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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine mikroelektromechanische System-(MEMS)-Struktur.
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen MEMS-Wandler,
der aus einem flexiblen Substrat ausgebildet ist, ein Herstellungsverfahren
desselben, sowie ein flexibles, drahtloses MEMS-Mikrofon, das den
MEMS-Wandler enthält.
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Auf
Grund des steigenden Bedarfs an sehr kleinen Vorrichtungen wird
Halbleiterverarbeitungstechnologie zum Integrieren von Mikrovorrichtungen eingesetzt.
Das Gebiet mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) ist ein Gebiet,
auf dem Miniatursensoren und Miniaturauslöser, deren Größe im Bereich
von Mikrometern (μm)
liegt, sowie elektromechanische Strukturen hergestellt und getestet
werden, wobei Mikrobearbeitungstechnologie benutzt wird, die auf
die Halbleiterverarbeitung und insbesondere die integrierte Schaltkreistechnologie
angewandt wird.
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Die
Mikrobearbeitungstechnologie, die für MEMS eingesetzt wird, ist
grob in zwei Kategorien unterteilt. Die erste Mikrobearbeitungskategorie
ist die Volumenmikrobearbeitung durch Volumensiliziumätzen. Die
zweite Mikrobearbeitungskategorie ist die Oberflächenmikrobearbeitung durch
Auftragen einer Schicht aus polykristallinem Silizium, Siliziumnitrid
und Siliziumoxid auf Silizium, und durch Ätzen der aufgetragenen Schicht
gemäß einem
vorbestimmten Muster, um eine Struktur herauszubilden. Beispielsweise
wird die Ausbildung eines ultrakleinen Mikrofons, das mittels eines
MEMS-Verfahrens hergestellt wird, mit Hilfe eines Membranwandlers
erreicht, der anhand der Volumenmikrobearbeitungstechnologie ausgebildet
wird.
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1 zeigt
eine Querschnittansicht eines üblichen
MEMS-Wandlers. Wie in 1 gezeigt, weist der übliche MEMS-Wandler
eine Membranschicht aus Siliziumnitrid, eine SiO2-Schicht,
die mit Hilfe eines chemischen Gasphasenabscheide-(Chemical Vapor Deposition – CVD)-Verfahrens
aufgebracht wurde, einen Piezofilm aus Zinkoxid (ZnO), und eine
obere Elektrode und eine untere Elektrode auf einem Siliziumwafer
(Si) auf. Bei dem CVD-Verfahren zum Ausbilden einer dünnen Siliziumnitridschicht
und einer Siliziumoxidschicht auf dem Wafer handelt es sich um ein
Hochtemperaturverfahren, bei dem eine Prozeßtemperatur von etwa 780 °C bis 850 °C benötigt wird.
Es ist deshalb unmöglich,
ein anderes Material als den Siliziumwafer als das flexible polymerische
Material für
das Substrat zu benutzen.
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Im
Zuge der Entwicklung der Informationsübertragungsbranche steigt jedoch
in gleichem Maße die
Nachfrage nach in der Hand oder am Körper tragbaren Informationsendgeräten an.
Diese Nachfragesteigerung ergibt sich zum Teil daraus, dass Anwendungen
wie z.B. Informationsendgeräte
auf verschiedenen Gebieten eingesetzt werden, wie z.B. für medizinische
Dienstleistungen, den Unterhaltungsbereich, das Militär und die
Informationsübertragung. Damit
diese Informationsendgeräte
in praktischer Weise verwendbar sind, müssen die Komponenten dieser
Endgeräte
in Bezug auf Mobilität
und Tragbarkeit hervorragende Eigenschaften aufweisen. Insbesondere
zum Realisieren eines am Körper
tragbaren Systems ist eine flexible Systemstruktur entscheidend.
Deshalb wird eine Technologie benötigt, die eine funktionale
Struktur und andere elektrische Bauteile gemeinsam auf einem flexiblen
Substrat integriert.
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Als
flexibles Substrat werden dünne
metallische Filme oder polymerische Materialien benutzt. Polymerische
Materialien sind besser zur Benutzung in einem elektronischen System
geeignet. Polymerische Materialien weisen jedoch einen niedrigen Schmelzpunkt
im Bereich von 500 °C
oder darunter auf. Wenn also polymerische Materialien einem Verfahren
zum Ausbilden eines dünnen
Films bei hoher Temperatur unterzogen werden, werden die polymerischen
Materialien geschädigt.
Deshalb sind polymerische Materialien nicht für den Einsatz als Substrate,
z.B. als Wafer, in einem Verfahren zum Herstellen von MEMS geeignet,
bei dem eine Prozeßtemperatur
benötigt
wird, die höher
ist als der Schmelzpunkt der polymerischen Materialien. In der Praxis werden
Silizium-MEMS und Halbleiter, die breiten Einsatz finden und in
Bezug auf Leistung und Integrationsgrad ausgezeichnete Eigenschaften
aufweisen, allgemein in Verfahren hergestellt, zu denen auch ein Hochtemperaturverfahren
bei wenigstens 500 °C zählt. Deshalb
kann das Substrat aus hochmolekularem (polymerischem) Material,
das für
eine flexible Systemstruktur benötigt
wird, nicht eingesetzt werden.
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Insbesondere
wird eine übliche MEMS-Struktur
ausgebildet, indem durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ein
dünner
Film auf einem Substrat aufgebracht wird, gefolgt von einem Ätzverfahren.
Da jedoch eine sehr hohe Temperatur nötig ist, um einen hoch einsatzfähigen dünnen Film durch
CVD auszubilden, kann kein Substrat mit einem niedrigen Schmelzpunkt
benutzt werden, wie z.B. Polymer, Glas usw.
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Um
derartige Probleme zu überwinden,
erzeugt, wie in 2 gezeigt, ein übliches
Verfahren eine flexible Vorrichtung, indem unter Verwendung eines
MEMS-Prozesses eine Meßvorrichtung 30 auf einem
Siliziumsubstrat 10 erzeugt wird, wobei von einer Rückseite
des Siliziumsubstrats 10 aus ein Schnitt zwischen Siliziuminseln
vorgenommen wird, und dann ein Polymer 11 aufgebracht wird.
Dieses Verfahren weist allerdings Nachteile auf, indem der übliche Silizium-MEMS-Prozeß mit einem
Hochtemperaturprozeß angewandt
wird, und zusätzlich
in einem letzten Schritt ein Polymerprozeß durchgeführt wird, was die Komplexität und die
Kosten des gesamten Herstellungsprozesses erhöht.
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US-Patentschrift 5,789,264 offenbart
ein Verfahren zum Herstellen eines dünnfilmgesteuerten Spiegels.
Das Verfahren umfaßt,
dass aufeinander folgend eine Opferschicht, eine elastische Schicht, eine
untere Elektrodenschicht, eine elektrodisplazive Schicht und eine
obere Elektrodenschicht auf einem Substrat aufgebracht werden. Die
elastische Schicht, die untere Elektrodenschicht, die elektrodisplazive Schicht
und die obere Elektrodenschicht werden dann strukturiert, und die
Opferschicht wird geätzt, um
die Auslöserstruktur
auszubilden.
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US-Patentschrift 6,289,564 offenbart
einen piezoelektrischen Mikroauslöser für ein Plattenlaufwerk. Der
Mikroauslöser
umfaßt
mehrere Schichten, die eine Brücke über einen
Schieber und einen Kopf bilden, welche durch eine Lücke getrennt
sind. Die obere Schicht ist eine Verkapselungsschicht. Die Verkapselungsschicht
deckt nur die unmittelbar darunter liegende Schicht ab, bei der
es sich um eine Elektrodenschicht handelt.
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Gemäß der Erfindung
ist ein Verfahren zum Herstellen eines flexiblen MEMS-Wandlers bereitgestellt,
umfassend: Ausbilden einer Opferschicht auf einem flexiblen Substrat;
aufeinander folgendes Aufbringen einer Membranschicht und einer
unteren Elektrodenschicht durch plasmagestützte chemische Abscheidung,
einer aktiven Schicht durch Rotationsbeschichtung oder Aufdampfen,
und einer oberen Elektrodenschicht durch plasmagestützte chemische Abscheidung
auf der Opferschicht; aufeinander folgendes Strukturieren der oberen
Elektrodenschicht, der aktiven Schicht, und der unteren Elektrodenschicht;
Aufbringen einer oberen Schutzschicht, um die obere Elektrodenschicht,
die untere Elektrodenschicht und die aktive Schicht abzudecken;
Strukturieren der oberen Schutzschicht, um die untere Elektrodenschicht
und die obere Elektrodenschicht freizulegen, und anschließend Aufbringen
einer Verbindungspolsterschicht und Strukturieren der Verbindungspolsterschicht,
um ein erstes Verbindungspolster auszubilden, das mit der unteren
Elektrodenschicht zu verbinden ist, und ein zweites Verbindungspolster,
das mit der oberen Elektrodenschicht zu verbinden ist; und Strukturieren
der Membranschicht, um die Opferschicht freizulegen, und Entfernen
der Opferschicht, wobei die aktive Schicht während des Entfernens der Opferschicht
von der oberen Schutzschicht geschützt wird.
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Sodann
kann ein Mikrofon hergestellt werden, das die Eigenschaften Weichheit,
Flexibilität
und Faltbarkeit aufweist, indem unter Verwendung eines plasmagestützten chemischen
Gasphasenabscheidungs-(plasma enhanced chemical vapor deposition – PECVD)-Prozesses
eine MEMS-Wandlerstruktur auf einem flexiblen Polymersubstrat ausgebildet wird.
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Es
wird bevorzugt, dass das Substrat aus einem flexiblen, hochmolekularen
Material wie z.B. Polyimid ausgebildet wird, oder aus Polymer oder
dünnem
metallischem Film ausgebildet wird.
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Vorzugsweise
weist das Verfahren zum Herstellen eines flexiblen MEMS-Wandlers ferner das Ausbilden
einer Schutzschicht durch Aufbringen von entweder Siliziumnitrid
oder Siliziumoxid auf dem flexiblen Substrat auf, bevor die Opferschicht
auf dem flexiblen Substrat aufgebracht wird.
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Vorzugsweise
wird das Ausbilden der Opferschicht durchgeführt, indem eine Polyimidschicht
auf dem Substrat aufgebracht wird, und die aufgebrachte Polyimidschicht
gemäß einer
Konfigurierung der Membranschicht entweder durch Naßätzen oder
Trockenätzen
strukturiert wird.
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Vorzugsweise
wird die Membranschicht ausgebildet, indem Siliziumnitrid in einer
Dicke von weniger als etwa 5 μm
pro PECVD aufgebracht wird.
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Vorzugsweise
werden die obere Elektrodenschicht und die untere Elektrodenschicht
aus einem Material ausgebildet, das aus der Gruppe ausgebildet wird,
die aus Metallen und elektrisch leitfähigen Polymeren besteht, und
das eine Dicke zwischen etwa 0,01 μm und 5 μm aufweist. Vorzugsweise werden
das erste Verbindungspad und das zweite Verbindungspad aus einem
Material ausgebildet, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Metallen und
elektrisch leitfähigen
Polymeren besteht.
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Vorzugsweise
wird die aktive Schicht ausgebildet, indem ein Piezopolymer wie
z.B. PVDF, PVDF-TrEF, TrEF, Polyurea, Polyimid oder Nylon aufgebracht
wird. Hier wird die aktive Schicht mit einer Dicke zwischen etwa
1 μm und
10 μm ausgebildet, weist
eine Länge
zwischen etwa 50 μm
und 1.000 μm auf,
und weist eine Resonanzfrequenz von zwischen etwa 1 Hz und 100 kHz
auf.
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Vorzugsweise
wird das Strukturieren der Membranschicht durch Trockenätzen durchgeführt, und
das Strukturieren der aktiven Schicht wird entweder durch Naßätzen oder
durch Trockenätzen
durchgeführt.
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Vorzugsweise
wird die obere Schutzschicht ausgebildet, indem mittels PECVD entweder
Siliziumnitrid oder Siliziumoxid mit einer Dicke zwischen etwa 1 μm und 10 μm aufgebracht
werden. Vorzugsweise wird das Strukturieren der oberen Schutzschicht
entweder durch Naßätzen oder
durch Trockenätzen
durchgeführt.
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Die
genannten sowie weitere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung
wird dem Fachmann deutlicher, indem bevorzugte Ausführungsformen
derselben unter Bezugnahme auf die beiliegenden Figuren detailliert
beschrieben werden, wobei:
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1 eine
Querschnittansicht eines üblichen
MEMS-Wandlers zeigt;
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2 eine
Querschnittansicht eines üblichen
flexiblen MEMS-Sensors zeigt;
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3 eine
Querschnittansicht eines Wandlers des Membrantyps gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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4 eine
Querschnittansicht eines Wandlers des Auslegertyps gemäß einer
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung zeigt; und
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5A bis 5J Querschnittansichten
von Stufen eines Herstellungsprozesses des Auslegerwandlers aus 4 zeigen.
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Die
vorliegende Erfindung soll im Folgenden unter Bezugnahme auf die
beiliegenden Figuren, in denen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt
sind, vollständiger
beschrieben werden. Die Erfindung kann allerdings in unter schiedlicher
Form verkörpert
sein, und ist nicht als auf die hier dargestellten Ausführungsformen
beschränkt
zu verstehen. Vielmehr dienen diese Ausführungsformen der Gründlichkeit
und Vollständigkeit
der Offenbarung und vermitteln dem Fachmann den Umfang der Erfindung
in höherem
Maße.
In den Figuren wurde die Dicke von Schichten und Regionen auf Grund
der Anschaulichkeit übertrieben.
Man wird auch verstehen, dass, wenn eine Schicht als „auf" einer anderen Schicht
oder einem Substrat beschrieben wird, sie sich direkt auf der anderen
Schicht oder dem Substrat befinden kann, oder auch andere, dazwischen
liegende Schichten vorliegen können.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in allen Figuren gleiche Elemente.
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3 zeigt
eine Querschnittansicht eines flexiblen Wandlers des Membrantyps
gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. 4 zeigt
eine Querschnittansicht eines flexiblen Wandlers des Auslegertyps
gemäß einer
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Wie in 3 und 4 gezeigt,
weist ein Wandler gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ein flexibles Substrat 100 auf,
auf dem durch plasmagestütztes chemisches
Gasphasenabscheiden (PECVD) oder durch Zerstäuben entweder von Siliziumnitrid
oder von Siliziumoxid eine untere Schutzschicht 110 ausgebildet
wurde, sowie eine Wandlerstruktur mit einer Membranschicht 220,
die durch PECVD ausgebildet wurde, welches bei einer niedrigen Temperatur durchgeführt wurde,
einer unteren Elektrodenschicht 230, einer aktiven Schicht 240,
die vorzugsweise eine aktive Piezopolymerschicht ist, einer oberen Elektrodenschicht 250 und
Verbindungspads 271 und 272. Im Fall eines Wandlers
des Membrantyps oder des Auslegertyps wird auf dem Substrat 100 eine
Opferschicht ausgebildet, die Membranschicht 220 wird auf
der Opferschicht aufgebracht, und dann wird die Opferschicht durch
ein Ätzmittel
entfernt, um auf der Membranschicht 220 einen erhöhten Teil
auszubilden. Insbesondere wird im Fall eines Wandlers des Auslegertyps
das Entfernen der Opferschicht durchgeführt, indem die Opferschicht
von einer offenen Seite aus entfernt wird, und im Fall eines Wandlers
des Membrantyps wird das Entfernen durchgeführt, indem an dem erhöhten Teil
der Membranschicht 220 durch Ätzen vorbestimmte Durchgangsbohrungen
ausgebildet werden, und durch die Durchgangsbohrungen ein Ätzmittel
injiziert wird.
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5A bis 5J zeigen
in Folge die Stufen eines Prozesses zum Herstellen des Wandlers des
Auslegertyps gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Der beispielhafte Wandler aus den Figuren
ist vom Ausle gertyp, und ein beispielhafter Prozeß zum Herstellen
eines Auslegerwandlers soll nun unter Bezugnahme auf 5A bis 5J erläutert werden.
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Wie
in 5A gezeigt, beginnt der Herstellungsprozeß des flexiblen
Wandlers mit dem Auftragen einer unteren Schutzschicht 110 auf
ein flexibles Substrat 100. Als Material für das Substrat 100 wird ein
flexibles Material benutzt. Das flexible Material kann ein hochmolekulares
(polymerisches) Material sein, wie z.B. Polymer oder Polyimid, oder
ein dünner metallischer
Film. Ein hochmolekulares Material ist bei der Benutzung in einem
elektronischen System wie z.B. einem Mikrofon das bevorzugte Material.
Die untere Schutzschicht 110 wird ausgebildet, indem Siliziumnitrid
oder Siliziumoxid durch PECVD oder Zerstäuben aufgebracht wird. Vorzugsweise
weist die untere Schutzschicht 110 eine Dicke von weniger
als etwa 10 μm
auf. Durch Benutzen von PECVD oder dem Zerstäubungsprozeß ist es möglich, den Prozeß bei einer
niedrigen Temperatur von etwa 400 °C oder weniger durchzuführen. Die
untere Schutzschicht 110 dient dazu, das Substrat 100 zu
schützen,
und das Anhaften der Schichten zu unterstützen, die anschließend aufgebracht
werden.
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Wie
in 5B gezeigt, wird auf dem flexiblen Substrat 100,
auf dem die untere Schutzschicht 110 aufgebracht ist, eine
Opferschicht 210 aufgebracht, die benutzt wird, um eine
Membranschicht auszubilden, die mit einem erhöhten Teil versehen ist. Die
Opferschicht 210 wird ausgebildet, indem ein Polyimid mit
einer Dicke von weniger als etwa 10 μm aufgebracht wird, und dann
das Polyimid gemäß einer
gewünschten
Konfigurierung der Membranschicht gemustert wird.
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Bezug
nehmend auf 5C wird auf der strukturierten
Opferschicht 210 eine Membranschicht 220 aufgebracht.
Die Membranschicht 220 wird ausgebildet, indem durch PECVD
in einem Niedrigtemperaturprozeß Siliziumnitrid
aufgebracht wird. Vorzugsweise weist die Membranschicht 220 eine
Dicke von weniger als etwa 5 μm
auf. Dann wird eine untere Elektrodenschicht 230 auf der
Membranschicht 220 aufgebracht. Eine aktive Schicht 240 wird
dann auf der Elektrodenschicht 230 aufgebracht. Die aktive Schicht 240 wird
ausgebildet, indem ein Piezopolymer, wie z.B. PVDF, PVDF-TrEF, TrEF,
Polyurea, Polyimid, Nylon oder Ähnliches
durch Rotationsbeschichtung oder Aufdampfen aufgebracht wird. Vorzugsweise
weist die aktive Schicht 240 eine Dicke zwischen etwa 1 μm und 10 μm auf, und
eine Länge zwischen
etwa 50 μm
und 1.000 μm.
Vorzugsweise weist die aktive Schicht 240 eine Resonanzfrequenz von
etwa 1 Hz bis 100 kHz auf. Sodann wird eine obere Elektrodenschicht 250 auf
der aktiven Piezopolymerschicht 240 aufgebracht. Die untere
Elektrodenschicht 230 und die obere Elektrodenschicht 250 werden
ausgebildet, indem ein Metall, z.B. Aluminium, oder ein elektrisch
leitfähiges
Polymer aufgebracht wird. Vorzugsweise weisen die untere Elektrodenschicht 230 und
die obere Elektrodenschicht 250 jeweils eine Dicke zwischen
0,01 μm
und 5 μm
auf.
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In 5D werden
die obere Elektrodenschicht 250 und die aktive Schicht 240 entweder durch
Naßätzen oder
durch Trockenätzen
strukturiert. In 5E wird die untere Elektrodenschicht 230 durch
Naßätzen oder
Trockenätzen
strukturiert.
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Als
nächstes
wird in 5F eine obere Schutzschicht 260 ausgebildet,
so dass die aktive Piezopolymerschicht 240 während des
Entfernens der Opferschicht 210 durch Ätzen geschützt ist. Die obere Schutzschicht 260 wird
ausgebildet, indem Siliziumnitrid oder Siliziumoxid mit einer Dicke
von etwa 1 μm
bis 10 μm
durch PECVD aufgebracht werden, um die untere und obere Elektrodenschicht 230 und 250 und
die aktive Schicht 240 abzudecken. In 5G wird
die obere Schutzschicht 260 entweder durch Naßätzen oder
durch Trockenätzen
strukturiert.
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Nach
dem Ausbilden der oberen Schutzschicht 260 werden in 5H Verbindungspads 271 und 272 derart
ausgebildet, dass sie jeweils mit der oberen Elektrodenschicht 250 bzw.
der unteren Elektrodenschicht 230 elektrisch verbunden
sind. Die Verbindungspads 271 und 272 werden ausgebildet, indem
die obere Schutzschicht 260 an den Abschnitten, die mit
der oberen bzw. unteren Elektrodenschicht 250 und 230 verbunden
werden sollen, entweder durch Naßätzen oder durch Trockenätzen strukturiert
wird, und indem ein Metall, z.B. Aluminium, oder ein elektrisch
leitfähiges
Polymer darauf aufgebracht wird.
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Schließlich wird,
wie in 5I und 5J gezeigt,
nach dem Strukturieren der Membranschicht 220 zwecks Freilegung
der Opferschicht 210, die Opferschicht 210 mittels
Trockenätzen
entfernt, indem ein Ätzmittel
injiziert wird, womit die Ausbildung des flexiblen MEMS-Wandlers
des Auslegertyps abgeschlossen ist.
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Gemäß dem oben
beschriebenen Herstellungsverfahren ist es möglich, unter Verwendung eines
Niedrigtemperaturprozesses wie z.B. PECVD eine Wandlerstruktur 200 auf
einem flexiblen Substrat 100, wie z.B. einem Polymer, auszubil den.
Auf diese Weise wird bei der Wandlerstruktur 200 gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung die Aufbringung dünner
Schichten mit Hilfe von PECVD oder Zerstäuben anstelle von CVD durchgeführt, wofür ein Prozeß mit höheren Temperaturen
von etwa 780 °C bis
850 °C nötig wäre. Der
Grund für
diesen Unterschied der benötigten
Temperatur hängt
mit der Energiequelle zusammen, die bei dem jeweiligen Prozeß benutzt
wird. Genauer ausgedrückt,
benutzt der PECVD-Prozeß Plasma
als eine Energiequelle, die für
eine Reaktion benötigt
wird, während
der übliche CVD-Prozeß Wärmeenergie
benutzt. Bei PECVD kann deshalb die Wärmeenergie gesenkt werden, und
die dünnen
Schichten können
bei einer niedrigen Temperatur ausgebildet werden. Insbesondere
ist es möglich,
dünne Schichten,
welche die Wandlerstruktur 200 ausmachen, bei einer niedrigen
Temperatur aufzubringen, und so die Benutzung eines flexiblen polymerischen
Substrats 100 zu ermöglichen.
Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann also ein flexibles Mikrofon aus einem weichen Material
hergestellt werden.
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Da
das Substrat 100, auf dem der flexible MEMS-Wandler ausgebildet
ist, papierartige Eigenschaften aufweist, kann es gemäß einer
gewünschten
dreidimensionalen Struktur des Mikrofons geschnitten und gefaltet
werden, um zum Einbauen in die gewünschte dreidimensionale Struktur
eingebaut und montiert zu werden. Auf diese Weise stellt die vorliegende
Erfindung ein hoch flexibles Mikrofon bereit.
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Insbesondere
ist eine Mikrofonstruktur gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung auf Grund der Benutzung eines flexiblen
polymerischen Substrats flexibel und faltbar. Deshalb ist es möglich, das
Mikrofon in eine gewünschte
dreidimensionale Struktur einzubauen, indem das Substrat, das mit
anderen Elementen beschichtet ist, gemäß der gewünschten dreidimensionalen Struktur schneidet
und faltet, und es in einem dreidimensionalen Mikrofon montiert.
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Wie
oben beschrieben, kann gemäß der vorliegenden
Erfindung ein flexibles Polymer benutzt werden, da eine Wandlerstruktur
mit Hilfe eines Niedrigtemperaturprozesses hergestellt werden kann.
Es ist also möglich,
ein flexibles Mikrofonsystem mit herausragenden Eigenschaften in
Bezug auf den Integrationsgrad, die Mobilität, die Weichheit, die Flexibilität, die Faltbarkeit
und die Tragbarkeit mit Hilfe eines einfachen Prozesses bei einer
niedrigen Temperatur und zu reduzierten Kosten herzustellen.
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Es
wurden bevorzugte Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung offenbart, und obwohl spezifische Begriffe
benutzt wurden, wurden diese in einem allgemeinen und beschreibenden
Sinn verwendet, und nicht zum Zweck der Beschränkung, und sind deshalb auch
in diesem Sinne zu interpretieren.