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Erfindungsgebiet
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Die
Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Detektion von elektromagnetischen
Strahlung wie etwa Infrarotstrahlung, bei der die Detektoren und
die Leseschaltung in einen Hohlraum eingeschlossen sind, in dem
Vakuum herrscht und der durch ein für elektromagnetische Strahlung
durchlässiges
Fenster verschlossen ist, das elektrische Verbindungen nach außen ermöglicht.
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Die
Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung.
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Die
Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Wärmedetektoren und insbesondere
der ungekühlten
Infrarotdetektoren. Sie kann zum Beispiel in monolithischen IR-Bilderzeugern
angewendet werden, die bei Umgebungstemperatur arbeiten und eine
Matrix aus empfindlichen Elementen umfassen, die mit einer Multiplexschaltung
aus Silicium des Typs CMOS oder CCD verbunden sind.
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Stand der Technik
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Die
ungekühlten
Wärmedetektoren
umfassen generell ein empfindliches Element, das durch eine Infrarotstrahlung
in dem 8- bis 12 μm-Band
erwärmt
werden kann, wobei dieses empfindliche Element charakteristisch
ist für
die Temperatur und das Emissionsvermögen der beobachteten Körper. Die Erhöhung der
Temperatur des empfindlichen Elements erzeugt eine Veränderung
einer elektrischen Eigenschaft des empfindlichen Materials; diese
Eigenschaft kann zum Beispiel das Auftreten von elektrischen Ladungen
durch pyroelektrischen Effekt sein oder die Änderung der Kapazität durch
Veränderung der
dielektrischen Konstante oder auch Veränderung des Widerstands, wenn
das Material halbleitend oder metallisch ist.
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Damit
solche Detektoren optimal arbeiten, sind drei Hauptbedingungen notwendig.
Das empfindliche Material muss eine kleine kalorifische Masse, eine
gute Wärmeisolation
seiner aktiven Schicht gegenüber
ihrem Träger
und einen hohe Empfindlichkeit des Konversionseffekts von Wärme in ein elektrisches
Signal haben, wobei die beiden ersten Bedingungen eine Realisierung
des empfindlichen Materials in Form von Dünnschichten erfordert.
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Bei
zahlreichen Anwendungen, wie etwa den Anwendungen bei der IR-Bilderzeugung, müssen die Wärmedetektoren
durch Vakuum oder ein nicht-wärmeleitendes Gas
konditioniert werden, um ihre Leistung zu verbessern. In diesem
Fall werden die Wärmedetektoren
eingekapselt in ein Gehäuse
mit einem Fenster, das durchlässig
ist für
das Band III, das heißt das
8- bis 12 μm-Band.
Die klassische Einkapselungsoperation ist schwierig bezüglich Ausbeute
und relativ teuer. Um die Kosten dieser Integration zu senken, wurden
kollektive Einkapselungsverfahren vorgeschlagen.
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Eines
dieser kollektiven Einkapselungsverfahren ist in dem Patent WO-95/17014
beschrieben. Es handelt sich um ein Verfahren zur kollektiven Einkapselung
unter Vakuum (oder unter einem nichtwärmeleitenden Gas) durch Kopplung
eines Detektorenwafers mit einem Wafer aus IR-durchlässigen Fenstern.
Die Verbindung zwischen den beiden Wafern erfolgt durch eine Schweißnaht, die
einerseits die Dichtheit des Ganzen gewährleistet und andererseits die
Durchführung
der elektrischen Verbindungen zwischen der Innenseite und der Außenseite
der Vorrichtung ermöglicht.
Diese Schweißnaht
bestimmt auch – in
Abhängigkeit
von ihrer Dicke – den
Abstand zwischen den beiden Baukomponenten des Gehäuses. Der
Abstand kann auch durch ein Abstandselement, erzeugt durch Schichten,
die auf dem Vorrichtungswafer oder dem Fensterwafer abgeschieden
werden, oder direkt aus dem Fenstermaterial realisiert werden. Bei
Bauelementen mit großen
Dimensionen kann im Zentrum ein Pfeiler vorgesehen werden, um die
Verformungen der großdimensionierten
Bauelemente zu begrenzen.
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Das
in diesem Dokument beschriebene Verfahren schlägt vor, auf der Detektorenwaferseite
und der Fensterwaferseite eine Metallschicht vorzusehen, um die
Benetzungsfähigkeit
und die Haftfähigkeit
der Schweißung
zu gewährleisten.
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Außerdem wird
die Aufrechterhaltung des Vakuums im Innern des Mikrogehäuses dadurch
gewährleistet,
dass man Materialien verwendet, die keinen exzessiven Entgasungsgrad
aufweisen. Jedoch ist es auch mit einem relativ niedrigen Entgasungsgrad
quasi obligatorisch, ein Gettermaterial zu benutzen, um die durch
die verschiedenen Oberflächen ausgeschiedenen
Gase zu absorbieren, denn die Erhöhung des Drucks verschlechtert
die Wärmeisolation
der Mikrobrücken.
Dieses Gettermaterial kann Barium, Vanadium, Eisen, Zirkon oder
Legierungen dieser Stoffe sein. Jedoch müssen solche Stoffe, ehe sie aktiv
sind, während
einer kurzen Periode erwärmt werden,
entweder durch Joule-Effekt
oder durch einen Laserstrahl, ohne dass sich dabei die Vorrichtung
oder das Fenster übermäßig erwärmen. Um
dieses Problem zu lösen,
wird das Gettermaterial auf dafür
vorgesehenen Mikrobrücken
abgeschieden, und dies mit dem Zweck, die Erwärmung auf nur das Gettermaterial
zu begrenzen.
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In
der 1A ist dieses Verfahren zur kollektiven Herstellung
von IR-Detektionsvorrichtungen schematisch
dargestellt.
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Diese 1A zeigt
einen Detektionswafer 2, einen IR-durchlässigen Fensterwafer 3 und
Mikrobolometer, das heißt
ungekühlte
Infrarotdetektoren 4a, 4b, 4c. Diese 1A zeigt
auch, dass der Detektionswafer 2 und der Fensterwafer 3 in
regelmäßigen Intervallen
durch Abstandshalter 5a, 5b, 5c, 5d,
usw. getrennt sind, die die Trennung der verschiedenen Detektionsvorrichtungen
gewährleisten.
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Das
in der 1A dargestellte Ganze wird anschließend zwischen
zwei Abstandshaltern durchtrennt, um verschiedene IR-Detektionsvorrichtungen zu
bilden. Außerdem
wird in der Patentanmeldung GB-A-2 310 952 eine IR-Detektionsvorrichtung
mit Fenstern aus Silicium beschrieben. Die Realisierung des IR-durchlässigen Fensters
aus Silicium hat den Vorteil, kostengünstig und – in Bezug auf den Wärmedehnungskoeffizienten – kompatibel
zu sein mit der ebenfalls auf einem Siliciumsubstrat hergestellten
Detektionsschaltung. Zudem ermöglicht
das Silicium einen guten Kompromiss zwischen den mechanischen Eigenschaften
und den optischen Eigenschaften der Vorrichtung.
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Für den Zusammenbau
des Fensters mit der Detektionsschaltung empfiehlt diese Dokument
entweder eine eutektische Verschmelzung oder eine Verschmelzung
bzw. Versiegelung durch gesintertes Glas mit niedrigem Schmelzpunkt
oder eine Schweißung
durch Thermokompression. Im Falle der eutektischen Verschmelzung
wird empfohlen, für
die Verschmelzung Zinn/Blei-Legierungen und für die Haftmetallisierungen
eine W/Ni/Au-Dreierschicht
zu benutzen.
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In
der 1B ist schematisch die oben beschriebene IR-Detektionsvorrichtung
dargestellt, nach der Durchtrennung außerhalb der Abstandshalter 5c und 5d.
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Diese
IR-Detektionsvorrichtung umfasst eine Detektionsschaltung mit Detektoren 4a und 4b und Leseschaltungen
sowie ein IR-durchlässigen
Fenster 3. Das Fenster 3 wird durch zwei Abstandshalter 5c und 5d über der
Detektionsschaltung 2 gehalten. Diese ganze Vorrichtung
ist auf einem Träger 6 befestigt, mit
dem sie durch Verbindungsdrähte 7 verbunden ist.
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Eine
solche Vorrichtung erfordert auf der Detektionsschaltung 2 Verschmelzungs- bzw. Versiegelungsnähte 5', die die Durchführung der
elektrischen Verbindung bzw. Verbindungen zwischen der Detektionsschaltung 2 und
den Verarbeitungsvorrichtungen außerhalb der Vorrichtung ermöglichen,
nach der elektrischen Isolierung dieser Verbindungen. Es ist extrem
schwierig, die Realisierung solcher Nähte in das Herstellungsverfahren
zu integrieren, denn dazu benötigt
man Gold, was mit dem Risiko einer Kontamination der CMOS-Schaltung
der Detektionsschaltung 2 verbunden ist.
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Zudem
wird die Detektionsschaltung durch diese Verschmelzungs- bzw. Versiegelungsnaht,
die das teuerste bzw. aufwendigste Element der fertigen Schaltung
bildet, größer. Die
Topologie auf Ebene der Verschmelzungsverbindung muss beträchtlich
reduziert werden, das heißt
dass sie planarisiert werden muss durch mechanisch-chemische Politur,
um eine hermetische Versiegelung zu gewährleisten.
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Zudem,
wie oben erwähnt,
muss man bei dieser Vorrichtung Getter benutzen, um das Vakuum im
Innern der Vorrichtung, zwischen der Detektionsschaltung 2 und
dem Fenster 3, aufrecht zu erhalten. Da diese Getter neben
den Infrarotdetektoren angeordnet werden müssen, vergrößern sie noch die Fläche der
Detektionsschaltung 2 auf Kosten der Anzahl Detektionsschaltungen
pro Wafer.
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Aus
der Kurzfassung (Patent Abstracts of Japan, Band 1998, Nr. 2, 30.
Januar 1998) der Patentanmeldung JP-A-09 264 784 kennt man eine
Vorrichtung zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung entsprechend
des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
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Das
Dokument WO-A-99/67818 offenbart eine Vorrichtung mit einem Träger und
einer Haube, die mit dem Träger
verschmolzen bzw. versiegelt wird, um mit dem Träger einen Hohlraum mit kontrollierter
Atmosphäre
um ein Bauelement herum zu bilden. Um das Bauteil herum wird eine
Abdichtungsnaht gebildet. Die Vorrichtung umfasst auch Elemente
aus elektrisch leitfähigem
Material. Sie können dank
eines die Haube durchquerenden Verbindungsloches eine elektrische
Verbindung zwischen dem Bauelement und der Außenseite der Haube gewährleisten.
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Aus
der Kurzfassung (Patent Abstracts of Japan, Band 1999, Nr. 10, 31.
August 1998) der Patentanmeldung JP-A-09 264 784 kennt man einen
Infrarotsensor, der einen Träger
mit einem Hohlraum umfasst, der durch einen Deckel dicht verschlossen
ist. Der Träger
umfasst auf dem Boden des Hohlraums höckerförmige Elektroden, die mit Elektroden
des empfindlichen Elements des Sensors verbunden sind und das empfindliche
Element tragen.
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Darstellung der Erfindung
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Die
Erfindung hat genau die Aufgabe, die Nachteile der Vorrichtung und
des Verfahrens der oben beschriebenen Realisierung zu beseitigen.
Zu diesem Zweck schlägt
sie eine Vorrichtung zur Detektion von Infrarotstrahlung vor, die
in drei Dimensionen realisiert wird, um den die Verschmelzung bzw. Versiegelung
betreffenden Teil auf wesentlich weniger teure Elemente als die
Detektionsschaltungen zu übertragen
und um den Getter unter der Detektionsschaltung anzuordnen.
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Noch
genauer betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Detektion von
elektromagnetischer Strahlung, die wenigstens einen ungekühlten Wärmedetektor
und eine Leseschaltung enthält,
wobei
die Vorrichtung umfasst:
- – ein Substrat mit einem Hohlraum
unter Vakuum, in dem der Wärmedetektor
und die Leseschaltung angeordnet sind;
- – ein
für die
Strahlungen transparentes Fenster, das sich über dem Hohlraum befindet und
diesen verschließt;
- – Verschlusseinrichtungen,
um das Fenster auf dem Hohlraum hermetisch abzudichten; und
- – elektrische
Verbindungseinrichtungen, die eine dichte Verbindung zwischen der
Detektionsschaltung und außerhalb
des Hohlraums befindlichen Verarbeitungselementen gewährleisten;
und
dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrischen Verbindungseinrichtungen
(9) das Fenster durchqueren.
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Vorteilhafterweise
umfasst die Vorrichtung einen in dem Hohlraum unter der Leseschaltung
angeordneten Getter.
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Nach
einer Realisierungsart der Erfindung sind die Verbindungseinrichtungen
metallisierte Öffnungen.
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Nach
einer anderen Realisierungsart der Erfindung sind die Verbindungseinrichtungen
im Wesentlichen H-förmige,
das Fenster durchquerende Metallstücke.
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Nach
einer Variante der Erfindung werden die Verschlusseinrichtungen
durch eine anodische Verschmelzung gebildet.
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Nach
einer anderen Variante der Erfindung werden die Verschlusseinrichtungen
durch eine eutektische Versiegelung gebildet.
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Die
Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Realisierung dieser Vorrichtung.
Noch genauer handelt es sich um ein Verfahren zur Einkapselung von ungekühlten Wärmedetektoren,
die wenigstens einer Leseschaltung zugeordnet und dazu bestimmt
sind, elektromagnetische Strahlen zu detektieren, darin bestehend:
- a) einen Hohlraum in einem Substrat zu realisieren
(E1); und dadurch gekennzeichnet, dass es außerdem darin besteht:
- b) Öffnungen
in einem für
die zu detektierende Strahlung transparenten Fenster zu realisieren und
auf dichte Weise in den Öffnungen
des Fensters elektrische Verbindungseinrichtungen zu realisieren,
wobei die elektrischen Verbindungseinrichtungen also das Fenster
durchqueren;
- c) die Detektionsschaltung durch Verbindungseinrichtungen mit
dem transparenten Fenster zu verbinden; und
- d) die Detektionsschaltung in dem Hohlraum zu platzieren und
das transparente Fenster und das Substrat durch Verschmelzung bzw.
Versiegelung hermetisch zu verschließen.
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Vorteilhafterweise
umfasst das erfindungsgemäße Verfahren
einen Schritt c',
der darin besteht, einen Getter in dem Hohlraum zu platzieren, vor
der Platzierung der Detektionsschaltung.
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Vorteilhafterweise
scheidet man auf beiden Seiten des transparenten Fensters eine Antireflexschicht
ab.
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Nach
einer Realisierungsart der Erfindung sind die Detektoren n Leseschaltungen
zugeordnet, mit n ≥ 2.
In diesem Fall besteht die Erfindung darin:
- – in einer
Substratscheibe n-mal den Schritt a) zu realisieren;
- – in
einer transparenten Fensterscheibe n-mal den Schritt b) zu realisieren;
- – in
der genannten Fensterscheibe n-mal den Schritt c) zu realisieren;
- – für jeden
Hohlraum den Schritt d) zu realisieren; und
- – das
durch die Fensterscheibe und die Substratscheibe gebildete Ganze
so zu zerschneiden, dass man n Detektionsvorrichtungen gemäß derjenigen
des Anspruchs 1 erhält.
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Kurzbeschreibung der Figuren
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Die
schon beschriebene 1A stellt schematisch den Hauptschritt
des kollektiven Herstellungsverfahrens der Vorrichtung nach dem
Stand der Technik dar;
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die
schon beschriebene 1B stellt die durch das Verfahren
der 1A realisierte Vorrichtung dar;
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die 2 stellt
die IR-Detektionsvorrichtung nach der Erfindung dar; und
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die 3 stellt
schematisch die verschiedenen Schritte zur Realisierung der Vorrichtung
der 2 dar.
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Detaillierte Beschreibung
von Realisierungsarten der Erfindung
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Die 2 zeigt
die schematische Darstellung der IR-Detektionsvorrichtung nach der
Erfindung. Die Bezugszeichen der 2 entsprechen
denen der 1A und 1B für gleiche
bzw. ähnliche Elemente.
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Die
erfindungsgemäße Vorrichtung
präsentiert
sich in Form eines dreidimensionalen Stapels von Elementen. Eines
dieser Elemente ist eine Detektionsschaltung 2, die eine
Leseschaltung und drei ungekühlte
Infrarotdetektoren 4a, 4b und 4c umfasst, die
auch "Mikrobrücken" genannt werden und
die mit der Leseschaltung verbunden sind. Die Anzahl der Detektoren
kann groß sein
(zum Beispiel 256 × 256).
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Wenn
die Detektionsvorrichtung zur IR-Bilderzeugung benutzt wird, stellt
jede Mikrobrücke
ein Pixel des detektierten Bildes dar.
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Die
Detektionsschaltung 2 befindet sich im Innern eines einen
Hohlraum 10 umfassenden Substrats 8.
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Ein
anderes 3D-Stapelelement ist ein für IR-durchlässiges Fenster 3,
so über
dem Hohlraum 10 angeordnet, dass es den Hohlraum 10 verschließt. Dieses
IR-durchlässige
Fenster 3 ruht auf den Wänden 8a und 8b des
Hohlraums 10. Es ist auf diesen Wänden durch eine in der 2 mit 12 bezeichnete
Versiegelung des zum Beispiel anodischen Typs befestigt. Dieses
Fenster 3 kann auf den Wänden des Hohlraums 10 auch
durch eine in der 2 mit 13 bezeichnete
Verschmelzung des eutektischen Typs befestigt werden. Selbstverständlich realisiert man
die Befestigung des Fensters auf dem Substrat 8 (das heißt auf den
Wänden 8a und 8b des
Hohlraums 10) durch denselben Verschmelzungs- bzw. Versiegelungstyp,
also eine anodische oder eine eutektische Versiegelung bzw. Verschmelzung.
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Das
IR-durchlässige
Fenster 3 hat mehrere Öffnungen
für Verbindungseinrichtungen
zwischen der Außenseite
der Vorrichtung und der Innenseite des Hohlraums.
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Bei
der Realisierungsart der 2 umfasst das IR-durchlässige Fenster
zwei mit 3a und 3b bezeichnete Öffnungen,
die als Durchgang für
die Verbindungseinrichtungen 9 durch das Fenster 3 dienen. Die Öffnungen
können
durch ein Siebdruckverfahren oder auch durch das LPCVD-Verfahren
metallisiert werden. Vorzugsweise ist die Dicke der metallisierten Schichten
zwischen 0,5 μm
und 5 μm
enthalten.
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Die
Verbindungseinrichtungen 9 gewährleisten den Halt der Detektionsschaltung 2 im
Innern des Hohlraums 10.
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Sie
gewährleisten
folglich die Positionierung der IR-Detektoren 4a, 4b und 4c in
Bezug auf das Fenster. Außerdem
gewährleisten
diese Verbindungseinrichtungen 9 den dichten Durchgang
eine dichten elektrischen Verbindung zwischen der in dem Hohlraum 10 enthaltenen
Detektionsschaltung 2 und außerhalb der Vorrichtung befindlichen
Verarbeitungseinrichtungen 20. Diese externen elektronischen
Verarbeitungseinrichtungen 20 können zum Beispiel eine elektronische
Karte 20a umfassen, die über Lötstützpunkte 20b mit einem
oder mehreren Verbindungseinrichtungen 9 der Detektionsvorrichtung
verbunden ist.
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Die
elektrischen Verbindungseinrichtungen 9 können unterschiedlichen
Typs sein. Jedoch müssen diese
Verbindungseinrichtungen ausreichend steif sein, um die mechanische
Befestigung der Detektionsschaltung 2 und somit eine stabile
Positionierung dieser Schaltung im Innern des Hohlraums 10 zu
ermöglichen,
und ausreichend dicht sein, um das Vakuum im Innern des Hohlraums 10 aufrechtzuerhalten. Anzumerken
ist, dass in der Beschreibung und den Ansprüchen zwar immer von "Vakuum" die Rede ist, dass
es sich aber selbstverständlich
auch um ein Gas handeln kann, das ein schlechter Wärmeleiter ist.
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Diese
Verbindungseinrichtungen 9 können zum Beispiel Metallstücke 9a mit
der Form eines liegenden H sein, die das Fenster von einer Seite
zur anderen durchqueren (in der Folge H-förmige Metallstücke genannt).
Aber es können
auch Techniken angewendet werden, die ganz oder teilweise gefüllte metallisierte
Löcher
benutzen.
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Diese
Verbindungseinrichtungen umfassen auch auf der Detektionsschaltung 2 befestigte
Verbindungsmetallstücke 9c (Flachmetallstücke genannt).
Hybridisierungsstücke 9b sichern
die mechanische Verbindung und die elektrische Verbindung zwischen
den H-förmigen Metallstücken 9a und
den Flachmetallstücken 9c.
Diese Metallstücke 9a, 9b und 9c werden
aus metallischen Materialien wie Ti, TiN, Pt, Al, Au, W, Ni, Ln,
Sn, MnPb, SnPb, usw. hergestellt. Sie werden auf der Vorrichtung
durch Sputtern, CVD oder ein Verdampfungsverfahren abgeschieden.
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Die
erfindungsgemäße Vorrichtung
hat den Vorteil, einen Hohlraum zu umfassen, der ausreichend tief
ist, um einen Getter im Innern der Vorrichtung anzubringen, unter
der Detektionsschaltung 2. In der 2 ist ein
Getter 11 dargestellt, angeordnet auf bzw. in einem eventuell
wärmeisolierenden
Getterträger 11', der sich auf
Vorsprüngen
bzw. Stufen 14 der Wände 8a und 8b des
Hohlraums abstützt. Der
so unter der Leseschaltung 2 angeordnete Getter ermöglicht einen
beträchtlichen
Platzgewinn in Bezug auf die klassischen Vorrichtungen, bei denen
der Getter sich auf der Seite der Leseschaltung befindet. Der Getter
kann also großzügig dimensioniert
werden und folglich als Mikropumpe dienen, so dass er teilweise
eine sich außerhalb
der leerzupumpenden Einheit befindliche Sekundärpumpvorrichtung ersetzen kann.
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Außerdem vermeidet
man mit dieser Anordnung des Getters die Risiken einer Veränderung
der Detektoren 4a, 4b, 4c bei der Verschmelzung
bzw. Versiegelung, da der Getter keinen direkten Kontakt mit der
Detektionsschaltung hat.
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Bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann
die Verschmelzung bzw. Versiegelung zur Befestigung des Fensters 3 auf
dem Substrat 8 eine anodische sein; diese setzt die Verwendung
von Glas des Typs PYREX® (Borosilikat), stark
natrium- oder kaliumdotiert, voraus. Die einzukapselnde Einheit wird
dann unter Vakuum auf eine typisch zwischen 100 und 500°C enthaltene
Temperatur gebracht und dabei einem starken elektrischen Feld der
Größenordnung
7 × 106 V/m in dem Glas ausgesetzt. Unter der konjugierten
Wirkung des elektrischen Feldes und der Temperatur wandern die Ionen
zur Anode und Katode, wo sie eingefangen werden. Die angesammelten
Ionen erzeugen ein starkes internes elektrisches Feld, das bewirkt,
dass die beiden präsenten Materialien
aneinander haften. Jedoch sind die CMOS-Schaltungen (im vorliegenden
Fall die Leseschaltung) bekanntlich empfindlich gegenüber der Diffusion
von solchen metallischen Ionen und gegenüber starken elektrischen Feldern.
Aber in der Erfindung ist die Detektionsschaltung 2 in
dem Hohlraum mit Hilfe der Verbindungseinrichtungen 9 "aufgehängt"; folglich findet
die anodische Verschmelzung bzw. Versiegelung zwischen dem Fenster 3 und
den Wänden 8a und 8b des
Hohlraums 10 statt, ohne dass die Gefahr einer Berührung der
Detektionsschaltung 2 besteht. Außerdem ist die Detektionsschaltung
auch nicht dem zur Verschmelzung bzw. Versiegelung nötigen elektrischen
Feld ausgesetzt, so dass sie durch dieses nicht beschädigt werden kann.
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Bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist es auch möglich,
das Fenster 3 durch eine eutektische Verschmelzung festzuschmelzen.
Diese Art der Verschmelzung besteht darin, zwischen zwei Siliciumoberflächen eine
Metallschicht, zum Beispiel aus Gold, einzufügen, also eine Goldschicht 13 zwischen dem
Fenster und den Wänden
des Hohlraums, und das Ganze dann zu erwärmen. Die Schmelztemperatur
der sich durch Diffusion bildenden Mischung ist niedriger als die
des Metalls oder des Siliciums. Das Gold reagiert also mit dem Silicium
bei 363°C,
um das Eutektikum AuSi zu bilden.
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Bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist die Detektionsschaltung nie in direktem Kontakt mit dem zur
Verschmelzung benutzten Metall, zum Beispiel Gold. Es besteht daher
kein Risiko der Kontamination der Detektionsschaltung durch das
Gold.
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Außerdem gibt
es bei dieser Vorrichtung kein von einer Metallisierung stammendes
Relief, das heißt,
die Verschmelzungsnaht nach außen
durchquerende metallische Kontakte. Die eutektische Verschmelzung
kann daher problemlos zwischen dem Fenster und den Wänden des
Hohlraums realisiert werden.
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Die
Verschmelzung des Fensters mit den Wänden des Hohlraums kann auch
durch Gläser
mit niedrigem Schmelzpunkt oder Klebstoffen oder auch Lötwerkstoff
erfolgen.
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Um
die erfindungsgemäße Vorrichtung
zu realisieren, ist es nicht notwendig, den Getter zu aktivieren,
also zu erwärmen.
Die Erwärmung
kann realisiert werden, indem man einen elektrischen Strom fließen lässt, oder
auch durch Erwärmung
der Substrat/Fenster- Einheit,
vorteilhafterweise mittels Laser. Diese Laser-Aktivierung erfolgt
durch das Substrat hindurch, das um die Betriebswellenlänge des
Lasers herum transparent sein muss. Die Benutzung eines Abtastlasers
(laser balayé)
ermöglicht,
die maximale Fläche
des Getters 11 zu aktivieren und dabei zu vermeiden, die
Wärmedetektoren
zu sehr zu erwärmen.
Diesbezüglich
kann die Rückseite
der Detektionsschaltung mit einer Schicht überzogen werden, die das durch
den Getter während
seiner Aktivierung emittierte Infrarotlicht reflektiert. Der Träger 11' des Getters
wird dann aus einem Wärme
isolierenden Material realisiert. Dieses Laseraktivierungsverfahren
ermöglicht,
eine Temperatur über
500°C zu erreichen
und so eine Aktivierungsperiode von nur einigen Minuten zu realisieren.
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Die
Aktivierung kann auch durch Hochfrequenz erfolgen. In diese, Fall
kann das den Getter 11 und seinen Träger 11' bildende Material metallisch sein.
Man führt
dann eine Induktionserwärmung durch
die Rückseite
des den Hohlraum bildenden Substrats durch. Dabei bewirkt eine elektromagnetische
Welle das Fließen
der induzierten Ströme,
die ihrerseits Joule-Effekt-Verluste, verursacht durch Wirbelstrom,
erzeugen. Um die Detektionsschaltung während der Aktivierungsphase
nicht zu beschädigen,
muss die Dicke des Getters und/oder seines Trägers so angepasst werden, dass
sie eine wirksame Abschirmung bilden. Wie bei der Aktivierung durch
Laser kann die Rückseite
der Detektionsschaltung eine vorzugsweise elektrisch nicht leitfähige Reflexionsschicht
umfassen.
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Die
erfindungsgemäße Vorrichtung,
wie oben beschrieben, kann mit Hilfe eines sogenannten "Einkapselungsverfahrens
für ungekühlte Wärmedetektoren" ("procédé d'encapsulation des
détecteurs thermiques
non refroidis")
realisiert werden. Wie in der 3 dargestellt,
besteht dieses Verfahren darin, zunächst in einem Substrat 8 einen
Hohlraum 10 zu realisieren (Schritt E1), wobei dieses Substrat
zum Beispiel aus Silicium oder aus Glas ist. Anschließend (Schritt
E2) werden in einem IR-durchlässigen
Fenster Öffnungen 3a, 3b realisiert,
wobei das Fenster zum Beispiel aus Silicium oder Germanium oder auch
aus ZnS sein kann. Seine Dicke hängt
von seiner Art und von dem Format der Detektoren ab. Sie ist vorzugsweise
zwischen 100 μm
und 2 mm enthalten.
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Anschließend werden
in den Öffnungen
des Fensters abdichtende Verbindungseinrichtungen 9 realisiert
(Schritt E3).
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Dann
wird die Detektionsschaltung 2 mit Hilfe der Verbindungseinrichtungen 9 an
dem transparenten Fenster 3 festgemacht (Schritt E4). Die
derart an dem Fenster 3 befestigte Detektionsschaltung 2 wird
dann in den Hohlraum 10 eingefügt (Schritt E5). Das transparente
Fenster 3 wird hermetisch mit den Wänden 8a und 8b des
Substrats verschmolzen bzw. versiegelt.
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Bei
der bevorzugten Realisierungsart der Erfindung besteht das Verfahren
darin, einen Getter 11 in dem Hohlraum zu platzieren, zum
Beispiel abgestützt
auf Stufen 14 des Hohlraums, die vor der Platzierung der
Leseschaltung realisiert wurden. Der Getter kann auch direkt in
dem Substrat realisiert werden, gleichzeitig mit der Herstellung
des Hohlraums.
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Ein
zusätzlicher
Schritt ermöglicht,
auf jeder der beiden Seiten des transparenten Fensters eine Antireflexschicht
abzuscheiden.
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Der
erfindungsgemäße Detektor
kann auch simultan mit anderen Detektoren in einem kollektiven Herstellungsverfahren
realisiert werden. In diesem Fall müssen im Voraus realisiert werden:
- – ein
IR-Fensterwafer aus Si, Ge oder ZnS, mit Verbindungen nach außen; und
- – ein
Substratwafer mit Hohlräumen
und Gettern.
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Der
Fensterwafer und der Substratwafer werden im Voraus mit den klassischen
Mikroelektroniktechniken getrennt hergestellt. Die Hohlräume des Fensterwafers
und die Öffnungen
in dem Fensterwafer werden durch chemische Ätzverfahren oder durch Plasmaätzen realisiert.
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Wenn
der Fensterwafer und der Substratwafer hergestellt worden sind,
hybridisiert man den Detektionswafer auf den Fensterwafer, der eventuell vorher
einer Antireflexbehandlung unterzogen worden ist. Anschließend werden
die Baukomponenten des Detektionswafers auf dem Wafer voneinander getrennt
durch klassische IC-Schneideinrichtungen. Das
kollektive Herstellungsverfahren besteht dann darin, die Getter
im Innern der Hohlräume
zu platzieren und dann den Fensterwafer, an dem der Detektionswafer
befestigt ist, hermetisch mit dem Substratwafer zu verschmelzen
bzw. zu versiegeln. Diese Verschmelzung bzw. Versiegelung kann gemäß einer der
oben beschriebenen Techniken erfolgen.
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Anschließend erfolgt
in einem einzigen Durchgang das Schneiden bzw. Vereinzeln. Die Aktivierung
des Getters kann vor oder nach dem Schneiden bzw. Vereinzeln so
erfolgen, dass am Ende der Aktivierungsphase der Restdruck in dem
Hohlraum weniger als 10 mTon (= 10–2 mbar)
beträgt.
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Nach
einer Variante – um
die Anzahl der Detektionsschaltungen pro Substratwafer zu erhöhen – ist es
möglich,
den Detektionsschaltungswafer zu schneiden und die so erhaltenen
Detektionsschaltungen kollektiv mit dem Fensterwafer zu verbinden
und anschließend
nur das Ganze auf dem Substratwafer anzubringen und dann zu verschmelzen
bzw. zu versiegeln.