[go: up one dir, main page]

JP2000298063A - 赤外線検出器 - Google Patents

赤外線検出器

Info

Publication number
JP2000298063A
JP2000298063A JP11107210A JP10721099A JP2000298063A JP 2000298063 A JP2000298063 A JP 2000298063A JP 11107210 A JP11107210 A JP 11107210A JP 10721099 A JP10721099 A JP 10721099A JP 2000298063 A JP2000298063 A JP 2000298063A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
substrate
cavity
infrared detector
detecting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11107210A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiko Shirakawa
幸彦 白川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP11107210A priority Critical patent/JP2000298063A/ja
Publication of JP2000298063A publication Critical patent/JP2000298063A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、小型化、高生産性、低コスト化を
図った赤外線検出器を提供する。 【解決手段】 赤外線検出素子基板16では、赤外線透
過性を有する基板1に表面側から裏面側に貫通しない空
洞部14、15を設け、空洞部14、15に赤外線検出
素子2、3を形成する。赤外線検出素子2、3には電極
4が形成され、突起電極5を介して絶縁性基板8の電極
6に電気的に接続される。電極6は側面電極7を介して
外部回路に接続させる。絶縁性基板8には、空洞部1
4、15に対向して空洞部10が設けられる。赤外線検
出素子基板16と絶縁性基板8は接着部材11によって
固定される。なお、基板1として(100)面方位の単
結晶基板を用いることにより、底面14a、15aが平
坦である空洞部14、15が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱型の赤外線検出
器、特に小型で生産性の良い赤外線検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】入射した赤外線を熱に変換し、その熱を
検出することによって間接的に赤外線を検知する熱型の
赤外線検出器として焦電センサ、サーモパイル、感温抵
抗型ボロメータなどが知られているが、電磁波である赤
外線を量子効果により直接的に検出する半導体赤外線検
出器と比較して冷却処理が不要であることから、低コス
トな検出器として広く用いられている。
【0003】このような赤外線検出器の中で、感熱抵抗
素子を用いたボロメータ、特にサーミスタを用いたサー
ミスタボロメータは、他の熱型の赤外線検出器と比較し
て、直流出力が可能であるために機械的なチョッパが不
要であり、かつ高感度であるため、非接触の温度計測な
どに適した検出器である。
【0004】近年、いわゆるマイクロマシーニング技術
を用い、これらの熱型の赤外線検出器を小型化、高感度
化することが試みられている。すなわち、マイクロマシ
ーニング技術を用い、基板上に微小な赤外線検出素子を
その熱容量が小さくて熱抵抗が大きくなるように構成す
ることで、検知対象である赤外線の入射により赤外線検
出素子の温度変化を大きくし、これにより赤外線検出器
の高感度化、小型化を図っている。
【0005】例えば特開平6−241889号公報、特
開平6−74820号公報、特開平9−329499号
公報には、上記の赤外線検出素子をマイクロマシーニン
グ技術を用いていわゆるマイクロエアブリッジ構造によ
って実現し、さらに電子部品として用いられるようにパ
ッケージングを行った例が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの従
来の赤外線検出器を実際にデバイスとして実用化する上
では、パッケージング部分が複雑となり、小型化、低コ
スト化を図る上で問題があった。
【0007】例えば特開平6−241889号公報に
は、赤外線検出器を金属製のステムと赤外線フィルタを
接着した金属製のキャップからなるパッケージにマイク
ロエアブリッジ構造の赤外線検出素子をパッケージング
した赤外線検出器が開示されている。
【0008】しかしながら、このような金属製のケース
を用いたパッケージは、金属ケース自体のコストが高
く、また生産に手間がかかる。
【0009】また、マイクロマシーニング技術を用いて
赤外線検出素子を小型化したとしても、金属ケース自体
は従来のバルク素子を用いた赤外線検出器と同じケース
を使用することになるので、結局、赤外線検出器の部品
としては小型化を図ったことにはならない。
【0010】さらに、現在の電子回路部品の表面実装化
技術の進展から、電子部品やセンサ素子の表面実装部品
化(チップ部品化)の流れの中で、この金属ケースにパ
ッケージングされ、リード線により外部回路に接続され
る赤外線検出素子は、回路基板への実装上他の電子部品
とは別の工程で実装する必要があり、高コスト化の原因
となっている。
【0011】また、特開平9−329499号公報に
は、同じくマイクロマシーニング技術を用いてマイクロ
エアブリッジ構造のサーミスタボロメータ型の赤外線検
出素子をシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を
セラミックパッケージに搭載し、赤外線フィルタによっ
てこのセラミックパッケージの蓋を構成した赤外線検出
器が開示されている。なお、この赤外線フィルタには赤
外線反射膜が形成されており、温度補償素子に対する赤
外線の入射を防止している。
【0012】しかしながら、このようなセラミックパッ
ケージは高価であり、また赤外線検出素子基板本体の形
状と比較して依然パッケージ自体の方が大きく、小型化
の効果が限られている。さらに、ワイヤーボンディング
による結線、赤外線フィルタの張り付け、赤外線反射膜
と温度補償素子の正確な位置合わせを要するなどの製造
上の手間がかかるので、低コスト化は困難である。
【0013】さらに、特開平6−74820号公報に
は、同じくマイクロマシーニング技術を用いてマイクロ
エアブリッジ構造の赤外線検出素子を基板を貫通する空
洞部上に設け、このような基板に対してその表裏面の両
側に気密封じのための蓋を配置し、さらに銅の台座には
め込まれた赤外線検出器が開示されている。このような
構造の赤外線検出器では、赤外線入射側の蓋には赤外線
反射膜を部分的に設けて温度補償素子に対する赤外線の
入射を防止し、また台座側の蓋には空洞部を設けて赤外
線検出素子と蓋が接触するのを防止している。
【0014】特開平6−74820号公報に記載の赤外
線検出器例では、上述の赤外線検出器と比較して小型化
が図られている。しかし、赤外線検出素子が形成される
基板の表面側には赤外線反射膜をパターニングした赤外
線フィルタからなる蓋を赤外線検出素子に正確に位置合
わせを行って封着し、さらにその基板の裏面側にも空洞
部を形成した蓋を封着しなければならない。
【0015】さらに、赤外線検出素子の出力はフレキシ
ブルプリント回路(FPC)基板を介して取り出さなけ
ればならないことからその構造が極めて複雑であり、か
つ各部材の位置を正確に合わせて組み立てる必要がある
ので、生産性が悪く、高コストとなっている。
【0016】以上のように、従来の赤外線検出器は、小
型化、製造の容易さ、低コスト化の上で問題があった。
【0017】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、本発明の目的は、小型化、高生産性、低コスト化
を図った赤外線検出器を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明の赤外線検出器は、赤外線透
過性を有し、表面から裏面に向かって貫通しない空洞部
が形成され、この空洞部上に赤外線検出素子が形成され
ている第1の基板と、前記第1の基板に形成されている
赤外線検出素子に対向して空洞部が形成されている絶縁
性を有する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の
基板を電気的に接続するための突起電極と、前記第1の
基板と前記第2の基板を固定するための接着部材とを備
えていることを特徴とする赤外線検出器。
【0019】請求項1に記載の発明の赤外線検出器にお
いて、請求項2に記載の発明は、前記第1の基板は(1
00)面方位の単結晶シリコンによって構成され、前記
第1の基板の空洞部は異方性エッチングによって形成さ
れていることを特徴とする。
【0020】請求項1に記載の発明の赤外線検出器にお
いて、請求項3に記載の発明は、前記第1の基板の空洞
部の底面は平坦であることを特徴とする。
【0021】請求項1から3のいずれかに記載の発明の
赤外線検出器において、請求項4に記載の発明は、前記
接着部材は、樹脂またはガラスのいずれかによって構成
されていることを特徴とする。
【0022】請求項1から4に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項5に記載の発明は、前記第2の基板
には、外部に接続可能な電極が形成されていることを特
徴とする。
【0023】請求項1から5に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項6に記載の発明は、前記第2の基板
の空洞部は前記第1の基板の空洞部よりも大きいことを
特徴とする。
【0024】請求項1から6に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項7に記載の発明は、前記第2の基板
の空洞部の底面に赤外線反射膜が形成されていることを
特徴とする。
【0025】請求項1から7に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項8に記載の発明は、前記第1の基板
の空洞部と前記第2の基板の空洞部には、低熱伝導率ガ
スが充填されていることを特徴とする。
【0026】請求項1から8に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項9に記載の発明は、前記第1の基板
の裏面には赤外線反射防止膜または赤外線フィルタ膜の
いずれかが形成されていることを特徴とする。
【0027】請求項1から9に記載の発明の赤外線検出
器において、請求項10に記載の発明は、前記赤外線検
出素子は、感熱抵抗素子を用いたボロメータを構成し、
前記第1の基板に前記赤外線検出素子と同一形状、同一
温度特性を有する温度補償素子が形成され、この温度補
償素子の形成位置の前記第1の基板の裏面に赤外線反射
膜または赤外線吸収膜のいずれかが形成されていること
を特徴とする。
【0028】請求項1から10に記載の発明の赤外線検
出器において、請求項11に記載の発明は、前記赤外線
検出素子の出力信号を処理する処理回路が前記第2の基
板に形成されていることを特徴とする。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0030】図1は本発明の実施の形態の赤外線検出器
の構成を示す断面図である。図1に示す本発明の実施の
形態の赤外線検出器において、第1の基板として用いら
れる赤外線検出素子基板16は、赤外線透過性を有する
基板1にその表面(図1では下面)側からその裏面(図
1では上面)側に貫通しない空洞部14、15を設け、
空洞部14、15において赤外線検出素子2、3をそれ
ぞれ架橋状に形成することによって構成されている。な
お、赤外線検出素子2、3には電極4が形成される。
【0031】第2の基板として用いられる絶縁性基板8
に形成されている電極6は絶縁性基板8の側面に形成さ
れた外部取り出し電極として用いられる側面電極7に接
続されており、赤外線検出素子2、3の出力を側面電極
7を介して外部回路(図示しない)に接続させることが
でき、全体としてチップ型の表面実装型赤外線検出器を
構成することができる。また、絶縁性基板8において
は、赤外線検出素子基板16の赤外線検出素子2、3お
よび空洞部14、15に対向して空洞部10が設けられ
ている。
【0032】赤外線検出素子基板16と絶縁性基板8は
突起電極5を介して電気的に接続されており、赤外線検
出素子基板16の周囲から樹脂またはガラスによって構
成される接着部材11によって気密に固定されている。
【0033】検出対象である赤外線は、赤外線検出素子
基板1の裏面側から入射し、空洞部14を通って赤外線
検出素子2に到達することになる。従って、赤外線検出
素子基板16を構成する基板1は、上述のように赤外線
透過性を有し、かつ空洞部14、15が基板1の表面側
からエッチングによって形成できればよいので、基板1
として単結晶Si、多結晶Si、単結晶Ge、多結晶G
e、赤外線透過ガラスなどを用いることができる。
【0034】特に、基板1として(100)面方位の単
結晶基板を用い、異方性エッチングによって空洞部1
4、15を形成すれば、空洞部14、15はそれぞれ台
形ピラミッド状となる。また、それらの底面14a、1
5aは平坦となり、基板1の裏面と平行な平面を構成す
ることができる。従って、基板1の裏面から入射した赤
外線は散乱することなく直線的に赤外線検出素子2に入
射することができる。すなわち、照射された赤外線を損
失なく赤外線検出素子2に入射させることが可能とな
る。
【0035】また、基板1の裏面には赤外線反射防止膜
12が形成されている。従って、赤外線反射防止膜12
の存在により、基板1の裏面における赤外線の反射損失
を低減し、赤外線検出器の赤外線に対する感度を向上さ
せることができる。なお、赤外線反射防止膜12の代わ
りに、特定波長の赤外線を選択的に透過する赤外線フィ
ルタ膜を形成することもできる。
【0036】このような赤外線反射防止膜12はすでに
よく知られており、赤外線反射防止膜12としては検出
対象の赤外線の波長の1/4λの光学膜厚を有するZn
S単層膜やZnS/Ge周期多層膜が用いられる。ま
た、赤外線を選択的に透過する赤外線フィルタ膜として
は同じくZnS/Geなどの周期多層膜が用いられる。
なお、この場合、本発明の実施の形態の赤外線検出器で
は、従来の赤外線検出器のように赤外線検出素子が形成
されている赤外線検出素子基板とは別個に赤外線フィル
タが形成されている赤外線フィルタ基板を準備し、これ
らの基板を正確に位置合わせして設置する必要がない。
【0037】また、従来の赤外線検出器では、上記のよ
うに赤外線検出素子基板と赤外線フィルタ基板を組み立
て、これらの基板を一定の間隔を保って配置する。この
ため、赤外線検出素子の検出視野角を大きくするために
は赤外線フィルタの面積を赤外線検出素子の面積よりも
大きくしなければならず、赤外線検出器の小型化の障害
となる。また、赤外線フィルタは一般に高価であり、大
面積の赤外線フィルタが必要であることは赤外線検出器
の高コスト化の原因となる。
【0038】これに対し、本発明の実施の形態の赤外線
検出器では、その製造工程において赤外線フィルタを形
成するための基板材料を必要としないので、赤外線フィ
ルタ基板と赤外線検出素子基板の組み立て工程を省略す
ることができる。さらに、赤外線フィルタの面積は赤外
線検出素子の面積と同サイズとなるため、赤外線検出器
の小型化や低コスト化を図ることができる。
【0039】従来の熱型赤外線検出器、特に、感熱抵抗
素子を用いたボロメータや焦電型赤外線検出器において
は、赤外線検出素子の周辺温度変化に起因する検出信号
と赤外線照射に起因する検出信号を分離することができ
ない。そのため、一般には、赤外線検出素子と同一の温
度特性を有する温度補償素子を赤外線検出素子の近傍に
配置し、この温度補償素子と赤外線検出素子のそれぞれ
の出力の差を得ることにより赤外線検出素子の周辺温度
変化に起因する検出信号をキャンセルし、赤外線照射に
起因する検出信号のみを赤外線検出素子の出力としてい
る。
【0040】なお、このような温度補償素子としては赤
外線検出素子と全く同一の温度特性を有する赤外線検出
素子を設け、この温度補償素子に対して検知対象である
赤外線が入射しないように赤外線を遮断することが赤外
線検出素子の周辺温度変化による影響を軽減するのに最
も有効である。
【0041】本発明の実施の形態の赤外線検出器におい
ては、基板1の表面に形成されている赤外線検出素子3
を温度補償素子として用い、赤外線検出素子3の形成位
置の基板1の裏面に赤外線反射膜13(または赤外線吸
収膜)を形成すれば、赤外線検出素子3に入射する赤外
線を有効に遮断することができる。なお、赤外線反射膜
13としては、Cr、Ni、Au、Alなどの赤外線反
射が良好な金属膜を用いればよい。また、赤外線吸収膜
としては、金黒膜やカーボンブラックを分散した塗料を
印刷して形成した膜などを用いればよい。
【0042】従来、照射された赤外線の遮断は、赤外線
反射膜を赤外線検出素子基板とは別個の赤外線フィルタ
基板上に形成するか、または独立の遮光板を配置するこ
とによって達成していたため、赤外線検出素子基板と赤
外線フィルタ基板、または赤外線検出素子基板と遮光板
の位置合わせを高精度に行う必要があった。
【0043】しかし、本発明の実施の形態の赤外線検出
器において、赤外線反射膜は赤外線検出素子と温度補償
素子が形成されている赤外線検出素子基板の裏面に形成
されている。従って、赤外線反射膜は、赤外線検出素子
基板の作製時のウェハープロセスでフォトエッチングな
どの手法により高精度に位置決めして形成することがで
きる。これにより、従来の赤外線検出器のように別個の
基板に形成された赤外線反射膜と温度補償素子の位置合
わせを行う必要がなく、製造工程の単純化や低コスト化
を図ることができる。
【0044】また、赤外線検出素子基板16と絶縁性基
板8の間の電気的な接続においては、いわゆるフィリッ
プチップボンディングの技術を用いている。例えば、赤
外線検出素子基板16の電極4にワイヤボンダを用いて
金のスタッドバンプを突起電極5として形成し、導電性
接着剤による接着、はんだ付け、熱圧着などにより絶縁
性基板8の電極6に対して電気的、機械的な接続を行っ
ている。
【0045】この時、金のスタッドバンプの代わりに、
はんだバンプを形成することができる。また、はんだボ
ールをバンプとすることも可能である。さらに、これら
のバンプを絶縁性基板8の電極6上に形成することも可
能である。
【0046】突起電極5は、赤外線検出素子基板16と
絶縁性基板8の間の電気的な接続を確実に行うために形
成された電極であるが、例えば、電極4または6上に凸
状部を形成し、この凸状部を突起電極5として用いるよ
うに構成することも可能である。
【0047】絶縁性基板8の空洞部10は、赤外線検出
素子基板16の空洞部14、15と併せて、赤外線検出
素子2、3が十分な間隔を保ってマイクロエアブリッジ
構造となる空間を与えている。ここで、空洞部10は以
下に述べるような作用を有している。
【0048】すなわち、本発明の実施の形態の赤外線検
出器において、上述したように、赤外線検出素子基板1
6と絶縁性基板8は、通常数10μm程度の高さを有す
る突起電極5を介して電気的に接続され、赤外線検出素
子基板16の周囲から接着部材11によって気密に固定
される。この際、接着部材11として樹脂接着剤を用い
た場合、接着部材11は赤外線検出素子基板16と絶縁
性基板8の間の突起電極5によって形成された隙間に毛
細管現象によって浸透する。
【0049】ここで、従来の赤外線検出器のように絶縁
性基板8aに空洞部10が形成されていない場合、図2
に示すように、接着部材11はマイクロエアブリッジ構
造の赤外線検出素子2まで浸透するので、赤外線検出素
子2の熱絶縁性を劣化させてしまう。
【0050】ところが、本発明の実施の形態の赤外線検
出器のように絶縁性基板8に空洞部10が形成されてい
ることにより、図3に示すように、マイクロエアブリッ
ジ構造の赤外線検出素子2と絶縁性基板8の間隔が広が
るので、接着部材11が赤外線検出素子2まで浸透する
ことを阻止することができる。
【0051】また、図4に示すように、絶縁性基板8に
形成される空洞部10を赤外線検出素子基板16に形成
される空洞部14よりも大きくすることで、より確実に
接着部材11が赤外線検出素子2に浸透することを避け
ることができる。
【0052】なお、空洞部10を空洞部14よりも大き
くすることにより、赤外線検出素子基板16と絶縁性基
板8の位置合わせの精度が低くても、空洞部14と空洞
部10を確実に位置合わせすることが可能となる。従っ
て、フィリップチップボンディングの実装上問題となる
位置合わせ精度の不足による赤外線検出器の製造歩留ま
りの低下を避けることができる。
【0053】さらに、赤外線検出素子基板16と絶縁性
基板8を接着部材11によって固定する際、空洞部1
0、14、15によって形成される空間に低熱伝導率ガ
スを充填すれば、マイクロエアブリッジ構造の赤外線検
出素子部2の熱抵抗を大きくすることができ、赤外線検
出素子2の感度を大きくすることができる。
【0054】なお、低熱伝導率ガスとしては、分子量の
大きい単原子分子ガスは一般に熱伝導率が低いので、例
えば、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの不活性ガ
スが用いられる。
【0055】ガスの充填方法としては、例えば接着部材
11として紫外線硬化型の樹脂を用い、上記ガスの雰囲
気中でディスペンサによりこのような樹脂を塗布した
後、同雰囲気下で紫外線硬化を行うなどの方法がある。
【0056】また、接着部材11の形成方法としては、
上述した方法の他に、図5または図6に示すように、例
えば熱可塑性のエポキシ樹脂チップ11a、11bを赤
外線検出素子基板16を取り囲むようなリング状に予め
成型し、これを赤外線検出素子基板16の周辺に設置
し、加熱により軟化して接着した後、冷却して固定する
こともできる。
【0057】接着部材11としてはガラスを用いること
もできる。この場合に用いるガラスとしては、赤外線検
出素子基板16の電極4や赤外線検出素子2を構成する
素子膜および突起電極5などに使用する材料の耐熱性に
もよるが、これらの劣化を防ぐために低融点ガラスを用
いることが望まれる。
【0058】例えば、赤外線検出素子基板16の電極4
や赤外線反射膜13にAlを用いる場合にはAlの耐熱
温度が450゜C程度までであり、Auを用いる場合に
はAuの耐熱温度が650゜C程度までである。従っ
て、軟化点が650゜C以下、特に450゜C以下の低
融点ガラスを用いることが望ましい。
【0059】このような軟化点を有する低融点ガラスと
しては、例えば軟化点が450゜C以下であるB2O3
・PbO系複合ガラスなどが用いられる。また、軟化点
が650゜C以下の低融点ガラスとしては、PbO・B
2O3・SiO2系ガラス、PbO・B2O3・SiO
2・Al2O3系ガラス、ZnO・B2O3・SiO2
系ガラス、ZnO・B2O3・SiO2・Al2O3系
ガラスなどが用いられる。
【0060】接着部材11として低融点ガラス、例えば
低融点ガラスペーストを用いた場合に、この低融点ガラ
スペーストをディスペンサなどで塗布した後、電気炉で
加熱溶融し硬化させて接着部材を形成する方法や、上記
の熱可塑性エポキシ樹脂の場合と同様に、低融点ガラス
を赤外線検出素子基板16を取り囲むリング状に成型
し、これを赤外線検出素子基板16の周辺に設置した
後、電気炉で加熱溶融し硬化させて接着部材を形成する
方法がある。
【0061】なお、これらの方法を用いた場合において
も、接着部材11として用いられる樹脂または低融点ガ
ラスがその軟化時に毛細管現象によりマイクロエアブリ
ッジ構造の赤外線検出素子2まで浸透し、赤外線検出素
子2の熱絶縁を劣化させてしまうことが生じる。しか
し、上述したように、絶縁性基板8に空洞部10を形成
すれば、マイクロエアブリッジ構造の赤外線検出素子2
と絶縁性基板8の間隔が広がるので、赤外線検出素子2
まで接着部材11が浸透する現象を阻止することができ
る。
【0062】さらに、絶縁性基板8の空洞部10の底面
に赤外線反射膜9を形成すれば、赤外線検出素子基板1
6を通過し、赤外線検出素子2に入射した赤外線の中で
赤外線検出素子2で吸収されずに透過した赤外線が赤外
線反射膜9で反射され、赤外線検出素子2に再度入射し
て吸収させることができる。これによって赤外線検出素
子2の感度をさらに大きくすることができる。なお、こ
のような赤外線反射膜9としては、Cr、Ni、Au、
Alなどの赤外線反射が良好な金属膜を用いればよい。
【0063】絶縁性基板8は、以上述べたように、電気
的に絶縁性を有し、空洞部10および赤外線検出素子2
の出力を取り出して外部に接続するための電極6が形成
可能である基板であればよい。例えば、空洞部を形成
し、上述の電極や赤外線反射膜を印刷形成した積層セラ
ミックス基板の作製技術や通常の電気回路に用いられる
ガラスエポキシなどのプリント配線基板の作製技術を応
用して絶縁性基板8を製造することができる。
【0064】特に、後者のプリント配線基板の作製技術
を応用する場合、プリント配線基板のスルーホールを側
面電極7として使用し、機械加工または積層技術などに
より空洞部10を容易に形成し、さらにスルーホールの
形成時の金属膜メッキ工程において赤外線反射膜9を一
括して形成することもできる。従って、赤外線検出器の
生産性が良好であり、低コスト化が容易となる後者の方
が望ましい。
【0065】図7は本発明の実施の形態の赤外線検出器
の製造工程途中の状態を示す図、図8は本発明の実施の
形態の赤外線検出器の製造工程途中の別の状態を示す
図、図9は本発明の実施の形態の赤外線検出器の製造工
程終了後の状態を示す図であり、図7(a)、図8
(a)、図9(a)はその平面図、図7(b)、図8
(b)、図9(b)はその一断面図を示している。
【0066】上述したようにプリント配線基板の作製技
術を応用する場合、例えば、図7(a)、図7(b)に
示すように、側面電極7となる電極が形成されるスルー
ホール21と、赤外線検出素子基板16の突起電極5を
介して電極が形成されるスルーホール21と電気的に接
続される電極22とがそれぞれ形成され、さらに空洞部
10に対応する空洞部23が設けられている基本ユニッ
トが多数形成されているプリント配線基板20を絶縁性
基板8として用いている。
【0067】次に、図8(a)、図8(b)に示すよう
に、赤外線検出素子基板24をプリント配線基板20に
対してフィリップチップボンディングした後、その周辺
部を接着部材25により一括して固定して封止する。
【0068】さらに、このように構成されたプリント配
線基板をダイサーなどでスルーホール21を横切るよう
に切断すれば、図9(a)、図9(b)に示すように、
切断されたスルーホール21に対応する側面電極26を
備えた表面実装型の赤外線検出器が生産性が良く、低コ
ストで製造可能となる。
【0069】また、絶縁性基板8として赤外線検出器の
出力信号を増幅、信号処理するための処理回路が形成さ
れている回路基板を用い、このような回路基板に空洞部
10および赤外線検出素子2の出力信号の取り出しのた
めの電極6をそれぞれ形成し、赤外線検出素子基板16
を直接フィリップチップ実装してその周囲を接着部材1
1で固定するようにしても良い。
【0070】このような構成によれば、絶縁性基板8と
して特別な基板を用いることなく、通常のプリント配線
基板を用い、さらに赤外線検出素子の検出信号の増幅、
信号処理のための処理回路を同一のプリント配線基板上
に実装して赤外線検出素子と一体化することにより、赤
外線検出器のより低コスト化、小型化を図ることができ
る。
【0071】また、上述のように空洞部10、14、1
5によって構成される空間に低熱伝導率ガスを充填する
場合には、絶縁性基板8として積層セラミックス基板を
用い、接着部材11として低融点ガラスを用いれば、特
に機密性が高く高信頼性のガス封入が可能となる。
【0072】
【発明の効果】以上、本発明の赤外線検出器によれば、
従来の赤外線検出器と比較して、赤外線検出器の部品と
しての構造が簡単で小型化が容易であり、表面実装が可
能であり、かつ生産性がよく、低コストにすることがで
きる。
【0073】また、赤外線検出素子をその検出信号を処
理する処理回路が実装される基板を用いて一体化するこ
とが可能であり、赤外線検出器として、より低コスト
化、小型化を容易にすることができる。
【0074】さらに、本発明の赤外線検出器に用いられ
る赤外線検出素子としては、焦電センサ、サーモパイ
ル、感温抵抗型ボロメータなどに用いられる熱型の赤外
線検出素子であれば全て適用可能であり、高感度、小
型、低コストの赤外線検出器が実現できる。
【0075】特に、本発明の赤外線検出器の赤外線検出
素子として、感熱抵抗型ボロメータ素子を用いれば、温
度補償素子に対する赤外線の遮断が容易であり、また検
出信号の処理回路を同一基板上に集積することが容易で
あり、高精度で小型、低コストの非接触温度センサを容
易に実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の赤外線検出器の構成を示
す断面図である。
【図2】従来の赤外線検出器の構成の一例を示す断面図
である。
【図3】本発明の実施の形態の赤外線検出器の構成の一
部を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態の赤外線検出器の他の構成
の一部を示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態の赤外線検出器の他の構成
の一部を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態の赤外線検出器の他の構成
の一部を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態の赤外線検出器の製造工程
途中の状態を示す図である。
【図8】本発明の実施の形態の赤外線検出器の製造工程
途中の別の状態を示す図である。
【図9】本発明の実施の形態の赤外線検出器の製造工程
終了後の状態を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2、3 赤外線検出素子 4、6、22 電極 5 突起電極 7、26 側面電極 8 絶縁性基板 9、13 赤外線反射膜 10、14、15、23 空洞部 11、25 接着部材 12 赤外線反射防止膜 16、24 赤外線検出素子基板 20 プリント配線基板 21 スルーホール

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 赤外線透過性を有し、表面から裏面に向
    かって貫通しない空洞部が形成され、この空洞部上に赤
    外線検出素子が形成されている第1の基板と、 前記第1の基板に形成されている赤外線検出素子に対向
    して空洞部が形成されている絶縁性を有する第2の基板
    と、 前記第1の基板と前記第2の基板を電気的に接続するた
    めの突起電極と、 前記第1の基板と前記第2の基板を固定するための接着
    部材とを備えていることを特徴とする赤外線検出器。
  2. 【請求項2】 前記第1の基板は(100)面方位の単
    結晶シリコンによって構成され、前記第1の基板の空洞
    部は異方性エッチングによって形成されていることを特
    徴とする請求項1に記載の赤外線検出器。
  3. 【請求項3】 前記第1の基板の空洞部の底面は平坦で
    あることを特徴とする請求項1に記載の赤外線検出器。
  4. 【請求項4】 前記接着部材は、樹脂またはガラスのい
    ずれかによって構成されていることを特徴とする請求項
    1から3のいずれかに記載の赤外線検出器。
  5. 【請求項5】 前記第2の基板には、外部に接続可能な
    電極が形成されていることを特徴とする請求項1から4
    のいずれかに記載の赤外線検出器。
  6. 【請求項6】 前記第2の基板の空洞部は前記第1の基
    板の空洞部よりも大きいことを特徴とする請求項1から
    5のいずれかに記載の赤外線検出器。
  7. 【請求項7】 前記第2の基板の空洞部の底面に赤外線
    反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1から
    6のいずれかに記載の赤外線検出器。
  8. 【請求項8】 前記第1の基板の空洞部と前記第2の基
    板の空洞部には、低熱伝導率ガスが充填されていること
    を特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の赤外線
    検出器。
  9. 【請求項9】 前記第1の基板の裏面には赤外線反射防
    止膜または赤外線フィルタ膜のいずれかが形成されてい
    ることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の
    赤外線検出器。
  10. 【請求項10】 前記赤外線検出素子は感熱抵抗素子を
    用いたボロメータを構成し、前記第1の基板に前記赤外
    線検出素子と同一形状、同一温度特性を有する温度補償
    素子が形成され、この温度補償素子の形成位置の前記第
    1の基板の裏面に赤外線反射膜または赤外線吸収膜のい
    ずれかが形成されていることを特徴とする請求項1から
    9のいずれかに記載の赤外線検出器。
  11. 【請求項11】 前記赤外線検出素子の出力信号を処理
    する処理回路が前記第2の基板に形成されていることを
    特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の赤外線
    検出器。
JP11107210A 1999-04-14 1999-04-14 赤外線検出器 Withdrawn JP2000298063A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11107210A JP2000298063A (ja) 1999-04-14 1999-04-14 赤外線検出器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11107210A JP2000298063A (ja) 1999-04-14 1999-04-14 赤外線検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000298063A true JP2000298063A (ja) 2000-10-24

Family

ID=14453286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11107210A Withdrawn JP2000298063A (ja) 1999-04-14 1999-04-14 赤外線検出器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000298063A (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2816447A1 (fr) * 2000-11-07 2002-05-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnements electromagnetiques tridimensionnel et procede de realisation de ce dispositif
JP2003254821A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Denso Corp 赤外線センサ
WO2006057191A1 (ja) * 2004-11-24 2006-06-01 Hamamatsu Photonics K.K. 赤外線検出装置
US7208736B2 (en) * 2004-08-04 2007-04-24 Denso Corporation Infrared sensor device and its manufacturing method
JP2008544263A (ja) * 2005-06-27 2008-12-04 エイチエル−プラナー・テクニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法
JP2009121833A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Mitsubishi Electric Corp センシング方法およびそのセンシング方法を応用したセンサ、マーカー
JP2009133825A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 Mitsubishi Electric Corp 赤外線撮像素子およびその製造方法
JP2010507082A (ja) * 2006-10-20 2010-03-04 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド 断熱層を備える熱センサ
JP2010127892A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Seiko Instruments Inc 赤外線センサ
JP2010528301A (ja) * 2007-05-29 2010-08-19 ピレオス エルテーデー サンドイッチ構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法
JP2010197162A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ
WO2011033616A1 (ja) * 2009-09-16 2011-03-24 京セラオプテック株式会社 光学素子および生体用赤外線センサ
WO2011046163A1 (ja) * 2009-10-17 2011-04-21 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ及びこれを備えた回路基板
JP2011137744A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Omron Corp 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール
JP2012042164A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Panasonic Corp レンジフード
CN102401699A (zh) * 2010-09-17 2012-04-04 三菱综合材料株式会社 温度传感器
JP2012226880A (ja) * 2011-04-16 2012-11-15 Mitsubishi Materials Corp 誘導加熱調理器
JP2013050314A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Tdk Corp 赤外線温度センサ
KR101252909B1 (ko) * 2003-09-09 2013-04-09 브라운 게엠베하 가열 가능한 적외선 센서와 이 적외선 센서를 구비하는 적외선 온도계
EP2940442A1 (en) * 2014-04-29 2015-11-04 Melexis Technologies NV Infrared sensor package
JP2017049268A (ja) * 2016-11-29 2017-03-09 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ装置
CN108291840A (zh) * 2015-11-27 2018-07-17 海曼传感器有限责任公司 晶圆级封装件中的热红外传感器阵列
JP2020106542A (ja) * 2020-03-04 2020-07-09 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
US11118972B2 (en) 2015-04-28 2021-09-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detection device having adhesive member
US11199455B2 (en) * 2017-08-31 2021-12-14 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Thermal detector and thermal detector array
KR102926962B1 (ko) 2021-06-29 2026-02-11 삼성전자주식회사 열 또는 적외선 감지용 센서 및 이를 포함하는 전자장치

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002039481A3 (fr) * 2000-11-07 2002-08-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnements electromagnetiques tridimensionnel et procede de realisation de ce dispositif
US6861719B2 (en) 2000-11-07 2005-03-01 Commissariat A L'energie Atomique Device for detecting three-dimensional electromagnetic radiation and method for making same
FR2816447A1 (fr) * 2000-11-07 2002-05-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnements electromagnetiques tridimensionnel et procede de realisation de ce dispositif
JP2003254821A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Denso Corp 赤外線センサ
KR101252909B1 (ko) * 2003-09-09 2013-04-09 브라운 게엠베하 가열 가능한 적외선 센서와 이 적외선 센서를 구비하는 적외선 온도계
US7208736B2 (en) * 2004-08-04 2007-04-24 Denso Corporation Infrared sensor device and its manufacturing method
WO2006057191A1 (ja) * 2004-11-24 2006-06-01 Hamamatsu Photonics K.K. 赤外線検出装置
JP2008544263A (ja) * 2005-06-27 2008-12-04 エイチエル−プラナー・テクニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法
JP2010507082A (ja) * 2006-10-20 2010-03-04 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド 断熱層を備える熱センサ
JP2010528301A (ja) * 2007-05-29 2010-08-19 ピレオス エルテーデー サンドイッチ構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法
JP2009133825A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 Mitsubishi Electric Corp 赤外線撮像素子およびその製造方法
JP2009121833A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Mitsubishi Electric Corp センシング方法およびそのセンシング方法を応用したセンサ、マーカー
JP2010127892A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Seiko Instruments Inc 赤外線センサ
JP2010197162A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Mitsubishi Materials Corp 温度センサ
WO2011033616A1 (ja) * 2009-09-16 2011-03-24 京セラオプテック株式会社 光学素子および生体用赤外線センサ
WO2011046163A1 (ja) * 2009-10-17 2011-04-21 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ及びこれを備えた回路基板
KR20120089272A (ko) * 2009-10-17 2012-08-09 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 적외선 센서 및 이것을 구비한 회로 기판
US20120269228A1 (en) * 2009-10-17 2012-10-25 Mitsubishi Materials Corporation Infrared sensor and a circuit board equipped therewith
EP2489998A4 (en) * 2009-10-17 2017-12-13 Mitsubishi Materials Corporation Infrared sensor and circuit substrate equipped therewith
US9182286B2 (en) 2009-10-17 2015-11-10 Mitsubishi Materials Corporation Infrared sensor and a circuit board equipped therewith
KR101639838B1 (ko) 2009-10-17 2016-07-14 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 적외선 센서 및 이것을 구비한 회로 기판
JP2011137744A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Omron Corp 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール
JP2012042164A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Panasonic Corp レンジフード
CN102401699A (zh) * 2010-09-17 2012-04-04 三菱综合材料株式会社 温度传感器
JP2012226880A (ja) * 2011-04-16 2012-11-15 Mitsubishi Materials Corp 誘導加熱調理器
JP2013050314A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Tdk Corp 赤外線温度センサ
EP2940442A1 (en) * 2014-04-29 2015-11-04 Melexis Technologies NV Infrared sensor package
US9534959B2 (en) 2014-04-29 2017-01-03 Melexis Technologies Nv Infrared sensor package
US11555741B2 (en) 2015-04-28 2023-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detection device having adhesive member
US11118972B2 (en) 2015-04-28 2021-09-14 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detection device having adhesive member
JP2021009152A (ja) * 2015-11-27 2021-01-28 ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ
US10788370B2 (en) 2015-11-27 2020-09-29 Heimann Sensor Gmbh Thermal infrared sensor array in wafer-level package
JP2019504298A (ja) * 2015-11-27 2019-02-14 ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ
CN108291840B (zh) * 2015-11-27 2021-02-12 海曼传感器有限责任公司 晶圆级封装件中的热红外传感器阵列
CN108291840A (zh) * 2015-11-27 2018-07-17 海曼传感器有限责任公司 晶圆级封装件中的热红外传感器阵列
JP7008019B2 (ja) 2015-11-27 2022-01-25 ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ
JP7045430B2 (ja) 2015-11-27 2022-03-31 ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ
JP2017049268A (ja) * 2016-11-29 2017-03-09 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ装置
US11199455B2 (en) * 2017-08-31 2021-12-14 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Thermal detector and thermal detector array
JP2020106542A (ja) * 2020-03-04 2020-07-09 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
KR102926962B1 (ko) 2021-06-29 2026-02-11 삼성전자주식회사 열 또는 적외선 감지용 센서 및 이를 포함하는 전자장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000298063A (ja) 赤外線検出器
US6571466B1 (en) Flip chip image sensor package fabrication method
US6342406B1 (en) Flip chip on glass image sensor package fabrication method
EP1333502B1 (en) Surface-mount package for an optical sensing device
US7635605B2 (en) Infrared sensor and method of producing the same
US6849916B1 (en) Flip chip on glass sensor package
US20080164413A1 (en) Infrared Sensor
US6396043B1 (en) Thin image sensor package fabrication method
US7208736B2 (en) Infrared sensor device and its manufacturing method
US20050189622A1 (en) Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
JP4793099B2 (ja) 光モジュール
WO2008023465A1 (fr) Dispositif de mécanisme de machine microélectronique et son procédé de fabrication
US8785839B2 (en) Optical sensor and method of manufacturing the optical sensor
KR102826379B1 (ko) 진공 충전 웨이퍼 레벨 하우징 내에 열 적외선 센서 어레이를 생산하는 방법
KR101068042B1 (ko) 초소형 인체 감지용 적외선 센서 및 그의 제조방법
US6528857B1 (en) Chip size image sensor bumped package
US6509560B1 (en) Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact
JP2001174323A (ja) 赤外線検出装置
JP2001174324A (ja) 赤外線検出器および赤外線検出装置
JP5558189B2 (ja) 赤外線センサ及びその製造方法
US6629633B1 (en) Chip size image sensor bumped package fabrication method
US20230067786A1 (en) Hermetically packaged scanning mirror in low humidity environment and manufacturing method thereof
JP2013190243A (ja) センサ装置
US6620646B1 (en) Chip size image sensor wirebond package fabrication method
JP2013195371A (ja) センサ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060410

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080813

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20081113