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DE60129294D1 - Verfahren zur Auffrischung der gespeicherten Daten in einem elektrisch lösch- und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher - Google Patents

Verfahren zur Auffrischung der gespeicherten Daten in einem elektrisch lösch- und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher

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Publication number
DE60129294D1
DE60129294D1 DE60129294T DE60129294T DE60129294D1 DE 60129294 D1 DE60129294 D1 DE 60129294D1 DE 60129294 T DE60129294 T DE 60129294T DE 60129294 T DE60129294 T DE 60129294T DE 60129294 D1 DE60129294 D1 DE 60129294D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
refreshing
nonvolatile memory
stored data
electrically erasable
programmable nonvolatile
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE60129294T
Other languages
English (en)
Inventor
Federico Pio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE60129294D1 publication Critical patent/DE60129294D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
DE60129294T 2001-02-19 2001-02-19 Verfahren zur Auffrischung der gespeicherten Daten in einem elektrisch lösch- und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher Expired - Lifetime DE60129294D1 (de)

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Family

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EP (1) EP1233421B1 (de)
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010077591A (ko) * 2000-02-03 2001-08-20 복성해 아라니콜라 프로테오리티쿠스에서 분리한 신규 금속성단백질 분해효소 및 그의 유전자
FR2851074B1 (fr) 2003-02-10 2005-04-22 St Microelectronics Sa Memoire flash sectorisee comprenant des moyens de controle et de rafraichissement de cellules memoire
FR2856186A1 (fr) 2003-06-12 2004-12-17 St Microelectronics Sa Memoire flash comprenant des moyens de controle et de rafraichissement de cellules memoire dans l'etat efface
KR100655288B1 (ko) * 2004-11-16 2006-12-08 삼성전자주식회사 셀프-리프레쉬 동작을 제어하는 로직 엠베디드 메모리 및그것을 포함하는 메모리 시스템
ITMI20050063A1 (it) * 2005-01-20 2006-07-21 Atmel Corp Metodo e sistema per la gestione di una richiesta di sospensione in una memoria flash
US7319617B2 (en) * 2005-05-13 2008-01-15 Winbond Electronics Corporation Small sector floating gate flash memory
US7447096B2 (en) * 2006-05-05 2008-11-04 Honeywell International Inc. Method for refreshing a non-volatile memory
US7286409B1 (en) 2006-05-09 2007-10-23 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus to improve nonvolatile memory data retention
US7580302B2 (en) * 2006-10-23 2009-08-25 Macronix International Co., Ltd. Parallel threshold voltage margin search for MLC memory application
US8767450B2 (en) * 2007-08-21 2014-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controllers to refresh memory sectors in response to writing signals and memory systems including the same
KR20100134375A (ko) * 2009-06-15 2010-12-23 삼성전자주식회사 리프레쉬 동작을 수행하는 메모리 시스템
US7808831B2 (en) * 2008-06-30 2010-10-05 Sandisk Corporation Read disturb mitigation in non-volatile memory
US7859932B2 (en) * 2008-12-18 2010-12-28 Sandisk Corporation Data refresh for non-volatile storage
US7894270B2 (en) * 2009-02-11 2011-02-22 Mosys, Inc. Data restoration method for a non-volatile memory
CN103985414A (zh) * 2014-05-21 2014-08-13 辉芒微电子（深圳）有限公司 一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法和电路
FR3107139B1 (fr) * 2020-02-06 2022-07-29 St Microelectronics Rousset Dispositif de mémoire EEPROM et procédé d’écriture correspondant

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5239505A (en) * 1990-12-28 1993-08-24 Intel Corporation Floating gate non-volatile memory with blocks and memory refresh
FR2728380A1 (fr) * 1994-12-20 1996-06-21 Sgs Thomson Microelectronics Procede d'ecriture de donnees dans une memoire et memoire electriquement programmable correspondante
JPH08190796A (ja) * 1995-01-09 1996-07-23 Mitsubishi Denki Semiconductor Software Kk データリフレッシュ機能を有するフラッシュメモリ及びフラッシュメモリのデータリフレッシュ方法
US5606532A (en) * 1995-03-17 1997-02-25 Atmel Corporation EEPROM array with flash-like core
JPH10255487A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
US6088268A (en) * 1998-09-17 2000-07-11 Atmel Corporation Flash memory array with internal refresh
US6493270B2 (en) * 1999-07-01 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Leakage detection in programming algorithm for a flash memory device
US6108241A (en) * 1999-07-01 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Leakage detection in flash memory cell
US6396744B1 (en) * 2000-04-25 2002-05-28 Multi Level Memory Technology Flash memory with dynamic refresh

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