungszeit der Schaltung.
  • Da PFET-Transistoren beim Durchlassen hoher Werte gut geeignet sind, jedoch nicht so gut wie NFET-Transistoren beim Durchlassen niedriger Werte, kann die Schaltung von Fig. 2 verbessert werden. Fig. 3 zeigt eine derartige verbesserte Schaltung mit einem NFET-Transistor 304, der zu dem PFET- Transistor 212 parallelgeschaltet ist. Das Gate des NFET- Transistors 304 ist für eine korrekte Aktivierung mit einem invertierten Steuersignal 306 verbunden. Das parallele Anordnen des NFET-Transistors 304 mit dem PFET-Transistor 212 stellt sicher, daß beide Zustände des Latch ohne weiteres durch das Umschaltsystem zu dem Eingang 214 des Vorwärtskopplungsinvertierers 204 durchgelassen werden.
  • Wenn das Umschaltsystem, das die Transistoren 304 und 212 aufweist, eingeschaltet ist, wirken dieselben wie ein Widerstand zwischen dem Ausgang des starken Invertierers 208 und dem Eingang 214 des Vorwärtskopplungsinvertierers 204. Da diese Transistoren wie Widerstände wirken, müssen dieselben eine große Größe aufweisen, um einen niedrigen Widerstandswert zu erzeugen. Folglich sind dieselben entworfen, um näherungsweise dieselbe Größe wie die Transistoren bei dem Vorwärtskopplungsinvertierer aufzuweisen, wobei jedoch Fachleute erkennen werden, daß dieselben nicht exakt dieselbe Größe wie die Vorwärtskopplungstransistoren aufweisen müssen.
  • Wie es im vorhergehenden erörtert wurde, ist die Auflösungszeit des Latch sowohl eine Funktion der Verstärkung der Schaltung als auch eine Funktion der Eingangskapazität des Latch. Aufgrund der Position der Umschalttransistoren 304 und 212 beeinflußt die Kapazität dieser Transistoren die Eingangskapazität des Latch. Fig. 4 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung, welches die Kapazität der Umschalttransistoren von dem Eingang der Latch-Schaltung entfernt. Nun wird auf Fig. 4 Bezug genommen. In Fig. 4 ist ein Ersatzschaltbild gezeigt, das alle Transistoren der Schaltung darstellt. Der Vorwärtskopplungsinvertierer 204 und der schwache Rückkopplungsinvertierer 206 sind als Standard-CMOS-Invertiererschaltungen gezeichnet. Der starke Rückkopplungsinvertierer 208 ist ferner eine Standard-CMOS- Invertiererschaltung, wobei jedoch die Umschalttransistoren nicht seriell mit dessen Ausgang verbunden sind. Statt dessen sind die Umschalttransistoren 402 und 404 zwischen den starken Invertierer 208 und Leistung und Masse geschaltet. Wenn die Steuersignale 106 und 306 aktiviert sind, entfernen dieselben die Leistungversorgung von den Transistoren, die der starke Rückkopplungsinvertierer 208 aufweist. Dies hat dieselbe Auswirkung wie die Schaltung von Fig. 3, indem die Treiberfähigkeit des starken Rückkopplungsinvertierers 208 entfernt wird. Da jedoch die Umschalttransistoren 402 und 404 nicht mit dem Signal 214 verbunden sind, ist keine kapazitätsmäßige Auswirkung auf das Signal 214 zu erkennen, wodurch folglich die Auflösungszeit des Latch verbessert wird. Bei dieser Schaltung ist die Größe der Transistoren 402 und 404 durch die Leistungsanforderungen des starken Rückkopplungsinvertierers 208 bestimmt.
  • Nachdem folglich ein gegenwärtig bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, wird es offensichtlich sein, daß die Aspekte der Erfindung vollständig erfüllt wurden, wobei es für Fachleute seinerseits offensichtlich wird, daß sich viele Änderungen im Aufbau und in der Schaltungsanordnung und sich stark unterscheidende Ausführungsbeispiele und Anwendungen der Erfindung aufdrängen, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen, der in den folgenden Ansprüchen definiert ist.

Claims (9)

1. Eine Latch-Schaltung (202) zum Speichern von Daten in einer digitalen Schaltung, wobei die Latch-Schaltung folgende Merkmale aufweist:
eine Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung (204);
eine erste Rückkopplungsinvertiererschaltung (206) mit einem Eingang, der mit einem Ausgang der Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung (204) verbunden ist, und mit einem Ausgang, der mit einem Eingang (214) der Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung verbunden ist;
eine Steuereinrichtung (106) zum Verbinden eines Eingangssignals (104) mit dem Eingang der Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung;
einen zweiten Rückkopplungsinvertierer (208), der mit dem ersten Rückkopplungsinvertierer parallelgeschaltet ist; und
eine Umschalteinrichtung mit einem Eingang, der mit der Steuereinrichtung (106) verbunden ist, wobei die Umschalteinrichtung angeschlossen ist, um den zweiten Rückkopplungsinvertierer (208) von der Latch- Schaltung zu trennen, wenn die Steuereinrichtung (106) aktiviert ist, um das Eingangssignal (104) mit dem Eingang (214) der Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung zu verbinden.
2. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Umschalteinrichtung einen einzigen Transistor (212) aufweist.
3. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Umschalteinrichtung ein Paar von parallelgeschalteten komplementären Transistoren (212, 304) aufweist.
4. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Umschalteinrichtung eine Einrichtung (402, 404) zum Umschalten einer Leistungsversorgung des zweiten Rückkopplungsinvertierers (208) aufweist, wobei die elektrische Leistung von dem zweiten Rückkopplungsinvertierer (208) entfernt ist, wenn der zweite Rückkopplungsinvertierer (208) von der Latch-Schaltung (202) getrennt ist.
5. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 4, bei der die Einrichtung zum Umschalten einen PFET-Transistor (404), der zwischen eine positive Versorgungsspannung und den zweiten Rückkopplungsinvertierer (208) geschaltet ist, und einen NFET-Transistor (402) aufweist, der zwischen den zweiten Rückkopplungsinvertierer (208) und Masse geschaltet ist, wobei die Steuereinrichtung (106, 306) angeschlossen ist, um den PFET-Transistor und den NFET-Transistor zu trennen, wenn die Steuereinrichtung aktiviert ist.
6. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der eine kombinierte Größe von Transistoren, die der erste Rückkopplungsinvertierer (206) aufweist, und von Transistoren, die der zweite Rückkopplungsinvertierer (208) aufweist, im wesentlichen zu einer Größe von Transistoren gleich ist, die der Vorwärtskopplungsinvertierer (204) aufweist.
7. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der eine Größe von Transistoren, die der erste Rückkopplungsinvertierer (206) aufweist, wesentlich kleiner als eine Größe von Transistoren ist, die der Vorwärtskopplungsinvertierer (204) aufweist.
8. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 7, bei der eine Größe von Transistoren, die der zweite Rückkopplungsinvertierer (208) aufweist, wesentlich größer als eine Größe von Transistoren ist, die der erste Rückkopplungsinvertierer (206) aufweist.
9. Die Latch-Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Umschalteinrichtung angeschlossen ist, um ein Ausgangssignal des zweiten Rückkopplungsinvertierer (208) von der Latch-Schaltung (202) zu trennen, wenn die Steuereinrichtung (106) aktiviert ist, um das Eingangssignal mit dem Eingang der Vorwärtskopplungsinvertiererschaltung (204) zu verbinden.
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590423B1 (en) * 1994-10-11 2003-07-08 Derek Wong Digital circuits exhibiting reduced power consumption
US5654660A (en) * 1995-09-27 1997-08-05 Hewlett-Packard Company Level shifted high impedance input multiplexor
US5825225A (en) * 1996-02-09 1998-10-20 Intel Corporation Boosted differential latch
JP3859766B2 (ja) * 1996-05-24 2006-12-20 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置の入力回路
US5751174A (en) * 1996-08-02 1998-05-12 National Science Council Of Republic Of China Double edge triggered flip-flop
US6031403A (en) * 1996-11-13 2000-02-29 International Business Machines Corporation Pull-up and pull-down circuits
US5869995A (en) * 1996-11-13 1999-02-09 Analog Devices, Inc. Output stage having a high disabled output impedance and a low power integrated back buffer to provide disabled output device protection
TW468269B (en) * 1999-01-28 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same
US6211713B1 (en) * 1999-04-27 2001-04-03 International Business Machines Corporation Adjustable feedback for CMOS latches
US6326829B1 (en) * 1999-10-14 2001-12-04 Hewlett-Packard Company Pulse latch with explicit, logic-enabled one-shot
US6483363B1 (en) * 2000-09-15 2002-11-19 Intel Corporation Storage element with stock node capacitive load
US6504412B1 (en) 2000-09-15 2003-01-07 Intel Corporation Storage element with switched capacitor
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) * 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
US6621318B1 (en) * 2001-06-01 2003-09-16 Sun Microsystems, Inc. Low voltage latch with uniform sizing
TW554558B (en) * 2001-07-16 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6492854B1 (en) * 2001-08-30 2002-12-10 Hewlett Packard Company Power efficient and high performance flip-flop
US6630384B1 (en) * 2001-10-05 2003-10-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating double densed core gates in sonos flash memory
JP3813538B2 (ja) * 2001-11-28 2006-08-23 富士通株式会社 レベルシフタ
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
TW583833B (en) * 2002-06-28 2004-04-11 Via Tech Inc Fault tolerant of inverter design
JP4339103B2 (ja) * 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US6831494B1 (en) 2003-05-16 2004-12-14 Transmeta Corporation Voltage compensated integrated circuits
JP4279620B2 (ja) * 2003-07-11 2009-06-17 Okiセミコンダクタ株式会社 レベルシフト回路
US7138850B1 (en) * 2004-02-04 2006-11-21 Marvell Semiconductor Israel Ltd High-gain synchronizer circuitry and methods
US7336103B1 (en) * 2004-06-08 2008-02-26 Transmeta Corporation Stacked inverter delay chain
US7498846B1 (en) 2004-06-08 2009-03-03 Transmeta Corporation Power efficient multiplexer
US7656212B1 (en) 2004-06-08 2010-02-02 Robert Paul Masleid Configurable delay chain with switching control for tail delay elements
US7405597B1 (en) 2005-06-30 2008-07-29 Transmeta Corporation Advanced repeater with duty cycle adjustment
US7635992B1 (en) 2004-06-08 2009-12-22 Robert Paul Masleid Configurable tapered delay chain with multiple sizes of delay elements
US7142018B2 (en) 2004-06-08 2006-11-28 Transmeta Corporation Circuits and methods for detecting and assisting wire transitions
US7173455B2 (en) 2004-06-08 2007-02-06 Transmeta Corporation Repeater circuit having different operating and reset voltage ranges, and methods thereof
US7304503B2 (en) 2004-06-08 2007-12-04 Transmeta Corporation Repeater circuit with high performance repeater mode and normal repeater mode, wherein high performance repeater mode has fast reset capability
US7071747B1 (en) * 2004-06-15 2006-07-04 Transmeta Corporation Inverting zipper repeater circuit
KR100551897B1 (ko) * 2004-07-29 2006-02-13 매그나칩 반도체 유한회사 저전력 래치 회로
US7068088B2 (en) * 2004-10-27 2006-06-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Soft-error rate improvement in a latch
US7330080B1 (en) 2004-11-04 2008-02-12 Transmeta Corporation Ring based impedance control of an output driver
US7592842B2 (en) * 2004-12-23 2009-09-22 Robert Paul Masleid Configurable delay chain with stacked inverter delay elements
KR101064489B1 (ko) * 2005-02-12 2011-09-14 삼성전자주식회사 넓은 입출력 범위를 갖는 버스 홀더 및 톨러런트 입출력 버퍼
US20070013425A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-18 Burr James B Lower minimum retention voltage storage elements
US7663408B2 (en) * 2005-06-30 2010-02-16 Robert Paul Masleid Scannable dynamic circuit latch
US7319353B2 (en) * 2005-09-14 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Co. Non-latching enveloping curves generator
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US7394681B1 (en) 2005-11-14 2008-07-01 Transmeta Corporation Column select multiplexer circuit for a domino random access memory array
US7414485B1 (en) * 2005-12-30 2008-08-19 Transmeta Corporation Circuits, systems and methods relating to dynamic ring oscillators
US7642866B1 (en) 2005-12-30 2010-01-05 Robert Masleid Circuits, systems and methods relating to a dynamic dual domino ring oscillator
US7622965B2 (en) * 2006-01-31 2009-11-24 International Business Machines Corporation Dual-edge shaping latch/synchronizer for re-aligning edges
US7495466B1 (en) 2006-06-30 2009-02-24 Transmeta Corporation Triple latch flip flop system and method
US7710153B1 (en) 2006-06-30 2010-05-04 Masleid Robert P Cross point switch
JP4954639B2 (ja) * 2006-08-25 2012-06-20 パナソニック株式会社 ラッチ回路及びこれを備えた半導体集積回路
US8143929B2 (en) * 2009-10-28 2012-03-27 Freescale Semiconductor, Inc. Flip-flop having shared feedback and method of operation
US8791739B2 (en) * 2009-10-28 2014-07-29 Freescale Semiconductor, Inc. Flip-flop having shared feedback and method of operation
US8710889B1 (en) * 2010-09-22 2014-04-29 Altera Corporation Apparatus for controllable delay cell and associated methods
JP7554673B2 (ja) 2018-12-20 2024-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN114080573B (zh) 2019-06-27 2025-09-12 微芯片技术股份有限公司 通用输入的可选输入缓冲器以及具有该缓冲器的微控制器
DE112021003375T5 (de) 2020-06-24 2023-04-06 Microchip Technology Incorporated Erkennung von transistor-transistor-logik- (ttl-) pegeln an einer eingangsschaltung mit verbesserter störfestigkeit bezüglich ruhestromaufnahme
CN116997965A (zh) 2021-03-08 2023-11-03 微芯片技术股份有限公司 选择性交叉耦合反相器以及相关设备、系统和方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4453095A (en) * 1982-07-16 1984-06-05 Motorola Inc. ECL MOS Buffer circuits
US4569067A (en) * 1983-08-04 1986-02-04 Motorola, Inc. Dual master shift register bit
US4644185A (en) * 1985-05-03 1987-02-17 National Semiconductor Corporation Self clocking CMOS latch
JPS61283092A (ja) * 1985-06-06 1986-12-13 Mitsubishi Electric Corp リセツトあるいはセツト付記憶回路を有した半導体集積回路
JPH0734311B2 (ja) * 1986-01-21 1995-04-12 株式会社東芝 メモリセル
US4897564A (en) * 1988-12-27 1990-01-30 International Business Machines Corp. BICMOS driver circuit for high density CMOS logic circuits
JPH0438007A (ja) * 1990-06-04 1992-02-07 Seiko Epson Corp ラッチ回路
JP3178609B2 (ja) * 1990-12-17 2001-06-25 日本電信電話株式会社 スタティック型cmosフリップフロップ回路
JPH04306910A (ja) * 1991-04-04 1992-10-29 Nec Ic Microcomput Syst Ltd セットリセット型フリップフロップ回路
TW198159B (de) * 1991-05-31 1993-01-11 Philips Gloeicampenfabrieken Nv
JPH0514139A (ja) * 1991-07-04 1993-01-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd スタテイツク・ラツチ回路
JPH0537305A (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ラツチ回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07240671A (ja) 1995-09-12
DE69407749D1 (de) 1998-02-12
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US5467038A (en) 1995-11-14
EP0667678A2 (de) 1995-08-16
EP0667678B1 (de) 1998-01-07

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