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DE60118208T2 - Breitbandiger miniaturwandler - Google Patents

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DE60118208T2
DE60118208T2 DE60118208T DE60118208T DE60118208T2 DE 60118208 T2 DE60118208 T2 DE 60118208T2 DE 60118208 T DE60118208 T DE 60118208T DE 60118208 T DE60118208 T DE 60118208T DE 60118208 T2 DE60118208 T2 DE 60118208T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
membrane
cover body
transducer according
acoustic transducer
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60118208T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60118208D1 (de
Inventor
Michael Bethesda PEDERSEN
V. Peter Hoffman Estates LOEPPERT
Sung Bok Chicago LEE
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Knowles Electronics LLC
Original Assignee
Knowles Electronics LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/910,110 external-priority patent/US6987859B2/en
Application filed by Knowles Electronics LLC filed Critical Knowles Electronics LLC
Publication of DE60118208D1 publication Critical patent/DE60118208D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60118208T2 publication Critical patent/DE60118208T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Miniatursiliziumwandler.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Die Verwendung von kapazitiven Wandlern auf Siliziumbasis als Mikrofone ist im Stand der Technik bekannt. Typischerweise bestehen solche Mikrofone aus vier Elementen: einer festen Rückenplatte, einer außerordentlich nachgiebigen, beweglichen Membran (die gemeinsam die beiden Platten eines Kondensators mit variablem Luftspalt bilden), eine Spannungsquelle und einem Puffer.
  • Die Massenfertigung von akustischen Kondensatoren, die ähnliche Prozesse benutzen wie die aus der integrierten Schaltkreistechnologie bekannten, bietet im Hinblick auf die Produktionskosten, die Wiederholbarkeit und die Größenreduzierung interessante Merkmale. Darüber hinaus bietet die Technologie die einzigartige Möglichkeit der Konstruktion eines einzigen Wandlers mit einer großen Betriebsbandbreite bei gleichmäßig hoher Empfindlichkeit. Dies schafft für einen Wandler mit nur kleinen oder gar keinen Abwandlungen die Möglichkeit der Verwendung in solchen unterschiedlichen Anwendungsfällen wie Kommunikationssystemen, Hör- und Ultraschallbereichen, Bild- und Bewegungsfeststellsystemen.
  • Der Schlüssel zur Erreichung einer großen Bandbreite und einer hohen Empfindlichkeit liegt darin, daß eine Struktur mit einer kleinen und extrem empfindlichen Membran geschaffen wird. Konstruktionen sind bereits im US-Patent 5 146 435 von Bernstein und im US-Patent 5 452 268 von Bernstein vorgeschlagen worden, die die Merkmale des Oberbegriffs des Anspruchs 1 offenbaren. In diesen Strukturen ist die Membran an einer Anzahl sehr flexibler, beweglicher Federn aufgehängt. Die Verwendung von Federn führt jedoch zu einem damit unmittelbar verbundenen Problem der Steuerung des akustischen Lecks in der Struktur, das wiederum die niedrige Abrollfrequenz beeinflußt. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Membran in einem einzigen Punkt aufzuhängen, wodurch ebenfalls ein außerordentlich empfindliches Gebilde geschaffen wird (siehe US-Patent 5 490 220 von Loeppert). Leider werden in diesem Fall die Eigenschaften des Membranma terials zu einem kritischen Punkt, insbesondere spielt der dem Material eigene Spannungsgradient eine Rolle, daß sich ein freier Film kräuselt. Möglicherweise führt dies zu einem Problem für dieses Gebilde, betreffend die Reproduzierbarkeit der niedrigen Abrollfrequenz des Wandlers.
  • Die beiden mechanischen Elemente, nämlich die Rückenplatte und die Membran, sind gewöhnlich aus einem einzigen Siliziumsubstrat gebildet, und zwar unter Verwendung einer im Stand der Technik bekannt Kombination aus Oberflächenbearbeitung und maschineller Massenbearbeitung. Eines dieser beiden Elemente ist im allgemeinen so geformt, daß es eben ist, wobei die Oberfläche aus dem tragenden Siliziumwafer besteht. Das andere Element, das im allgemeinen ebenfalls eben ist, wird einige Mikrometer über dem ersten Element durch Stützen oder Seitenwände getragen, daher der Ausdruck "erhöhte Mikrostruktur".
  • Im allgemeinen wirkt sich die Positionierung der beiden Elemente in Bezug auf einander auf die Leistungsfähigkeit der ganzen Konstruktion aus. In den dünnen Filmen bzw. Schichten, die die erhöhte Mikrostruktur aufweist, vorhandene Spannungen bewirken, daß das Gebilde aus der Konstruktionslage ausweicht. Bei einem Mikrofon beeinflussen insbesondere Veränderungen in dem Spalt zwischen der Membran und der Rückenplatte die Mikrofonempfindlichkeit, Geräusch und Überspannung.
  • Viele andere Faktoren beeinflussen ebenfalls die Herstellung, den Aufbau, die Zusammensetzung und die Gesamtkonstruktion des Mikrofons. Derartige Probleme werden ausführlich diskutiert sowie beschrieben in den US-Patenten 5 408 731 von Berggvist, 5 490 220 von Loeppert und 5 370 482 von Loeppert.
  • Bei dem speziellen Konstruktionsbeispiel einer Mikrofon-Rückenplatte als einer gehobenen Mikrostruktur besteht das Ziel, ein steifes Element in einer in Bezug auf die Membran präzisen Position zu schaffen. Ein Verfahren zur Erreichung dieses Ziels besteht darin, die Rückenplatte unter Verwendung eines dünnen Siliziumnitrit-Films zu bilden, der auf einer geformten Siliziumoxid-Opferschicht abgelagert wird, die dazu dient, die gewünschte Trennung herzustellen. Diese Opferschicht wird später durch gut bekannte Ätzprozesse beseitigt, so daß die erhöhte Rückenplatte zurückbleibt. In der Siliziumnitrit-Rückenplatte vorhandene Zugspannungen bewirken, daß sie sich aus ihrer Lage herausbiegt. Druckspannungen sind immer zu vermeiden, da sie bewirken, daß sich das Gebilde verwirft.
  • 12 zeigt eine solche erhöhte Mikrostruktur 110 bekannter Art. Nachdem das Oxid entfernt worden ist, bleibt die erhöhte Mikrostruktur 110 übrig und in der Platte 112 ist eine dem Gebilde eigene Spannung vorhanden. Die Spannung T hat ihre Ursache in dem Herstellungsverfahren sowie aus der Differenz zwischen den Dehnungskoeffizienten des Materials der erhöhten Mikrostruktur 110 und des tragenden Wafers 116. Wie dargestellt, ist die Spannung T radial nach außen gerichtet. Die in der Platte 112 vorhandene Spannung T führt zu einem durch den Pfeil M angezeigten Biegemoment um die Basis 118 der Seitenwand 114. Dieses Biegemoment M bewirkt in der Platte 112 eine Tendenz, sich gegen den Wafer 116 in Richtung des Pfeils D zu biegen. Diese Biegung der Platte 112 hat eine negative Auswirkung auf die Empfindlichkeit und die Leistungsfähigkeit des Mikrofons.
  • Im Stand der Technik sind eine Anzahl unerwünschter Mittel zur Überwindung der Wirkungen dieser dem Gebilde eigenen Spannungen innerhalb einer dünnschichtigen, erhöhten Mikrostruktur bekannt. Unter diesen Mitteln ist dasjenige zu finden, das darin besteht, daß die Verbindung der Dünnschicht dadurch justiert werden kann, daß das Silizium angereichert wird, um das ihr eigene Spannungsniveau zu senken. Diese Technik hat jedoch Nachteile. Sie führt dazu, daß die Dünnschicht einen geringeren Ätzwiderstand gegen HF-Säure erhält und die Schwierigkeiten und Kosten der Herstellung zunehmen. Eine weitere im Stande der Technik bekannte Lösung besteht darin, die Dicke der Seitenwand, die die erhöhte Rückenplatte trägt, zu erhöhen, um dadurch die Fähigkeit der Seitenwand zu vergrößern, der vorhandenen Neigung der Dünnschicht zur Ausbiegung, Widerstand entgegenzusetzen. Obgleich dies vom geometrischen Standpunkt aus betrachtet, akzeptabel erscheint, ist die Herstellung einer dicken Seitenwand, wenn die Mikrostruktur erhöht ist, unter Verwendung des Dünnschicht-Niederschlags nicht praktikabel.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, dieses und andere Probleme zu lösen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen akustischen Wandler mit einem Abdeckkörper, der eine ebene Oberfläche aufweist, in der sich mehrere Durchbrüche befinden, ferner mit einem Substrat, das an dem perforierten Abdeckkörper betriebs fähig angebracht ist und einer Membran, die zwischen dem Abdeckkörper und dem Substrat angeordnet ist und in einer Ebene parallel zu der ebenen Oberfläche des Abdeckkörpers seitlich beweglich ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Abdeckkörper zwischen ihm und dem Substrat einen Befestigungsumfang aufweist, der so ausgeführt ist, daß die Empfindlichkeit des Abdeckkörpers auf die vorhandenen internen Biegemomente reduziert wird.
  • Ein Merkmal der vorliegenden Erfindung ergibt sich aus dem Tatbestand, daß eine Membran die höchste mechanische Empfindlichkeit hat, wenn sie sich frei in ihrer eigenen Ebene bewegen kann. Darüber hinaus läßt sich, wenn die Membran auf einem Stützring ruht, der an dem perforierten Körper angebracht ist, eine feste akustische Abdichtung erreichen, die zu einem gut gesteuerten, niederfrequenten Abrollen des Wandlers führt. Dazu kommt, daß dann, wenn ein Aufhängungsverfahren so gewählt wird, daß die Aufhängung der Membran nur ermöglicht, sich in ihrer eigenen Ebene zu bewegen und nicht an der Auslenkung der Membran bei einer auftreffenden Ton-Druckwelle teilnimmt, eine vollständige Abkupplung von dem perforierten Körper erreichbar ist, die die Empfindlichkeit für auf den Wandler einwirkende externe Spannungen verringert.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein akustischer Wandler geschaffen, der aus einem perforierten Körper und einer beweglichen Membran besteht, die von dem perforierten Körper mit Abstand getrennt ist. Der Abstand wird durch einen Stützring aufrechterhalten, der an dem perforierten Körper angebracht ist und auf dem die Membran ruht. Es sind Einrichtungen vorhanden, mit denen die Membran so aufgehängt wird, daß sie sich frei in ihrer eigenen Ebene bewegen kann, wodurch die mechanische Empfindlichkeit der Membran maximiert wird. Die Aufhängung wird dadurch erreicht, daß die Membran in seitlicher Richtung zwischen dem Stützring und dem an dem perforierten Körper angebrachten Substrat festgehalten wird. Darüber hinaus ist eine Einrichtung vorgesehen, mit der zwischen dem perforierten Körper und der Membran ein elektrisches Feld angelegt werden kann. Ferner sind Mittel vorgesehen, mit denen die Änderung der elektrischen Kapazität zwischen dem perforierten Körper und der Membran feststellbar ist, wenn sich die Membran aufgrund einer vorhandenen akustischen Schalldruckwelle ausbiegt.
  • Dicke und Größe der Membran sind so gewählt, daß die Resonanzfrequenz der Membran größer ist als die maximale akustische Betriebsfrequenz. In ähnlicher Weise werden die Abmessungen des perforierten Körpers so gewählt, daß die Resonanzfrequenz größer ist als die maximale akustische Betriebsfrequenz. Der Umfang, an dem der perforierte Körper an dem Substrat angebracht ist, kann optional so geformt werden, daß die Krümmung des perforierten Körpers aufgrund der in ihm vorhandenen Spannungen auf ein Mindestmaß beschränkt wird. Die Aufhängungseinrichtung der Membran ist so gebaut, daß in der Ebene der Membran minimale mechanische Dämpfung herrscht und dennoch der enge Abstand der Membran zu dem perforierten Körper aufrechterhalten wird. Der Stützring ist in dem perforierten Körper ausgebildet und setzt die Größe des aktiven Teils der Membran fest. Die Höhe des Stützrings bestimmt den anfänglichen Abstand zwischen der Membran und dem perforierten Körper. Es sind eine oder mehrere Öffnungen in der Membran und in dem perforierten Körper vorhanden, die einen akustischen Pfad von der rückseitigen Kammer des Wandlers zu der Umgebung bilden, um dadurch den Aufbau jeglichen barometrischen Drucks über der Membran auszuschalten. Die niedrige Abrollfrequenz des Wandlers wird durch die Eckfrequenz begrenzt, die durch den akustischen Widerstand der Öffnungen und den schmalen Spalt zwischen der Membran und dem Substrat in Verbindung mit dem akustischen Biegewiderstand der rückseitigen Kammer des Wandlers gebildet wird. Dieser akustische Widerstand ist weitgehend verantwortlich für das akustische Geräusch, das in der Vorrichtung erzeugt wird. Wie dem auf diesem Gebiet tätigen Fachmann ohne weiteres einleuchtet, muß zwischen Dämpfung und Geräusch abgewogen werden.
  • Der perforierte Körper, der Stützring, die Aufhängungseinrichtung und die Membran können aus einem Siliziumwafer unter Verwendung der Mirkodünnschicht-Herstellungstechnologie sowie der Fotolithographie angefertigt werden und können aus einem oder mehreren Materialien aus der Gruppe angefertigt werden, die aus Polymeren auf Kunststoffbasis, Silizium, polykristallinen Silizium, amorphem Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrit, Siliziumkarbid, Germanium, Gallium, Arsenid, Kohlenstoff, Titan, Gold, Eisen, Kupfer, Chrom, Wolfram, Aluminium, Platin, Palladium, Nickel, Tantal und ihren Legierungen besteht.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung befaßt sich auch mit einem akustischen Wandler, bestehend aus einem perforierten Körper und einer beweglichen Membran, die von dem perforierten Körper mit Abstand getrennt ist. Der Abstand wird durch einen Stützring aufrechterhalten, der an dem perforierten Körper angebracht ist, auf dem die Membran ruht. Es ist eine Einrichtung vorhan den, mit der die Membran so aufgehängt wird, daß sie sich frei in ihrer eigenen Ebene bewegen kann, wodurch die mechanische Empfindlichkeit der Membran maximiert wird. Die Aufhängung wird durch Verwendung von hochelastischen Federn zwischen der Membran und dem perforierten Körper erreicht. Die Federn unterstützen die Konstruktion und den Membran-Entspannungsprozeß, jedoch bringt im Betriebszustand die elektrostatische Anziehung die Membran mit der Stützkonstruktion des perforierten Körpers in Berührung. Im Gegensatz zu der in den US-Patenten 5 146 435 von Bernstein und 5 452 268 von Bernstein enthaltenen Lehre, spielt die Feder in der vorliegenden Erfindung bei der Erzeugung der Elastizität der Membran eine wesentliche Rolle. Außerdem ist eine Einrichtung zur Herstellung eines elektrischen Feldes zwischen dem perforierten Körper und der Membran vorhanden. Des weiteren gibt es eine Einrichtung zur Ermittlung der Änderung des elektrischen Widerstandes zwischen dem perforierten Körper und der Membran, wenn sich die Membran aufgrund der herrschenden akustischen Geräusch-Druckwelle ausbiegt.
  • Die Dicke und Größe der Membran ist so gewählt, daß die Resonanzfrequenz der Membran größer ist als die maximale akustische Betriebsfrequenz. In ähnlicher Weise werden die Abmessungen des perforierten Körpers so gewählt, daß die Resonanzfrequenz größer ist als die maximale akustische Betriebsfrequenz. Der Umfang, mit dem der perforierte Körper an dem Substrat angebracht ist, läßt sich optional so auswählen, daß die Krümmung des perforierten Körpers aufgrund der vorherrschenden in ihm vorhandenen Spannungen auf ein Mindestmaß beschränkt wird. Die hohe Elastizität der Federaufhängung ist immerhin steif genug, so daß die Struktur mit Hilfe der maschinellen Mikrobearbeitungstechnologie hergestellt werden kann und dennoch elastisch genug ist, um die Membran von dem perforierten Körper mechanisch zu entkoppeln und sicherzustellen, daß die Resonanzfrequenz der Membran und der Feder in der Ebene im Vergleich zu der angestrebten niedrigen Abrollfrequenz des Wandlers so klein wie möglich ist, um im Betriebszustand Schwingungen der Membran in der Ebene zu verhindern. Der Stützring ist in dem perforierten Körper ausgebildet und bestimmt die Größe des aktiven Teils der Membran. Die Höhe des Stützrings bestimmt den ursprünglichen Abstand zwischen der Membran und dem perforierten Körper. Es sind eine oder mehrere Öffnungen in dem Stützring vorhanden, die einen akustischen Pfad von der rückseitigen Kammer des Wandlers zu der Umgebung bilden, um dadurch jeglichen barometrischen Druck am Aufbauen über der Membran zu hindern. Die niedrige Abrollfrequenz des Wandlers wird durch die Eckfrequenz beschränkt, die von dem akustischen Widerstand der Öffnungen und der akustischen Elastizität der rückseitigen Kammer gebildet wird. Der perforierte Körper hat ein systematisches Öffnungsmuster, das einen niedrigen akustischen Widerstand der zwischen der in den und aus dem Spalt zwischen der beweglichen Membran und dem perforierten Körper strömenden Luft schafft. Das systematische Muster und die Größe der Öffnungen sind so gewählt, daß die hohe Abrollfrequenz des Wandlers durch die Eckfrequenz begrenzt wird, die durch den akustischen Widerstand in Verbindung mit der akustischen Elastizität der Membran und der rückseitigen Kammer des Wandlers erzeugt wird. Der perforierte Körper, der Stützring, die Aufhängungsvorrichtung und die Membran können von einem Siliziumwafer unter Verwendung der mikromaschinellen Bearbeitungs-Dünnschichttechnologie und der Fotolithographie hergestellt werden und können aus einem oder mehreren Materialien, bestehend aus der folgenden Gruppe, gefertigt werden: Polymere auf Kunststoffbasis, Silizium, polykristallines Silizium, amorphes Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrit, Siliziumkarbid, Germanium, Gallium, Arsenid, Kohlenstoff, Titan, Gold, Eisen, Kupfer, Chrom, Wolfram, Aluminium, Platin, Palladium, Nickel, Tantal und deren Legierungen.
  • Ein weiteres Merkmal der vorliegenden Erfindung bildet eine Verbesserung für die erhöhten Mikrostrukturen zur Verwendung in Vorrichtungen auf Siliziumbasis. Gemäß einer Ausführungsform dieses Erfindungsmerkmals wird eine erhöhte Mikrostruktur zur Verwendung in einer Vorrichtung auf Siliziumbasis geschaffen, die eine im allgemeinen ebene Dünnschicht (Dünnfilm) und eine die Seitenwand tragende Schicht (Film) aufweist, wobei die Seitenwand gerippt ist.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • In der Zeichnung zeigen:
  • 1 eine vergrößerte schematische Querschnittsansicht eines akustischen Wandlers längs der Linie 1-1 in 2 mit angeklemmter Aufhängung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine teilweise in gestrichelten Linien dargestellte Draufsicht des akustischen Wandlers von 1;
  • 3 eine perspektivische Querschnittsansicht des akustischen Wandlers von 2 längs der Linie 3-3 in 2;
  • 4 eine vergrößerte, teilweise in gestrichelten Linien dargestellte Teildraufsicht eines akustischen Wandlers, ähnlich der von 2, wobei der perforierte Körper einen optional geformten Befestigungsumfang aufweist;
  • 5 eine vergrößerte, schematische Querschnittsansicht eines akustischen Wandlers mit einer erfindungsgemäß hohen Elastizität der Federaufhängung, längs der Linie 5-5 in 6;
  • 6 eine teilweise in gestrichelten Linien dargestellte Draufsicht des akustischen Wandlers von 5;
  • 7 eine perspektivische Querschnittsansicht des akustischen Wandlers von 6 längs der Linie 7-7;
  • 8 eine stark vergrößerte, teilweise in gestrichelten Linien dargestellte Teildraufsicht eines akustischen Wandlers, ähnlich demjenigen von 5, wobei der perforierte Körper einen optional geformten Befestigungsumfang aufweist;
  • 9 einen elektrischen Schaltkreis zur Feststellung der Änderung der Mikrofonkapazität bei Aufrechterhaltung einer konstanten elektrischen Ladung für das Mikrofon;
  • 10 einen elektrischen Schaltkreis zur Ermittlung der Änderung der Mikrofonkapazität bei Aufrechterhaltung einer konstanten elektrischen Spannung am Mikrofon;
  • 11 eine perspektivische Querschnittsansicht des akustischen Wandlers von 4;
  • 12 eine schematische Querschnittsansicht einer aus dem Stand der Technik bekannten erhöhten Mikrostruktur;
  • 13 eine perspektivische Querschnittsansicht einer die Erfindung beinhaltenden erhöhten Mikrostruktur;
  • 14 eine Querschnittsansicht der erhöhten Mikrostruktur von 13; und
  • 15 eine Draufsicht von 13, längs der Linie 11-11.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Obgleich die Erfindung in vielen verschiedenen Ausführungsformen verwirklicht werden kann, werden in der Zeichnung nur bevorzugte Ausführungsformen dargestellt und im folgenden beschrieben, wobei dies so zu verstehen ist, daß die vorliegende Offenbarung als Beispiel des der Erfindung zugrundeliegenden Prinzips zu betrachten ist und keinen den Schutzumfang der Erfindung auf die dargestellten Ausführungsformen beschränkenden Charakter haben soll.
  • In den 1 bis 3 in der Zeichnung ist ein der Erfindung entsprechender akustischer Wandler offenbart. Der akustische Wandler 10 weist eine leitfähige Membran 12 und einen perforierten Körper 40 auf, die von einem Substrat 30 getragen werden und durch einen Luftspalt 20 getrennt sind. Ein sehr enger Luftspalt oder geringe Luftspaltbreite 22 herrscht zwischen der Membran 12 und dem Substrat 30, so daß es der Membran ermöglicht wird, sich in ihrer Ebene frei zu bewegen, wodurch jegliche vorhandene Spannungen in dem Membranmaterial gelöst werden und die Membran von dem Substrat entkuppelt wird. Eine Anzahl kleiner Vertiefungen 13 sind in der Membran vorgesehen, um ein Festkleben zwischen der Membran und dem Substrat in dem schmalen Spalt zu vermeiden. Die seitliche Bewegung der Membran 12 wird durch eine Stützkonstruktion 41 in dem perforierten Körper 40 beschränkt, die auch dazu dient, den geeigneten Anfangsabstand zwischen der Membran und dem perforierten Körper aufrecht zu erhalten. Die Stützkonstruktion 41 kann entweder ein durchgehender Ring sein oder aus mehreren Höckern bestehen. Wenn die Stützkonstruktion 41 ein durchgehender Ring ist, dann ruht die Membran 12 auf der Stützkonstruktion 41 auf, wobei sie eine feste akustische Dichtung bildet, was zu einer gut gesteuerten, niedrigen Frequenz des Abrollens des Wandlers führt. Wenn die Stützkonstruktion 41 aus mehreren Höckern besteht, dann kann die akustische Dichtung entweder durch Begrenzung des Abstandes zwischen den Höckern, durch Verengen des Luftspaltes 22 oder eine Kombination dieser beiden Maßnahmen bestehen.
  • Die leitende Membran 12 ist elektrisch von dem Substrat 30 durch eine dielektrische Schicht 31 isoliert. Eine leitende Elektrode 42 ist an dem nichtleitenden perforierten Körper 40 angebracht. Der perforierte Körper enthält eine Anzahl Öffnungen 21, durch die hindurch eine Opferschicht (nicht gezeigt) zwischen der Membran und dem perforierten Körper während des Herstellungsprozesses geätzt wird, um einen Luftspalt 20 zu schaffen, und die später zur Verringerung der akustischen Dämpfung der Luft im Luftspalt dient, so daß eine ausreichende Bandbreite für den Wandler geschaffen wird. Eine Anzahl Öffnungen wird auch in der Membran 12 von dem perforierten Körper 40 hergestellt, so daß ein Leckageweg 14 gebildet wird, der zusammen mit der Elastizität der rückseitigen Kammer (nicht gezeigt), auf der der Wandler befestigt wird, einen Hochpaßfilter bildet, der eine Abrollfrequenz ergibt, die niedrig genug ist, um nicht die akustische Funktion des Wandlers zu behindern, aber auch hoch genug, um den Einfluß barometrischer Druckschwankungen zu beseitigen. Die Öffnungen 14 (Leckagepfad) werden durch fotolithographische Verfahren gebildet und lassen sich deshalb genau steuern, was zu einem gut definierten, niederfrequenten Verhalten des Wandlers führt. Die Befestigung des perforierten Körpers 40 längs des Umfangs 43 läßt sich variieren, um dadurch die Krümmung des perforierten Körpers aufgrund der ihm innewohnenden internen Biegemomente zu verringern. Der Umfang kann eine stetig gekrümmte Oberfläche (1 bis 3) oder diskontinuierlich, beispielsweise wellenförmig (4) sein. Ein diskontinuierlicher Umfang 43 schafft zusätzliche Steifigkeit des perforierten Körpers 40, so daß die Krümmung infolge innenwohnender Biegemomente in dem perforierten Körper 40 verkleinert wird.
  • In den 5 bis 7 ist eine alternative Ausführungsform eines akustischen Wandlers gemäß der Erfindung dargestellt. Der Wandler 50 weist eine leitfähige Membran 12 und einen perforierten Körper 40 auf, die von einem Substrat 30 getragen werden und durch einen Luftspalt 20 getrennt sind. Die Membran 12 ist an dem Substrat durch eine Anzahl Federn 11 befestigt, die zur mechanischen Abkupplung der Membran von dem Substrat dienen, wodurch eine der Membran innenwohnende Spannung abgebaut wird. Darüber hinaus wird die Membran von der Spannung im Substrat und der Vorrichtungsverpackung entlastet.
  • Die seitliche Bewegung der Membran 12 wird durch die Stützkonstruktion 41 in dem perforierten Körper 40 beschränkt, die auch dazu dient, den richtigen Anfangsabstand zwischen der Membran und dem perforierten Körper 40 aufrecht zu erhalten. Die Stützkonstruktion 41 kann entweder ein durchgehender Ring sein oder aus mehreren Höckern bestehen. Wenn die Stützkonstruktion 41 ein durchgehender Ring ist, dann ruht die Membran 12 auf der Stützkonstruktion 41, wobei sie eine feste akustische Dichtung bildet, was zu einem gut gesteuerten, niedrigfrequenten Abrollen des Wandlers führt. Wenn die Stützkonstruktion 41 aus mehreren Höckern besteht, dann läßt sich die akustische Dichtung durch Begrenzung des Abstandes zwischen den Höckern herstellen oder durch einen ausreichend langen Weg rund um die Membran und durch die Öffnungen 21.
  • Die leitende Membran 12 ist elektrisch von dem Substrat 30 durch eine dielektrische Schicht 31 isoliert. Eine leitende Elektrode 42 ist an dem nichtleitenden, perforierten Körper 40 angebracht. Der perforierte Körper enthält eine Anzahl Öffnungen 21, durch die eine Opferschicht (nicht gezeigt) zwischen der Membran 12 und dem perforierten Körper während der Herstellung geätzt werden kann, um so den Luftspalt 20 zu schaffen und die später zur Verringerung der akustischen Dämpfung der Luft in dem Luftspalt dient, um auf diese Weise die ausreichende Bandbreite des Wandlers herzustellen. Eine Anzahl Öffnungen wird in der Stützkonstruktion 41 vorgesehen, so daß ein Leckageweg 14 (6) entsteht, die zusammen mit der Elastizität der rückseitigen Kammer (nicht gezeigt), auf der der Wandler befestigt werden kann, einen Hochpaßfilter bilden, die zu einer Abrollfrequenz führt, welche niedrig genug ist, um die akustische Funktion des Wandlers nicht zu behindern, und hoch genug, um den Einfluß barometrischer Druckschwankungen zu beseitigen. Die Öffnungen 14 werden vorzugsweise durch fotolithographische Verfahren gebildet und können daher genau gesteuert werden, was zu einem gut definierten Niedrigfrequenzverhalten des Wandlers führt. Die Anbringung des perforierten Körpers längs des Umfangs 43 läßt sich so gestalten, daß die Krümmung des perforierten Körpers aufgrund der ihm eigenen inneren Biegemomente verringert wird. Der Umfang 43 kann glatt (5 bis 7) oder gerippt (8 und 11) sein. Ein gerippter Umfang schafft zusätzliche Festigkeit des perforierten Körpers, wodurch die Krümmung aufgrund der eigenen Biegemomente in dem perforierten Körper verringert werden kann.
  • Im Betriebszustand wird zwischen der leitenden Membran 12 und der Elektrode 42 des perforierten Körpers eine elektrische Spannung angelegt. Die elektrische Spannung und die zugehörige Ladung der Leiter erzeugt zwischen der Membran und dem perforierten Körper eine elektrostatische Anziehungskraft. Infolgedessen bewegt sich die freie Membran 12 in Richtung auf den perforierten Körper 40, bis sie auf dem Stützkörper 41 aufsitzt, der den Anfangsbetriebspunkt des Wandlers bei einem gut begrenzten Luftspalt 20 und akustischer Leckage über den Pfad 14 setzt. Sobald die Membran 12 akustischer Energie ausgesetzt wird, erscheint über ihr eine Druckdifferenz, die sie veranlaßt, sich gegen den perforierten Körper 40 oder von ihm weg auszubiegen. Die Ausbiegung der Membran 12 bewirkt eine Veränderung des elektrischen Feldes und demzufolge der Kapazität zwischen der Membran 12 und dem perforierten Körper 40. Infolgedessen wird die elektrische Kapazität des Wandlers durch die akustische Energie moduliert.
  • Ein Verfahren zur Ermittlung der Modulation der Kapazität ist in 9 gezeigt. In der Ermittlungsschaltung 100 ist der Wandler 102 an eine Gleichstromspannungsquelle 101 und einen Einheitsverstärker 104 mit sehr hoher Eingangsimpedanz angeschlossen. Ein Gittervorspannungs-Widerstand 103 zieht Gleichstromspannung des Verstärkereingangs zur Erde, wodurch die Gleichstromspannung "Vbias" über den Wandler angelegt wird. Wenn angenommen wird, daß in diesem Schaltkreis der Wandler eine konstante elektrische Ladung erhält, so führt eine Änderung der Wandlerkapazität zu einer Änderung der elektrischen Spannung über dem Wandler, die durch den Einheitsverstärker gemessen wird.
  • Ein anderes Verfahren zur Ermittlung der Modulation der Kapazität ist in 10 gezeigt. In der Ermittlungsschaltung 200 ist der Wandler 200 mit einer Gleichstrom-Spannungsquelle 201 verbunden und eine Ladungsverstärkungs-Konfiguration 205 mit einem Rückkopplungswiderstand 203 und einem Kondensator 204. Der Rückkopplungswiderstand sichert die Gleichstromstabilität der Schaltung und erhält das Gleichstromniveau des Verstärkereingangs aufrecht, wodurch die die Gleichstromspannung "Vbias-Vb" an dem Wandler anliegt. Wenn angenommen wird, daß in dieser Schaltung über dem Wandler ein konstante Spannung herrscht, und zwar aufgrund des Scheinerdungsprinzips des Verstärkers, so bewirkt eine Änderung der Kapazität eine Änderung der Ladung des Wandlers und demzufolge auf der Eingangsseite des Rückkopplungskondensators, was zwischen dem negativen und positiven Eingang des Verstärkers zu einer Abweichung führt. Der Verstärker liefert an die Ausgangsseite des Rückkopplungskondensators eine gespiegelte Ladung, um die Abweichung zu entfernen, was zu einer Änderung der Ausgangsspannung "Vout" führt. Die Ladungsverstärkung wird bei dieser Schaltung durch das Verhältnis zwischen der anfänglichen Wandlerkapazität und der Kapazität des Rückkopplungskondensators festgesetzt. Ein Vorteil dieser Ermittlungsschaltung besteht darin, daß das Scheinerdungsprinzip des Verstär kers jedwede parasitären Kapazitäten durch die elektrische Erdung des Wandlers beseitigt, die anderenfalls die Wirkung der dynamischen Änderung der Mikrofonkapazität dämpfen. Es sollte jedoch dafür gesorgt werden, die parasitären Kapazitäten zur Minimierung der Verstärkung jeglichen Geräusches, das auf das Signal "Vb" einwirkt und des vorhandenen Verstärkergeräusches zu verringern.
  • Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen erhöhten Mikrostruktur 110 ist in den 13 und 14 gezeigt. Die erhöhte Mikrostruktur 110 weist im allgemeinen eine kreisförmige Dünnschichtplatte oder Rückenplatte 112 auf, die von einer Seitenwand 114 getragen wird.
  • Die erhöhte Mikrostruktur 110 besteht aus einer Dünnschichtplatte 112 aus Siliziumnitrit, das auf der Oberseite einer Siliziumoxid-Opferschicht auf einem Siliziumwafer 116 abgelagert ist, und zwar unter Verwendung der dem auf diesem Gebiet tätigen Fachmann bekannten Ablagerungs- bzw. Beschichtungs- und Ätztechniken. Die Siliziumoxid-Opferschicht ist aus Klarheitsgründen aus der Zeichnung entfernt worden. Die Seitenwand 114 der erhöhten Mikrostruktur 110 ist an ihrem Boden 118 mit dem Siliziumwafer 116 verbunden und an ihrem entgegengesetzten Ende an der Platte 112 angebracht. Die Seitenwand 114 ist im allgemeinen lotrecht zur Platte 112 angeordnet, jedoch wird hier darauf hingewiesen, daß auch andere Winkel zwischen der Seitenwand 114 und der Platte 112 Verwendung finden können.
  • 15 zeigt eine Draufsicht der Anordnung von 13, wobei eine Oberfläche der Seitenwand 114 der vorliegenden Erfindung gestrichelt dargestellt ist. Es läßt sich erkennen, daß die Seitenwand 114 der vorliegenden Erfindung, wie in den 13 bis 15 gezeigt, gerippt ist, wobei eine Vielzahl von periodischen Rippen 120 und Nuten 122 gebildet wird. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Rippen 120 und Nuten 122 parallel und einheitlich beabstandet, so daß eine gerippte Struktur entsteht. Darüber hinaus weist das bevorzugte Ausführungsbeispiel Rippen 120 und Nuten 122 mit einem viereckigen Querschnitt auf. Die Wirkung der Rippung der Seitenwand ist die, daß auf diese Weise Segmente 124 der Seitenwand 114 gebildet werden, die wie die vorhandene Spannung T der Platte 112 radial verlaufen. Indem Teile der Seitenwand 114 radial ausgerichtet sind wie die Spannung T, wird die Seitenwand 114 versteift. Es wurde festgestellt, daß die Seitenwand 114 bekannter Bauart, die tangential zur Platte 112 verläuft, im Ver gleich zu den radialen Segmenten 124 der vorliegenden Erfindung leicht zu biegen ist.
  • Andere Geometrien als diejenigen, die in den 13 bis 15 im Hinblick auf die Riffelungen oder Rippen 120 und Nuten 122 gezeigt sind, sind denkbar und werden tatsächlich zur Vergrößerung der Fähigkeit der Seitenwand 114 benutzt, dem Biegemoment M Widerstand entgegenzusetzen, so daß die in den Zeichnungsfiguren 13 bis 14 dargestellte Geometrien den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung nicht beschränken sollen.
  • So könnte beispielsweise für die Rippen 122 und Nuten 124 eine im allgemeinen ringförmige Geometrie, dreieckförmige Geometrie oder irgendeine Kombination und Abänderung dieser oder anderer Geometrien Verwendung finden.
  • Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Rippen radial, und demzufolge verlaufen die Seitenwände 114 parallel zu der in der Rückenplatte 112 vorhandenen Spannung. Darüber hinaus ist da Opfermaterial so geätzt, daß die Seitenwände 114 in Bezug auf das Substrat geneigt sind, so daß eine gute schrittweise Abdeckung ermöglicht wird, wenn die Dünnschicht-Rückenplatte 112 abgelagert wird.
  • Obgleich im obigen spezielle Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden sind, sind zahlreiche Modifikationen denkbar, ohne daß vom Erfindungsgedanken erheblich abgewichen wird, so daß der Schutzumfang der Erfindung nicht beschränkt und nur durch den Schutzumfang der Ansprüche festgelegt wird.

Claims (15)

  1. Akustischer Wandler (10) mit einem Deckkörper (40), der eine ebene Oberfläche mit mehreren Perforationen aufweist, einem Substrat (3), das betriebsfähig an dem perforierten Deckkörper (40) angebracht ist, und einer Membrane (2), die zwischen dem Deckkörper (40) und dem Substrat angeordnet ist und seitlich in einer Ebene parallel zu der ebenen Oberfläche des Deckkörper (40) beweglich ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (40) einen Befestigungsring (43) zwischen dem Deckkörper (40) und dem Substrat (30) aufweist, der so gebaut ist, daß die Empfindlichkeit des Deckkörpers (40) auf die diesem eigenen inneren Biegemomente verringert wird.
  2. Akustischer Wandler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Schaltung, die mit der Membran (12) betriebsmäßig gekoppelt ist, um in den Raum (20) zwischen dem perforierten Deckkörper (40) und der Membran (12) ein elektrisches Feld zu erzeugen, und durch eine Schaltung (100), die mit der Membrane betriebsmäßig gekoppelt ist und auf Änderungen der elektrischen Kapazität zwischen dem Deckkörper und der Membrane (12) anspricht.
  3. Akustischer Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Befestigungsring (43) gerippt ist.
  4. Akustischer Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (40) und das Substrat (30) eine seitliche Begrenzung bilden.
  5. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Membrane (12) eine oder mehrere Vertiefungen (13) ausgebildet sind, um zu verhindern, daß die Membrane (12) mit dem Substrat (30) verklebt.
  6. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (4O) eine Stützstruktur (41) aufweist, die mit einer oder mehreren Öffnungen zur Verringerung der Empfindlichkeit des Deckkörpers (40) für die ihm eigenen internen Biegemomente versehen ist.
  7. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine oder mehrere mechanische Federn, die mit dem Deckkörper (40) und der Membrane (12) betriebsmäßig verbunden sind.
  8. Akustischer Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere zusammentreffende Öffnungen (14) in der Membrane (12) und dem Deckkörper (40) ausgebildet sind, um einen niederfrequenten Druckausgleichspfad über die Membrane (12) zu schaffen.
  9. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine oder mehrere nicht zusammenfallende Öffnungen (14) in der Membrane (12) und dem Deckkörper (40).
  10. Akustischer Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (40) eine Stützstruktur (41) aufweist, in der sich eine oder mehrere Öffnungen befinden, um einen niederfrequenten Druckausgleichspfad über die Membrane (12) zu bilden.
  11. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (40) eine Stützstruktur (41) aufweist und daß die Membrane (12) durch elektrostatische Anziehungskräfte, die zwischen der Membrane (12) und dem perforierten Deckkörper (40) aufgrund des elektrischen Feldes erzeugt werden, in Position an dem Stützkörper (41) gehalten wird.
  12. Akustischer Wandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Membrane (12) und der Deckkörper (40) aus einem oder mehreren Materialien gefertigt sind, bestehend aus kohlenstoffbasierten Polymeren, Silizium, polykristallinem Silizium, amorphem Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, Germanium, Galliumarsenid, Kohlenstoff, Titan, Gold, Eisen, Kupfer, Chrom, Wolfram, Aluminium, Platin, Palladium, Nickel, Tantal und deren Legierungen.
  13. Wandler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Schaltung (100), die mit der Membrane (12) betriebsmäßig gekoppelt ist und auf Änderungen der elektrischen Kapazität zwischen dem Deckkörper (40) und der Membrane (12) anspricht.
  14. Wandler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Schaltung, die mit der Membrane betriebsmäßig gekoppelt ist, um in dem Raum (20) zwischen dem perforierten Deckkörper (40) und der Membrane (12) ein elektrisches Feld zu erzeugen.
  15. Akustischer Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Deckkörper (40) eine Stützstruktur (41) aufweist, die die Membrane (12) trägt, wenn der Wandler unter Spannung steht.
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