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QUERVERWEIS
AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
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STELLUNGNAHME
BEZÜGLICH
STAATLICH GEFÖRDERTER
ENTWICKLUNG
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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1. Gebiet
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen ein Verfahren zum
Nachweisen und Regeln von anorganischen Schichtablagerungen in kommerziellen
und industriellen Umgebungen, und insbesondere ein Verfahren zum
Erhalten und Bewerten einer Vielfalt von elektrochemischen Antwort-Signalen
bezogen auf Schichtablagerungs-Keimbildung und Wachstum mittels
einer Vielzahl unabhängiger
korrosionsbeständiger Sensoren,
die in elektrischer Kommunikation mit einem von einem Mikroprozessor
geregelten elektrochemischen Überwachungsinstrument
sind.
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2. Hintergrund
der Erfindung
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Gegenwärtig umfasst
das Erstellen elektrochemischer Messungen, einschließlich elektrochemischem Rauschen,
Polarisationswiderstand, Harmonic Distortion Analyse und elektrochemischer
Impedanzspektroskopie, eine Anzahl zugehöriger Vorrichtungen und Verfahren,
deren gemeinsame Funktionen wesentlich sind, um die Ladungstransfereigenschaften
unterschiedlicher elektrochemischer Oxidations- und Reduktionsvorgänge zu definieren,
die in Verbindung mit der Korrosion von Metallen auftreten. Solche
Messverfahren erfordern üblicherweise
eine beachtliche Sensitivität
bezogen auf die Art der zu bewertenden Schnittstelleneigenschaften
Metall/Elektrolyt und die unterschiedlichen dynamischen Änderungen,
die um die Grenzschnittstelle auftreten können.
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Zum
Beispiel umfasst ein bekanntes Korrosions-Messverfahren das Einbringen
eines Sensors, der in der Zusammensetzung dem korrodierten Material ähnelt, in
einen umgebenden Fluidstrom und dann Bewerten unterschiedlicher
Faradayscher Ladungstransfereigenschaften bezogen auf den Korrosionsvorgang
mittels elektrochemischer Vergleichsverfahren. Von Hauptinteresse
bei derartigen Bewertungen ist eine Bestimmung der Materialverlustrate
aufgrund von Korrosion.
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Im
Gegensatz dazu bieten in Prozessströmen mit einer Neigung, anorganische
Schichtablagerungen zu bilden, die Metall-Innenflächen von
Leitungen und Gefäßen oder Ähnlichem
energetisch günstige
Keimbildungsstellen anorganischer Schichtablagerungen. Tritt Schichtablagerung
anschließend
um solche Keimbildungsstellen auf, werden die Eigenschaften der
umgebenden Schnittstelle Metall/Elektrolyt notwendigerweise dynamisch
verändert.
Mit Verdicken der Ablagerung wird die Antwort der Schnittstelle
Metall/Elektrolyt weiter verändert.
Somit ist es in derartigen Schichtablagerung begünstigenden Umgebungen zwangsläufig eher
das Ablagerungsverhalten als das Korrosionsverhalten, das in kommerziellen
und industriellen Umgebungen hauptsächlich Bedeutung hat.
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Bisherig
verwendete Verfahren zum Nachweisen der Gegenwart von Keimbildung
von Schichtablagerung und Ablagerung waren somit im Allgemeinen
darauf angewiesen, eine oder mehrere zusätzliche physikalische Änderungen,
die das Vorhandensein von Schichtablagerung anzeigen, zu messen,
wie beispielsweise Änderungen
in der Wärmetransferbeständigkeit
oder der Resonanzfrequenz von Piezokristallelementen. Dem Durchschnittsfachmann
wird jedoch bekannt sein, dass derartige Verfahren üblicherweise
die Entwicklung von Schichtablagerung nur langsam nachweisen können, insbesondere
unter den Beschränkungen
bestimmter industrieller Anwendungen, und dass bei diesen häufig Sensoren
verwendet werden, die zu mechanischen Schäden aufgrund der korrodierenden
Eigenschaften des Fluidmediums neigen.
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Als
Ergebnis eines derartigen mechanischen Schadens können die
meisten Sensoren aufgrund der unvermeidlichen Verschlechterung der
strukturellen Unversehrtheit der Vorrichtung und der Messempfindlichkeit
nicht fortgesetzt verwendet werden, und somit ist häufig wiederholtes
Testen und Kalibrieren der Sensoren erforderlich. Derartige Verfahren
und die zugeordneten Vorrichtungen weisen oft den Nachteil auf,
dass das gesamte Verarbeitungssystem oder mindestens Bestandteile
des Systems abgeschaltet werden müssen, damit das Testen und
Kalibrieren von Technikern durchgeführt werden kann.
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3. Ziel der
Erfindung
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Angesichts
des Vorgenannten ist es ein Hauptziel der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren vorzusehen, mit welchem kostengünstig eine Vielfalt zuverlässiger elektrochemischer
Antwort-Signale bezogen auf Keimbildung und Wachstum von Schichtablagerung
erhalten und bewertet werden können
mittels einer Vielzahl unabhängiger
korrosionsbeständiger
Sensoren, die in elektrischer Kommunikation mit einem von einem Mikroprozessor
geregeltem Instrument sind, so dass geeignete Vorgänge zum
Regeln und zur Inhibition von Schichtablagerungen initiiert werden
können,
wobei ein die Vorrichtung verwendendes System in Betrieb bleibt.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Anspruch 1. Es wird eine
Vorrichtung beschrieben zum Nachweisen des Beginns von elektrochemischer
Schichtablagerungs-Keimbildung
und dem zugehörigen Wachstum
von Schichtablagerung, wobei ein Sensor mit einer Anordnung von
drei Metallelektroden in Fluiden angeordnet wird, in denen Bedingungen
bestehen, die für
Schichtablagerungs-Keimbildung und -Ablagerung als günstig betrachtet
werden. Ein gegenwärtig
bevorzugtes Verfahren zur Durchführung
der Erfindung wird ebenfalls vorgesehen, wobei eine oder mehrere
einer Vielzahl elektrochemischer Messverfahren auf die Elektroden
der Vorrichtung angewendet werden, zum Beispiel elektrochemisches
Rauschen, linearer Polarisationswiderstand, Harmonic Distortion
Analyse, Intermodulation Distortion Analyse, elektrochemische Impedanz und/oder
Solution Resistance. Zugeordnete elektrochemische Eigenschaften
der Schnittstelle Sensor/Fluid werden dann während der Schichtablagerung
ständig überwacht
und können
verwendet werden, um anschließenden
Beginn weiterer Keimbildung und Ablagerung zu identifizieren. Das
Verfahren kann weiter verwendet werden, um das Hinzufügen von
Inhibitorformulierungen für
Schichtablagerungen, die nützlich
in der Milderung der Schichtablagerungsbildung sind, zu regeln und
das Fortschreiten des Entfernens der Schichtablagerungen auf geregelte
und vorhersagbare Weise zu überwachen,
wobei das Fluid-Transportsystem oder Ähnliches eingeschaltet bleibt.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGSFIGUREN
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1 ist
eine schematische Zeichnung einer in einem mit Flansch versehenem
Gehäuse
untergebrachten Drei-Sensor-Anordnung;
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2 ist
eine schematische Zeichnung einer Sensor-Anordnung in elektrischer
Kommunikation mit elektrochemischen Instrumenten, Software, Regelungsausgängen und
Schichtablagerungs-Inhibitor-Regelungen;
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3 ist
eine graphische Darstellung einer üblichen Strom-Rausch-Signal-Analyse
von Strom-Kurtosis während
Schichtablagerungs-Keimbildung als Funktion der Zeit gemäß einem
weiteren Gegenstand der Erfindung;
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4 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Potential-Rausch-Signals
von Potential-Kurtosis als Funktion der Zeit gemäß einem weiteren Gegenstand
der Erfindung;
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5 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Strom-Rausch-Signals
von Strom-Skew als Funktion der Zeit gemäß einem weiteren Gegenstand
der Erfindung;
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6 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Potential-Rausch-Signals
von Potential-Skew als Funktion der Zeit gemäß einem weiteren Gegenstand
der Erfindung;
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7 ist
eine graphische Darstellung einer üblichen Entwicklung von elektrochemischer
Rauschbeständigkeit
während
Keimbildung und Wachstum als Funktion der Zeit gemäß einem
weiteren Gegenstand der Erfindung;
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8 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Druckabfalls aufgrund
von Bildung von Schichtablagerung in einem Mikrodurchmesser-Rohr
gemäß einem
weiteren Gegenstand der Erfindung;
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9 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Potential-Rausch-Signals
von Potential-Skew während
Schichtablagerungs-Keimbildungswachstum und -Entfernung als Funktion
der Zeit gemäß einem weiteren
Gegenstand der Erfindung;
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10 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Potential-Rausch-Signals
von Potential-Kurtosis während
Schichtablagerungs-Keimbildungswachstum und -Entfernung als Funktion
der Zeit gemäß einem weiteren
Gegenstand der Erfindung;
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11 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Strom-Rausch-Signals
von Strom-Skew während
Schichtablagerungs-Keimbildungswachstum und -Entfernung als Funktion
der Zeit gemäß einem
weiteren Gegenstand der Erfindung; und
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12 ist
eine graphische Darstellung eines üblichen Strom-Rausch-Signals
von Strom-Kurtosis während
Schichtablagerungs-Keimbildungswachstum und -Entfernung als Funktion
der Zeit gemäß einem
weiteren Gegenstand der Erfindung.
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GENAUE BESCHREIBUNG DER
ERFINDUNG
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Unter
Bezugnahme auf 1 wird nun eine Vorrichtung
zum elektrochemischen Nachweisen und Regeln von anorganischer Schichtablagerung
vorgesehen mit einer Sensor-Anordnung 101, 102 und 103,
wobei die Vorrichtung geeignet ist zur Verwendung entweder direkt
innerhalb einer Fluidflussleitung oder in einer Seitenstromschleife.
Wie dargestellt, sind die Sensoren 101–103 im Wesentlichen
elektrisch isolierte Sektionen aus elektrochemischem Sensor-Material,
zum Beispiel Edelstahl, die in einem mit Flansch versehenen Sensorkörper untergebracht
sind und in separater elektrischer Kommunikation mit einer elektrochemischen Überwachungsvorrichtung
(nicht dargestellt) sind.
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Elektrische
Isolierung zwischen den Sensoren 101–103 wird durch eine
Vielzahl von Dichtungen 104–107 erhalten, wobei
dem Durchschnittsfachmann bekannt ist, dass diese aus jedem geeigneten
dielektrischen Isoliermaterial, zum Beispiel PTFE, PVDF oder einem
anderen ähnlichen
Material, gebildet sein können. Der
mit einem Flansch versehene Sensorkörper wird entweder um oder
entlang dem Fluidflussstrom durch ein Fließrohr 110 angeordnet.
Das Fluid 108 fließt
durch das Fließrohr 110,
sobald es von dem Fluidtransportsystem oder Ähnlichem (nicht dargestellt)
erzeugt wird, und elektrochemische Schichtablagerung 109 wird
auf der Innenseite des Rohrs 110 und auf den Sensoren 101–103 gebildet.
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Unter
Bezugnahme auf 2 wird nun die in dem mit Flansch
versehenen Sensorkörper 201 untergebrachte
Sensor-Anordnung in elektrischer Kommunikation mit einer elektrochemischen
Instrumenteinheit 202 verbunden. Die von den Sensoren 101–103 als
Reaktion auf Schichtablagerungs-Keimbildung und -Ablagerung erzeugten
elektrochemischen Antworten werden von der elektrochemischen Instrumenteinheit 202 gemessen
und analysiert, die Ausgaben der Einheit 202 werden dann
weiter von dem Software-Analysator 203 analysiert. Dann
sendet Software-Analysator 203 ein geeignetes Analyse-Signal
an den Ausgabe-Regler 204, welcher ein Regler-Ausgabe-Signal
sendet, das geeignet ist, eine Schichtablagerungs-Inhibitor-Regelmaßnahme durch
den Schichtablagerungs-Inhibitor-Regler 205 durchzuführen.
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Gemäß einem
Gegenstand der Erfindung, wenn die Sensor-Anordnung 101–103 aus
einem Material gebildet ist, das aufgrund seiner hohen Beständigkeit
gegen Korrosion in einer gegebenen Anwendung gewählt wurde, wird dem Durchschnittfachmann
offenbar sein, dass elektrochemische Antworten bezüglich Bildung
von Schichtablagerung, die von der Sensor-Anordnung erzeugt werden,
durch korrosionsbezogene Wirkungen nicht wesentlich vermischt, verstärkt oder
verfälscht
sind, und somit jede Keimbildung und Ablagerungswachstum von Schichtablagerung
durch elektrochemische Mittel nachgewiesen und überwacht werden können. In
einem besonders bevorzugten Gegenstand der Erfindung wird die Sensor-Anordnung 101–103 aus einem
Material gebildet, das bei gegebener Anwendung ausreichend beständig gegen
Korrosion ist, um eine Korrosionsrate von gleich oder weniger als
0,01 mm pro Jahr (0,4 mils pro Jahr) zu ermöglichen.
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Wie
unter Bezug auf das Nachweisen von Keimbildung und Ablagerungswachstum
von Schichtablagerung im Allgemeinen erwähnt, ist es wichtig, die Wirkungen
von Nebenvorgängen
in der Umgebung des Sensors 201, wie beispielsweise Korrosion,
die die Genauigkeit jedes von dem Sensor an die elektrochemische
Instrumenteinheit 202 gesendeten elektrochemischen Antwortsignals
negativ beeinflussen können,
zu minimieren. Aus praktischen Gründen wird das Sensor-Material
nach minimalen Korrosionseigenschaften hinsichtlich der Schichtablagerung
bildenden Fluide von besonderem Interesse gewählt, zum Beispiel 316L Edelstahl
oder Ähnliches,
für viele
herkömmliche
industrielle Anwendungen.
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Elektrochemische
Vorgänge
der Keimbildung und Ablagerung von Schichtablagerung treten deshalb an
der hochenergetischen Grenzschnittstelle von Edelstahl und dem durchfließenden Schichtablagerung
bildenden Fluid (die elektrochemische Doppelschicht) auf. Die elektrochemische
Doppelschicht bildet wirksam einen Elektrolytkondensator mit einer üblichen
Kapazität
zwischen 10 und 100 Mikrofarad pro Quadratzentimeter. Die Kapazität wird gebildet
durch Adsorption von Wassermolekülen,
Dipolen und Ionen in der elektrochemischen Doppelschicht an der
Phasengrenze Metall/Lösung.
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Wenn
Keimbildung von Schichtablagerung auf der Metalloberfläche auftritt,
treten feine Veränderungen
in der Kapazität
der Doppelschicht auf, wenn die an der Metalloberfläche adsorbierten
Ionen anfangen, Niederschläge
zu bilden. Diese Veränderungen
werden als charakteristische Antworten in den elektrochemischen
Rausch-Signalen sowohl von Strom- als
auch von Potential-Signalen beobachtet.
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Um
die elektrochemischen Antworten besser charakterisieren zu können, umfasst
die Analyse das Berechnen einer Anzahl von Faktoren bezüglich Signalstörungen,
insbesondere Kurtosis und Skew der Potential- und Strom-Signale,
wobei diese Faktoren besonders sensitiv für die in der Doppelschicht
auftretenden elektrochemischen Änderungen
sind.
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Wie
erwähnt,
weist der Sensor optimal drei ungefähr identische Elektroden aus
Material auf, das dafür bekannt
ist, in den Schichtablagerung bildenden Fluiden von Interesse minimal
zu korrodieren, zum Beispiel 316L Edelstahl. Die Elektroden 101–103 (hier
unter erneuter Bezugnahme auf 1), welche
voneinander durch Dichtungen 104–107 elektrisch isoliert
werden, sind den erzeugten Fluiden ständig ausgesetzt.
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Elektrochemische
Messungen der Antworten der Elektroden auf die Fluidumgebung werden
ständig von
der elektrochemischen Instrumenteinheit 202 durchgeführt und
weisen im Allgemeinen eine oder mehrere der folgenden Arten von
Messungen auf elektrochemisches Rauschen, linearen Polarisationswiderstand,
Harmonic Distortion Analyse, Intermodulation Distortion Analyse,
Solution Resistance und elektrochemische Impedanz.
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Elektrochemisches
Rauschen ist ein Fachbegriff, der verwendet wird, um natürlich auftretende
Strom- und Potential-Signale zu beschreiben. Potential-Rauschen
betrifft spontane Fluktuationen in dem Potential des offenen Stromkreises
der einer Fluidumgebung ausgesetzten Elektroden, und kann unter
Verwendung einer Referenz-Elektrode
gemessen werden, um die Änderungen
in der fühlenden
Elektrode zu überwachen;
alternativ können
diese zwischen zwei fühlenden
Elektroden gemessen werden. Strom-Rauschen betrifft Fluktuationen
im Strom, die von zwei identischen fühlenden Elektroden, die elektrisch
miteinander durch ein Nullwiderstand-Amperemeter oder eine ähnliche
Vorrichtung miteinander verbunden sind, beobachtet werden. Üblicherweise
werden elektrochemisches Strom- und Potential-Rauschen gleichzeitig
gemessen.
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Linearer
Polarisationswiderstand ist eine Messung des Widerstands der elektrochemischen
Schnittstelle, die üblicherweise
durchgeführt
wird, indem ein geringer Störeinfluss
von ungefähr
10 bis 30 Millivolt auf die fühlende(n)
Elektrode(n) angelegt wird. Die Strom-Antwort wird gemessen, und der Widerstand
(d.h. das Verhältnis
der angelegten Spannung zu dem gemessenen Strom) wird bewertet.
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Harmonic
Distortion Analyse umfasst Anlegen eines Störeinflusses mit Niedrigfrequenz-Sinuspotential einer
bekannten Frequenz auf die fühlende(n)
Elektrode(n) und Messen der phasengleichen Strom-Antwort bei der
gleichen Frequenz. Verzerrung (distortion) tritt aufgrund von Nicht-Linearitäten in der
elektrochemischen Antwort auf und ist üblicherweise durch Erzeugen
von Oberschwingungen (Harmonischen) der doppelten oder dreifachen
Frequenz des angelegten Signals gekennzeichnet.
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Intermodulation
Distortion Analyse ist ähnlich
zur Harmonic Distortion Analyse, wobei das angelegte Signal aus
zwei Sinuskurven zusammengesetzt ist und das Signal bezüglich Intermodulationsprodukten
analysiert wird.
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Solution
Resistance wird gemessen, indem ein hochfrequentes Potential-Signal,
zum Beispiel größer als
2 Kilohertz, angelegt wird und dann die Strom-Antwort gemessen wird.
Die Solution Resistance ist das Verhältnis der Amplitude des angelegten
Potential-Signals zu der gemessenen Strom-Antwort.
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Elektrochemische
Impedanz kennzeichnet die Impedanz der Schnittstelle Sensor/Elektrolyt über einen
breiten Bereich von Frequenzen, üblicherweise
zwischen beispielsweise 10 Millihertz und 20 Kilohertz.
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Um
Bildung von Schichtablagerung in den Fluiden von Interesse nachzuweisen,
ist es von Bedeutung, über
eine ständige
Messung und eine Ausgabe über
das Fortschreiten der Schichtablagerung zu verfügen, so dass Schichtablagerung-Inhibitorbehandlungen
auf zeitgünstige
und effektive Weise durchgeführt
werden können.
Um dieses Ziel zu erreichen, überwacht
die Instrumenteinheit 202 ständig die Sensoren 101–103 unter Verwendung
einer Kombination der oben beschriebenen Verfahren, aber insbesondere
einer Kombination aus elektrochemischem Rauschen, linearem Polarisationswiderstand,
Harmonic Distortion Analyse und Solution Resistance. Die Instrumenteinheit 202 gibt
Daten aus, die das Fortschreiten der Schichtablagerung betreffen (insbesondere
Ableitungen der Messungen elektrochemischen Rauschens), mit zusätzlichen
Ausgaben der anderen elektrochemischen Verfahren.
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Unter
Bezugnahme auf 3 stellt nun ein Graph übliche Antworten
der Strom-Rausch-Signal-Analyse
von Strom-Kurtosis während
der Keimbildung von Schichtablagerung dar, wobei bei Fortschreiten
der Keimbildung von Schichtablagerung starke Steigungen in dem Wert
aufgezeigt werden. Geeignete Chemikalien für Schichtablagerung bildende
Fluide sind in Tabellen 1 und 2 unten dargestellt, wobei Tabelle
1 eine übliche
Chemikalie für
eine zur Carbonat-Schichtablagerungsbildung neigende Bildung darstellt
und Tabelle 2 die Zusammensetzung der beiden für die Tests verwendeten Wasser-Chemikalien
darstellt, welche, wenn sie gemischt werden, innerhalb einer Zeitspanne
von fünf
Minuten zu einer Bildung von Carbonat-Schichtablagerung führen würden. Die
Zeitskala in 3 ist in Minuten.
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4 zeigt
die übliche
Antwort auf das Potential-Rausch-Signal von Potential-Kurtosis während der gleichen
Zeitspanne wie die Strom-Rausch-Analyse aus 3, wobei
bei Fortschreiten der Keimbildung von Schichtablagerung eine starke
Steigung in dem Wert aufgezeigt wird. Die Zeitskala ist ebenfalls
in Minuten.
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5 zeigt
die Antwort auf das Strom-Rausch-Signal von Strom-Skew während der
gleichen Zeitspanne wie in 3, wobei
die Änderungen
aufgrund von Keimbildung und Wachstum von Schichtablagerung aufgezeigt
werden. Die Zeitskala ist in Minuten.
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6 zeigt
die übliche
Antwort auf das Potential-Rausch-Signal von Potential-Skew während der
gleichen Zeitspanne wie in 3, wobei Änderungen
aufgrund von Keimbildung von Schichtablagerung aufgezeigt werden.
Die Zeitskala ist ebenfalls in Minuten.
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7 zeigt
die Entwicklung von elektrochemischem Rauschwiderstand während der
Keimbildung und dem Wachstum von Schichtablagerung während der
gleichen Zeitspanne wie in 3. Die Zeitskala
ist in Minuten.
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8 zeigt
den Druckabfall aufgrund von Bildung von Schichtablagerung in dem
Mikrodurchmesser-Rohr. Geeignete Schichtablagerung bildende Fluid-Chemikalien
sind unmittelbar nachstehend in Tabellen 3 und 4 dargestellt, wobei
Tabelle 3 übliche
Chemikalien für
Bildungs- und Satelliten-Wasser darstellt, die, wenn sie gemischt
werden, zur Bildung von Bariumsulfat-Schichtablagerungen führen werden,
und Tabelle 4 stellt die Zusammensetzungen für die zwei Wasserchemikalien
dar, die für
Sulfat-Schichtablagerung bildende Tests verwendet werden. Die Zeitskala
in 8 ist ebenfalls in Minuten.
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9 stellt
die übliche
Antwort auf das Potential-Rausch-Signal von Potential-Skew während Wachstum
und Entfernen von Schichtablagerungs-Keimbildung über die
gleiche Zeitspanne wie in 8 dar. Die Zeitskala
ist in Minuten.
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10 stellt
die übliche
Antwort auf das Potential-Rausch-Signal von Potential-Kurtosis während Wachstum
und Entfernen von Schichtablagerungs-Keimbildung über die
gleiche Zeitspanne wie in 8 dar. Die
Zeitskala ist ebenfalls in Minuten.
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11 stellt
die übliche
Antwort auf das Strom-Rausch-Signal von Strom-Skew während Wachstum und
Entfernen von Schichtablagerungs-Keimbildung über die gleiche Zeitspanne
wie in 8 dar. Die Zeitskala ist erneut in Minuten.
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Schließlich stellt 12 die übliche Antwort
auf das Strom-Rausch-Signal von Strom-Kurtosis während Wachstum und Entfernen
von Schichtablagerungs-Keimbildung über die gleiche Zeitspanne
wie in 8 dar. Die Zeitskala ist in Minuten.
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Die
vorgenannte Beschreibung wird nur zu Darstellungszwecken gegeben
und es ist nicht beabsichtigt, alle möglichen Gegenstände der
Erfindung zu beschreiben. Des Weiteren wird dem Durchschnittsfachmann
offenbar sein, dass, obwohl die Erfindung genau unter Bezugnahme
auf mehrere beispielhafte Ausführungsformen
dargestellt und beschrieben wurde, kleinere Änderungen zu der Beschreibung
und vielfältige
andere Modifikationen, Weglassungen und Hinzufügungen ebenfalls vorgenommen
werden können,
ohne von dem Schutzbereich der Ansprüche abzuweichen. Nachdem hier
die allgemeine Art und Eigenschaften der Erfindung beschrieben wurde,
wird beansprucht: