DE68920201T2 - Behälter für Wafer mit integriertem Schaltkreis und Verfahren zu dessen Bereitstellung. - Google Patents

Description

Behälter für Wafer mit integriertem Schaltkreis und Verfahren zu dessen Bereitstellung Hintergrund der Erfindung a) Gebiet der Erfindung
• Die vorliegende Erfindung betrifft einen Behälter für Wafer (Substrate) für integrierte Schaltkreise. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Behälter, der eine Wafer für/mit integrierten/m Schaltkreis ausgezeichnete Antioxidanseigenschaften verleiht und die Staubentwicklung vermindert. Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Lagerung integrierter Schaltkreise unter Verwendung eines derartigen Behälters.
b) Beschreibung des Standes der Technik
• Derzeit verwendete Behälter zum Lagern oder zum Transport von Wafern für integrierte Schaltkreise (forthin als IC-Wafer abgekürzt) werden aus Harzen, wie Polyethylen, Polypropylen und starrem Polyvinylchlorid, hergestellt. Die IC-Wafer werden in einer geformten Schachtel eingeschlossen und mit einem separat hergestellten Deckel verschlossen. Die Japanische Patentveröffentlichung Nr. KOKOKU Sho 61-46970 (1986) offenbart eine Umhüllungsverpackung, die aus einer Metallfolie besteht, in die eine IC-Wafer angeordnet ist und die mit einer steifen Kunststoffolie, wie einer steifen Polyvinylchloridfolie, bedeckt ist.
• Das Japanische offengelegte Gebrauchsmuster Nr. 112146/1987 beschreibt eine Umhüllungsschachtel für eine IC- Wafer, die mit einer Ventilationsvorrichtung zur Bereitstellung einer staubfesten Wirkung versehen ist.
• US-A-4 043 451 offenbart einen Behälter für eine IC- Wafer, umfassend eine mit Aussparungen versehene Schale und ein komplementäres Folienelement zur Bedeckung der Aussparungen, wobei sowohl der Behälter als auch die Bedeckung aus starrem Polypropylen gefertigt sind.
• Diese Patentschriften und das vorstehend genannte Gebrauchsmuster offenbaren die Lagerung von IC-Wafern in einer Umgebung von Inertgasen, wie Stickstoff.
• Oberflächenoxidation der Wafer wurde ein ernsthaftes Problem bei der Verwendung gegenwärtig verfügbarer Behälter. Sauerstoff dringt durch die üblichen Polyethylenbehälter durch und ruft merkliche Oxidation an der Oberfläche der IC- Wafer hervor. Folglich erfordert die Oxidationsoberfläche zusätzliche Behandlung, wie eine chemische oder Schleifbehandlung.
• Reibung zwischen der IC-Wafer und dem Harz während des Transports erzeugt Abriebteilchen und Staub, die vom Harz herrühren und führt zu Problemen, wie Haftung von Fremdteilchen auf der Oberfläche der IC-Wafer.
Zusammenfassung der Erfindung
• Die vorliegende Erfindung überwindet die Probleme und Nachteile im Stand der Technik durch Bereitstellung eines Behälters zum Lagern von IC-Wafern, der das Erfordernis einer erneuten Behandlung der Waferoberfläche beseitigt und die Erzeugung von Abriebteilchen und Staub, die von Harz herrühren, verhindert.
• Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zum Lagern von IC-Wafern.
• Eine zusätzliche Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Behälters für IC-Wafer, der der Wafer ausgezeichnete Antioxidanseigenschäften verleiht.
• Zusätzliche Aufgaben und Vorteile der Erfindung sind zum Teil in der nachstehenden Beschreibung ausgeführt und sind teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können bei der Ausführung der Erfindung zu Tage treten. Die Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden mit Hilfe von Vorrichtungen und Kombinationen ausgeführt und erreicht, die insbesondere in den beigefügten Ansprüchen genannt sind.
• Zur Lösung der Aufgabe der vorliegenden Erfindung, wie im einzelnen und durch Ausführungsformen hier beschrieben, stellt die Erfindung einen Behälter zum Halten von Wafern für integrierte Schaltkreise bereit, umfassend
• (a) ein schalenförmiges Element mit einer Aussparung zum Halten der Wafer; und
• (b) ein komplementäres Folienelement proportional angepaßt zum Anhaften an und Bedecken der Aussparung, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eines von dem schalenförmigen Element und dem komplementären Folienelement aus einem Material hergestellt ist, das ein gassperrendes Harz umfaßt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem stark nitrilhaltigen Harz, einem Polyvinylidenchloridharz, einem Ethylenvinylalkohol-Copolymer und einem Polyvinylalkoholharz.
• Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Lagern von Wafern für integrierte Schaltkreise bereit, umfassend Zusainmenfügen eines schalenförmigen Elementes und eines komplementären Folienelementes unter Herstellung eines geschlossenen Behälters, gekennzeichnet durch:
• (a) ein schalenförmiges Element mit einer Aussparung zum Halten einer Anzahl von IC-Wafern und
• (b) ein komplementäres Folienelement proportional angepaßt zum Anhaften an und Bedecken der Aussparung, wobei mindestens eines von dem schalenförmigen Element und dem komplementären Folienelement aus einem Material gefertigt ist, das ein gassperrendes Harz, ausgewählt aus einem stark nitrilhaltigen Harz, einem Polyvinylidenchloridharz, einem Ethylenvinylalkohol-Copolymer und einem Polyvinylalkoholharz, umfaßt;
• Anordnen der integrierten Schaltkreiswafer in dem Behälter, Füllen des Behälterinneren mit dem Inertgas und Lagern der Wafer für integrierte Schaltkreise in dem Behälter in Gegenwart des Inertgases.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
• Es wird nun im einzelnen auf die derzeitig bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung hingewiesen.
• Vorzugsweise wird das gassperrende Harz aus der Gruppe ausgewählt, die aus stark nitrilhaltigen Harzen, Polyvinylidenchloridharzen, Ethylenvinylalkohol-Copolymer und Polyvinylalkoholharzen besteht.
• Vorzugsweise wird der Container aus einem stark nitrilhaltigem Harz gefertigt. Bevorzugt ist das stark nitrilhaltige Harz, das durch Polymerisieren eines Acrylnitrilmonomers mit einem copolymerisierbaren Monomer in Gegenwart eines konjugierten Dienpolymers hergestellt wird.
• Um die Sicherheit des erfindungsgemäßen Behälters zu erhöhen, wird vorzugsweise ein Harz mit einer Härte D von 70 gemäß ASTM D-2240 auf die Oberfläche des Behälters angewendet, der direkt die IC-Wafer berührt. Es wurde gefunden, daß wenn ein Harz mit einer Härte D von weniger als 70 zur Herstellung des Behälters der mit der IC-Wafer in Kontakt stehen kann, verwendet wird, häufig Anhaften von erzeugten Fremdteilchen an der IC-Wafer im Ergebnis von Abrieb zwischen dem Harz und der IC-Wafer während des Transports stattfindet.
• Der erfindungsgemäße Behälter verleiht der IC-Wafer ausgezeichnete Antioxidanseigenschaften, verhindert die Erzeugung von Abriebteilchen von dem Harz und schützt gegen Anhaften von Staub an der Wafer und trägt folglich in bedeutendem Maße zur Verbesserung des Betriebswirkungsgrades während der IC-Herstellung bei.
• Geeignete gassperrende Harze zur Verwendung in der Erfindung schließen beispielsweise stark nitrilhaltige Harze, Polyvinylidenchloridharze, Ethylenvinylalkohol-Copolymere und Polyvinylalkoholharze, ein. Aufgrund ihrer Formbarkeit, wie leichtem Tiefziehformen in einem Warmformverfahren, werden stark nitrilhaltige Harze bevorzugt. Stark nitrilhaltige Harze können alleinig verwendet werden. Wenn Harze, wie Polyvinylidenchloridharze, Ethylenvinylalkohol-Copolymere und Polyvinylalkoholharze, angewendet werden, werden die Harze jedoch mit anderem thermoplastischem Harz laminiert. Wenn das laminierte Material auf der Behälteroberfläche verwendet wird, ruft Harz mit einer Härte D von weniger als 70 häufig Anhaften von erzeugten Fremdteilchen an der IC-Wafer im Ergebnis des Reibens zwischen dem Harz und der IC-Wafer während des Transports hervor. Es ist daher ungünstig, ein solches Harz zu verwenden. Andererseits führt stark nitrilhaltiges Harz nicht zu einem solchen Problem.
• Stark nitrilhaltige Harze, die zur Verwendung in der Erfindung geeignet sind, schließen beispielsweise Copolymere, die vorwiegend aus ungesättigten Nitrilmonomeren bestehen, wie Acrylnitril und Methacrylnitril, ein. Der Gehalt an ungesättigten Nitrilmonomeren in dem Copolymer beträgt vorzugsweise mindestens 50 Gew.-%, bevorzugter mindestens 55 Gew.-%.
• Beispielhafte Monomere, die mit ungesättigten Nitrilmonomeren copolymerisiert werden können, schließen Styrol, Butadien, Isopren, Acrylsäuremethylester, Acrylsäureethylester, Methacrylsäuremethylester und Methacrylsäureethylester ein. Mindestens eines dieser Monomere wird mit ungesättigten Nitrilmonomeren copolymerisiert.
• Weitere stark nitrilhaltige Harze, die ebenfalls in der Erfindung verwendet werden können, schließen ein Gemisch des vorstehend genannten Copolymers mit kautschukähnlichen Polymeren, wie Butadien-Acrylnitril-Copolymere, Isopren- Acrylnitril-Copolymere, Butadien-Styrol-Copolymere, Butadien und Polyisopren und gepfropfte Copolymere, erhalten durch Ausführen von Pfropfpolymerisation auf ein ungesättigtes Nitrilmonomer und das vorstehend genannte copolymerisierbare Monomer in Gegenwart von kautschukähnlichen Polymeren ein. Es ist besonders bevorzugt, ein Copolymer mit mindestens 50 Gew.-% Acrylnitrilgehalt anzuwenden, das durch Polymerisation eines Gemisches erhalten wird, bestehend aus einer großen Menge Acrylnitrilmonomer und einem Monomer, das mit dem Acrylnitrilmonomer copolymerisierbar ist, in Gegenwart eines konjugierten Dienpolymers. Ein solches Copolymer ist gut ausgewogen in der Verarbeitbarkeit und der Schlagbeständigkeit und hat auch gute Gassperreigenschaften.
• Die Anmelder fanden, daß die Verwendung eines Copolymers mit einem ungesättigten Nitrilmonomergehalt von weniger als 50 Gew.-% ungünstig ist, weil die Sauerstoff sperreigenschaft unzureichend werden kann und die Oberfläche der IC-Wafer oxidiert werden kann.
• Ein beispielhaftes stark nitrilhaltiges Harz ist BALEX (ein Produkt der Mitsui Toatsu Chemicals Inc.) mit einer Sauerstoffdurchlässigkeit von 20 cm³/m² atm 24 h gemäß ASTM D 1434-66 unter der Bedingung einer Dicke von 25 um. Die Sauerstoffdurchlässigkeit von Polyvinylidenchloridharz beträgt etwa 24 cm³/m² atm 24 h. Die Sauerstoffdurchlässigkeit von Polyvinylchlorid beträgt etwa 80 bis 300 cm³/m² atm 24 h. Die Sauerstoffdurchlässigkeit von Nylon beträgt 2900 bis 7900 cm³/m² atm 24 h und die Sauerstoffdurchlässigkeit von Polypropylen beträgt 1700 bis 2900 cm³/m² atm 24 h.
• Der erfindungsgemäße Behälter wird beispielsweise aus einer Folie, erhalten durch Formen eines stark nitrilhaltigen Harzes über übliche Verarbeitungsverfahren, wie T-Düsenextrusion, Kalandern und Blasen oder aus einer Folie, erhalten durch Laminieren eines thermoplastischen Harzes mit einem Polyvinylidenchloridharz, einem Ethylenvinylalkohol-Copolymer und/oder einem Polyvinylalkoholharz, hergestellt. Diese Folien werden durch Warmformverfahren, wie Vakuumformen und Druckformen, verformt. Die Behälter können auch durch direktes Spritzformen des Harzes hergestellt werden.
• Wenn ein stark nitrilhaltiges Harz verwendet wird, kann Tiefziehen mit Leichtigkeit ausgeführt werden und beliebig geformte Produkte können erhalten werden. Wenn ein Polyvinylidenchloridharz, Ethylenvinylalkohol-Copolymer oder Polyvinylalkoholharz durch Laminieren derselben mit mindestens einem anderen thermoplastischen Harz verwendet werden, neigt die Schicht des Polyvinylidenchloridharzes, Ethylenvinylalkohol-Copolymers oder Polyvinylalkoholharzes zur teilweisen Senkung der Dicke oder zum Hervorrufen von Rissen beim Tiefziehen oder beim Formen von komplexen Formen. Folglich ist ein Schritt zur Bewertung der Gassperreigenschaften der warmgeformten Produkte erforderlich, wodurch die Ausbeute an Produkten sinkt.
• Die Form der Behälter, die durch diese Erfindung bereitgestellt wird, kann zwanglos ausgewählt werden gemäß der vorgesehenen Verwendung. Der erfindungsgemäße Behälter umfaßt ein schalenförmiges Element und ein Deckelement. Die IC-Wafer wird im allgemeinen in dem schalenförmigen Element eingeschlossen, das durch Warmformen erhalten wurde und das Deckelement in Form einer Folie oder einer dicken Folie wird auf dem schalenförmigen Element angeordnet. Beide Elemente können durch Heißversiegeln, Pulsversiegeln und andere Verfahren, die dem Fachmann auf diesem Gebiet bekannt sind, vereinigt werden. Somit ist es bevorzugt, ein Harz mit guten Abdichteigenschaften zu verwenden. Eine Folie oder eine dünne Folie kann als Bodenelement verwendet werden, das mit einem schalenförmigen Deckelement verbunden wird.
• Der erfindungsgemäße Behälter kann eine beliebige Form aufweisen, beispielsweise kreisförmig, quadratisch oder hexagonal. Die Zahl der eingeschlossenen IC-Wafern kann von einigen Stück bis zu mehreren hundert Stück schwanken. Beispielsweise weist ein geeigneter Behälter zum Einschließen einer Einheit von 25 Stück 4 inch Wafern Abmessungen von etwa 17 x 17 x 17 cm auf. Ein Behälter zum Einschließen von 6 Einheiten hat Abmessungen von etwa 35 x 53 x 17 cm. Die Wafer wird in eine geeignete Vorrichtung oder Befestigung eingesetzt und verpackt.
• Die Wanddicke des Behälters schwankt in Abhängigkeit von der Zahl der eingeschlossenen IC-Wafern in dem Behälter und der Festigkeit, die für den Behälter gefordert wird. Im allgemeinen beträgt die Dicke etwa 0,1 bis etwa 10 mm, vorzugsweise etwa 0,2 bis 5 mm. Die Anmelder fanden, daß eine Dicke von weniger als 0,1 mm zu einer unzureichenden Festigkeit des Behälters führt. Andererseits ist eine Dicke, die 10 mm übersteigt, jedoch aus Gewichtsgründen, schlechter Bearbeitbarkeit eines solchen Behälters und dem sich ergebenden Kostenanstieg ungünstig.
• Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die IC-Wafer in dem erfindungsgemäßen Behälter eingeschlossen. Das Innere des Behälters wird mit mindestens einem Inertgas gefüllt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Stickstoff, Kohlendioxid, Helium, Argon, oder wird in Gegenwart eines Sauerstoffabsorptionsmittels dicht abgeschlossen. Eine im wesentlichen sauerstofffreie Atmosphäre kann so in dem Inneren des Behälters erstellt werden. Die IC-Wafer wird durch das erfindungsgemäße Verfahren wirksamer vor Oxidation geschützt und es ist so nicht erforderlich, die IC-Wafer zusätzlich mit chemischer oder Schleifbehandlung zu versehen. Das vorstehend genannte Inertgas kann gleichzeitig mit einem Sauerstoffabsorptionsmittel eingesetzt werden.
• Der Begriff "im wesentlichen sauerstofffreie Atmosphäre", der hier verwendet wird, bedeutet einen Zustand, bei dem die Oberfläche einer in dem erfindungsgemäßen Behälter eingeschlossenen IC-Wafer nicht durch Sauerstoff oxidiert wird. Die bevorzugte Konzentration an Sauerstoff in der Atmosphäre beträgt etwa 2 % oder weniger, bevorzugter beträgt die Sauerstoffkonzentration etwa 1 % oder weniger. Die Kombination von Sauerstoff und einem Trockenmittel ist ebenfalls für die Lagerung bevorzugt.
• Die vorliegende Erfindung wird zusätzlich durch die nachstehenden Beispiele erläutert, die jedoch nur als Beispiele der Erfindung anzusehen sind.
Beispiel 1
• In Gegenwart von 10 Gewichtsteilen eines Butadien-Acrylnitril-kautschukähnlichen Copolymers mit einem Butadiengehalt von 70 Gew.-% wurde ein Gemisch von 75 Gewichtsteilen Acrylnitril und 25 Gewichtsteilen Acrylsäuremethylester durch Emulsionspolymerisation polymerisiert. Das so erhaltene stark nitrilhaltige Harz hatte einen Acrylnitrilanteil von etwa 70 Gew.-% gemäß Stickstoffanalyse und eine Härte von 90 gemäß ASTM D-2240. Das Harz wurde zu einer Platte mit einer Stärke van 5 mm extrudiert. Die Platte wurde Vakuumf ormen unter Herstellung eines schalenförmigen Elements mit einer Tiefe von 15 cm und einer Sauerstoffdurchlässigkeit von 2 cm³/m² atm 24 h unterzogen. Ein Deckelement wurde getrennt davon hergestellt aus einer stark nitrilhaltigen Harzfolie mit einer Stärke von 40 pm und einer Sauerstoffdurchlässigkeit von 10 cm³/m² atm 24 h.
• In den so hergestellten Behälter wurde eine 4 inch Spiegelwafer eingeschlossen, das Innere des Behälters wurde durch Stickstoffgas ersetzt und der Sauerstoffgehalt somit auf 1 % gesenkt und anschließend die Schalen- und das Deckelemente heiß abgedichtet. Die abgedichtete Verpackung wurde einem Transporttest in einem Lastkraftwagen über eine Distanz von 500 km unterzogen. Der Behälter wurde nach einem Monat geöffnet. Oxidation und Anhaften von Fremdteilchen wurden auf der Oberfläche der Wafer gemessen. Die Ergebnisse der Oxidation sind in Tabelle 1 angeführt und die Ergebnisse des Anhaftens von Fremdteilchen sind in Tabelle 2 veranschaulicht.
Beispiel 2
• Dieselben Verfahren, die in Beispiel 1 beschrieben wurden, wurden ausgeführt mit der Abweichung, daß man in Gegenwart von 10 Gewichtsteilen eines Butadien-Acrylnitrilkaut-schukähnlichen Copolymers mit einem Butadiengehalt von 80 Gew.-%, ein Gemisch von 70 Gewichtsteilen Acrylnitril, 15 Gewichtsteilen Methacrylsäuremethylester und 5 Gewichtsteilen Styrol zu einem stark nitrilhaltigen Harz mit einem Acrylnitrilgehalt von etwa 65 Gew.-% und einer Härte von 85 polymerisiert. Die Schale hatte eine Sauerstoffdurchlässigkeit von 3 cm³/m² atm 24 h. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 erläutert.
Beispiel 3
• Die Verfahren von Beispiel 1 wurden wiederholt mit der Abweichung, daß die Abdichtung in Gegenwart eines Sauerstoffabsorptionsmittels Ageless SS (ein Produkt von Mitsubishi Gas Chemicals Inc.) anstelle der Stickstoffsubstitution ausgeführt wurde. Das schalenförmige Element hatte eine Sauerstoffdurchlässigkeit von 2 cm³/m² atm 24 h. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 erläutert.
Beispiel 4
• Dieselben Verfahren, wie in Beispiel 1 beschrieben, wurden ausgeführt mit der Abweichung, daß eine Folie, erhalten durch Laminieren einer Polypropylenschicht mit einer Härte D von 75 gemäß ASTM D-2240 mit einer Polyvinylidenchloridschicht verwendet wurde. Die Schicht hatte eine Sauerstoffdurchlässigkeit von 2 cm³/m² atm 24 h. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 erläutert.
Vergleicbsbeispiel 1
• Das Verfahren von Beispiel 1 wurde wiederholt mit der Abweichung, daß Polyethylen mit einer Härte von 60 als Harz verwendet wurde. Das schalenförmige Element hatte eine Sauerstoffdurchlässigkeit von 7000 cm³/m² atm 24 h. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 erläutert.
Vergleichsbeispiel 2
• Dasselbe Verfahren, wie in Beispiel 1 beschrieben, wurde ausgeführt mit der Abweichung, daß steif es Polyvinylchloridharz mit einer Härte von 80 als Folie verwendet wurde. Das schalenförmige Element hatte eine Sauerstoffdurchlässigkeit von 2000 cm3/m2 atm 24 h. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 und Tabelle 2 erläutert. Tabelle 1 Bezug Beispiel Vergleichsbeispiel
• Bemerkungen:
• Der Zahlenwert weist die Spektralfläche jedes Elements aus.
• Meßbedingungen:
• Vorrichtung; ESCA. LAD. MKII ein Produkt der VG Co.
• Röntgenquelle; Mg-Kα
• Röntgenstrahlleistung; 300 W
• Druckverminderung; weniger als 3 x 10&supmin;&sup9; mBar Tabelle 2 Größe der Teilchen und Zahl der anhaftenden Teilchen Bezug Beispiel Vergleichsbeispiel
• Bemerkungen:
• Die Messungen wurden in einem Reinraum mit einer Reinheitsqualität der Klasse 1000 ausgeführt.
• Vorrichtung; Laseroberflächenbeobachtungsvorrichtung HLD 300B ein Produkt von Hitachi Electronics Engineering Co.

Claims (9)

1. Behälter zum Halten einer Wafer für integrierte Schaltkreise, umfassend

(a) ein schalenförmiges Element mit einer Aussparung zum Halten der Wafer; und

(b) ein komplementäres Folienelement proportional angepaßt zum Anhaften an und Bedecken der Aussparung;

wobei mindestens eines von dem schalenförmigen Element und dem komplementären Folienelement, aus einem Material geformt ist, umfassend ein gassperrendes Harz, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einem stark nitrilhaltigen Harz, einem Polyvinylidenchloridharz, einem Ethylen-Vinylalkohol-Copolymer und einem Polyvinylalkoholharz.

2. Behälter nach Anspruch 1, wobei das gassperrende Harz ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus einem Polyvinylidenchloridharz, und einem Ethylen-Vinylalkohol-Copolymer und einem Polyvinylalkoholharz, wobei das Harz mit mindestens einem thermoplastischen Harz laminiert ist.

3. Behälter nach Anspruch 1, wobei das gassperrende Harz aus einem stark nitrilhaltigen Harz hergestellt ist, umfassend mindestens 50 Gew.-% ungesättigte Nitrileinheiten.

4. Behälter nach einem vorangehenden Anspruch, wobei das Copolymer mindestens etwa 50 Gew.-% Acrylnitril enthält.

5. Behälter nach einem vorangehenden Anspruch, wobei das stark nitrilhaltige Harz ein Copolymer von mindestens einem ungesättigten Nitrilmonomer und einem Monomer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Styrol, Butadien, Isopren, Methylacrylat, Ethylacrylat, Methylmethacrylat und Ethylmethacrylat ist.

6. Behälter nach einem vorangehenden Anspruch, wobei das Copolymer ein Pfropfcopolymer ist, erhalten durch Ausführen einer Pfropfpolymerisation des ungesättigten Nitrilmonomers und des Monomers in Gegenwart von kautschukähnlichem Polymer, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Butadien- Acrylnitril-Copolymer, Isopren-Acrylnitril-Copolymer, Butadien-Styrol-Copolymer, Polybutadien und Polyisopren.

7. Behälter nach Anspruch 5 oder 6, wobei das ungesättigte Nitrilmonomer Acrylnitril ist.

8. Verfahren zum Lagern von Wafern für integrierte Schaltkreise, umfassend Zusammenfügen eines schalenförmigen Elementes und eines komplementären Folienelementes unter Bildung eines geschlossenen Behälters gekennzeichnet durch

Bereitstellen eines Behälters nach einem vorangehenden Anspruch und Anordnen einer Wafer für einen integrierten Schaltkreis in dem Behälter, Füllen des Behälterinneren mit einem inerten Gas und Abdichten des Behälters.

9. Verfahren zum Lagern von Wafern für integrierte Schaltkreise nach Anspruch 8, wobei zusätzlich im Behälterinneren ein Sauerstoffabsorptionsmittel eingeschlossen ist.