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DE602004005007T2 - Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung Download PDF

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DE602004005007T2
DE602004005007T2 DE602004005007T DE602004005007T DE602004005007T2 DE 602004005007 T2 DE602004005007 T2 DE 602004005007T2 DE 602004005007 T DE602004005007 T DE 602004005007T DE 602004005007 T DE602004005007 T DE 602004005007T DE 602004005007 T2 DE602004005007 T2 DE 602004005007T2
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Germany
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dielectric layer
layer
recording medium
upper dielectric
less
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DE602004005007T
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Toru Shinagawa-ku ABIKO
Etsuro Shinagawa-ku IKEDA
Nobuaki Shinagawa-ku FURUICHI
Fuminori Shinagawa-ku TAKASE
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium und ein Verfahren zu seiner Herstellung, insbesondere ein solches Medium, das vorzugsweise für ein optisches Aufzeichnungsmedium verwendet werden kann, bei dem Laserlicht von einer Seite, auf der eine Schutzschicht zum Schutz eines Informationssignalbereichs positioniert ist, eingestrahlt wird, um das Informationssignal aufzuzeichnen und wiederzugeben.
  • HINTERGRUNDTECHNIK
  • Auf dem Gebiet der Informationsaufzeichnung wurden Studien und Entwicklungen optischer Informationsaufzeichnungssysteme auf verschiedene Weise vorangetrieben. Das optische Informationsaufzeichnungssystem weist mehrere Vorteile auf hinsichtlich (1) der Realisierung eines kontaktlosen Aufzeichnens und/oder Wiedergebens, (2) der Erzielung einer um mehr als eine Stelle höheren Aufzeichnungsdichte im Vergleich zu einem magnetischen Aufzeichnungssystem, (3) der Realisierung kostengünstigerer Dateien mit großer Kapazität usw. Somit wird ein breiter Anwendungsbereich von kommerziellen Nutzern bis hin zu Endverbrauchern berücksichtigt.
  • Optische Aufzeichnungsmedien, welche das optische Informationsaufzeichnungssystem verwenden, können in einen Nur-Lese-Typ, einen wiederbeschreibbaren Typ und einen einmal beschreibbaren Typ kategorisiert werden. Das optische Aufzeichnungsmedium vom Nur-Lese-Typ ist das derzeit beliebteste optische Aufzeichnungsmedium und als optisches Aufzeichnungsmedium können beispielsweise CD-DA (CD-Digital Audio), CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), DVD-ROM (Digital Versatile Disc-Read Only Memory) usw. aufgeführt werden.
  • Das optische Aufzeichnungsmedium vom wiederbeschreibbaren Typ stellt ein Aufzeichnungsmedium dar, in dem Information gelöscht und erneut geschrieben werden kann und dieses lässt sich in ein optisches magnetisches Aufzeichnungsmedium und ein Phasenänderungsaufzeichnungsme dium kategorisieren. Das optische magnetische Aufzeichnungsmedium stellt ein Aufzeichnungsmedium dar, das eine thermische magnetische Aufzeichnung und eine magneto-optische Wiedergabe nutzt und als optisches Aufzeichnungsmedium können z. B. MO (Magneto Optical) und MD (Mini Disc) angeführt werden. Andererseits stellt das Phasenänderungsaufzeichnungsmedium ein optisches Aufzeichnungsmedium dar, das eine strukturelle Phasenänderung zwischen kristallinen und amorphen Phasen nutzt und als optisches Aufzeichnungsmedium lassen sich z. B. eine CD-RW (Compact Disc ReWritable) und eine DVD-R (Digital Versatile Disc-Recordable) angeben.
  • Das optische Aufzeichnungsmedium vom einmal beschreibbaren Typ stellt ein optisches Aufzeichnungsmedium dar, das weder ein Löschen noch ein erneutes Schreiben von Information ermöglicht, jedoch anderswo ein Überschreiben möglich macht und als optisches Aufzeichnungsmedium lassen sich z. B. eine CD-R (Compact Disc Recordable) und eine DVD-R (Digital Verastile Disc-Recordable) angeben.
  • Darüber hinaus lässt sich das Aufzeichnungsmedium grob in einen Einzelplattentyp (z. B. CD, CD-R und CD-RW) und einen Stapeltyp (z. B. DVD-ROM, DVD-R und DVD-RW) einteilen.
  • Zunächst werden als Beispiele für Aufbauten eines optischen Aufzeichnungsmediums vom Einzelplattentyp Aufbauten der CD und CD-RW gezeigt. Die CD weist einen Aufbau auf, bei dem auf ein transparentes Substrat, auf dem ein konkaves Muster entsprechend einem Informationssignal ausgebildet ist, eine reflektierende Schicht aus Aluminium und eine Schutzschicht, welche die reflektierende Schicht vor Feuchtigkeit und Sauerstoff in Luft schützt, sequenziell ausgebildet werden.
  • Die CD-RW weist einen Aufbau auf, bei dem auf eine Hauptoberfläche eines transparenten Substrats, auf dem ein konkaves Muster aus Erhebungen und Vertiefungen ausgebildet ist, ein transparenter dielektrischer Film aus Siliziumnitrid, eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht aus einer Chalkogenverbindung, eine transparente dielektrische Schicht aus Siliziumnitrid und eine reflektierende Schicht aus Aluminium sequenziell gestapelt sind. Das Aufzeichnen/Wiedergeben eines Informationssignals wird durch Lichtbestrahlung von einer transparenten Substratseite aus auf eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht durchgeführt.
  • Nun wird als Beispiel eines Aufbaus eines optischen Aufzeichnungsmediums vom gestapelten Typ ein Aufbau der DVD-RW gezeigt. In 14 ist ein Aufbau der DVD-RW gezeigt. Wie in 14 dargestellt ist, weist eine DVD-RW einen Aufbau auf, bei dem ein Substrat 101, auf dessen einer Hauptoberfläche eine dielektrische Schicht 102, eine Aufzeichnungsschicht 103, eine dielektrische Schicht 104 und eine reflektierende Schicht 105 sequenziell gestapelt, sind sowie ein Substrat 111, auf dessen einer Hauptoberfläche eine reflektierende Schicht 112 gestapelt ist, über eine Haftvermittlungsschicht 120 miteinander verbunden sind.
  • In einer DVD mit einem derartigen Aufbau lässt sich bei Einsatz eines Halbleiterlasers, der Laserlicht einer Wellenlänge von 650 nm ausgibt, sowie eines mit einer Objektivlinse mit einer NA von 0.6 ausgestatteten optischen Systems eine Aufzeichnungskapazität von 4.7 GB realisieren, was im Wesentlichen dem Achtfachen der Aufzeichnungskapazität einer CD entspricht. Demnach wird die DVD zum Aufzeichnen von vielseitigen Daten wie Videos, Musik und Computerdaten genutzt.
  • Jedoch wird in den letzten Jahren ein optisches Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation vorgeschlagen, das eine noch größere Kapazität als das oben erwähnte existierende optische Aufzeichnungsmedium aufweist und Daten auf eine Oberfläche aufzeichnen kann, die gemäß dem NTSC (National Television System Committee)-System vier Stunden entsprechen (z.B. JP 09-109660, Seiten 2 bis 3).
  • Mit dem optischen Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation wird beabsichtigt, durch 4-stündiges Aufzeichnen und Wiedergeben in einem Videoplattenaufzeichnungsgerät für den Heimgebrauch eine Funktionalität in Form eines neuen Aufzeichnungsmediums anzugeben, das den derzeit am häufigsten genutzten Videobandrecorder (Video Tape Recorder) ersetzen kann.
  • Ebenso wird bei dem optischen Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation beabsichtigt, durch Aufrechterhalten der Form und Größe der digitalen Audioplatte, auf die Musik aufgezeichnet wird, ein Produkt anzugeben, das von Nutzern, die mit dem Komfort und der Handhabung der digitalen Audioplatte vertraut sind, einfach verwendet werden kann.
  • Ebenso wird bei dem optischen Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation durch Ausbilden desselben in Plattenform nicht nur ein schneller Zugang ermöglicht, was den größten Vorteil der Plattenform darstellt und ein kleines und handhabbares Aufzeichnungsmedium angibt, sondern es wird ebenso darüber nachgedacht, weitere Funktionen wie Sofort-Aufzeichnung und Wiedergabe, Trick-Wiedergabe und Edition zu berücksichtigen.
  • Um das obige optische Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation angeben zu können, ist es erforderlich, eine Kapazität von 8 GB oder mehr zu realisieren. In diesem Zusammenhang wird mit Hilfe eines Signalformats wie einem ECC(Error Correcting Code, Fehlerkorrektur-Code)- System oder einem in einem DVD System verbleibenden Modulationssystem untersucht, eine Speicherkapazität von 8 GB oder mehr sicherzustellen.
  • Gemäß den Untersuchungen ist es zur Realisierung der Aufzeichnungskapazität von 8 GB oder mehr erforderlich, dass die numerische Apertur NA und eine Wellenlänge λ von Laserlicht, das zum Aufzeichnen/Wiedergeben eines Informationssignals genutzt wird, die folgende Gleichung erfüllen. 4.7 × (0.65/0.60 × NA/λ)2 ≥ 8
  • Wird dies umgeschrieben, so ergibt sich NA/λ ≥ 1.20.
  • Um gemäß obiger Gleichung die Aufzeichnungskapazität von 8 GB oder mehr umzusetzen, ist es erforderlich, eine Wellenlänge des zum Aufzeichnen/Wiedergeben eines Informationssignals genutzten Laserlichts zu verkürzen und die NA (numerische Apertur) einer Objektivlinse zu vergrößern.
  • Wird jedoch eine Objektivlinse hinsichtlich der NA größer gestaltet, wird eine optische Aberration aufgrund einer Verkippung einer Platte größer und dies ist dahingehend problematisch, dass eine zulässige Verkippung der Plattenoberfläche relativ zur optischen Achse einer optischen Abtasteinrichtung kleiner wird.
  • In diesem Zusammenhang wird ein optisches Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation vorgeschlagen, bei dem in einem auf einer Hauptoberfläche eines Substrats ausgebildeten Informationssignalbereich eine lichtdurchlässige Schicht ausgebildet ist, die ein Hindurchtreten des Laserlichts ermöglicht. In dem optischen Aufzeichnungsmedium wird Licht zum Aufzeichnen und/oder Wiedergeben des Informationssignals nicht von einer Seite des Substrats, sondern von einer Seite der auf dem Informationssignalbereich ausgebildeten lichtdurchlässigen Schicht angestrahlt.
  • Nachfolgend wird ein Beispiel zum Aufbau des optischen Aufzeichnungsmediums für die nächste Generation gezeigt. Ein optisches Aufzeichnungsmedium für die nächste Generation vom Nur-Lese-Typ weist einen Aufbau auf, bei dem z. B. auf einer Hauptoberfläche einer mit Auswölbungen versehenen Seite eines Substrats eine reflektierende Schicht aus Metall und eine lichtdurchlässige Schicht, die eine lichtdurchlässige dünne Schicht darstellt, sequenziell gestapelt sind.
  • Ein optisches Aufzeichnungsmedium der nächsten Generation vom wiederbeschreibbaren Typ weist einen Aufbau auf, bei dem z. B. auf eine Hauptoberfläche einer mit Wölbungen versehenen Seite eines Substrats eine reflektierende Schicht aus Metall, eine Aufzeichnungsschicht (z. B. eine opti sche magnetische Aufzeichnungsschicht oder Aufzeichnungsschicht vom Phasenänderungstyp) und eine lichtdurchlässige Schicht sequenziell gestapelt sind.
  • Ein Phasenänderungsaufzeichnungsmedium der nächsten Generation weist unten stehenden Aufbau auf. Auf eine Hauptoberfläche eines Substrats, auf das ein mit Wölbungen versehener Bereich, der eine Führungsvertiefung zum Führen eines Lichtflecks eines optischen Systems beim Aufzeichnen und Wiedergeben eines Informationssignals darstellt, ausgebildet ist, sind eine reflektierende Schicht, eine dielektrische Schicht, eine Aufzeichnungsschicht vom Phasenänderungstyp und eine dielektrische Schicht sequenziell zur Ausbildung einer Aufzeichnungsschicht gestapelt, wobei darauf zusätzlich eine lichtdurchlässige Schicht ausgebildet wird.
  • Als die Erfinder jedoch die Herstellung des obigen optischen Aufzeichnungsmediums der nächsten Generation wiederholt haben, und verschiedene Experimente zum optischen Aufzeichnungsmedium der nächsten Generation durchgeführt und vielfältige Studien basierend auf den experimentellen Ergebnissen durchgeführt haben, sind diese auf das Problem gestoßen, dass exzellente Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit in dem optischen Aufzeichnungsmedium der nächsten Generation nicht erzielt werden können.
  • Ebenso wird in den letzten Jahren eine weitere Verbesserung der Funktion wie einmaliges Lesen (Aufzeichnen und gleichzeitige Wiedergabe), bei der mit dem voranschreitenden Aufzeichnen eines Programms ein aufgezeichneter Bereich wiedergegeben werden kann, nachgefragt. Um dieser Forderung nachzukommen, ist es mit einer aus einem Bereich von 4.554 m/s oder mehr und 5.28 m/s oder weniger ausgewählten Gerätegeschwindigkeit als Referenz selbst bei Aufzeichnen eines Informationssignals mit einer doppelt so hohen Gerätegeschwindigkeit notwendig, ausgezeichnete Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit zu erzielen.
  • Jedoch besteht bei obigem optischem Aufzeichnungsmedium der nächsten Generation ein Problem dahingehend, dass ausgezeichnete Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit beim Aufzeichnen eines Informationssignals mit hoher Geschwindigkeit nicht erzielt werden können.
  • JP 2003 006930 A beschreibt ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einem Substrat, einer optischen Aufzeichnungsbeschichtung, die auf dem Substrat ausgebildet ist, sowie einer auf der Beschichtung ausgebildeten lichtdurchlässigen Schutzschicht. Die Beschichtung beinhaltet wenigstens eine optische Aufzeichnungsschicht vom Phasenänderungstyp, eine auf der Seite der Schutzschicht der Aufzeichnungsschicht ausgebildete erste dielektrische Schicht und eine auf der Seite der Schutzschicht der dielektrischen Schicht ausgebildete Kühlschicht eines Nitrids, Oxids oder Desgleichen von B, Al, Ga, In, C, Si, Ge, oder Sn und einer im Vergleich zur dielektrischen Schicht höheren Wärmeleitfähigkeit.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Somit ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein optisches Aufzeichnungsmedium, in dem ein Informationssignal auf einen Informationsaufzeichnungsbereich durch Fokussieren von Licht bei einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder mehr und 410 nm oder weniger mit Hilfe eines optischen Systems einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder mehr und 0.86 oder weniger, gefolgt von einer Bestrahlung durch eine lichtdurchlässige Schicht aufgezeichnet und wiedergegeben wird, anzugeben, mit dem ausgezeichnete Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit erzielt werden können; auch soll ein Herstellungsverfahren dafür angegeben werden.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein optisches Aufzeichnungsmedium, in dem durch Fokussieren von Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 400 nm oder mehr und 410 nm oder weniger mit einem optischen System mit einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder mehr und 0.86 oder weniger, gefolgt von einer Bestrahlung des Informationsaufzeichnungsbereichs durch die lichtdurchlässige Schicht ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, anzugeben, mit dem selbst bei einer aus einem Bereich von 4.554 m/s oder mehr und 5.28 m/s oder weniger ausgewählten Gerätegeschwindigkeit als Referenz und einem mit mehr als der doppelten Gerätegeschwindigkeit aufgezeichneten Informationssignal ausgezeichnete Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit erzielt werden können; ebenso soll ein Herstellungsverfahren dafür angegeben werden.
  • Um obige Aufgaben zu lösen wird ein optisches Aufzeichnungsmedium gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 oder 2 angegeben. Zusätzlich wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums gemäß den Patentansprüchen 15 oder 16 angegeben.
  • Eine erste Erfindung gemäß dieser Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium mit wenigstens einer reflektierenden Schicht, einer unteren dielektrischen Schicht, einer Aufzeichnungsschicht, einer oberen dielektri schen Schicht und einer lichtdurchlässigen Schicht, die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats beschichtet sind,
    wobei Licht mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 400 nm oder mehr und 410 nm oder weniger mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf ein Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird,
    wobei die untere dielektrische Schicht eine erste untere dielektrische Schicht und eine zweite untere dielektrische Schicht beinhaltet, wobei die zweite untere dielektrische Schicht ein die erste untere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die reflektierende Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt; und
    die obere dielektrische Schicht eine erste obere dielektrische Schicht und eine zweite obere dielektrische Schicht beinhaltet, wobei die zweite obere dielektrische Schicht ein die erste obere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die lichtdurchlässige Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt.
  • Eine zweite Erfindung gemäß dieser Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums, das wenigstens eine reflektierende Schicht, eine untere dielektrische Schicht, eine Aufzeichnungsschicht, eine obere dielektrische Schicht und eine lichtdurchlässige Schicht aufweist, die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats beschichtet sind,
    wobei Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf das Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, umfassend:
    Ausbilden der reflektierenden Schicht auf einer Hauptoberfläche des Substrats;
    Ausbilden der unteren dielektrischen Schicht, indem eine erste untere dielektrische Schicht und eine zweite untere dielektrische Schicht auf die reflektierende Schicht beschichtet werden, wobei die zweite untere dielektrische Schicht eine Reaktion eines die erste untere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die reflektierende Schicht ausbildenden Material verhindert;
    Ausbilden der Aufzeichnungsschicht auf der unteren dielektrischen Schicht;
    Ausbilden der oberen dielektrischen Schicht durch Beschichten einer ersten oberen dielektrischen Schicht und einer zweiten oberen dielektrischen Schicht auf die Aufzeichnungsschicht, wobei die zweite obere dielektrische Schicht eine Reaktion eines die erste obere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die lichtdurchlässige Schicht ausbildenden Material verhindert; und
    Ausbilden der lichtdurchlässigen Schicht auf der oberen dielektrischen Schicht.
  • Erfindungsgemäß beinhaltet die untere dielektrische Schicht die erste untere dielektrische Schicht und die zweite untere dielektrische Schicht, die eine Reaktion eines die erste untere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die reflektierende Schicht ausbildenden Material verhindert, und die obere dielektrische Schicht beinhaltet die erste obere dielektrische Schicht und die zweite obere dielektrische Schicht, die eine Reaktion eines die erste obere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die lichtdurchlässige Schicht ausbildenden Material verhindert. Dadurch kann vermieden werden, dass ein die erste untere dielektrische Schicht ausbildendes Material mit einem die reflektierende Schicht ausbildendes Material reagiert und ebenso kann verhindert werden, dass ein die erste obere dielektrische Schicht ausbildendes Material mit einem die lichtdurchlässige Schicht ausbildenden Material reagiert.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ABBILDUNGEN
  • 1 zeigt eine Schnittansicht eines beispielhaften Aufbaus einer optischen Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt eine Schnittansicht eines beispielhaften Aufbaus einer oberen dielektrischen Schicht und einer unteren dielektrischen Schicht einer optischen Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 3 zeigt eine schematische Darstellung eines Beispiels eines DC Sputtergeräts, das zur Herstellung einer optischen Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verwendet wird;
  • 4A bis 4C sind Draufsichten, die jeweils ein Substrat, ein Target und einen planaren örtlichen Zusammenhang gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigen;
  • 5 zeigt eine Tabelle mit Beschaffenheiten der Beispiele 1 bis 24;
  • 6 zeigt eine Tabelle mit Beschaffenheiten der Beispiele 25 bis 44;
  • 7 zeigt eine Tabelle mit Auswertungsergebnissen der Beispiele 1 bis 24;
  • 8 zeigt eine Tabelle mit Beschaffenheiten der Beispiele 25 bis 34 und Auswertungsergebnisse derselben;
  • 9 zeigt eine Tabelle mit Beschaffenheiten der Beispiele 35 bis 44 und Auswertungsergebnisse derselben;
  • 10 zeigt ein lineares Kurvendiagramm einer Wellenform eines in den Beispielen aufgezeichneten Informationssignals;
  • 11 zeigt eine Darstellung von Überschreib-Aufzeichnungseigenschaften des Beispiels 23 sowie eines vergleichenden Beispiels;
  • 12 zeigt eine Darstellung der Aufzeichnungseigenschaften einschließlich eines Kreuz-Schreibens von Beispiel 23;
  • 13A bis 13C sind schematische Diagramme mit weiteren Beispielen von DC Sputtergeräten, die beim Herstellen einer optischen Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verwendet werden; und
  • 14 zeigt eine Schnittansicht eines Aufbaus einer existierenden DVD-RW.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die Abbildungen erläutert. In allen Abbildungen der nachfolgenden Ausführungsformen werden identische oder übereinstimmende Bereiche mit denselben Bezugskennzeichen versehen.
  • 1 zeigt eine Schnittansicht eines beispielhaften Aufbaus einer optischen Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Wie in 1 gezeigt ist, weist eine optische Platte 1 gemäß dieser einen Ausführungsform einen Aufbau auf, bei dem auf eine Hauptoberfläche eines Substrats 2 eine reflektierende Schicht 3, eine untere dielektrische Schicht 4, eine Aufzeichnungsschicht 5, eine obere dielektrische Schicht 6 und eine lichtdurchlässige Schicht 7 nacheinander beschichtet sind.
  • Werden in der optischen Platte gemäß dieser einen Ausführungsform ein Spurabstand P einer Führungsvertiefung, der Versatz θ des Substrats 2, die numerische Apertur NA einer zur Wiedergabe und/oder Aufzeichnung eines Informationssignals verwendeten optischen Abtasteinrichtung, eine Wellenlänge λ eines zur Wiedergabe und/oder Aufzeichnung eines Informationssignals verwendeten Laserlichts und eine Dicke t der lichtdurchlässigen Schicht 7 derart gestaltet, dass diese die folgenden Gleichungen (1) bis (4) erfüllen, so kann eine Aufzeichnungskapazität von 8 GB oder mehr realisiert werden. P ≤ 0.64 (μm) (1) θ ≤ ± 84.115 (λ/NA3/t) (2) λ ≤ 0.64 (μm) (3)und NA/λ ≥ 1.20 (4)
  • Hierbei wird die Wellenlänge λ aus dem Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter, die numerische Apertur NA aus 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter, und eine Datenbitlänge von 0.1035 μm oder mehr und 0.12 μm oder weniger ausgewählt. Beispielsweise wird die Wellenlänge λ mit 405 nm, die numerische Apertur mit 0.85, die Datenbitlänge mit 0.12 μm und der Spurabstand mit 0.32 μm gewählt.
  • Falls die numerische Apertur NA 0.84 oder weniger und die Wellenlänge λ 410 nm oder mehr betragen, kann eine hohe Aufzeichnungsdichte, die eine Aufzeichnungskapazität von 8 GB oder mehr ermöglicht, nicht erzielt werden, da ein Fleckdurchmesser d (d ∝ λ/NA) größer als ein gewünschter Durchmesser wird. Falls andererseits jedoch die numerische Apertur NA 0.86 oder mehr und die Wellenlänge λ 400 nm oder weniger betragen, ist die lichtdurchlässige Schicht 7 dünner zu gestalten, um eine zulässige Verkippung einer optischen Achse bezüglich einer Aufzeichnungsoberfläche (Verkippungsspielraum) sicherzustellen; dadurch lässt sich ein Dickenfehler der lichtdurchlässigen Schicht 7 schwierig innerhalb eines zulässigen Bereichs eingrenzen. Eine Aufrechterhaltung der Signalqualität wird somit schwierig.
  • Das Substrat 2 ist ringförmig mit einem mittleren Loch (in der Abbildung nicht gezeigt) im Zentrum. Auf einer Hauptoberfläche auf einer Seite, auf der die reflektierende Schicht 3 auf dem Substrat 2 ausgebildet ist, ist eine Zeile mit Vertiefungen zur Informationswiedergabe oder ein konkaver Bereich (in der Abbildung nicht gezeigt), welcher als Führungsvertiefung zum Führen eines optischen Flecks beim Aufzeichnen oder Wiedergeben von Informationen genutzt wird, ausgebildet. Eine Dicke des Substrats 2 wird aus dem Bereich 0.3 bis 1.2 mm ausgewählt, z. B. bei 1.1 mm.
  • Als Material für das Substrat 2 lässt sich Z. B. ein Plastikmaterial auf Polycarbonat-Harzbasis, Polyolefin-Harzbasis oder ein Acrylharz oder Glas verwenden. Unter Berücksichtigung der Kosten kann das Plastikmaterial bevorzugt als Material für das Substrat 2 verwendet werden.
  • Ein Material der reflektierenden Schicht 3 wird z. B. im Hinblick auf das Reflektionsvermögen und die thermische Leitfähigkeit der reflektierenden Schicht 3 ausgewählt. Somit wird dieses aus metallischen Elementen, halbmetallischen Elementen und Verbindungen oder Mischungen hieraus ausge wählt, die das Reflektionsvermögen im Hinblick auf eine Wellenlänge zum Aufzeichnen und Wiedergeben verwendeten Laserlichts und die thermische Leitfähigkeit im Bereich von z. B. 4.0 × 10–2 bis 4.5 × 102 J/m·K·s (4.0 × 10–4 bis 4.5 J/cm·K·s) aufweisen. Insbesondere lassen sich als Material der reflektierenden Schicht 3 einfache Elemente wie Al, Ag, Au, Ni, Cr, Ti, Pd, Co, Si, Ta, W, Mo und Ge oder Legierungen mit einem dieser einfachen Elemente als Hauptkomponente anführen. Im Hinblick auf die Umsetzbarkeit sind unter diesen Al basierte, Ag basierte, Au basierte, Si basierte oder Ge basierte Materialien bevorzugt. Falls eine Legierung für die reflektierende Schicht 3 verwendet wird, sind z. B. AlCu, AlTi, AlCr, AlCo, AlMgSi, AgPdCu, AgPdTi, AgCuTi, AgPdCa, AgPdMg, AgPdFe, Ag und SiB bevorzugt.
  • Falls die reflektierende Schicht 3 beispielsweise aus einer Ag basierten Legierung aus Ag, Nd und Cu besteht, wird diese vorzugsweise derart gewählt, dass ein Gehalt an Nd im Bereich von 0.4 Atomprozent oder darüber und 0.7 Atomprozent oder darunter und derjenige von Cu im Bereich von 0.6 Atomprozent oder darüber und 0.9 Atomprozent oder darunter liegt.
  • Zusätzlich wird eine Dicke der reflektierenden Schicht 3 vorzugsweise im Bereich von 80 nm oder darüber und 140 nm oder darunter, z. B. bei 100 nm gewählt. Falls die Dicke der reflektierenden Schicht 3 kleiner als 80 nm eingestellt ist, wird die thermische Kühlung unzureichend, da in der Aufzeichnungsschicht 5 erzeugte Wärme nicht ausreichend verteilt werden kann, was zur Verschlechterung der Jitter-Eigenschaften aufgrund der Wiedergabeleistung bei der Wiedergabe führt. Wird andererseits die Dicke der reflektierenden Schicht 3 größer als 140 nm eingestellt, werden die mechanischen Eigenschaften wie die Verkippung negativ beeinflusst, obwohl die thermischen Eigenschaften und die optischen Eigenschaften nicht negativ beeinflusst werden, was auf die in der reflektierenden Schicht 3 erzeugte Verspannung zurückzuführen ist, wodurch gewünschte Eigenschaften nicht erzielt werden können.
  • Die untere dielektrische Schicht 4 und die obere dielektrische Schicht 6 sind durch Beschichten einer Mehrzahl dielektrischer Schichten ausgebildet. Die beschichtete dielektrische Schicht besteht aus Materialien, deren Absorptionsvermögen für das beim Aufzeichnen und Wiedergeben verwendete Laserlicht gering ist, vorzugsweise aus Materialien mit einem Extinktionskoeffizienten k, der den Zusammenhang 0 < k ≤ 3 erfüllt.
  • In 2 ist ein beispielhafter Aufbau der unteren dielektrischen Schicht 4 und der oberen dielektrischen Schicht 6 gezeigt. Die untere dielektrische Schicht 4 besteht aus einer ersten unteren dielektrischen Schicht 12 und einer zweiten unteren dielektrischen Schicht 11, die ein die erste untere dielektrische Schicht 6 ausbildendes Material vor einer Reaktion mit einem die reflektierende Schicht 3 ausbildenden Material bewahrt. Die obere dielektrische Schicht 6 besteht aus einer ersten oberen dielektrischen Schicht 13 und einer zweiten oberen dielektrischen Schicht 14, die ein die erste obere dielektrische Schicht 13 ausbildendes Material vor einer Reaktion mit einem die lichtdurchlässige Schicht 7 ausbildenden Material bewahrt. Die zweite untere dielektrische Schicht 11 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 bestehen aus Si3N4. Die erste untere dielektrische Schicht 12 und die erste obere dielektrische Schicht bestehen aus einer Mischung von ZnS-SiO2, vorzugsweise einer Mischung aus ZnS-SiO2 bei einem Molverhältnis von im Wesentlichen 4:1.
  • Eine Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 11 wird vorzugsweise aus 8 nm oder darüber und 14 nm oder darunter, Z. B. bei 10 nm, gewählt. Falls die Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 4 kleiner als 8 nm eingestellt ist, ist die reflektierende Schicht 3 korrodiert, was auf die Diffusion von Schwefel (S) zurückzuführen ist, der die erste untere dielektrische Schicht 12 darstellt. Falls andererseits die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 4 größer als 14 nm eingestellt ist, nimmt das Reflektionsvermögen ab und es wird unmöglich, die gewünschten Signaleigenschaften zu erzielen.
  • Eine Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 wird vorzugsweise aus 4 nm oder darüber und 10 nm oder darunter, z. B. bei 6 nm gewählt. Falls die Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 kleiner als 4 nm eingestellt wird, wird es schwierig, die erste untere dielektrische Schicht 12 mit gleichförmiger Dicke auszubilden. Falls andererseits die Dicke größer als 10 nm eingestellt wird, nimmt das Reflektionsvermögen ab und es wird unmöglich, die gewünschten Signaleigenschaften zu erzielen.
  • Eine Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 wird vorzugsweise aus 4 nm oder darüber und 12 nm oder darunter, z. B. bei 6 nm gewählt. Falls die Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 kleiner als 4 nm eingestellt ist, wird es schwierig die erste obere dielektrische Schicht 13 mit einer gleichförmigen Dicke auszubilden. Falls die Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 andererseits jedoch größer als 12 nm eingestellt ist, wird eine Wärmeansammlung in der Aufzeichnungsschicht 5 wahrscheinlich, was zu einer Verschlechterung der Wiedergabestabilität führt.
  • Eine Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 wird vorzugsweise aus 36 nm oder darüber und 46 nm oder darunter, z. B. bei 42 nm gewählt. Falls die Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 kleiner als 36 nm gewählt ist, nimmt das Reflektionsvermögen zu und falls diese größer als 46 nm gewählt ist, nimmt das Reflektionsvermögen ab.
  • Die Aufzeichnungsschicht 5 ist eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht, bei der ein Informationssignal unter Ausnutzung einer strukturellen Phasenänderung von kristallin nach amorph aufgezeichnet wird. Als Material der Aufzeichnungsschicht 5 werden vorzugsweise Chalkogenverbindungen gewählt und noch bevorzugter sind SbTe basierte Legierungen. Als SbTe basierte Legierungsmaterialien werden vorzugsweise Ge, Sb und Te gewählt. In diesem Fall wird ein Gehalt an Ge vorzugsweise im Bereich von 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger gewählt und ein Verhältnis von Sb zu Te wird im Bereich von 3.4 oder mehr und 4.0 oder weniger gewählt. Insbesondere wird ein Gehalt an Ge im Bereich von 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger und ein Verhältnis von Sb zu Te wird im Bereich von 4.2 oder mehr und 4.8 oder weniger gewählt.
  • Eine Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 wird vorzugsweise aus 6 nm oder mehr und 16 nm oder weniger, z. B. bei 10 nm gewählt. Falls die Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 kleiner als 6 nm gewählt ist, wird es schwierig eine ausreichende Wiedergabelebensdauer zu erzielen. Wird die Dicke andererseits größer als 16 nm, kann es schwierig sein, ein Informationssignal aufzuzeichnen, da die Aufzeichnungsempfindlichkeit schlecht wird.
  • Die lichtdurchlässige Schicht 7 besteht aus einer lichtdurchlässigen Platte (Film) mit einer planaren Ringform sowie einer haftvermittelnden Schicht zum Befestigen der lichtdurchlässigen Schicht mit der oberen dielektrischen Schicht 6 (beide sind nicht in der Abbildung gezeigt). Die haftvermittelnde Schicht besteht z. B. aus einem UV-härtenden Harz oder einem druckempfindlichen Haftvermittler (PSA: Pressure Sensitive Adhesive).
  • Die lichtdurchlässige Platte besteht vorzugsweise aus einem Material, das eine geringe Absorption des zum Aufzeichnen/Wiedergeben verwendeten Lichts zeigt, insbesondere aus einem Material mit einer Durchlässigkeit von 90 Prozent oder darüber. Insbesondere besteht die lichtdurchlässige Platte aus z. B. einem Polycarbonat-Harzmaterial oder einem auf Polyolefin basierten Harz.
  • Falls beispielsweise Polycarbonat (PC) als Material für die lichtdurchlässige Platte verwendet wird, wird ein Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von im Wesentlichen 7.0 × 10–5 (1/°C) eingesetzt sowie mit einer Biegeelastizität von im Wesentlichen 2.4 × 104 (MPa). Falls zudem ein auf Polyolefin basiertes Harz (z. B. Handelsmarke: Zeonex) als Material für die lichtdurchlässige Platte verwendet wird, kommt ein Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von im Wesentlichen 6.0 × 10–5 (1/°C) und der Biegeelastitzität von im Wesentlichen 2.3 × 104 (MPa) zum Einsatz.
  • Zusätzlich wird eine Dicke der lichtdurchlässigen Platte im Bereich von 3 μm bis 177 μm, z. B. bei 100 μm als Ganzem einschließlich der Dicke der haftvermittelnden Schicht gewählt. Falls eine solche dünne lichtdurchlässige Schicht 7 und eine Objektivlinse mit einer numerischen Apertur von im Wesentlichen bis zu 0.85 ± 0.05 kombiniert werden, kann das Aufzeichnen bei hoher Dichte umgesetzt werden.
  • Die lichtdurchlässige Platte gemäß einer der Ausführungsformen kann beispielsweise dadurch ausgebildet werden, indem ein Material eines Polycarbonatharzes in einen Extruder eingeführt wird, gefolgt von einem Schmelzen mit einem Heizgerät bei einer Temperatur im Bereich von 250 bis 300°C (in der Abbildung nicht gezeigt) und weiter gefolgt von einem plattenförmigen Ausbilden mit Hilfe einer Mehrzahl von Kühlrollen, sowie einem Zerschneiden in eine dem Substrat 2 entsprechende Form.
  • Um Schmutz von einer Oberfläche der lichtdurchlässigen Schicht 7 fernzuhalten, oder die Oberfläche vor einer Prellung zu bewahren, kann zusätzlich eine Schutzschicht aus einem organischen oder anorganischen Material ausgebildet werden. Auch hierbei wird ein Material, das bei einer Wellenlänge des zum Aufzeichnen und Wiedergeben verwendeten Lasers nahezu nicht absorbiert, bevorzugt.
  • Falls eine Dicke t der lichtdurchlässigen Schicht 7 beispielsweise im Bereich von 10 bis 177 μm und die Dispersion der Dicke der lichtdurchlässigen Schicht Δt ist, kann eine Aufzeichnungskapazität von 8 GB erzielt werden, falls der mittels nachfolgender Gleichungen gezeigte Zusammenhang zwischen der NA des die Wiedergabe und/oder Aufzeichnung von Information auf das optische Aufzeichnungsmedium durchführenden optischen Systems und einer Wellenlänge λ erfüllt ist und durch Verwenden eines Aufzeichnungs- und Wiedergabegeräts, das bestehenden Aufzeichnungs- und Wiedergabegeräten ähnlich ist, kann eine höhere Aufzeichnungskapazität erzielt werden. Δt = ±5.26 (λ/NA4)
  • Nachfolgend wird ein Herstellungsverfahren für eine optische Platte gemäß einer Ausführungsform der Erfindung erläutert.
  • Hierbei wird ein Sputtergerät, das zum Herstellen einer optischen Platte 1 gemäß der einen Ausführungsform verwendet wird, erläutert. Das Sputtergerät ist ein stationäres Facing-Sputtergerät vom Leaf-Typ („leaf type stationary facing sputter device"), bei dem ein Substrat auf dessen Achse rotieren kann.
  • In 3 ist ein zum Herstellen einer optischen Platte 1 verwendetes Sputtergerät gezeigt. Wie in 3 gezeigt ist, besteht das Sputtergerät aus einer Vakuumkammer 21, welche eine Abscheidekammer darstellt, einem Vakuum-Controller 22, der einen Vakuumzustand in der Vakuumkammer 21 steuert, einer DC Hochspannungsquelle 23 für eine Plasmaentladung, einer Sputter-Kathode 25, die über eine Versorgungsleitung 24 mit der DC Hochspannungsquelle 23 für die Plasmaentladung verbunden ist, einer der Sputterkathode mit vorgegebenem Abstand gegenüberliegenden Palette 26 und einer Sputtergasversorgung 27 zum Bereitstellen eines Sputtergases wie eines Inertgases wie Ar oder eines Reaktionsgases in die Vakuumkammer 21.
  • Die Sputterkathode 25 beinhaltet ein Target 28, das als negative Elektrode dient, eine Unterstützungsplatte 29, die der Fixierung des Targets 28 dient sowie ein Magnetsystem 30, das auf einer zur Oberfläche, über die das Target 28 und die Unterstützungsplatte 29 fixiert sind, gegenüberliegenden Oberfläche, angeordnet ist.
  • Zusätzlich dient die Palette 26 als positive Elektrode und das Target 28 dient als negative Elektrode, wodurch ein Elektrodenpaar ausgebildet wird. Auf dem Substrat 26, gegenüberliegend zur Sputterkathode 25, ist ein Substrat 2, auf das eine Abscheidung erfolgt, mit einer dazwischenliegenden Plattenunterlage 33 befestigt. Mit einer inneren Peripheriemaske 31 und einer äußeren Peripheriemaske 32 werden ein innerer Randbereich und ein äußerer Randbereich des Substrats 2 bedeckt.
  • Auf einer hierzu gegenüberliegenden Oberfläche ist die Plattenunterlage 33 der Palette 26 befestigt und es ist ein Substratdrehantriebbereich 34 zum Drehen der Palette 26 in einer Richtung auf gleicher Substratebene und ein hiermit verbundenes Drehen des Substrats 2 vorgesehen.
  • Zusätzlich sind in einem Sputtergerät 20 ein Substrat 2, das eine wie in 4A gezeigte Ringform aufweist und auf das eine Abscheidung erfolgt, sowie ein Target 28, das eine wie in 4C gezeigte Ringform aufweist und aus einem Abscheidematerial besteht, hinsichtlich deren planarem örtlichem Zusammenhang derart positioniert, dass ein Zentrum O des Substrats 2 und ein Zentrum O' des Targets 28 im Wesentlichen zusammenfallen. Zusätzlich ist das Substrat 2 so aufgebaut, dass dieses um seine Achse um das Zentrum O mittels des in 3 gezeigten Substratdrehantriebbereichs 34 rotiert.
  • Dadurch wird das zum Herstellen einer optischen Platte in einer der Ausführungsformen verwendete Sputtergerät 20 festgelegt.
  • Da Sputtergeräte, die zum Ausbilden der entsprechenden Schichten verwendet werden, denselben Aufbau aufweisen, werden in dem nachfolgenden Herstellungsprozess dem obigen DC Sputtergerät 20 entsprechende Bezugskennzeichen verwendet.
  • Zunächst wird ein Substrat 2 in ein erstes Sputtergerät 20 gebracht, in dem ein Target 28 aus z. B. AgM (M: Zusatzstoff) positioniert ist, gefolgt von einem Befestigen an einer Palette 26. Danach wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert, bis ein vorgegebener Druck erzielt ist. Nachfolgend wird z. B. Ar Gas in die Vakuumkammer 21 eingeleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine reflektierende Schicht 3 aus z. B. einer Ag basierten Legierung auf eine Hauptoberfläche des Substrats 2 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel bezüglich Abscheidebedingungen des Sputterprozesses ist unten angegeben.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
  • Danach wird das Substrat 2 in ein Sputtergerät 20 befördert, das z.B. mit einem Si Target ausgestattet ist, gefolgt von einem Befestigen an der Palette 26. Dann wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert, bis ein vorgegebener Druck erzielt wird. Daraufhin wird z. B. Ar Gas und Stickstoff in die Vakuumkammer 21 geleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine zweite dielektrische Schicht 11 aus z. B. Si3N4 auf die reflektierende Schicht 3 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel der Abscheidebedingungen des Sputterprozesses ist unten angegeben.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
    Menge an Stickstoffgas: 30 sccm
  • Dann wird das Substrat in ein drittes Sputtergerät 20 befördert, das mit einem Target 28 aus z. B. einer ZnS-SiO2 Mischung ausgestattet ist, gefolgt von einem Befestigen an der Palette 26. Dann wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert, bis ein vorgegebener Druck erzielt ist. Danach wird beispielsweise ein inertes Gas wie Ar Gas in die Vakuumkammer 21 eingeleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine erste untere dielektrische Schicht 12 aus z. B. einer ZnS-SiO2 Mischung auf der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel für Abscheidebedingungen des Sputterprozesses ist unten gezeigt.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
  • Nachfolgend wird das Substrat 2 in ein viertes Sputtergerät 20 befördert, das mit einem Target 28 aus z. B. einer GeSbTe Legierung ausgestattet ist, gefolgt von einem Befestigen an der Palette 26. Dann wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert, bis ein vorgegebener Druck erreicht ist. Danach wird ein inertes Gas wie ein Ar Gas in die Vakuumkammer 21 eingeleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine Aufzeichnungsschicht 5 aus z. B. einer GeSbTe Legierung auf die erste untere dielektrische Schicht 12 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel für Abscheidebedingungen des Sputterprozesses ist unten angegeben.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 105 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
  • Dann wird das Substrat 2 in ein fünftes Sputtergerät 20 befördert, das mit einem Target 28 aus z. B. einer ZnS-SiO2 Mischung ausgestattet ist, gefolgt von einem Befestigen an der Palette 26. Dann wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert bis ein vorgegebener Druck erreicht ist. Danach wird ein inertes Gas wie ein Ar Gas in die Vakuumkammer 21 eingeleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine erste obere dielektrische Schicht 13 aus Z. B. einer ZnS-SiO2 Mischung auf der Aufzeichnungsschicht 5 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel für Abscheidebedingungen während des Sputterprozesses ist unten angegeben.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
  • Nachfolgend wird das Substrat, auf das die erste obere dielektrische Schicht 13 erzeugt wurde, in ein sechstes Sputtergerät befördert, das mit einem Target aus Z. B. Si ausgestattet ist, gefolgt von einem Befestigen an der Palette 26. Dann wird das Innere der Vakuumkammer 21 evakuiert, bis ein vorgegebener Druck erreicht ist. Daraufhin wird beispielsweise Ar Gas und Stickstoffgas in die Vakuumkammer 21 geleitet, gefolgt von einem Ausführen des Sputterns, wodurch eine zweite obere dielektrische Schicht 14 aus z. B. Si3N4 auf einer Hauptoberfläche des Substrats auf der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 ausgebildet wird.
  • Ein Beispiel für Abscheidebedingungen während des Sputterprozesses ist unten angegeben.
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 105 Pa
    Atmosphäre: 1.0 bis 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 1 bis 3 kWh
    Menge an Stickstoffgas: 30 sccm
  • Danach wird das Substrat 2 zu einer vorgegebenen Position einer Beschichtungsanlage (in der Abbildung weggelassen) befördert. Nachfolgend wird eine planare ringförmige, lichtdurchlässige Platte mit einem vorangehend gleichmäßig auf eine Hauptoberfläche der Platte überzogenen druckempfindlichen Haftvermittler (PSA) auf eine Seite, auf der die entsprechenden Schichten auf dem Substrat 2 ausgebildet sind, angehaftet. Dadurch wird die lichtdurchlässige Schicht 7 ausgebildet, um die jeweiligen auf dem Substrat 2 erzeugten Schichten abzudecken.
  • Gemäß obigen Ausführungen wird eine in 1 gezeigte optische Platte 1 hergestellt. Nachdem die optische Platte 1 hergestellt wurde, wird ein Zustand der Aufzeichnungsschicht 5 vorzugsweise kristallin ausgebildet, indem eine Initialisierungseinrichtung verwendet wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung können die folgenden Vorteile erzielt werden.
  • Ein eine erste untere dielektrische Schicht 12 ausbildendes Material und ein eine reflektierende Schicht 3 ausbildendes Material können vor einer Reaktion bewahrt werden und ein eine erste obere dielektrische Schicht 13 ausbildendes Material und ein eine lichtdurchlässige Schicht 7 ausbildendes Material können ebenso vor einer Reaktion bewahrt werden. Somit kann eine optische Platte vor einer Korrosion bewahrt werden und es lassen sich ausgezeichnete Signaleigenschaften erzielen.
  • Falls eine Aufzeichnungsschicht 5 aus einem SbTe basierten Legierungsmaterial aus Ge, Sb und Te ausgebildet ist und ein Gehalt an Ge mit 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger gewählt ist sowie ein Verhältnis von Sb zu Te mit 3.4 oder mehr und 4.0 oder weniger gewählt ist, lässt sich der Jitter-Wert und die Aufzeichnungsempfindlichkeit verbessern und ausgezeichnete Signaleigenschaften erzielen, falls ein Informationssignal mit einer im Bereich von 4.554 m/s oder mehr und 5.28 m/s oder weniger gewählten Gerätegeschwindigkeit aufgezeichnet wird.
  • Im Falle der Aufzeichnungsschicht 5 aus einer SbTe basierten Legierung aus Ge, Sb und Te lässt sich bei Auswahl eines Gehalts an Ge von 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger und eines Verhältnisses von Sb zu Te von 4.2 oder mehr und 4.8 oder weniger, selbst im Falle einer Referenz-Gerätegeschwindigkeit im Bereich von 4.554 m/s oder mehr und 5.28 m/s oder weniger ein Informationssignal mit einer doppelt so großen Gerätegeschwindigkeit aufzeichnen, wodurch der Jitter-Wert und die Aufzeichnungsempfindlichkeit verbessert und ausgezeichnete Signaleigenschaften erzielt werden können.
  • Nun werden Beispiele von optischen Platten erläutert. In 5 bis 9 sind Beschaffenheiten und Auswertungsergebnisse von Beispielen gezeigt. Zunächst werden mit Bezug auf 5, 6, 8 und 9 beispielhafte optische Platten erläutert.
  • <Beispiele 1 bis 4>
  • Die Beispiele 1 bis 4 betreffen optische Platten, die durch Beschichten einer reflektierenden Schicht 3 aus AgNdCu, einer zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 aus Si3N4, einer ersten unteren dielektrischen Schicht 12 aus einer ZnS-SiO2 Mischung, einer Aufzeichnungsschicht 5 aus GeSbTe, einer ersten oberen dielektrischen Schicht 13 aus einer ZnS-SiO2 Mischung, einer zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 aus Si3N4 und einer lichtdurchlässigen Schicht 7 auf ein Substrat 2 ausgebildet sind. Das Substrat 2 weist einen Durchmesser von 120 mm und eine Dicke von 1.1 mm auf. Auf einer Hauptoberfläche einer Seite, auf der die reflektierende Schicht 3 ausgebildet ist, sind die Irregularitäten in Form sogenannter Vertiefungen oder Erhöhungen (Grooves oder Lands) ausgebildet und eine Breite hinsichtlich der Wiederholung der Irregularitäten (Spurabstand) beträgt 0.32 μm. Ein Gehalt an Nd in der reflektierenden Schicht 3 beträgt 0.4 Atomprozent und derjenige von Cu beträgt 0.6 Atomprozent. Darüber hinaus ist die lichtdurchlässige Schicht 7 durch Beschichten einer lichtdurchlässigen Platte mit einer ebenen Ringform über ein vorab gleichmäßig auf eine Hauptoberfläche der lichtdurchlässigen Platte überzogenes druckempfindliches Haftmittel (PSA) auf eine obere dielektrische Schicht 6 ausgebildet.
  • Beispiele 1 bis 4 betreffen optische Platten, die voneinander hinsichtlich der Dicke der reflektierenden Schicht 3 abweichen und die Dicken der Beispiele 1 bis 4 betragen 60 nm, 80 nm, 120 nm und 140 nm. Andererseits sind die Dicken der von der reflektierenden Schicht 3 abweichenden jeweiligen Schichten dieselben und die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils eine Dicke von 8 nm, 6 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm auf.
  • Die Abscheidebedingungen der reflektierenden Schicht 3, der ersten unteren dielektrischen Schicht 12, der Aufzeichnungsschicht 5 und der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 sind wie folgt:
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste elektrische Leistung: 3 kWh
    Gasspezies: Ar Gas
  • Die Abscheidebedingungen der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 und der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 sind wie folgt:
    Erzieltes Vakuum: 1.0 × 10–5 Pa
    Atmosphäre: 3.0 × 100 Pa
    Eingespeiste Elektrische Leistung: 3 kWh
    Gasspezies: Ar Gas und Stickstoffgas
    Menge an Stickstoffgas: 30 sccm
  • Eine Dicke der reflektierenden Schicht 3 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen basierend auf einer kalibrierten Kurve, die aus einem Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt.
  • <Beispiele 5 bis 8>
  • Die Beispiele 5 bis 8 betreffen optische Platten, die voneinander hinsichtlich der Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 abweichen und deren Dicken betragen für die Beispiele 5 bis 8 4 nm, 8 nm, 14 nm und 18 nm. Andererseits sind die Dicken der von der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 verschiedenen Schichten identisch und die reflektierende Schicht 3, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils Dicken von 100 nm, 6 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm auf. Eine Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen, basierend auf einer kalibrierten Kurve, die aus einem Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt. Weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 9 bis 11>
  • Die Beispiele 9 bis 11 betreffen optische Platten, die voneinander hinsichtlich der Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 abweichen und deren Dicken für die Beispiele 9 bis 11 jeweils 4 nm, 10 nm und 12 nm betragen. Andererseits sind die Dicken der von der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 abweichenden jeweiligen Schichten dieselben und die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die Aufzeichnungsschicht 5, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils eine Dicke von 100 nm, 8 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm auf. Eine Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen basierend auf einer Kalibrierkurve, die aus einem Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt. Weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 12 bis 15>
  • Die Beispiele 12 bis 15 betreffen optische Platten, die voneinander in der Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 abweichen, welche für die Beispiele 12 bis 15 jeweils 6 nm, 8 nm, 16 nm und 18 nm beträgt. Andererseits sind die Dicken der von der Aufzeichnungsschicht 5 verschiedenen Schichten jeweils dieselben; d. h. die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils eine Dicke von 100 nm, 8 nm, 6 nm, 8 nm und 40 nm auf. Eine Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen, basierend auf einer Kalibrierkurve, die aus einem Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 16 bis 18>
  • Die Beispiele 16 bis 18 betreffen optische Platten, die voneinander in der Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 abweichen und deren Dicken für die Beispiele 16 bis 18 4 nm, 10 nm und 12 nm betragen. Andererseits sind die Dicken der von der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 abweichenden Schichten jeweils dieselben; d. h. die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils eine Dicke von 100 nm, 8 nm, 6 nm, 10 nm und 40 nm auf. Eine Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen basierend auf einer Kalibrierkurve, die über einen Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 19 bis 22>
  • Die Beispiele 19 bis 22 betreffen optische Platten, die voneinander in der Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 abweichen und deren Dicken für die Beispiele 19 bis 22 30 nm, 36 nm, 46 nm und 50 nm betragen. Andererseits stimmen die Dicken der von der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 abweichenden Schichten jeweils überein; d. h. die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5 und die erste obere dielektrische Schicht 13 weisen jeweils eine Dicke von 100 nm, 8 nm, 6 nm, 10 nm und 8 nm auf. Eine Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 wurde durch geeignetes zeitliches Abstimmen, basierend auf einer Kalibrierkurve, die aus einem Zusammenhang zwischen einer Abscheidedauer und einer Filmdicke erzielt wurde, festgelegt. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit den Beispielen 1 bis 4 überein.
  • <Vergleichendes Beispiel>
  • Ein vergleichendes Beispiel betrifft eine optische Platte, die einen Aufbau aufweist, bei dem die erste untere dielektrische Schicht 12 und die erste obere dielektrische Schicht 13 in Beispiel 1 weggelassen wurden. Die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die Aufzeichnungsschicht 5 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 weisen jeweils eine Dicke von 100 nm, 18 nm, 10 nm und 50 nm auf. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit dem Beispiel 1 überein.
  • <Beispiele 23 und 24>
  • In einer optischen Platte gemäß einem Beispiel 23 beträgt ein Gehalt an Nd in der reflektierenden Schicht 3 0.4 Atomprozent und derjenige an Cu beträgt 0.6 Atomprozent. Andererseits beträgt in einer optischen Platte gemäß einem Beispiel 24 ein Gehalt an Nd in der reflektierenden Schicht 3 0.7 Atomprozent und derjenige von Cu beträgt 0.9 Atomprozent.
  • Zusätzlich betragen in den optischen Platten der Beispiele 23 und 24 die Dicken der reflektierenden Schicht 3, der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11, der ersten unteren dielektrischen Schicht 12, der Aufzeichnungsschicht 5, der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 und der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 jeweils 100 nm, 8 nm, 6 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 25 bis 30>
  • Die Verhältnisse von Sb zu Te, welche in den Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 25 bis 30 enthalten sind, betragen jeweils für die Beispiele 25 bis 30 3.2, 3.4, 3.7, 4, 4.4 und 4.7. Ein in den Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 25 bis 30 enthaltener Gehalt an Ge beträgt 4 Atomprozent.
  • Zusätzlich betragen in den Beispielen 25 bis 30 die Filmdicken der reflektierenden Schicht 3, der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11, der ersten unteren dielektrischen Schicht 12, der Aufzeichnungsschicht 5, der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 und der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 jeweils 100 nm, 10 nm, 5 nm, 12 nm, 6 nm und 42 nm. Hiervon abweichende weitere Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 31 bis 34>
  • Der in den Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 31 bis 34 enthaltene Gehalt an Ge beträgt für die Beispiele 31 bis 34 jeweils 0, 2, 8 und 10 Atomprozent. Ein Verhältnis von Sb zu Te, welche in den Aufzeichnungsschichten 5 der Beispiele 31 bis 34 enthalten sind, beträgt 3.6.
  • Zusätzlich betragen in den Beispielen 31 bis 34 die Filmdicken der reflektierenden Schicht 3, der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11, der ersten unteren dielektrischen Schicht 12, der Aufzeichnungsschicht 5, der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 und der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 jeweils 100 nm, 10 nm, 5 nm, 12 nm, 6 nm und 42 nm. Weitere hiervon abweichende Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 35 bis 40>
  • Die Verhältnisse von Sb zu Te, welche in den Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 35 bis 40 enthalten sind, betragen jeweils für die Beispiele 35 bis 40 3.7, 4, 4.2, 4.4, 4.8 und 5. Ein in den Aufzeichnungsschichten 5 der Beispiele 35 bis 40 enthaltener Ge Gehalt beträgt 4 Atomprozent.
  • Zusätzlich betragen in den Beispielen 35 bis 40 die Filmdicken für die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 jeweils 100 nm, 8 nm, 6 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm. Weitere hiervon abweichende Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • <Beispiele 41 bis 44>
  • Der in den Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 41 bis 44 enthaltene Ge-Gehalt beträgt jeweils für die Beispiele 41 bis 44 0, 2, 8 und 10 Atomprozent. Ein in den Aufzeichnungsschichten 5 der Beispiele 41 bis 44 enthaltenes Verhältnis von Sb zu Te beträgt 4.2.
  • Zusätzlich betragen in den Beispielen 41 bis 44 die Filmdicken für die reflektierende Schicht 3, die zweite untere dielektrische Schicht 11, die erste untere dielektrische Schicht 12, die Aufzeichnungsschicht 5, die erste obere dielektrische Schicht 13 und die zweite obere dielektrische Schicht 14 jeweils 100 nm, 8 nm, 6 nm, 10 nm, 8 nm und 40 nm. Weitere hiervon abweichende Elemente stimmen mit denjenigen der Beispiele 1 bis 4 überein.
  • Die Erfinder haben, wie in 7 gezeigt ist, ein Informationssignal mit einer Gerätgeschwindigkeit von 5.28 m/s (1x) auf obige optische Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und dem vergleichenden Beispiel aufgezeichnet und hierbei das Reflektionsvermögen der Vertiefungen, den Modulationsfaktor, die Aufzeichnungsempfindlichkeit, die Wiedergabelebensdauer und den Korrosionswiderstand ausgewertet. Zusätzlich wurde für die Beispiele 1 bis 24 und das vergleichende Beispiel ein Informationssignal mit 10.56 m/s (2x) aufgezeichnet und der Modulationsfaktor und die Aufzeichnungsempfindlichkeit gemessen. Bei der Aufzeichnung eines Informationssignals wurden die Zustände der Aufzeichnungsschichten 5 der optischen Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und des vergleichenden Beispiels mit Hilfe eines Initialisierungsgeräts kristallin gestaltet.
  • In 10 ist ein Aufzeichnungsemissionsmuster gezeigt, das zur Auswertung der optischen Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und des vergleichenden Beispiels herangezogen wurde. Die von der Gerätegeschwindigkeit abhängigen Bedingungen zum Zeitpunkt des jeweiligen Aufzeichnens eines Informationssignals sind unten gezeigt.
    Wellenlänge des Laserlichts: 405 nm
    Numerische Apertur NA: 0.85
    Datenbitlänge: 0.12 μm
  • Auswertungsverfahren für das Reflektionsvermögen der Vertiefung Für die Fälle, bei denen das Reflektionsvermögen 12 Prozent oder mehr und 24 Prozent oder weniger betrug, wurde das Reflektionsvermögen als ausgezeichnet bewertet und falls das Reflektionsvermögen entweder 12 Prozent oder weniger oder 24 Prozent oder mehr betrug, wurde das Reflektionsvermögen als minderwertig bewertet. In 7 ist ein hinsichtlich des Reflektionsvermögens ausgezeichnetes Beispiel mit [O] gekennzeichnet und ein minderwertiges Beispiel hinsichtlich des Reflektionsvermögens ist mit [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren des Modulationsfaktors)
  • Ist der Modulationsfaktor größer als 40 Prozent, wird dieser als ausgezeichnet bewertet und beträgt dieser 40 Prozent oder weniger, wird dieser als minderwertig bewertet. In 7 ist ein Beispiel mit ausgezeichnetem Modulationsfaktor als [O] gekennzeichnet und ein Beispiel mit minderwertigem Modulationsfaktor ist als [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren für die Aufzeichnungsempfindlichkeit)
  • Bei Verwendung einer wie in 10 gezeigten Strategie werden Pp und Pe optimiert. Mit einem konstant gehaltenen Verhältnis von Pp/Pe wird durch Abtasten von Pw eine Leistung (Pp) erzielt, bei der Jitter minimal wird. Im Falle des 1x Aufzeichnens (Gerätegeschwindigkeit: 5.28 m/s) wird ein Beispiel von 5.2 mW oder weniger mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel mit hierzu vergleichsweise größerem Wert ist mit [x] kenntlich gemacht. Im Falle eines 2x Aufzeichnens (Gerätegeschwindigkeit: 10.56 m/s) ist ein Beispiel von 6 mW oder weniger mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel mit einem hierzu vergleichsweise größeren Wert ist mit [x] gekennzeichnet.
  • (Auswerungsverfahren zur Wiedergabelebensdauer)
  • Falls ein aufgezeichnetes Informationssignal nach 100 Millionen Wiedergaben bei 0.3 mW geeignet wiedergegeben werden konnte, wurde die Lebensdauer als ausgezeichnet bewertet und falls das aufgezeichnete Informationssignal nicht geeignet wiedergegeben werden konnte, wurde die Lebensdauer als minderwertig bewertet. In 7 ist ein Beispiel einer ausgezeichneten Wiedergabelebensdauer mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel minderwertiger Wiedergabelebensdauer ist mit [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren des Korrosionswiderstands)
  • Optische Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und ein vergleichendes Beispiel wurden für 400 Stunden einer Umgebung ausgesetzt mit einer Temperatur von 80°C und einer Luftfeuchtigkeit von 85 Prozent. Danach wurde bewertet, ob die optischen Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und das vergleichende Beispiel korrodiert sind oder nicht. In 7 wurde eine optische Platte, bei der keine Korrosion erzeugt wurde, mit [O] gekennzeichnet und eine optische Platte, die korrodiert ist, wird mit [x] gekennzeichnet.
  • Aus 7 wird abgeleitet, dass ausgezeichnete Signaleigenschaften bei einer Dicke der reflektierenden Schicht 3 von 80 nm oder mehr und 140 nm oder weniger, einer Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 11 von 8 nm oder mehr und 14 nm oder weniger, einer Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 12 von 4 nm oder mehr und 10 nm oder weniger, einer Dicke der Aufzeichnungsschicht 5 von 8 nm oder mehr und 16 nm oder weniger, einer Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht 13 von 4 nm oder mehr und 12 nm oder weniger und einer Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht 14 von 36 nm oder mehr und 46 nm oder weniger erzielt werden konnten und es konnte ebenso der Korrosionswiderstand verbessert werden.
  • Zusätzlich haben die Erfinder die Überschreib (DOW: Direct Over-Write, direktes Überschreiben)-Aufzeichnungseigenschaften der optischen Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und des vergleichenden Beispiels ausgewertet. Nachfolgend werden der Übersichtlichkeit halber Messungen zu den Überschreibeigenschaften optischer Platten für das Beispiel 23 und ein vergleichendes Beispiel gezeigt.
  • In 11 sind die Überschreib-Aufzeichnungseigenschaften des Beispiels 23 und eines vergleichenden Beispiels gezeigt. Aus der 11 kann abgeleitet werden, dass die Überschreibeigenschaften und die unteren Jitter-Eigenschaften im Beispiel 23 relativ zum vergleichenden Beispiel, erheblich verbessert sind.
  • Zusätzlich haben die Erfinder die Aufzeichnungseigenschaften einschließlich des Kreuz-Schreibens von optischen Platten gemäß den Beispielen 1 bis 24 und von einem vergleichenden Beispiel ausgewertet. Nachfolgend werden der Übersichtlichkeit halber Messungen der Aufzeichnungseigenschaften einschließlich der Kreuz-Aufzeichnung für das Beispiel 23 und ein vergleichendes Beispiel dargestellt.
  • In 12 sind die Aufzeichnungseigenschaften einschließlich des Kreuz-Schreibens für das Beispiel 23 gezeigt. Aus der 12 kann abgeleitet werden, dass sowohl die Gerätegeschwindigkeit von 5.28 m/s (1x) als auch 10.56 m/s (2x) zu ausgezeichneten Jitter-Eigenschaften und einer ausgezeichneten Aufzeichnungsempfindlichkeit führen.
  • Wie zudem in 8 gezeigt ist, haben die Erfinder ein Informationssignal bei einer Gerätegeschwindigkeit von 5.28 m/s (1x) auf die optischen Platten gemäß den Beispielen 25 bis 34 aufgezeichnet und den Jitterwert, die Aufzeichnungsempfindlichkeit und die Speichereigenschaften ausgewertet. Ein Lichtemissionsmuster zur Aufzeichnung, das zur Auswertung verwendet wird, und die entsprechenden Bedingungen beim Aufzeichnen eines Informationssignals stimmen mit denjenigen bei der Auswertung der Beispiele 1 bis 24 überein.
  • (Auswertungsverfahren des Jitterwerts)
  • Im Falls des Jitterwerts von weniger als 9 Prozent wurde dieser als ausgezeichnet bewertet und falls der Jitterwert 9 Prozent oder mehr betrug, wurde dies als minderwertig bewertet. In 8 ist ein Beispiel, bei dem der Jitterwert ausgezeichnet ist, mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel, bei dem der Jitterwert minderwertig ist, ist mit [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren für die Aufzeichnungsempfindlichkeit)
  • Bei Verwendung einer wie in 10 gezeigten Strategie werden Pp und Pe optimiert. Mit einem konstant gehaltenen Verhältnis von Pp/Pe wird durch Abtasten von Pw eine Leistung (Pp) erzielt, bei der Jitter minimal wird. Im Falle des 1x Aufzeichnens wird ein Beispiel von 5.2 mW oder weniger mit [O] bezeichnet und ein Beispiel mit hierzu vergleichsweise größerem Wert ist mit [x] kenntlich gemacht.
  • (Auswertungsverfahren der Speichereigenschaften)
  • Nachdem die optischen Platten gemäß den Beispielen 25 bis 34 für 200 Stunden in einer Umgebung mit einer Temperatur von 80°C und einer Luftfeuchtigkeit von 85 Prozent gehalten wurden, wurden die Jitterwerte gemessen. Im Falle eines Jitterwerts von weniger als neun Prozent wurde dieser als ausgezeichnet bewertet und im Falle des Jitterwerts von neun Prozent oder mehr wurde dieser als minderwertig erachtet. In 8 ist ein Beispiel eines ausgezeichneten Jitterwerts mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel mit minderwertigem Jitterwert ist mit [x] kenntlich gemacht.
  • Aus 8 ist ersichtlich, dass es im Falle einer Aufzeichnungsschicht aus Ge, Sb und Te mit einem Ge Gehalt von 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger und einem Verhältnis von Sb zu Te von 3.4 oder mehr und 4.0 oder weniger bei einem auf Basis der Bedingungen einer Gerätegeschwindigkeit von 5.28 m/s (1x), der Laserwellenlänge von 405 nm, der NA von 0.85 und der Datenbitlänge von 0.12 μm aufgezeichneten Informationssignal möglich wird, einen ausgezeichneten Jitterwert sowie eine ausgezeichnete Aufzeichnungsempfindlichkeit und Speichereigenschaften zu erzielen.
  • Wie zudem in 9 gezeigt ist, haben die Erfinder ein Informationssignal mit einer Gerätegeschwindigkeit von 5.28 m/s (1x) und 10.56 m/s (2x) auf die optischen Platten gemäß den Beispielen 35 bis 44 aufgezeichnet und den Jitterwert, die Aufzeichnungsempfindlichkeit und die Speichereigenschaften ausgewertet. Ein Lichtemissionsmuster zur Aufzeichnung, das bei der Auswertung verwendet wird und die jeweiligen Bedingungen beim Aufzeichnen eines Informationssignals stimmen mit denjenigen bei der Auswertung der Beispiele 1 bis 24 überein.
  • (Auswertungsverfahren des Jitterwerts)
  • Falls der Jitterwert weniger als 12.5 Prozent betrug, wurde dieser als ausgezeichnet bewertet und falls der Jitterwert 12.5 Prozent oder mehr betrug, wurde dieser als minderwertig bewertet. In 9 ist ein Beispiel eines ausgezeichneten Jitterwerts mit [O] ausgedrückt und ein Beispiel eines minderwertigen Jitter Werts ist durch [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren der Aufzeichnungsempfindlichkeit)
  • Durch Verwenden einer in 10 gezeigten Vorgehensweise wurden Pp und Pe optimiert. Nachfolgend wurde mit einem konstant gehaltenen Verhältnis von Pp/Pe durch Abtasten von Pw eine Leistung (Pp) erzielt, bei der der Jitter minimal wurde. Beim Aufzeichnen mittels 1x Aufzeichnen und 2x Aufzeichnen wurde ein Beispiel mit 6 mW oder weniger als [O] ausgedrückt und ein Beispiel mit einem hierzu vergleichsweise größeren Wert wurde mit [x] gekennzeichnet.
  • (Auswertungsverfahren der Speichereigenschaften)
  • Nachdem die optischen Platten gemäß den Beispielen 35 bis 44 für 200 Stunden bei einer Temperatur von 80°C und einer Luftfeuchtigkeit von 85 Prozent aufbewahrt wurden, wurde der Jitterwert gemessen. Falls der Jitterwert kleiner als 12.5 Prozent war, wurde dieser als ausgezeichnet bewertet und falls der Jitterwert 12.5 Prozent oder mehr betrug, wurde dieser als minderwertig bewertet. In 9 ist ein Beispiel, bei dem der Jitterwert ausgezeichnet war, mit [O] gekennzeichnet und ein Beispiel mit einem minderwertigen Jitterwert ist mit [x] gekennzeichnet.
  • Aus 9 wird ersichtlich, dass im Falle einer aus Ge, Sb und Te aufgebauten Aufzeichnungsschicht mit einem Ge-Gehalt von 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger und einem Verhältnis von Sb zu Te von 4.2 oder mehr und 4.8 oder weniger bei einem basierend auf den Bedingungen der Gerätegeschwindigkeit von 10.56 m/s (2x), der Laserwellenlänge von 405 nm, der NA von 0.85 und der Datenbitlänge von 0.12 μm aufgezeichneten Informationssignal ein ausgezeichneter Jitterwert, eine ausgezeichnete Aufzeichnungsempfindlichkeit und ausgezeichnete Speichereigenschaften erzielt werden können.
  • Oben wurden Ausführungsformen der Erfindung spezifisch erläutert. Jedoch ist die Erfindung nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und diese ermöglicht verschiedenartige Modifikationen basierend auf der technischen Idee der Erfindung.
  • Beispielsweise sind die in den Ausführungsformen angegebenen numerischen Werte lediglich beispielhaft und falls erforderlich, können hiervon verschiedene numerische Werte verwendet werden.
  • Bei einem Verfahren zum Herstellen einer optischen Platte gemäß einer der obigen Ausführungsformen ist ein Beispiel gezeigt, bei dem verschiedene Schichten nacheinander auf ein Substrat 2 beschichtet sind, um eine optische Platte 1 auszubilden. Jedoch ist ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Platte nicht hierauf beschränkt.
  • Beispielsweise ist ein mehrschichtiger Film auf eine lichtdurchlässige Schicht beschichtet, auf der eine Führungsvertiefung ausgebildet ist und schließlich kann ein glattes Unterstützungssubstrat ausgebildet sein. Als Verfahren zum Ausbilden einer konkaven Vertiefungsspur der lichtdurchlässigen Schicht können beispielsweise ein Injektionsgussverfahren, ein Fotopolymerverfahren (2P Verfahren: Fotopolymerisation), ein Verfahren zum Schreiben eines konkaven Musters mittels Druckbonden und Druckeinwirkung verwendet werden. Da jedoch das Ausbilden einer Aussparung oder das Abscheiden eines mehrschichtigen Films auf der lichtdurchlässigen Schicht nicht zwangsläufig einfach auszuführen ist, wird im Hinblick auf eine Massenproduktion und dergleichen bevorzugt ein Verfahren zum Herstellen optischer Platten gemäß einer der obigen Ausführungsformen verwendet.
  • Zudem ist gemäß einer der obigen Ausführungsformen ein Fall beispielhaft aufgezeigt, bei dem eine lichtdurchlässige Platte mittels eines vorab gleichmäßig auf eine Hauptoberfläche der lichtdurchlässigen Platte aufgetragenen druckempfindlichen Haftvermittlers auf ein Substrat 2 beschichtet ist, wodurch eine lichtdurchlässige Schicht 7 ausgebildet wird. Jedoch ist ein Verfahren zum Herstellen der lichtdurchlässigen Schicht 7 nicht hierauf beschränkt.
  • Beispielsweise wird ein UV-härtendes Harz zwischen eine Hauptoberfläche einer lichtdurchlässigen Platte und eine zweite dielektrische Schicht 6 aufgetragen, gefolgt von einem Aushärten durch UV-Bestrahlung, wodurch eine lichtdurchlässige Schicht 7 ausgebildet werden kann.
  • Zudem wird in einer der obigen Ausführungsformen beispielsweise mit Hilfe eines als DC Sputtergerät dienenden stationären Facing-Sputtergeräts vom Leaf-Typ mit einem dem Plattensubstrat gegenüberliegenden Target, ein planarer örtlicher Zusammenhang dazwischen wie in 4 eingestellt. Jedoch ist die Erfindung nicht notwendigerweise auf das stationäre Facing-Sputtergerät vom Leaf-Typ beschränkt. Ein Sputtergerät, in dem wie in 13A gezeigt ist, eine Mehrzahl von Substraten (8 Teile in 13A) an einer Palette 26 befestigt sind, oder in dem wie in 13B gezeigt ist, eine Mehrzahl von Targets 28 in einer Vakuumkammer 21 befestigt sind und in örtlichem Zusammenhang wie in 13C stehen, wobei sich die Palette 26 in einer Richtung einer Pfeilmarkierung b dreht, kann zur Abscheidung in Bezug auf eine Mehrzahl von Substraten herangezogen werden.
  • Wie oben erläutert wurde können gemäß der in den Patentansprüchen 1 bis 14 gefassten Erfindung ein eine erste untere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein eine reflektierende Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt werden und ein eine erste obere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein eine lichtdurchlässige Schicht ausbildendes Material können ebenso vor einer Reaktion bewahrt werden; folglich lassen sich ausgezeichnete Signaleigenschaften und eine hohe Zuverlässigkeit erzielen.
  • Gemäß der in den Patentansprüchen 9 bis 22 gefassten Erfindung lassen sich ausgezeichnete Signaleigenschaften erzielen, selbst falls ein optisches Aufzeichnungsmedium mit hoher Geschwindigkeit zum Aufzeichnen eines Informationssignals angesteuert wird.
    • 1
    OPTISCHE PLATTE
    2
    SUBSTRAT
    3
    REFLEKTIERENDE SCHICHT
    4
    UNTERE DIELEKTRISCHE SCHICHT
    5
    AUFZEICHNUNGSSCHICHT
    6
    OBERE DIELEKTRISCHE SCHICHT
    7
    LICHTDURCHLÄSSIGE SCHICHT
    11
    ZWEITE UNTERE DIELEKTRISCHE SCHICHT
    12
    ERSTE UNTERE DIELEKTRISCHE SCHICHT
    13
    ERSTE OBERE DIELEKTRISCHE SCHICHT
    14
    ZWEITE OBERE DIELEKTRISCHE SCHICHT

Claims (28)

  1. Optisches Aufzeichnungsmedium mit wenigstens einer reflektierenden Schicht (3), einer unteren dielektrischen Schicht (4), einer Aufzeichnungsschicht (5), einer oberen dielektrischen Schicht (6) und einer lichtdurchlässigen Schicht (7), die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats (2) beschichtet sind, wobei Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf das Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, und wobei die untere dielektrische Schicht (4) eine erste untere dielektrische Schicht (12) und eine zweite untere dielektrische Schicht (11) beinhaltet, wobei die zweite untere dielektrische Schicht (11) ein die erste untere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die reflektierende Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt, und die obere dielektrische Schicht eine erste obere dielektrische Schicht (13) und eine zweite obere dielektrische Schicht (14) beinhaltet, wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) ein die erste obere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die lichtdurchlässige Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt und wobei die Dicke der zweiten oberen dielektrischen Schicht (14) 36 nm oder mehr und 45 nm oder weniger beträgt.
  2. Optisches Aufzeichnungsmedium mit wenigstens einer reflektierenden Schicht (3), einer unteren dielektrischen Schicht (4), einer Aufzeichnungsschicht (5), einer oberen dielektrischen Schicht (6) und einer lichtdurchlässigen Schicht (7), die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats (2) beschichtet sind, wobei Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf das Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, wobei die untere dielektrische Schicht (4) eine erste untere dielektrische Schicht (12) und eine zweite untere dielektrische Schicht (11) beinhaltet, wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) ein die erste untere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die reflektierende Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt; und die obere dielektrische Schicht eine erste obere dielektrische Schicht (13) und eine zweite obere dielektrische Schicht (14) beinhaltet, wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) ein die erste obere dielektrische Schicht ausbildendes Material und ein die lichtdurchlässige Schicht ausbildendes Material vor einer Reaktion bewahrt, und wobei die Dicke der ersten oberen dielektrischen Schicht (13) 4 nm oder mehr und 12 nm oder weniger beträgt.
  3. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei Extinktionskoeffizienten k von die obere dielektrische Schicht (6) und die untere dielektrische Schicht (4) ausbildenden Materialien den Zusammenhang 0 < k ≤ 3 erfüllen.
  4. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste untere dielektrische Schicht (12) aus einer Mischung von Zinksulfid und Siliziumoxid besteht und wobei die zweite untere dielektrische Schicht (11) aus Siliziumnitrid besteht.
  5. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste obere dielektrische Schicht (13) aus einer Mischung von Zinksulfid und Siliziumoxid besteht und wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) aus Siliziumnitrid besteht.
  6. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Aufzeichnungsschicht (5) eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht ist.
  7. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 6, wobei die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht aus einer SbTe Basislegierung besteht und wobei die reflektierende Schicht aus einer Ag Basislegierung besteht.
  8. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 7, wobei die SbTe Basislegierung Ge, Sb und Te beinhaltet und wobei die Ag Basislegierung Ag, Nd und Cu beinhaltet.
  9. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 8, wobei ein Gehalt an Ge in der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger beträgt und ein Verhältnis von Sb zu Te 3.4 oder mehr und 4.0 oder weniger entspricht, und wobei ein Gehalt an Nd in der reflektierenden Schicht 0.4 Atomprozent oder mehr und 0.7 Atomprozent oder weniger beträgt und ein Gehalt von Cu 0.6 Atomprozent oder mehr und 0.9 Atomprozent oder weniger beträgt.
  10. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 8, wobei ein Gehalt an Ge in der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger entspricht und ein Verhältnis von Sb zu Te 4.2 oder mehr und 4.8 oder weniger beträgt, und wobei ein Gehalt von Nd in der reflektierenden Schicht 0.4 Atomprozent oder mehr und 0.7 Atomprozent oder weniger entspricht und ein Gehalt an Cu 0.6 Atomprozent oder mehr und 0.9 Atomprozent oder weniger beträgt.
  11. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Dicke der reflektierenden Schicht 80 nm oder mehr und 140 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 8 nm oder mehr und 14 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 4 nm oder mehr und 10 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der Aufzeichnungsschicht 8 nm oder mehr und 16 nm oder weniger entspricht.
  12. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die lichtdurchlässige Schicht eine lichtdurchlässige Platte und eine Haftvermittlungsschicht zum Verkleben der lichtdurchlässigen Platte mit einem Substrat beinhaltet.
  13. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 12, wobei die Haftvermittlungsschicht aus einem druckempfindlichen Haftmittel besteht.
  14. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 12, wobei die Haftvermittlungsschicht aus einem UV-härtenden Harz besteht.
  15. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums, das wenigstens eine reflektierende Schicht (3), eine untere dielektrische Schicht (4), eine Aufzeichnungsschicht (5), eine obere dielektrische Schicht (6) und eine lichtdurchlässige Schicht (7) aufweist, die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats (2) beschichtet sind, wobei Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf das Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, umfassend: Ausbilden der reflektierenden Schicht (3) auf einer Hauptoberfläche eines Substrats (2); eine erste untere dielektrische Schicht (12) und eine zweite untere dielektrische Schicht (11), die eine Reaktion eines die erste dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die reflektierende Schicht ausbildenden Material verhindert, wobei hierdurch die untere dielektrische Schicht ausgebildet wird; Ausbilden der Aufzeichnungsschicht (5) auf der unteren dielektrischen Schicht; eine erste obere dielektrische Schicht (13) und eine zweite obere dielektrische Schicht (14), die eine Reaktion eines die erste obere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die lichtdurchlässige Schicht ausbildenden Material verhindert, wodurch die obere dielektrische Schicht ausgebildet wird; und Ausbilden der lichtdurchlässigen Schicht (7) auf der oberen dielektrischen Schicht, wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) mit einer Dicke von 36 nm bis 46 nm ausgebildet wird.
  16. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums, das wenigstens eine reflektierende Schicht (3), eine untere dielektrische Schicht (4), eine Aufzeichnungsschicht (5), eine obere dielektrische Schicht (6) und eine lichtdurchlässige Schicht (7) aufweist, die nacheinander auf eine Hauptoberfläche eines Substrats (2) beschichtet sind, wobei Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 400 nm oder darüber und 410 nm oder darunter mit einem optischen System einer numerischen Apertur im Bereich von 0.84 oder darüber und 0.86 oder darunter auf das Aufzeichnungsmedium fokussiert wird, gefolgt von einer Bestrahlung von einer Seite der lichtdurchlässigen Schicht, wodurch ein Informationssignal aufgezeichnet und wiedergegeben wird, umfassend: Ausbilden der reflektierenden Schicht (3) auf einer Hauptoberfläche eines Substrats (2); eine erste untere dielektrische Schicht (12) und eine zweite untere dielektrische Schicht (11), die eine Reaktion eines die erste dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die reflektierende Schicht ausbildenden Material verhindert, wobei hierdurch die untere dielektrische Schicht ausgebildet wird; Ausbilden der Aufzeichnungsschicht (5) auf der unteren dielektrischen Schicht; eine erste obere dielektrische Schicht (13) und eine zweite obere dielektrische Schicht (14), die eine Reaktion eines die erste obere dielektrische Schicht ausbildenden Materials mit einem die lichtdurchlässige Schicht ausbildenden Material verhindert, wodurch die obere dielektrische Schicht ausgebildet wird; und Ausbilden der lichtdurchlässigen Schicht (7) auf der oberen dielektrischen Schicht, wobei die erste obere dielektrische Schicht (13) mit einer Dicke von 4 bis 12 nm ausgebildet wird.
  17. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei Extinktionskoeffizienten k von die obere dielektrische Schicht (6) und die untere dielektrische Schicht (4) ausbildenden Materialien den Zusammenhang 0 < k ≤ 3 erfüllen.
  18. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei die erste untere dielektrische Schicht (12) aus einer Mischung von Zinksulfid und Siliziumoxid besteht und die zweite untere dielektrische Schicht (11) aus Siliziumnitrid besteht.
  19. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei die erste obere dielektrische Schicht (13) aus einer Mischung von Zinksulfid und Siliziumoxid besteht und wobei die zweite obere dielektrische Schicht (14) aus Siliziumnitrid besteht.
  20. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Aufzeichnungsschicht (5) eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht ist.
  21. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 20, wobei die Phasenänderungsaufzeichnungsschicht aus einer SbTe Basislegierung besteht und wobei die reflektierende Schicht aus einer Ag Basislegierung besteht.
  22. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 21, wobei die SbTe Basislegierung Ge, Sb und Te beinhaltet und wobei die Ag Basislegierung Ag, Nd und Cu beinhaltet.
  23. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 22, wobei ein Gehalt an Ge in der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger entspricht und wobei ein Verhältnis von Sb zu Te 3.4 oder mehr und 4.0 oder weniger beträgt, und wobei ein Gehalt von Nd in der reflektierenden Schicht 0.4 Atomprozent oder mehr und 0.7 Atomprozent oder weniger entspricht und ein Gehalt an Cu 0.6 Atomprozent oder mehr und 0.9 Atomprozent oder weniger beträgt.
  24. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 22, wobei ein Gehalt an Ge in der Phasenänderungsaufzeichnungsschicht 2 Atomprozent oder mehr und 8 Atomprozent oder weniger entspricht und ein Verhältnis von Sb zu Te 4.2 oder mehr und 4.8 oder weniger ist, und wobei ein Gehalt an Nd in der reflektierenden Schicht 0.4 Atomprozent oder mehr und 0.7 Atomprozent oder weniger entspricht und ein Gehalt an Cu 0.6 Atomprozent oder mehr und 0.9 Atomprozent oder weniger beträgt.
  25. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei eine Dicke der reflektierenden Schicht 80 nm oder mehr und 140 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der zweiten unteren dielektrischen Schicht 8 nm oder mehr und 14 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der ersten unteren dielektrischen Schicht 4 nm oder mehr und 10 nm oder weniger beträgt; eine Dicke der Aufzeichnungsschicht 8 nm oder mehr und 16 nm oder weniger entspricht.
  26. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 15 oder 16, wobei die lichtdurchlässige Schicht (7) durch Verkleben einer lichtdurchlässigen Platte mit der oberen dielektrischen Schicht über eine Haftvermittlungsschicht ausgebildet wird.
  27. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 26, wobei die Haftvermittlungsschicht aus einem druckempfindlichen Haftmittel besteht.
  28. Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 26, wobei die Haftvermittlungsschicht aus einem UV-härtenden Harz besteht.
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