DE602005001826T2

DE602005001826T2 - RC Vorrichtungen, organische dielektrische Laminate und Leiterplatten dergleichen Vorrichtungen umfassend, und Verfahren um diese herzustellen

Info

Publication number: DE602005001826T2
Application number: DE602005001826T
Authority: DE
Inventors: William J. Cary Borland; Sidney G. Durham Cox; David Ross Apex McGregor
Original assignee: EI Du Pont de Nemours and Co
Current assignee: EIDP Inc
Priority date: 2004-10-18
Filing date: 2005-09-26
Publication date: 2008-04-24
Anticipated expiration: 2025-09-27
Also published as: JP2006121086A; US20080297274A1; CN1783379A; US7430128B2; TW200635454A; US20060082980A1; DE602005001826D1; KR20060054031A; EP1651017B1; EP1651017A2; EP1651017A3; TWI402008B; KR100677787B1; US7813141B2

Description

Hintergrund:
Das technische Gebiet betrifft Vorrichtungen, die sowohl eine kapazitive als auch eine widerstandsbehaftete Funktion haben, und Verfahren zum Inkorporieren derartiger Vorrichtungen in organische dielektrische Laminate und Leiterplatten.
Kondensatoren und Widerstände können in Reihe zum Übertragungsleitungs-Abschluss von Signalverläufen, die sich zwischen Vorrichtungen integrierter Schaltungen (IC) erstrecken, verwendet werden. Die Kondensatoren und Widerstände werden verwendet, um die Impedanz einer IC-Vorrichtung an eine Leitung anzupassen oder um Signalreflexionen zu reduzieren oder zu eliminieren. Einige Schaltungen sind kontinuierlich belastet und verwenden einen Widerstand parallel zur Leitung. Schaltungen ohne kontinuierliche Belastungen haben einen Widerstand und einen Kondensator in Reihe und sind nützlich für ICs mit niedriger Leistung. 1 zeigt schematisch einen Abschluss ohne kontinuierliche Belastung der IC-Vorrichtungen 10 und 20.
In 1 ist die Entfernung von a zu b normalerweise kurz. Der Wert des Widerstands R wird so ausgewählt, dass er der Leitungsimpedanz entspricht, und beträgt gewöhnlich etwa 45-80 Ohm. Der Wert des Kondensators C wird so ausgewählt, dass die RC-Zeitkonstante des Widerstands R und des Kondensators C in Reihe größer als die Anstiegszeit eines Signals und kleiner als die Gesamtzeit des Signalimpulses ist. Typische Kapazitätswerte liegen in der Größenordnung von 30 Pikofarad.
Konventionelle RC-Abschlüsse werden gewöhnlich aus einem Widerstand und Kondensator in Oberflächenmontage-Technologie (SMT) konstruiert. 2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Teils einer Leiterplatte 25 mit einem SMT-Widerstand 40 und einem SMT-Kondensator 50, die mit einer IC-Vorrichtung 30 verbunden sind, um einen konventionellen SMT-RC-Übertragungsleitungsabschluss für die IC 30 zu bilden. Die Signalleitung, die das Signal zur IC 30 führt, ist mit einer Schaltungsspur verbunden, die die IC-Vorrichtung 30 mit dem Widerstand 40 verbindet. Der Kondensator 50 ist durch ein Paar von Lötaugen 52 und Lötverbindungen 58 an eine Schaltungsspur 70 gekoppelt. Der Widerstand 40 ist durch ein Lötauge 42 und eine Lötverbindung 48 an die Schaltungsspur 70 gekoppelt. Der Kondensator 50 ist durch das andere Lötauge 58 und eine Schaltungsspur 59 an ein Durchgangsloch 80 gekoppelt. Diese Anordnung ordnet den Widerstand 40 und den Kondensator 50 in Reihe mit der Signalleitung an und ist durch ein durchkontaktiertes Durchgangsloch 80 mit Masse verbunden. Dieses konventionelle Oberflächenmontage-Konzept erfordert die Verwendung von wertvoller Flache auf der Oberfläche. Weiterhin reduziert das Erfordernis von Lötverbindungen die Zuverlässigkeit und erhöht die Herstellungskosten.
US 6278356 offenbart einen Widerstand und einen Kondensator, die eine gut leitende Materialschicht, eine dielektrische Materialschicht, eine Kupferschicht und eine Widerstandsschicht bilden.
EP 0836229 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines flexiblen Verbindungsfilms, das enthält, eine Widerstandsschicht über einer oder beide Oberflächen eines dielektrischen Films anzuordnen; eine Metallisierungsschicht über der Widerstandsschicht anzuordnen, wobei die Widerstandsschicht ein Material enthält, das Anhaften des dielektrischen Films und der Metallisierungsschicht erleichtert; eine dielektrische Kondensatorschicht über der Metallisierungsschicht anzuordnen; und eine Kondensator-Elektrodenschicht über der dielektrischen Kondensatorschicht anzuordnen. Die Kondensator-Elektrodenschicht ist strukturiert, um eine erste Kondensatorelektrode zu bilden; die dielektrische Kondensatorschicht ist strukturiert; die Metallisierungsschicht ist strukturiert, um einen Widerstand zu bilden; und die Metallisierungsschicht und die Widerstandsschicht sind strukturiert, um einen Induktor und eine zweite Kondensatorelektrode zu bilden.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Nach einem ersten Aspekt der Erfindung wird eine kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur bereitgestellt, die Folgendes umfasst:
eine erste Elektrode, gebildet aus einer ersten metallischen Folie;
eine erste dielektrische Schicht, angeordnet über der ersten Elektrode;
eine zweite dielektrische Schicht;
eine widerstandsbehaftete Schicht, gebildet auf und angrenzend an der zweiten dielektrischen Schicht;
eine zweite Elektrode, gebildet aus einer zweiten metallischen Folie und angeordnet über der dielektrischen Schicht und in elektrischem Kontakt mit der widerstandsbehafteten Schicht;
eine leitende Spur, gebildet aus der zweiten metallischen Folie und in elektrischem Kontakt mit der widerstandsbehafteten Schicht;
wobei die erste Elektrode und die erste dielektrische Schicht eine erste Struktur bilden und die zweite Elektrode, die widerstandsbehaftete Schicht und die zweite dielektrische Schicht eine zweite Struktur bilden, wobei die ersten und zweiten Strukturen durch Verbinden der ersten und zweiten dielektrischen Schichten zusammen laminiert werden und dadurch die kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur bilden, wobei die Laminierung ein Dielektrikum aus den ersten und zweiten dielektrischen Schichten bildet;
wobei das Dielektrikum zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist und wobei das Dielektrikum ein ungefülltes Polymer einer dielektrischen Konstante kleiner als 4,0 umfasst und wobei die widerstandsbehaftete Schicht zwischen dem Dielektrikum und der zweiten Elektrode angeordnet ist.
Nach dem obigen Aspekt der Erfindung können sowohl die Widerstands- als auch die Kondensatorfunktionen in ein einzelnes vergrabenes Laminat integriert werden, wodurch die Kosten und Schwierigkeiten beim Schaffen der Widerstands- und Kondensatorfunktionen reduziert werden. Wenn die kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtung in eine Leiterplatte inkorporiert wird, wird durch Einbetten des kapazitiven/widerstandsbehafteten Laminats zusätzliche wertvolle Flache freigegeben. Weiterhin können Lötverbindungen, die mit SMT-Vorrichtungen assoziiert sind, eliminiert werden, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird. Die kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtung kann unter Verwendung konventioneller Ätzprozesse verarbeitet werden, wodurch die Herstellungskosten weiter reduziert werden.
Nach einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Laminatstruktur bereitgestellt, wie in Anspruch 9 definiert.
Fachleute im Fachgebiet werden nach dem Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung der Ausführungsformen die oben angeführten Vorteile und andere Vorteile und Nutzen von verschiedenen zusätzlichen Ausführungsformen der Erfindung erkennen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die folgenden Zeichnungen, wobei sich gleiche Nummern auf gleiche Elemente beziehen und wobei:
1 eine schematische Darstellung eines konventionellen (Stand der Technik) Abschlusses ohne kontinuierliche Belastung mit einem Widerstand und Kondensator in Reihe zeigt.
2 eine Querschnittsansicht einer Leiterplatte mit einem konventionellen (Stand der Technik) SMT-RC-Übertragungsleitungsabschluss für eine integrierte Schaltungsvorrichtung zeigt.
3 eine Schnittansicht eines Teils einer Leiterplatte mit einer eingebetteten kapazitiven/widerstandsbehafteten Vorrichtung zeigt.
4A-4F ein Verfahren zur Herstellung einer Laminatstruktur, die die in 3 dargestellte kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtung enthält, zeigen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtungen, die in dem Substrat einer Leiterplatte (PWB) vergraben sein können. Durch Bereitstellung der kapazitiven und widerstandsbehafteten Funktionen in dem PWB-Substrat wird wertvolle Fläche auf der Oberfläche der Leiterplatte eingespart. Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erfordern außerdem weniger Lötverbindungen als konventionelle SMT-Abschlussanordnungen.
3 zeigt eine Schnittansicht eines Teils einer Leiterplatte 2000. Der Leiterplattenabschnitt 2000 enthält einen RC-Übertragungsleitungsabschluss, in dem die Widerstandsfunktion und die Kondensatorfunktion in einer einzelnen kapazitiven/widerstandsbehafteten Vorrichtung 200 integriert sind. Die Vorrichtung 200 umfasst eine untere Elektrode 210, ein Dielektrikum 220, ein Widerstandselement 230, eine obere Elektrode oder obere Platte 240 und eine leitende Spur 245. Die Vorrichtung 200 stellt eine widerstandsbehaftete und eine kapazitive Funktion in einer einzelnen Laminatstruktur bereit, die allgemein durch die Klammer 201 gekennzeichnet ist. Die Vorrichtung 200 ist durch die leitende Schaltungsspur 245, ein durchkontaktiertes Durchgangsloch 250, das sich durch eine dielektrische Schicht 280 erstreckt, und eine leitende Schaltungsspur 260 an eine IC-Vorrichtung 270 gekoppelt. Die IC-Vorrichtung 270 kann durch ein Lötauge 272 und eine Lötverbindung 274 mit der leitenden Schaltungsspur 260 verbunden sein. Eine leitende Schaltungsspur 211 kann sich zur Verbindung mit anderen Schaltungen von der unteren Elektrode 210 erstrecken.
4A-4F zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Laminats, das die Vorrichtung 200 enthält. 4A zeigt eine Schnittansicht als Vorderansicht einer ersten Herstellungsstufe, in der erste und zweite metallische Folien 212, 242 bereitgestellt werden. Die zweite metallische Folie 242 wird mit einer Schicht Widerstandsmaterial 232 bereitgestellt. Das Widerstandsmaterial 232 kann beispielsweise NiP, CrSi, NiCr oder andere elektrisch widerstandsbehaftete Materialien sein, die über die Oberfläche der zweiten metallischen Schicht 242 plattiert oder aufgesprüht werden können. Die ersten und zweiten metallischen Folien 212, 242 können aus beispielsweise Kupfer, auf Kupfer basierende Materialien oder anderen Metallen hergestellt werden.
Eine Polymerlösung kann auf die erste Folie 212 gegossen oder aufgetragen und gehärtet werden, um eine erste dielektrische Schicht 222 zu bilden. Eine ähnliche zweite dielektrische Schicht 226 kann in einer ähnlichen Weise auf der zweiten Folie 242 über der Oberfläche der Schicht des Widerstandsmaterials 232 gebildet werden. Die Polymerlösung kann aus beispielsweise Epoxid, Polyimid oder anderen Harzen in einem geeigneten Lösungsmittel gebildet werden.
Eine dünne haftende Schicht 227 kann auf eine oder beide Oberflächen von einer der dielektrischen Schichten 222, 226 aufgetragen werden (in 4A auf der Schicht 222 dargestellt). Die haftende Schicht 227 kann aus beispielsweise einem thermoplastischen Polymer gebildet werden. Die zwei Strukturen werden dann in der Richtung der in 4A dargestellten Pfeile zusammenlaminiert.
Bezug nehmend auf 4B, bildet die Laminierung ein einzelnes Dielektrikum 220 aus den Schichten 222, 226 und 227. Die haftende Schicht 227 erleichtert das Verbinden der dielektrischen Schichten 222 und 226 während des Laminierungsprozesses. Auf die haftende Schicht 227 kann jedoch verzichtet werden, wenn die dielektrischen Schichten 222 und 226 vor der Laminierung nur teilweise ausgehärtet werden oder von einer thermoplastischen Beschaffenheit sind, so dass eine geeignete Temperatur und ein geeigneter Druck nach der Laminierung das Harz ausreichend erweichen, so dass die Schichten 224 und 226 ohne Klebemittel verkleben.
Ein Photoresist (nicht in 4B dargestellt) wird auf die Folie 212 aufgetragen und der Photoresist wird belichtet und entwickelt. Die Folie 212 wird dann geätzt und der verbleibende Photoresist wird dann unter Verwendung von standardmäßigen Leiterplatten-Verarbeitungsbedingungen entfernt. 4C zeigt eine untere Ausschnittsansicht des resultierenden Teils entlang der Linie 4C-4C in 4D. Bezug nehmend auf 4C, erzeugt das Ätzen die untere Elektrode 210 der Vorrichtung 200 und die leitende Schaltungsspur 211.
4D zeigt eine Ausschnittsansicht von vorne entlang der Linie 4D-4D in 4C. Bezug nehmend auf 4D, wird die Seite der unteren Elektrode 210 des resultierenden Teils an ein Laminatmaterial 282 laminiert. Die Laminierung kann beispielsweise unter Verwendung von FR4-Prepreg oder anderen Prepregs in standardmäßigen Leiterplattenprozessen durchgeführt werden.
Ein Photoresist (nicht in 4D dargestellt) wird auf die Folie 242 aufgetragen und der Photoresist wird belichtet und entwickelt. Die Folie 242 wird geätzt, dann wird die Widerstandsschicht 232 geätzt und der verbleibende Photoresist wird entfernt. 4E zeigt eine obere Ausschnittsansicht des resultierenden Teils entlang der Linie 4E-4E in 4F. Bezug nehmend auf 4E und 4F, erzeugt das Ätzen die obere Elektrode 240 der Vorrichtung 200 und die leitende Schaltungsspur 245. Durch Ätzen werden die Folie 242 und die Widerstandsschcht 232 belichtet.
Ein Photoresist (nicht in 4E und 4F dargestellt) kann auf die belichtete Folie und den belichteten Widerstand aufgetragen werden. Der Photoresist wird belichtet und entwickelt und die Folie 242 wird dann unter Verwendung von Ätzlösungen, die die Folie entfernen, aber nicht das Widerstandsmaterial, geätzt. Der verbleibende Photoresist wird dann entfernt. Auf diese Weise kann die Schicht von Widerstandsmaterial 232 selektiv belichtet werden, um ein Widerstandselement 230 zu bilden, das jede gewünschte Form und Abmessung hat. Das resultierende Widerstandselement 230 überbrückt die Lücke 248 und erstreckt sich zwischen dem oberen Leiter 240 und der leitenden Spur 245.
Bezug nehmend auf 4F, wird eine dielektrische Schicht 280 an die Komponentenseite der dielektrischen Schicht 282 laminiert, wodurch eine Laminatstruktur 201 gebildet wird. Die Laminatstruktur 201 kann dann unter Verwendung von konventionellen Laminierungs- und Durchgangsloch-Bildungsprozessen in beispielsweise eine Leiterplatte inkorporiert werden.
Beispiel:
Dieses Beispiel der Vorrichtung 200 wird unter Bezugnahme auf 3 diskutiert. In diesem Beispiel werden die Elektroden 210, 240 aus Kupferfolien gebildet. Das widerstandsbehaftete Material 230 ist eine plattierte Nickel-Phosphor-Legierung mit einem Flächenwiderstand von 50 Ohm pro Quadrat. Das Dielektrikum 220 ist ein ungefülltes Polyimid-Dielektrikum (INTERRA^TM HK 04, erhältlich von DuPont Electronic Technologies, Wilmington, DE) von 25 Mikrometern Dicke mit einer dielektrischen Konstanten von 3,5, wodurch sie eine Kapazitätsdichte von 800 Pikofarad pro Quadratzoll gibt.
Die Größe (gesehen aus einer Draufsichtperspektive) des Kondensators, die für einen Übertragungsleitungsabschluss von 30 Pikofarad erforderlich ist, beträgt 24,2 mm², was mit etwas weniger als 5 mm mal 5 mm korrespondiert.
Die Größe des Widerstands in diesem Beispiel für einen Nennwiderstand von 60 Ohm kann variiert werden, solange das Verhältnis von Länge zu Breite als 1,2 bis 1,0 beibehalten wird. Der obige Kondensator kann leicht für relativ hohe Toleranzen hergestellt werden.
Nach der obigen Ausführungsform können dünne Kondensator-Laminatstrukturen in Kombination mit Widerständen verwendet werden, um RC-Übertragungsleitungsabschlüsse effektiv zu vergraben. Durch Einbetten der Kondensator- und Widerstandsfunktionen werden wertvolle Fläche auf der Plattenoberfläche freigegeben und Lötverbindungen, die mit SMT-Vorrichtungen assoziiert sind, eliminiert, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird. Weiterhin können die Laminate, die Widerstand und Kapazität in dem Laminat kombinieren, unter Verwendung konventioneller Ätzprozesse verarbeitet werden, wodurch die Herstellungskosten reduziert werden.
Die obigen Ausführungsformen stellen außerdem anderen Optionen für Schaltungsdesigner und PWB-Hersteller bereit. Beispielsweise kann ein Teil Laminat verwendet werden, um viele diskrete Widerstände und viele diskrete Kondensatoren einzubetten, wodurch die Induktanz reduziert wird, die mit dem Verbinden von Widerständen und Kondensatoren assoziiert ist.
Die Formen der Kondensator-Ausführungsformen in der Draufsicht sind im Allgemeinen rechteckig. Die Kondensatorelektroden, Dielektrika und anderen Komponenten und Schichten können jedoch andere regelmäßige und unregelmäßige Oberflächenbereichsformen wie zum Beispiel runde, längliche oder polygonale Formen haben.
Eine einzelne kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtung 200 wird in den oben beschriebenen Laminatstrukturen 201 gebildet. Tafelstrukturen und Leiterplatten können jedoch eine große Zahl von individuellen kapazitiven/widerstandsbehafteten Vorrichtungen unterschiedlicher Art und Anordnung enthalten.
In den obigen Ausführungsformen werden Widerstand, Kapazität und Induktanz kombiniert, um eine spezifische Schaltungsimpedanz zu erzeugen, die normalerweise mit dem Großbuchstaben Z gekennzeichnet wird. Der Widerstand und die Kapazität können strukturiert werden, um ein spezifische Impedanz zu erreichen. Durch Ändern des Widerstands, der Kapazität oder beider wird die Induktanz geändert. Alle drei Veränderungen können gesteuert werden, um die endgültige Impedanz zu definieren. Anders ausgedrückt, ist die Impedanz des Laminats abstimmbar.
Die vorstehende Beschreibung der Erfindung veranschaulicht und beschreibt die vorliegende Erfindung. Zusätzlich zeigt und beschreibt die Offenlegung nur ausgewählte bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung, aber es versteht sich, dass die Erfindung geeignet ist, in verschiedenen anderen Kombinationen, Abwandlungen und Umgebungen verwendet zu werden, und für Änderungen und Abwandlungen im Rahmen des erfinderischen Konzepts, wie in den Patentansprüchen definiert, geeignet ist.
Die hierin oben beschriebenen Ausführungsformen sind weiterhin dazu vorgesehen, die besten bekannten Arten zur Ausführung der Erfindung zu erläutern und andere Fachleute im Fachgebiet in die Lage zu versetzen, die Erfindung in solchen oder anderen Ausführungsformen und mit den verschiedenen Abwandlungen, die durch die jeweiligen Anwendungen oder Verwendungen der Erfindung erforderlich sind, zu nutzen. Dementsprechend ist die Beschreibung nicht dazu vorgesehen, die Erfindung auf die hierin offenbarte Form zu beschränken.

Claims

Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur, umfassend: eine erste Elektrode (210), gebildet aus einer ersten metallischen Folie (212); eine erste dielektrische Schicht (222), angeordnet über der ersten Elektrode; eine zweite dielektrische Schicht (226); eine widerstandsbehaftete Schicht (232), gebildet auf und angrenzend an der zweiten dielektrischen Schicht; eine zweite Elektrode (240), gebildet aus einer zweiten metallischen Folie (242) und angeordnet über der dielektrischen Schicht und in elektrischem Kontakt mit der widerstandsbehafteten Schicht; eine leitende Spur (211), gebildet aus der zweiten metallischen Folie und in elektrischem Kontakt mit der widerstandsbehafteten Schicht; wobei die erste Elektrode und die erste dielektrische Schicht eine erste Struktur bilden und die zweite Elektrode, die widerstandsbehaftete Schicht und die zweite dielektrische Schicht eine zweite Struktur bilden, wobei die ersten und zweiten Strukturen durch Verbinden der ersten und zweiten dielektrischen Schichten zusammen laminiert werden und dadurch die kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur bilden, wobei die Laminierung ein Dielektrikum (280) aus den ersten und zweiten dielektrischen Schichten bildet; wobei das Dielektrikum zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist und wobei das Dielektrikum ein ungefülltes Polymer einer dielektrischen Konstante kleiner als 4,0 umfasst und wobei die widerstandsbehaftete Schicht zwischen dem Dielektrikum und der zweiten Elektrode angeordnet ist.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur nach Anspruch 1, wobei das ungefüllte Polymer ein Polyimid umfasst.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich die widerstandsbehaftete Schicht zwischen der zweiten Elektrode und der leitenden Spur erstreckt.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die ersten und zweiten dielektrischen Schichten durch Anwenden einer haftenden Schicht (227) an einer Oberfläche von einem der ersten und zweiten dielektrischen Schichten verbunden werden, wobei die Laminierung das Dielektrikum aus der haftenden Schicht und den ersten und zweiten dielektrischen Schichten bildet.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei sich die ersten und zweiten dielektrischen Schichten als ein Ergebnis davon verbinden, dass die ersten und zweiten dielektrischen Schichten vor der Laminierung nur teilweise ausgehärtet werden.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die ersten und zweiten dielektrischen Schichten von einer thermoplastischen Natur sind und bei einer geeigneten Temperatur und einem geeigneten Druck, um die Schichten ausreichend weichzumachen, so dass sie kleben, verbunden werden.
Kapazitive/widerstandsbehaftete Struktur nach einem der vorstehenden Ansprüche, eingebettet in mindestens zwei organische dielektrische Laminatschichten (280, 282), wobei die Laminatschichten und die kapazitive/widerstandsbehaftete Struktur eine Laminatstruktur (201) bilden.
Leiterplatte (2000), umfassend: mindestens eine Laminatstruktur (201) nach einem der vorstehenden Ansprüche; und mindestens eine IC-Vorrichtung, angeordnet auf einer oberen Oberfläche der Leiterplatte, wobei die IC-Vorrichtung (270) elektrisch an die kapazitive/widerstandsbehaftete Struktur gekoppelt ist.
Verfahren zum Herstellen einer kapazitiven/widerstandsbehafteten Laminatstruktur, umfassend: Bereitstellen erster und zweiter metallischer Folien (212, 242); und Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (222) über der ersten metallischen Folie (212); wobei die erste dielektrische Schicht und die erste metallische Folie eine erste Struktur bilden; Bilden einer widerstandsbehafteten Schicht (232) über der zweiten metallischen Folie (242); Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht (226) über der widerstandsbehafteten Schicht, wobei die widerstandsbehaftete Schicht, die zweite dielektrische Schicht und die zweite metallische Folie eine zweite Struktur bilden; Laminieren der ersten und zweiten Strukturen zusammen durch Verbinden der ersten und zweiten dielektrischen Schichten, wodurch die kapazitive/widerstandsbehaftete Laminatstruktur gebildet wird, wobei die Laminierung ein Dielektrikum (220) aus den ersten und zweiten dielektrischen Schichten bildet, wobei die widerstandsbehaftete Schicht an der dielektrischen Schicht angrenzend ist; Bilden einer ersten Elektrode (210) aus der ersten metallischen Folie; und Bilden einer zweiten Elektrode (240) und leitenden Spur (245) aus der zweiten metallischen Folie, wobei die zweite Elektrode und die leitende Spur über dem Dielektrikum angeordnet sind und in elektrischem Kontakt mit der widerstandsbehafteten Schicht sind, wobei das Dielektrikum zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist und wobei das Dielektrikum ein ungefülltes Polymer einer dielektrischen Konstante kleiner als 4,0 umfasst, wobei die widerstandsbehaftete Schicht zwischen dem Dielektrikum und der zweiten Elektrode angeordnet ist.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei die widerstandsbehaftete Schicht sich zwischen der zweiten Elektrode und der leitenden Spur erstreckt.
Verfahren zum Herstellen einer Laminatstruktur (201), umfassend: Einbetten von mindestens einer kapazitiven/widerstandsbehafteten Laminatstruktur, die durch das Verfahren nach Anspruch 9 oder 10 gebildet wurde, zwischen mindestens zwei organischen dielektrischen Laminatschichten (280, 282).
Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte (2000), umfassend: Bereitstellen von mindestens einer Laminatstruktur nach Anspruch 11; und Bereitstellen von mindestens einer IC-Vorrichtung (270), angeordnet auf einer oberen Oberfläche der Leiterplatte, wobei die IC-Vorrichtung elektrisch an die kapazitive/widerstandsbehaftete Vorrichtung gekoppelt ist.