DE60038121T2 - Hybrider integrierter optischer einfüge- und abzweigmultiplexer - Google Patents
Hybrider integrierter optischer einfüge- und abzweigmultiplexer Download PDFInfo
- Publication number
- DE60038121T2 DE60038121T2 DE60038121T DE60038121T DE60038121T2 DE 60038121 T2 DE60038121 T2 DE 60038121T2 DE 60038121 T DE60038121 T DE 60038121T DE 60038121 T DE60038121 T DE 60038121T DE 60038121 T2 DE60038121 T2 DE 60038121T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- core
- polymer
- waveguide
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 25
- 238000003780 insertion Methods 0.000 title description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 title description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007526 fusion splicing Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008542 thermal sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
- G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
- G02B6/12019—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides characterised by the optical interconnection to or from the AWG devices, e.g. integration or coupling with lasers or photodiodes
- G02B6/12021—Comprising cascaded AWG devices; AWG multipass configuration; Plural AWG devices integrated on a single chip
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12145—Switch
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/58—Multi-wavelength, e.g. operation of the device at a plurality of wavelengths
- G02F2203/585—Add/drop devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
- FACHGEBIET
- Die vorliegende Erfindung betrifft photonische Module, welche die Fähigkeit haben, spezifische informationstragende Wellenlängen hinzuzufügen und auszulöschen, die sich in einem faseroptischen Netzwerk ausbreiten, und welche hierin nachstehend als optische Add-Drop-Multiplexer (OADM) bezeichnet werden.
- HINTERGRUND
- Optische Add-Drop-Multiplexer (OADM) haben die Fähigkeit, spezifische informationstragende Wellenlängen hinzuzufügen und auszulöschen, die sich in einem faseroptischen Netzwerk ausbreiten. Ein Blockschaltbild, das veranschaulicht, wie ein OADM
1 funktioniert, um Wellenlängen λ'i ... λ'j ... λ'k hinzuzufügen und Wellenlängen λi ... λj ... λk aus einer Eingabe λl–λN auszulöschen, ist in1 gezeigt. - Eine vieldiskutierte Architektur für OADMs betrifft die Verwendung von Arrayed-Waveguide-Grating-(AWG-)Routern (Routern mit Gittern aus gezielt angeordneten Wellenleitern) und optischen 2 × 2-Schaltern. Diese Architektur ist in
2 schematisch dargestellt. Hierbei werden AWGs12 als Multiplexer/Demultiplexer verwendet, und Schalter14 werden zum Auswählen der Kanäle verwendet, die hinzugefügt bzw. ausgelöscht werden sollen. Diese Architektur kann mit handelsüblichen eigenständigen Komponenten aufgebaut werden (zum Beispiel ein AWG mit Anschlussfasern, das dann mittels Schmelzspleißung und Verbinderanschluss mit Schaltern mit Anschlussfasern verbunden wird). AWGs werden zum Beispiel durch Hitachi, Lucent, Nortel, SDL und JDS Uniphase kommerziell vertrieben. 2 × 2-Schalter, sowohl in optomechanischen als auch in thermooptischen Varianten, werden durch Anbieter, wie etwa JDS Uniphase, Fitel, Dicon und Coming, kommerziell vertrieben. - Leider hat die in
2 dargestellte Architektur eine Anzahl von Nachteilen. Diese Architektur ist wegen der Vielzahl von Faserverbindungen schwer zusammenzusetzen, und sie ist teuer. Außerdem leidet diese Architektur an einer hohen Einfügedämpfung. Ferner lässt sich diese Architektur sehr schlecht größer bemessen, wenn die Anzahl der Wellenlängen zunimmt. Netzwerkanwendungen in Großstadtgebieten können zum Beispiel erfordern, dass in einem gegebenen OADM32 ,64 oder80 Wellenlängen hinzugefügt oder ausgelöscht werden. - Um diese Probleme zu lösen, sind nach dem Stand der Technik Versuche unternommen worden, die Filterfunktion von AWGs und die Schaltfunktion von Schaltern auf einem einzigen Substrat zu integrieren. Ein solcher Versuch, der eine Planarglastechnik verwendet, wird von K. Otamoto et al. in deren Artikel mit dem Titel „16-Channel Optical Add/Drop Multiplexer Consisting of Arrayed Waveguide Gratings and Double Gate Switches", Electronic Letters 32, S. 1471 (1996), beschrieben. Hierbei wurden mehrere AWGs in planarem Glas (Siliciumdioxid auf Silicium) auf dem gleichen Substrat ausgeführt, und thermooptische Schalter nach dem Mach-Zehnder-Prinzip wurden auf dem gleichen Substrat integriert. Leider hat dieser Ansatz mehrere Nachteile. Mach-Zehnder-Schalter erfordern viel Fläche auf dem Chip. Außerdem reagieren Mach-Zehnder-Schalter sehr empfindlich auf Herstellungsfehler und leiden an schlechter Isolation.
- Ein weiterer Anlauf zu einem integrierten OADM ist durch Giles et al. in deren Artikel mit dem Titel „Reconfigurable 16-Channel WDM Drop Module Using Silicon MEMS Optical Switches", IEEE Photonics Tech. Lett. 11, S. 63 (1999) beschrieben worden. Hierbei werden AWGs mit einer Anordnung von Schaltern des MEMS-Typs fasergekoppelt. Leider ist dieser Ansatz nicht völlig integriert und ist nicht in Festköpertechnik ausgeführt.
- Offensichtlich besteht Bedarf an einem OADM in Festköpertechnik, der vollständig auf einem einzigen Substrat integriert ist und auf Herstellungsfehler nicht empfindlich reagiert. Im Idealfall sollten die in einem solchen OADM verwendeten Schalter keine großen Flächen auf dem Chip erfordern und sollten ferner gute Isolationseigenschaften haben.
-
EP 0 642 052 A1 offenbart eine polymere thermooptische Wellenleitervorrichtung mit einer polymeren Leitschicht, die zwischen zwei Cladding-Schichten angeordnet ist. Ein Heizelement ist an einer der Cladding-Schichten platziert, die einen größeren Brechungsindex hat. Es heißt, dass die große Differenz zwischen den Brechungsindizes der Leitschicht und der an das Heizelement angrenzenden Cladding-Schicht die Verwendung einer besonders dünnen Cladding-Schicht ermöglicht. Es heißt, dass eine dünne Cladding-Schicht die Antwortzeit verbessert, in der sich der Brechungsindex der Leitschicht als Antwort auf Wärme ändert. Es heißt außerdem, dass eine bessere Steuerung der Position der erwärmten Zone der Leitschicht erzielt wird. -
US 5 857 039 offenbart einen Richtkoppler mit mindestens zwei Leiterkernen in Siliciumdioxid und einer Polymerdeckschicht, welche die Leiterkerne bedeckt. Die Leiterkerne und die Deckschicht sind jeweils über einer Cladding-Schicht ausgebildet. Es heißt, dass die Anordnung die guten thermooptischen Eigenschaften von Polymeren und die Qualitäten der Leiter in Siliciumdioxid ermöglicht. Es heißt, dass die Struktur insofern vorteilhaft ist, als das Polymer und das Siliciumdioxid Brechungsindexänderungen mit entgegengesetzter Tendenz in Bezug auf die Temperatur aufweisen, wodurch eine Leitweglenkung mit kleineren Temperaturschwankungen ermöglicht wird. - Eldada et al., „Integrated Multichannel OADM's using Polymer Bragg Grating MZI's", IEEE Photonics Technology Letters, Band 10, Nr. 10, Oktober 1998, S. 1416–1418, offenbart einen auf einem Bragg-Gitter beruhenden optischen Add-Drop-Mehrkanal-Multiplexer in planarem Polymer. Es heißt, dass der Ansatz Vorteile bietet, indem er die Integration und die lithographische Massenfertigung von Wellenleiter-Routern mit dem Leistungsvermögen, der Modularität und der Kanalabgleichfähigkeit von Faser-Bragg-Gittern kombiniert.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die Erfindung stellt einen integrierten optischen Add-Drop-Multiplexer gemäß den Ansprüchen bereit.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die Erfindung ist am besten anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung zu verstehen, wenn sie in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen wird. Es wird betont, dass die verschiedenen Merkmale der Zeichnungen entsprechend gängiger Praxis nicht maßstabsgerecht sind. Im Gegenteil, die Abmessungen der verschiedenen Merkmale sind der Deutlichkeit halber willkürlich vergrößert oder verkleinert. In die Zeichnungen sind die folgenden Figuren eingeschlossen:
-
1 ist ein Blockschaltbild eines OADM; -
2 ist eine grafische Darstellung einer üblichen OADM-Architektur; -
3 ist eine grafische Darstellung eines integrierten OADM gemäß der vorliegenden Erfindung; -
4 ist eine Seitenansicht einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die ein Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete Undercladding-Schicht, eine auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht angeordnete Kern-Glasschicht und eine auf der Undercladding-Schicht und der Kern-Glasschicht angeordnete Overcladding-Schicht aufweist; -
5 ist eine Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform, die nicht in die Ansprüche eingeschlossen ist und ein Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete Undercladding-Schicht, eine auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht angeordnete Kern-Glasschicht, eine auf der Undercladding-Schicht angrenzend an die Kern-Glasschicht angeordnete Polymerschicht und eine auf der Polymerschicht und der Kern-Glasschicht angeordnete Overcladding-Schicht aufweist; und -
6 ist eine Draufsicht einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die ein Substrat, eine auf dem Substrat angeordnete Undercladding-Schicht, eine auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht angeordnete Kern-Glasschicht, eine auf der Undercladding-Schicht angrenzend an die Kern-Glasschicht angeordnete Polymerschicht und eine auf der Polymerschicht und der Kern-Glasschicht angeordnete Overcladding-Schicht aufweist. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
- Die vorliegende Erfindung stellt einen integrierten Hochleistungs-OADM bereit, indem die vorteilhaften Eigenschaften von optischen Glas-Wellenleitern und digitalen optischen Schaltern auf Polymerbasis kombiniert werden. Planarglas-Technologien sind am besten für die Herstellung von AWGs geeignet, da sie niedrige optische Dämpfung bieten. Jedoch leiden Planarglas-Technologien oft an Polarisationsabhängigkeit, die durch die Spannung im Herstellungsprozess verursacht wird. Digitale optische Schalter werden am besten in Polymeren implementiert, und zwar wegen ihres starken thermooptischen Effekts und ihrer niedrigen Wärmeleitfähigkeit. Außerdem können Polymere mit niedriger Dämpfung und passendem Brechungsindex, wenn sie als eine Topcladding-Schicht für AWG-Vorrichtungen auf Glasbasis verwendet werden, Vorteile bieten, wie etwa die Minderung der Gesamtspannung in der Vorrichtung, was die Polarisationsabhängigkeit verringert, und Minderung der Temperaturempfindlichkeit der Vorrichtung, was Temperatursteuerungsfragen vereinfacht.
- Vorzugsweise haben die Polymermaterialien zur Anwendung als Topcladding einen Brechungsindex bei der Anwendungstemperatur und -wellenlänge, der 0,5–0,7% kleiner als jener der Kern-Glasschicht ist, eine optische Dämpfung bei den Anwendungswellenlängen, die vorzugsweise gleich oder kleiner als die der Kern-Glasschicht ist (normalerweise 0,1 dB/cm oder weniger), einen großen (> 1 × 104/°C) negativen thermooptischen Koeffizienten (dn/dT), einen niedrigen Elastizitätsmodul, um eine niedrige Spannung auf die Siliciumdioxidschichten auszuüben, gute Haftung auf den Glaskern- und Cladding-Schichten und die Fähigkeit zur Metallisierung mit typischen Metallen, die für thermooptische Schalter verwendet werden, wie etwa Chrom und Gold. Es gibt ein paar Materialien, die nahezu alle dieser Kriterien erfüllen. Ein Beispiel sind halogenfluorierte Diacrylate, wie etwa die durch Allied Signal entwickelten Chlorofluorodiacrylate, welche die Anmeldungen von Wu et al., US-Anmeldung Nr. 08/842 783, angemeldet am 17. April 1997, mit dem Titel „New Photocurable Halofluorinated Acrylates", und US- Anmeldung Nr. 09/190 194, angemeldet am 12. November 1998, mit dem Titel „New Method for Making Photocurable Halofluorinated Acrylates", deren beider Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird, einschließen. Diese Materialien haben bei 1550 nm und 70°C einen Brechungsindex von ungefähr 1,44, der das oben erwähnte Brechungsindexkriterium gut erfüllt. Die optische Dämpfung dieses Polymers liegt bei 1550 nm zwischen 0,1 und 0,2 dB/cm, dn/dT betragt ungefähr –2 × 104/°C, und es ist gute Haftung auf Glas- und Siliciumoxidsubstraten erzielt worden.
- Eine schematische Darstellung der Erfindung ist in
3 gezeigt Die digitalen optischen Schalter14 auf Polymerbasis sind „Add-Drop"-2 × 2-Schalter und keine kompletten 2 × 2-Koordinatenschalter, da die beiden Zustande des Schalter der „Durchlass-" bzw. der „Add-Drop"-Zustand sind. Eine Polymer-Overcladding-Schicht (in4 als Polymer-Overcladding-Schicht24 gezeigt) ist überall in der Vorrichtung aufgebracht und dient auch als ein segmentierter Kern in den Schaltregionen (die ziemlich kurz sind). Faseranordnungen (die in3 als Add-Faseranordnung16 und Drop-Faseranordnung18 gezeigt sind) sind an den Add- und Drop-Ports mit dem Substrat10 ausgerichtet, um für den Zugang zu Detektoren und Lasern zu sorgen, die in einer anderen Ausführungsform ebenfalls integriert werden können. - Der integrierte OADM der Erfindung ist ein Mehrschichtstapel. Eine Seitenansicht einer Ausführungsform der Erfindung ist in
4 gezeigt. Der in4 dargestellte integrierte OADM verwendet einen Ansatz mit einem einzigen Polymer, wobei die Overcladding-Schicht24 als Topcladding-Schicht dient und außerdem optische Schalter enthält. Wie in4 gezeigt, ist die erste Schicht des Mehrschichtstapels ein Silicium- oder Siliciumdioxidsubstrat10 . Die zweite Schicht ist eine Undercladding-Schicht20 , die auch eine Puffer-Glasschicht sein kann, die zum Beispiel durch chemische Aufdampfung (CVD) oder Flammenhydrolyse ausgebildet wird. Die dritte Schicht ist eine Kern-Glasschicht22 , die durch reaktive Ionenätzung (RIE) als Teil eines halbleitertechnischen Herstellungsprozesses definiert und wie herkömmliche AWGs strukturiert werden kann. Die Kern-Glasschicht22 kann auch durch Ionenaustausch definiert werden, was kein Entfernen von Material erfordert, um den Kern herzustellen. Die vierte Schicht des Mehrschichtstapels ist eine Overcladding-Schicht24 . Die Overcladding-Schicht24 kann durch Schleuderbeschichtung und anschließendes Ultravioletthärten/thermisches Ausheilen ausgebildet werden.4 zeigt auch ein Heizelement30 , vorzugsweise ein Metall-Heizelement, das auf der Overcladding-Schicht24 angeordnet ist. Das Heizelement30 kann unter Verwendung herkömmlicher lithographischer Prozesse strukturiert werden. - Der Ausgang des demultiplexierenden AWG auf der Eingangsseite der Struktur besteht aus N Wellenleitern, wobei N die Anzahl der Wellenlängenkanäle ist Diese Wellenleiter (ihren zur Schaltregion. In der Schaltregion ist der Glaskern segmentiert, um Lücken bereitzustellen, in die während des anschließenden Overcladding-Schleuderbeschichtungsprozesses Polymermaterial eingebracht wird. Die Lücken in der segmentierten Wellenleiterregion sind dafür ausgelegt, eine digitale Schalthandlung, eine angemessen niedrige Einfügedämpfung und niedrigen Reflexionsverlust bereitzustellen. Im Fall des Ansatzes mit einem einzigen Polymer muss dieses Polymer gleichzeitig ein geeignetes Topcladding-Material sein, eine niedrige Einfügedämpfung bereitstellen, die Polarisationsabhängigkeit verringern und die Temperaturempfindlichkeit verringern. Diese Randbedingungen entfallen, wenn zwei unterschiedliche Polymere verwendet werden, das heißt, ein erstes Polymer zum Füllen der Lücken des segmentierten Glaskerns verwendet wird und ein zweites Polymer als Topcladding verwendet wird.
- Eine Seitenansicht des Ansatzes mit zwei Polymeren, der nicht in die Ansprüche eingeschlossen ist, ist in
5 gezeigt. Wie in5 gezeigt, hat der integrierte OADM ein erstes Polymer, die Polymerschicht26 , das zwischen der Undercladding-Schicht20 (und der angrenzenden Kern-Glasschicht22 ) und einem zweiten Polymer, der Overcladding-Schicht24 , angeordnet ist. Bei diesem Ansatz ist der Brechungsindex der Polymerschicht26 so angepasst, dass er mit dem Brechungsindex der Kern-Glasschicht22 übereinstimmt, während der Brechungsindex der Overcladding-Schicht24 so angepasst ist, dass er mit dem Brechungsindex der Undercladding-Schicht20 übereinstimmt. Die Polymerschicht26 kann durch Schleuderbeschichtung und anschließendes Ultravioletthärten/thermisches Ausheilen ausgebildet werden. Zusätzlich kann die Polymerschicht26 strukturiert werden, und zwar mit Direkt-Lithographie- oder Reaktivionenätzung-Techniken, um außerdem einen Monomodebetrieb des optischen Schalterabschnitts des OADM mit niedrigen Verlusten zu gewährleisten. - Die Strukturierung der Polymerschicht kann mit standardmäßigen photolithographischen Schritten ablaufen. Nachdem die Kern-Glasschicht strukturiert und die Region für die Polymer-Wellenleiter vom Glas der Kernschicht befreit worden ist, kann die Polymer-Kernschicht auf das Substrat geschleudert werden. Das Polymer hat vorzugsweise eine exzellente Fähigkeit zur Planarisierung, wobei in diesem Fall die Höhe der Polymerschicht und die des Glaskerns nahezu gleich gemacht werden können. Im bevorzugten Fall der Direkt-Lithographie wird das Substrat mit dem ungehärteten Polymerfilm in eine stickstoffgespülte Maskenausrichtungskammer eingebracht. Die erforderliche Photomaske wird mit dem Substrat in Kontakt gebracht und justiert, so dass eine gute Ausrichtung mit den Kernen der Glas-Wellenleiter erzielt wird. Dann wird UV-Strahlung bereitgestellt, die das Polymer in den freiliegenden Regionen der Maske (die sich mit den Positionen der Wellenleiter-Kerne decken) aushärtet. Die Maske wird entfernt und das Substrat wird mit üblichen organischen Lösungsmitteln, wie etwa Ethanol oder Aceton, entwickelt. Die Topcladding-Schicht wird dann durch Schleuderbeschichtung über der Polymer/Glas-Hybridstruktur aufgebracht. In einer bevorzugten Ausführungsform stimmt der Brechungsindex der Kern-Polymerschicht bei der Verwendungstemperatur und -wellenlänge(n) mit dem des Kernglases überein. Im Fall eines Polymers, das nicht direkt photolithographisch definiert werden kann, muss ein anderer Ansatz, wie etwa reaktive Ionenätzung (RIE), verfolgt werden. In diesem Fall wird ein gleichförmiger Polymerfilm geschleudert und getrocknet, zu dem eine aufgedampfte Schicht aus Metall (oft eine Titan/Gold-Kombination) hinzugefügt wird. Ein Fotolack wird auf die Metallschicht aufgebracht und auf eine ähnliche Art und Weise wie die oben beschriebene Direkt-Photolithographieschicht strukturiert. Das Metall wird in den Regionen, die durch RIE entfernt werden sollen, mit einem Metallätzmittel entfernt. Schließlich wird RIE angewendet, um das unerwünschte Material zu entfernen und den Polymer-Wellenleiterkern auszubilden. Fotolack- und Metallreste werden unter Verwendung nasschemischer Ätzmittel entfernt, und der resultierende Polymer-Wellenleiterkern wird dann mit einer Topcladding-Schicht überzogen, wie oben erläutert wurde.
-
6 stellt eine Draufsicht einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nach dem Ansatz mit einem einzigen Polymer dar. Wie in dieser Figur gezeigt, ist die Undercladding-Schicht20 auf dem Substrat10 angeordnet. Die Kern-Glasschicht22 ist auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht20 angeordnet, und die Polymerschicht26 ist auf der Undercladding-Schicht angrenzend an die Kern-Glasschicht angeordnet. Die Polymerschichten26 weisen einen optischen Schalter14 auf, der in6 als digitale optische 1 × 2-Schalter gezeigt ist. Jeder der Schalter14 kann, wie in6 gezeigt, außerdem ein Metall-Heizelement30 aufweisen. Das Nebenbild von6 stellt einen 2 × 2-Schalter15 dar, der aus vier 1 × 2-Schaltern14 zusammengesetzt ist. Die Overcladding-Schicht24 ist auf der Polymerschicht26 und der Kern-Glasschicht22 angeordnet. - Die vorliegende Erfindung stellt einen integrierten Hochleistungs-OADM bereit, der aufgrund der Verwendung von digitalen optischen Schaltern auf Polymerbasis eine kompakte Größe hat. Der erfindungsgemäße OADM hat die folgenden Vorteile: niedriger Stromverbrauch, verringerte Polarisationsabhängigkeit in der AWG-Region, verringerte thermische Empfindlichkeit in der AWG-Region, verringerte Spannung in der gesamten Vorrichtung, verringerte Kosten gegenüber nichtintegrierten OADMs, geringeres Übersprechen, als mit Mach-Zehnder-Ausführungsformen verfügbar ist, die Fähigkeit, ohne weiteres flexiblere und kompliziertere Schaltelemente aufzunehmen, viel niedrigere Dämpfung als in einer reinen Polymer-Ausführungsform und niedrigere Dämpfung, als durch Verknüpfen von herkömmlichen Standardkomponenten erzielt werden kann.
- Die vorliegende Erfindung wird für den Fachmann unter Bezugnahme auf die obige(n) Beschreibung und Figuren am besten verständlich, die beide nicht dazu bestimmt sind, erschöpfend zu sein oder die Erfindung auf die spezifischen offenbarten Ausführungsformen zu beschränken. Die Figuren sind so gewählt, dass sie die Prinzipien der Erfindung und ihre anwendbare und praktische Verwendung beschreiben oder bestens erklären, um dadurch andere Fachleute zu befähigen, die Erfindung bestens zu nutzen.
- Es versteht sich daher, dass verschiedene Änderungen von Details, Materialien und der Anordnung von Teilen, die hierin beschrieben und dargestellt worden sind, um den Charakter der vorliegenden Erfindung zu erklären, durch den Fachmann innerhalb des Prinzips und des Schutzbereichs der Erfindung, wie in den beigefügten Ansprüchen ausgedrückt, vorgenommen werden können.
Claims (7)
- Integrierter optischer Add-Drop-Multiplexer, umfassend: ein Substrat (
10 ); eine Undercladding-Schicht (20 ), die auf dem Substrat (10 ) angeordnet ist; eine Kern-Glasschicht (22 ), die auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht (20 ) angeordnet ist, wobei die Kern-Glasschicht (22 ) segmentiert ist, um Locken aufzuweisen, und ein Arrayed-Waveguide-Grating aufweist; und eine Overcladding-Schicht (24 ), die auf der Kern-Glasschicht (22 ) und auf der Undercladding-Schicht (20 ) in den Lücken angeordnet ist, wobei die Undercladding-Schicht (24 ) ein Polymer umfasst und einen optischen Schalter aufweist. - Multiplexer nach Anspruch 1, wobei die Kern-Glasschicht (
22 ) ein multiplexierendes Arrayed-Waveguide-Grating und ein demultiplexierendes Arrayed-Waveguide-Grating aufweist und wobei der optische Schalter zwischen dem multiplexierenden Arrayed-Waveguide-Grating und dem demultiplexierenden Arrayed-Waveguide-Grating positioniert ist. - Integrierter optischer Add-Drop-Multiplexer, umfassend: ein Substrat (
10 ); eine Undercladding-Schicht (20 ), die auf dem Substrat (10 ) angeordnet ist; eine Kern-Glasschicht (22 ), die auf einem Abschnitt der Undercladding-Schicht (20 ) angeordnet ist, wobei die Kern-Glasschicht (22 ) segmentiert ist, um Lücken aufzuweisen, und ein Arrayed-Waveguide-Grating aufweist; eine Polymerschicht (26 ), die auf der Undercladding-Schicht (20 ) in den Lücken und angrenzend an die Kern-Glasschicht (22 ) angeordnet ist, wobei die Polymerschicht (26 ) einen optischen Schalter aufweist; und eine Overcladding-Schicht (24 ), die auf der Polymerschicht (26 ) und der Kern-Glasschicht (22 ) angeordnet ist. - Multiplexer nach Anspruch 3, wobei die Kern-Glasschicht (
22 ) ein multiplexierendes Arrayed-Waveguide-Grating und ein demultiplexierendes Arrayed-Waveguide-Grating aufweist und wobei der optische Schalter zwischen dem multiplexierenden Arrayed-Waveguide-Grating und dem demultiplexierenden Arrayed-Waveguide-Grating positioniert ist. - Multiplexer nach Anspruch 1 oder 3, wobei das Substrat (
10 ) Silicium oder Siliciumdioxid umfasst. - Multiplexer nach Anspruch 3, wobei die Polymerschicht (
26 ) einen Brechungsindex hat, der mit einem Brechungsindex der Kern-Glasschicht (22 ) identisch ist. - Multiplexer nach Anspruch 3, wobei die Overcladding-Schicht (
24 ) einen Brechungsindex hat, der mit einem Brechungsindex der Undercladding-Schicht (20 ) identisch ist.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15286299P | 1999-09-08 | 1999-09-08 | |
| US152862P | 1999-09-08 | ||
| PCT/US2000/024563 WO2001018573A1 (en) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | Hybrid integrated optical add-drop multiplexer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE60038121D1 DE60038121D1 (de) | 2008-04-03 |
| DE60038121T2 true DE60038121T2 (de) | 2009-03-05 |
Family
ID=22544775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE60038121T Expired - Lifetime DE60038121T2 (de) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | Hybrider integrierter optischer einfüge- und abzweigmultiplexer |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6385362B1 (de) |
| EP (1) | EP1218781B1 (de) |
| JP (1) | JP2003508814A (de) |
| CN (2) | CN1267757C (de) |
| AU (1) | AU7355700A (de) |
| CA (1) | CA2384157A1 (de) |
| DE (1) | DE60038121T2 (de) |
| WO (1) | WO2001018573A1 (de) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4845268B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2011-12-28 | 株式会社日立製作所 | 高性能光分岐挿入器ならび波長多重光ネットワーク |
| US7145704B1 (en) | 2003-11-25 | 2006-12-05 | Cheetah Omni, Llc | Optical logic gate based optical router |
| US6954561B1 (en) * | 2001-07-16 | 2005-10-11 | Applied Materials Inc | Methods for forming thermo-optic switches, routers and attenuators |
| CA2454631A1 (en) * | 2001-07-20 | 2003-01-30 | Essex Corporation | Method and apparatus for optical signal processing using an optical tapped delay line |
| US6658179B2 (en) * | 2001-11-08 | 2003-12-02 | Xerox Corporation | Monolithic reconfigurable optical multiplexer systems and methods |
| US6888661B1 (en) | 2002-06-13 | 2005-05-03 | Cheetah Omni, Llc | Square filter function tunable optical devices |
| US7151875B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-12-19 | General Instrument Corporation | Method and apparatus for balancing the power of optical channels traversing an optical add drop multiplexer |
| JP4713837B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2011-06-29 | 株式会社日立製作所 | 光分岐挿入多重化装置 |
| US7286763B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-10-23 | Lucent Technologies Inc. | Optical add/drop multiplexer having a banded channel configuration |
| US20050281295A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Fishman Daniel A | Optical add/drop multiplexer having an alternated channel configuration |
| US7529442B2 (en) * | 2006-08-31 | 2009-05-05 | Fujitsu Limited | Polarization-independent electro-optical (EO) switching |
| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285151B2 (en) * | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| US20080106527A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-08 | Rpo Pty Limited | Waveguide Configurations for Minimising Substrate Area |
| US7400795B2 (en) * | 2006-11-07 | 2008-07-15 | Schott Corporation | Light conduits having peripheral, shape-defining polymer overmolds |
| US8867874B2 (en) * | 2012-12-06 | 2014-10-21 | Finisar Sweden Ab | Method for modifying the combining or splitting ratio of a multimode interference coupler |
| WO2018075260A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Applied Materials, Inc. | Core configuration for in-situ electromagnetic induction monitoring system |
| WO2020118312A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Scholtz James | An infrared imager and related systems |
| US12143202B2 (en) * | 2019-09-06 | 2024-11-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Optical node and optical transceiver for auto tuning of operational wavelength |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04238305A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリマーコートガラスコア光導波路 |
| DE69421579T2 (de) * | 1993-08-02 | 2000-06-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo | Integrierter optischer Wellenleiter-Schaltkreis und Test-System für verzweigte optische Leitungen, die ihn benutzen |
| CA2130605A1 (en) * | 1993-08-24 | 1995-02-25 | Arjen F. Bakker | Polymeric thermo-optic device |
| EP0642052A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-03-08 | Akzo Nobel N.V. | Optische Wellenleiteranordnung aus Polymermaterial mit thermooptischen Eigenschaften |
| JP3654383B2 (ja) | 1995-12-07 | 2005-06-02 | Kddi株式会社 | 光アド/ドロップ多重素子 |
| FR2746511B1 (fr) * | 1996-03-20 | 1998-04-24 | Bosc Dominique | Coupleur directif actif mixte silice/polymere, en optique integree |
| JPH1068833A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路及びその製造方法並びに光回路 |
| US6084050A (en) | 1997-01-09 | 2000-07-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Thermo-optic devices |
| US6122416A (en) * | 1997-09-26 | 2000-09-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Stacked thermo-optic switch, switch matrix and add-drop multiplexer having the stacked thermo-optic switch |
| JPH11160741A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層型熱光学スイッチ、該スイッチを構成要素とするスイッチマトリックスおよび光アドドロップマルチプレクサ |
| JP3713942B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2005-11-09 | 日立電線株式会社 | 導波路型光スイッチ |
| US6091870A (en) | 1998-02-20 | 2000-07-18 | Corning Incorporated | Wavelength division multiplexer/demultiplexer optical device |
-
2000
- 2000-09-08 CN CN200410059881.0A patent/CN1267757C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 US US09/658,469 patent/US6385362B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 WO PCT/US2000/024563 patent/WO2001018573A1/en not_active Ceased
- 2000-09-08 CA CA002384157A patent/CA2384157A1/en not_active Abandoned
- 2000-09-08 DE DE60038121T patent/DE60038121T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 EP EP00961635A patent/EP1218781B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 CN CNB008125546A patent/CN1176389C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 AU AU73557/00A patent/AU7355700A/en not_active Abandoned
- 2000-09-08 JP JP2001522110A patent/JP2003508814A/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1176389C (zh) | 2004-11-17 |
| CA2384157A1 (en) | 2001-03-15 |
| WO2001018573A1 (en) | 2001-03-15 |
| CN1372647A (zh) | 2002-10-02 |
| EP1218781B1 (de) | 2008-02-20 |
| EP1218781A1 (de) | 2002-07-03 |
| EP1218781A4 (de) | 2006-05-17 |
| CN1267757C (zh) | 2006-08-02 |
| JP2003508814A (ja) | 2003-03-04 |
| AU7355700A (en) | 2001-04-10 |
| CN1553239A (zh) | 2004-12-08 |
| DE60038121D1 (de) | 2008-04-03 |
| US6385362B1 (en) | 2002-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60038121T2 (de) | Hybrider integrierter optischer einfüge- und abzweigmultiplexer | |
| DE69938132T2 (de) | Athermischer Wellenleitergitter-Multiplexer (AWG) mit Polymersegment, sowie entsprechendes Herstellungsverfahren | |
| EP1008013B1 (de) | Thermo-optischer schalter | |
| DE69810225T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Verringerung der temperaturabhängigen Spektralverschiebungen in optischen Elementen | |
| DE69808867T2 (de) | Schaltbares optisches Filter | |
| US5812709A (en) | Optical device having switching function | |
| DE69839387T2 (de) | Optischer wellenleiterschaltkreis und ein diesen enthaltendes optisches wellenleitermodul | |
| DE69917007T2 (de) | Wellenlänge multiplexer/demultilexer optische vorrichtung | |
| DE69926844T2 (de) | Planare Lichtwellenschaltung | |
| DE69617946T2 (de) | Kaskadenartige thermooptische vorrichtung | |
| DE69924707T2 (de) | Abstimmbarer optischer einfüge-/ausblendmultiplexer | |
| DE69802911T2 (de) | Vorrichtung zum demultiplexen von in einem optischen spektrum enthaltenen spektrallinien | |
| DE60100936T2 (de) | Mehrschichtige integrierte vorrichtung und ein verfahren zur herstellung davon | |
| US6377722B1 (en) | Polymeric phased array | |
| US6456765B1 (en) | Apparatus for separating and/or combining optical signals, and methods of making and operating it | |
| US6389199B1 (en) | Tunable optical add/drop multiplexer | |
| DE19809887A1 (de) | Optisches Signalübertragungssystem | |
| DE60114387T2 (de) | Einrichtung und verfahren zum optischen add/drop-multiplexen | |
| EP1329749A1 (de) | Integrierter optischer Richtkoppler mit sich verjüngenden Wellenleitern | |
| DE60118474T2 (de) | Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| EP0975998B1 (de) | Phasenarray aus polymer | |
| WO1998039676A1 (en) | Polymeric phased array | |
| DE19638680A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht-Dünnfilms aus Polymer für eine elektro-optische Vorrichtung sowie Mehrschicht-Dünnfilm | |
| WO2002071109A2 (de) | Einstellbarer optischer pegelangleicher |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition |