DE4005489C2 - Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-Wandler - Google Patents
Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-WandlerInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf eine
Großbereichsintegrationsschaltung, im folgenden als LSI-
(Large Scale Integrated) Schaltung bezeichnet, und ist ins
besondere auf eine LSI-Schaltung mit der Funktion zum Umset
zen von pulscodemodulierten Signalen (PCM-Signalen) in ana
loge Signale gerichtet.
Beim Stand der Technik wird, wenn ein digitales Audiosignal,
das auf einem Aufzeichnungsmedium, wie beispielsweise einer
Kompaktdiskette CD oder dergl., aufgezeichnet ist, in ein
analoges Audiosignal umgesetzt wird, ein Digital/Analog-
Wandler (im folgenden kurz als D/A-Wandler bezeichnet) be
nutzt. Bei einem D/A-Wandler nach dem Stand der Technik wird
ein digitales Audiosignal einer vorbestimmten Bitanzahl in
ein Treppenspannungssignal durch Code/Spannungs-Umsetzmittel
umgesetzt, und das auf diese Weise gewonnene Treppenspan
nungssignal wird einem Tiefpaßfilter zugeführt, um dadurch
ein analoges Audiosignal zu erzeugen.
In dem Treppenspannungssignal, das auf diese Weise durch das
Code/Spannungs-Umsetzmittel gewonnen ist, tritt ein Rau
schen, das sich aus dem Auftreten von Spannungsspitzen
(glitch) ergibt, als eine Störungsfunktion der Impulsform
von relativ kleiner Dauer zwischen den betreffenden Treppen
stufen auf. Andererseits tritt ein Rauschen aufgrund eines
Umsetzungs-Genauigkeitsgrades des Umsetzmittels auf, wodurch
die Klangqualität des sich ergebenden analogen Audiosignals,
das auf diese Weise gewonnen ist, unvermeidbar verschlech
tert wird.
Insbesondere treten in einer Wichtungsschaltung, die in dem
D/A-Wandler nach dem Stand der Technik benutzt wird, folgen
de Probleme auf:
- 1. Es wird eine Ausgangsspannung durch ein Spannungstei lungsverhältnis einer Widerstands/Kapazitäts-Anordnung oder eine Addition von Strömen bestimmt, so daß eine Schwankung des Verhältnisses zwischen dem Widerstand und der Kapazität direkt zu einer Schwankung der Ausgangsspannung führt. Im allgemeinen liegt die Schwankung des Verhältnisses zwischen dem Widerstand und der Kapazität der LSI in dem Fertigungs prozeß im Bereich von ungefähr 1 bis 0.1%, so daß die Um setz-Genauigkeit des D/A-Wandlers maximal innerhalb eines Bereichs von 10 bis 14 Bits liegt. Aus diesem Grund wird im allgemeinen ein Abstimmprozeß für die Elemente ausgeführt. Um eine D/A-Umsetzung auszuführen, die eine Genauigkeit von 16 Bits aufweist, wird eine Abstimmtechnik relativ großer Genauigkeit benötigt, und diese Abstimmtechnik kann nicht ohne große Schwierigkeiten realisiert werden.
- 2. Wenn das zuvor genannte Treppenspannungssignal gebildet wird, treten Spannungsspitzen wegen der Öffnungs- und Schließungs-Zeitsteuervorgänge der erforderlichen Halte schaltungen auf, und es werden die Schaltkreiseigenschaften verstellt. Das Auftreten von Spannungsspitzen (glitch) wird im allgemeinen durch eine sog. Deglitcher-Schaltung besei tigt. Andererseits wird die Tonqualität durch ein Schalt rauschen der Deglitcher-Schaltung, eine lastbedingte Signal verformung, eine Verzerrung, ein Überschwingen oder dergl. verschlechtert.
Um die Mängel zu beseitigen, die einem derartigen D/A-Wand
ler nach dem Stand der Technik anhaften, ist bereits ein
kombiniertes System, bestehend aus einem Rauschformungsver
fahren und einem 1Bit-D/A-Umsetzverfahren, entwickelt wor
den.
Für ein derart kombiniertes System sind verschiedene Lösun
gen vorgeschlagen worden, beispielsweise ein Δ/Σ-Wandlersy
stem, das von Philips-Corp. entwickelt wurde, ein Mehrfach
stufen-Rauschformungs- (MASH-) System, das von Nippon Tele
gram and Telephone Corp. entwickelt wurde, u. a. m..
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild, das die Gesamtanordnung
eines derartigen kombinierten Systems darstellt.
Gemäß Fig. 1 wird ein digitales Audiosignal mit 16 Bits, das
eine Abtastrate fs hat, an einen Eingangsanschluß 1 gelegt.
Dieses digitale Audiosignal wird einem digitalen Interpola
tionsfilter 2 zugeführt, in welchem es in ein rauschgeform
tes digitales Signal von 1 bis 4 Bits umgesetzt wird, das
eine Abtastrate von 32 bis 256 fs hat. Das sich ergebende
digitale Signal wird durch einen A/D-Wandler 3 in ein ana
loges Signal umgesetzt, welches eine Genauigkeit von 1 bis 4
Bits aufweist. Das sich ergebende analoge Signal wird ferner
durch eine Ausgangssignal-Pufferstufe 4 und ein Tiefpaßfil
ter 5 verarbeitet und als ein anloges Audiosignal an einen
Ausgangsanschluß 6 geliefert.
Bei der zuvor erwähnten D/A-Wandlung mittels des Rauschfor
mungs-Systems wird eine Formungsoperation zum Verteilen
einer Rauschkomponente in dem hochfrequenten Bereich ausge
führt, um ein analoges Ausgangssignal zu erzeugen, dessen
Signal/Rausch-Verhältnis (S/N-Verhältnis) verbessert ist.
Außerdem wird grundsätzlich die D/A-Wandlung eines Bit der
art ausgeführt, daß die zuvor genannten Mängel, wie die
Verschlechterung des Genauigkeitsgrades und das Auftreten
von Spannungsspitzen (glitch), vermieden sind.
Ferner ist eine Digital/Analog-Wandlung in Impulsbreitenmo
dulations- (PWM-) Systemen vorgeschlagen worden, bei denen
ein digitales Signal von 1 bis 4 Bits (binäres Signal) pe
gelmäßig verarbeitet wird, und es wird ein Mehrpegelsignal
als analoges Ausgangssignal gewonnen.
Eine Gesamtanordnung der Rauschformungs-System-D/A-Wandlung
wird im folgenden anhand von Fig. 2 bis Fig. 3A . . . 3D be
schrieben.
Wie in Fig. 2 gezeigt, wird ein rauschgeformtes digitales
Signal, beispielsweise mit 3 Bits, an einen Eingangsanschluß
7 gelegt. Dieses digitale Signal wird einem Nur-Lesespeicher
ROM 8 zugeführt, von dem ein Impuls b abgegeben wird, der
impulsbreitenmoduliert ist. Die Impulsform des Impulses b
ist Fig. 3B dargestellt. Das Ausgangssignal des ROM 8 wird
einem D-Flipflop 9 zugeführt, in dem es mit einem quarzsta
bilen Takt, der einem Eingangsanschluß 10 zugeführt wird,
abgetastet wird, um dadurch eine Zitterkomponente (jitter)
zu absorbieren.
Ein Ausgangssignal des D-Flipflop 9 wird durch einen Kom
plementär-Metalloxid-Halbleiter- (CMOS-) Inverter 11 einem
Tiefpaßfilter 12 zugeführt, und es wird von diesem ein ana
loges Ausgangssignal an einen Ausgangsanschluß 13 geliefert.
Ein Funktionsablauf der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 2
wird im folgenden beschrieben, wobei der Fall angenommen
ist, daß das digitale Signal, das dem Eingangsanschluß 7
zugeführt wird, seinen Pegel bei "1", "2", "3" ändert, ver
gl. Fig. 3A.
Das digitale Signal, das an den Eingangsanschluß 7 gelegt
ist, wird dem ROM 8 zugeführt, der einen Impuls b abgibt,
dessen Impulsbreite im Verhältnis zu dem Digitalwert steht,
wie dies in Fig. 3B gezeigt ist. Der Impuls b wird durch das
D-Flipflop 9 abgetastet, und der CMOS-Inverter 11 gibt einen
Impuls c aus, der eine vorbestimmte Phasenlage relativ zu
dem Impuls b hat. Die Impulsform des Impulses c ist in Fig.
3C dargestellt. Der Impuls c wird durch das Tiefpaßfilter 12
geglättet und über den Ausgangsanschluß 13 als ein Aus
gangssignal d ausgegeben, wobei der Spannungspegel dieses
Ausgangssignals graduell steigt, wie dies schematisch durch
das Diagramm in Fig. 3D gezeigt ist.
Das Ausgangssignal c des CMOS-Inverters 11 ist ein binäres
Spannungssignal mit den Potentialen GND und +VDD, so daß
obgleich der zuvor erläuterte D/A-Wandler ein Vielfachwert-
Analogausgangssignal erzeugt, dieser D/A-Wandler grundsätz
lich als ein 1Bit-D/A-Wandler zu betrachten ist. Dement
sprechend wird die Wichtungsschaltung gemäß dem Stand der
Technik, wie sie zuvor beschrieben ist, nicht grundsätzlich
benötigt, und es ist möglich, eine D/A-Wandlung zu reali
sieren, die frei von den Problemen bezüglich der Genauigkeit
und des Auftretens von Spannungsspitzen ist.
In dem D/A-Wandler des Impulsbreitenmodulations-Systems zum
Erzeugen der PWM-Impulsform muß eine Ausgangssignal-Puffer
stufe als eine Ausgangsschaltung für die Endstufe vorgesehen
sein. Diese Ausgangssignal-Pufferstufe ist aus zwei Feldef
fekt-Transistoren (FETs) 21 u. 22 zusammengesetzt, wie dies
beispielhaft in Fig. 4 gezeigt ist. Ein Anschlußpunkt 23,
dem die PWM-Impulsform aus der Wandlerschaltung zugeführt
wird, ist mit den Gate-Elektroden der zwei Feldeffekt-Tran
sistoren 21 u. 22 verbunden. Die Source-Elektrode des p-
Kanal-Feldeffekt-Transistors 21 ist mit einem Spannungsver
sorgungsanschluß VDD verbunden, während die Source-Elektrode
des anderen oder n-Kanal-Feldeffekt-Transistors 22 mit einer
anderen Spannungsversorgungsklemme VSS verbunden ist. Die
Drain-Elektroden der beiden Feldeffekt-Transistoren 21 u. 22
sind mit einem gemeinsamen Ausgangsanschluß 24 verbunden.
Yon der derart ausgebildeten Ausgangssignal-Pufferstufe wird
über den Ausgangsanschluß 24 ein pulsbreitenmoduliertes
Signal abgegeben.
In dieser derart ausgebildeten Ausgangssignal-Pufferstufe
müssen die Einschaltzustands-Widerstandswerte der p-Kanal
u. n-Kanal-Transistoren 21 u. 22 einander gleich gemacht
werden, Andernfalls verschlechtert sich das Signal/Rausch-
Verhältnis (S/N-Verhältnis) des Ausgangssignals. Wenn die
Einschaltzustands-Widerstandswerte der p- u. n-Kanal-Tran
sistoren 21 u. 22 einander gleich sind, liegt das S/N-Ver
hältnis des Audiosignals, das von dem D/A-Wandler abgegeben
wird, höher als 120 dB, und es kann daher ein ausgezeichne
tes Audiosignal, das ein sehr hohes S/N-Verhältnis hat,
gewonnen werden. Falls die Einschaltzustands-Widerstands
werte der p- u. n-Kanal-Transistoren 21, 22 nicht einander
gleich sind, wird das S/N-Verhältnis des Audiosignals auf
ungefährt 100 dB bis 80 dB herabgesetzt. Um diesen Mangel zu
vermeiden, ist vorgeschlagen worden, die Einschaltzustands-
Widerstandswerte durch Einfügen eines Widerstands zwischen
beispielsweise der Source-Elektrode des p-Kanal-Transistors
21 und der Spannungsversorgungsklemme VDD zu justieren.
Indessen ist dieser Vorschlag zum Vermeiden des zuvor be
schriebenen Mangels nicht sehr wirksam, da die Einschaltzu
stands-Widerstandswerte durch die Umgebungstemperatur stark
schwanken können. Beispielsweise wird, wie dies in Fig. 5
gezeigt ist, falls sich die Umgebungstemperatur um 50° von
25° bis 75° änder, der Einschaltzustands-Widerstandswert von
10 Ω auf 11 Ω geändert, wodurch der Einschaltzustands-Wider
standswert um ungefähr 10% schwankt. Daher kann die Schwan
kung des Einschaltzustands-Widerstandswerts, der durch die
Temperaturänderung schwankt, nicht durch Justieren des Ein
schaltzustands-Widerstandswerts mittels des eingefügten
Widerstands beseitigt werden.
In der Schaltungsanordnung, die in Fig. 2 gezeigt ist, wird
das Ausgangssignal des ROM 8 zu einem PWM-Impuls, wie er
zuvor beschrieben wurde, und dieses Ausgangssignal kann als
ein bereits in eine analoge Form umgesetztes Signal be
trachtet werden, so daß das D-Flipflop 9, der Inverter 11
und dergl., die dem Ausgang des ROM 8 nachgeordnet sind, als
ein Analogsignalverarbeitungsteil betrachtet werden kann.
Indessen bildet der Nur-Lesespeicher ROM 8, das digitale
Interpolationsfilter 2 (vergl. Fig. 1) usw. einen Digital-
Signalverarbeitungsteil, der ein digitales Signal verarbei
tet, und diese Elemente sind als ein Ein-Chip-LSI-Schalt
kreis ausgebildet.
Wenn eine Vielzahl von Signalverarbeitungsteilen auf ein und
demselben Chip, wie zuvor ausgeführt, ausgebildet sind, ist
häufig zu beobachten, daß der eine Signalverarbeitungsteil
einen schlechten Einfluß auf den anderen Signalverarbei
tungsteil ausübt. Konkret ausgedrückt heißt dies, daß wenn
z. B. der Digital-Signalverarbeitungsteil und der Analog-Si
gnalverarbeitungsteil auf ein und demselben Chip ausgebildet
sind, ein Signal in Form eines Impulses, der durch den Digi
tal-Signalverarbeitungsteil zu verarbeiten ist, einen
schlechten Einfluß auf ein Signal innerhalb des Analog-Si
gnalverarbeitungsteils ausübt, wodurch einem Ausgangssignal
des Analog-Signalverarbeitungsteils eine Rauschkomponente
überlagert wird.
Es ist daher wünschenswert, einen Digital/Analog-Wandler
(D/A-Wandler) zur Verfügung zu haben, mit dem die zuvor ge
nannten Nachteile des Standes der Technik vermieden werden
können.
Aus der GB-A-2176070 ist ein Digital/Analog-Wandler bekannt. Zur
Umsetzung digitaler Signalwerte in ein analoges Signal mit geringem
Schaltungsaufwand weist der D/A-Wandler eine vorausgeschaltete
Codierschaltung auf, die die digitalen Signalwerte in Impulspakete jeweils
bestehend aus einer Anzahl von Impulsen umsetzt, die ohne Unterbrechung
aufeinanderfolgen.
Aus der EP-B-164677 ist ein Sprachsynthesesystem bekannt.
Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde,
einen D/A-Wandler zu schaffen, der ein impulsbreitenmoduliertes
Ausgangssignal mit einem verbesserten Signal/Rausch- (S/N-) Verhältnis
durch Einstellen der Einschaltzustands-Widerstandswerte einer
Ausgangssignal-Pufferstufe abgibt, wobei ein Einfluß eines Signals in einem
Digital-Signalverarbeitungsteil auf ein Signal in einem Analog-
Signalverarbeitungsteil wirksam vermieden werden soll.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Die
abhängigen Ansprüche bilden den Gedanken der Erfindung vorteilhaft weiter.
Eine Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-Wandler zum Umsetzen
eines digitalen Signals in ein analoges Signal ist vorgesehen mit einem
digitalen Interpolationsfilter, dem ein digitales Eingangssignal zugeführt
wird, welchem eine Abtastfrequenz fs zugrundeliegt, und zum
Erzeugen eines modifizierten digitalen Signals, dem eine Ab
tastfrequenz Nfs (N < 1) zugrundeliegt und das eine geringere
Bitanzahl als diejenige des digitalen Eingangsignals hat,
und einem Impulsbreitenmodulator, dem das modifizierte digi
tale Signal zugeführt wird, zum Erzeugen eines Impulssi
gnals, das eine Impulsbreite hat, die dem modifizierten di
gitalen Signal entspricht, die erfindungs
gemäß gekennzeichnet ist durch eine Ausgangssignal-Puffer
stufe, der das Ausgangssignal des Impulsbreitenmodulators
zugeführt wird und die eine Komplementär-Metalloxid-Halb
leiter- (CMOS-) Inverterschaltung aufweist, die aus p-Kanal-
und n-Kanal-Transistoren gebildet ist, und eine Tiefpaßfil
teranordnung, die mit den Ausgangsignalen der Ausgangssi
gnal-Pufferstufe versorgt wird, wobei das digitale Interpo
lationsfilter, der Impulsbreitenmodulator und die Ausgangs
signal-Pufferstufe in einer integrierten Schaltung ausge
bildet sind und einer der p-Kanal- oder n-Kanal-Transistoren
ein Mittel zum Regeln der Spannung, die an das Substrat der
integrierten Schaltung gelegt ist, zum Justieren des Wider
standswerts in dem leitenden Zustand dieses Transistors auf
weist.
Die zuvor genannte und weitere Aufgaben, Merkmale und Vor
teile der vorliegenden Erfindung werden aus der im folgenden
anhand mehrerer Figuren gegebenen Beschreibung ersichtlich,
wobei die Figuren bevorzugte Ausführungsbeispiele der Er
findung betreffen.
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild, das schematisch die Ge
samtanordnung einer Rauschformungs-1Bit-Digital/Ana
log-Wandlerschaltung darstellt, auf welche die vor
liegende Erfindung vorteilhaft anwendbar ist.
Fig. 2 zeigt ein Blockschaltbild, das schematisch eine An
ordnung eines Digital/Analog-Wandlers des Impuls
breitenmodulationstyps darstellt, der ein Mehrpegel-
Analogausgangssignal erzeugt.
Fig. 3A bis Fig. 3D zeigen Impulsdiagramme, auf die zur Be
schreibung der Arbeitsweise des Digital/Analog-Wand
lers gemäß Fig. 2 Bezug genommen wird.
Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Komplemen
tär-Metalloxid-Halbleiter- (CMOS-) Inverters, der
eine Ausgangssignal-Pufferstufe bildet.
Fig. 5 zeigt ein schematische Diagramm, auf das zur Erläu
terung der Temperatur-Charakteristik eines Wider
stands, der innerhalb einer integrierten Schaltung
(IC) vorgesehen ist, Bezug genommen wird.
Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung eines Digital/
Analog-Wandlers gemäß einem ersten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung.
1 Fig. 7 zeigt ein Blockschaltbild, das eine Anordnung eines
Ausgangsteils darstellt, auf den der Inverter gemäß
der vorliegenden Erfindung anwendbar ist.
Fig. 8A bis Fig. 8C zeigen Impulsdiagramme, auf die zur Be
schreibung der Arbeitsweise des Ausgangsteils gemäß
Fig. 7 Bezug genommen wird.
Fig. 9 zeigt eine schematische Draufsicht, die einen Digi
tal/Analog-Wandler gemäß einem zweiten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
Fig. 10 zeigt eine Darstellung eines Teils der Anordnung ge
mäß Fig. 9.
Fig. 11 zeigt eine Darstellung, die den Aufbau des Ausfüh
rungsbeispiels, wie es in Fig. 9 u. Fig. 10 gezeigt
ist, angibt.
Im folgenden wird anhand von Fig. 6 bis Fig. 8A . . . 8C ein
Ausführungsbeispiel einer Ausgangsschaltung für ein impuls
breitenmoduliertes Signal in einem Digital/Analog-Wandler
gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
In diesem Ausführungsbeispiel ist die vorliegende Erfindung
auf einen Digital/Analog-Wandler des Pulsbreitenmodulations
systems in einer Großbereichintegrations- (LSI-) Schaltung
angewendet. Eine Ausgangssignal-Pufferschaltung, die in der
Endstufe dieses D/A-Wandlers vorgesehen ist, weist einen
Aufbau auf, wie er in Fig. 6 gezeigt ist.
In Fig. 6 bezeichnet das Bezugszeichen 30 ein p-Substrat.
Auf dem p-Substrat 30 ist eine vorbestimmte Schaltungsan
ordnung ausgebildet. An das p-Substrat 30 wird über einen
Referenzspannungsversorgungsanschluß 41, der auf einer Lei
terplattenseite vorgesehen ist, eine Referenzspannung ge
legt. Im vorliegenden Fall ist ein Signal, das dem Refe
renzspannungsversorgungsanschluß 41 zugeführt wird, ein
Spannungssignal, das von einer variablen Spannungsquelle
(nicht gezeigt) erzeugt ist, dessen Spannung in einem Be
reich von beispielsweise +0.5 V bis -3.0 V eingestellt werden
kann, wobei ein Bezugserdpotential 0 V beträgt.
An der Oberfläche des p-Substrats 30 sind ein n-Dotierungs
bereich 31 und n-Dotierungsbereiche 32 u. 33 für die Aus
gangssignal-Pufferstufe ausgebildet, und innerhalb des n-
Dotierungsbereichs sind p-Dotierungsbereiche 34 u. 35 aus
gebildet. In dem Abschnitt zwischen den p-Dotierungsberei
chen 34 u. 35 ist über einem Oxidfilm oder dergl. eine
Elektrode 36 ausgebildet, während in dem Abschnitt zwischen
den n-Dotierungsbereichen 32 u. 33 über einem Oxidfilm oder
dergl. eine Elektrode 37 ausgebildet ist. Von den Elektroden
36 u. 37 sind Verbindungen zu einem gemeinsamen Anschlußpunkt
42 herausgeführt.
In der auf diese Weise hergestellten Anordnung bilden die
p-Dotierungsbereiche 34, 35 innerhalb des n-Dotierungsbe
reichs 31 und die Gate-Elektrode 36 einen p-Kanal-Transis
tor, während die n-Dotierungsbereiche 32, 33 und die Gate-
Elektrode 37 einen n-Kanal-Transistor bilden. Auf diese
Weise stellen der p-Kanal-Transistor und der n-Kanal-Tran
sistor eine Ausgangssignal-Pufferstufe ähnlich derjenigen
gemäß Fig. 4 dar. Im vorliegenden Fall wird der n-Kanal-
Transistor mit einem Substratpotential, das durch das Po
tential an dem Referenzspannungsversorgungsanschluß 41 be
stimmt ist, als einer Gate-Vorspannung versorgt. Mit dem p-
Dotierungsbereich 34 und dem n-Dotierungsbereich 31 ist ein
Spannungsquellen-Anschluß VDD verbunden, während ein anderer
Spannungsquellen-Anschluß VSS mit dem n-Dotierungsbereich 32
verbunden ist. Ferner sind der p-Dotierungsbereich 35 und
der n-Dotierungsbereich 33 miteinander verbunden.
Die Schaltungskonfiguration in dieser Ausgangssignal-Puf
ferstufe mit weiteren Schaltungselementen wird im folgenden
anhand von Fig. 7 beschrieben.
Wie Fig. 7 zeigt, ist ein Anschlußpunkt 51 vorgesehen, an
den ein impulsbreitenmodulierter (PWM) Impuls von dem D/A-
Wandlerteil gelegt wird. Der Anschlußpunkt 51 ist mit einem
ersten Ausgangssignal-Pufferteil 52 verbunden, der wie in
Fig. 6 gezeigt aufgebaut ist. Der Anschlußpunkt 51 ist fer
ner über einen Inverter 53 mit einem zweiten Ausgangssi
gnal-Pufferteil 54 verbunden, der wie in Fig. 6 gezeigt
aufgebaut ist. Auf diese Weise geben der erste bzw. der
zweite Ausgangssignal-Pufferteil PWM-Impulse ab. Die Aus
gangssignale des ersten und des zweiten Ausgangssignal-
Pufferteils 52 u. 54 werden jeweils durch Filterschaltungen
55 u. 56 an einen plusseitigen bzw. einen minusseitigen
Eingangsanschluß eines Subtrahiergliedes 57 gelegt, und ein
Signal, das durch das Subtrahierglied durch Subtrahieren
gewonnen ist, wird einem Ausgangsanschluß 58 zugeführt.
Im folgenden wird ein Ausgabeablauf dieser Ausgangsschaltung
anhand von Fig. 8A bis Fig. 8C erläutert.
Der Inverter 53 ist mit dem ersten und dem zweiten Aus
gangssignal-Pufferteil 52 u. 54 verbunden, so daß wenn ein
PWM-Impuls von dem ersten Ausgangssignal-Pufferteil 52 ge
wonnen wird (vergl. Fig. 8A), dieser invertiert wird, wie
dies in Fig. 8B gezeigt ist. Dann werden diese PWM-Aus
gangsimpulse aus dem ersten und dem zweiten Ausgangssignal-
Pufferteil 52 u. 54 durch das Subtrahierglied 57 subtra
hiert, wodurch ein PWM-Impuls, in dem beide Spitzenwerte der
beiden PWM-Impuse addiert sind, dem Ausgangsanschluß 58
zugeführt wird, vergl. Fig. 8C.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist es, da wie zuvor be
schrieben das Substratpotential dem n-Kanal-Transistor in
jedem der ersten und zweiten Ausgangssignal-Pufferteile 52
u. 54 als die Gate-Vorspannung zugeführt wird, möglich, die
Einschaltzustands-Widerstandswerte der beiden Transistoren
in den Ausgangssignal-Pufferteilen 52 u. 54 einander gleich
zu machen. Dies bedeutet im einzelnen, daß wenn das Sub
stratpotential durch Variieren des Werts der an den Refe
renzspannungsversorgungsanschluß 41 gelegten Spannung in dem
zuvor erwähnten Bereich gebildet wird, ein Schwellwert Vth
des n-Kanal-Transistors geändert wird, um den Einschaltzu
stands-Widerstandswert zu variieren, um es auf diese Weise
möglich zu machen, den Einschaltzustands-Widerstandswert des
n-Kanal-Transistors einzustellen. Durch Einstellen des Ein
schaltzustands-Widerstandswerts des n-Kanal-Transistors ist
es möglich, die Einschaltzustands-Widerstandswerte der bei
den Transistoren, die den Ausgangssignal-Pufferspeicher
bilden, einander gleich zu machen.
Wenn die Einschaltzustands-Widerstandswerte der beiden
Transistoren gleich sind, sind auch die Temperatur-Charakte
ristika des n-Kanal-Transistors und des p-Kanal-Transistors,
welche die betreffenden Ausgangssignal-Pufferteile bilden,
einander gleich, so daß unabhängig von den Schwankungen der
Umgebungstemperatur ein einwandfreier PWM-Impuls, der keine
Rauschkomponente enthält, erzeugt werden kann, wodurch das
S/N-Verhältnis des Ausgangssignals verbessert ist. Daher ist
es, wenn der Ausgangssignal-PWM-Impuls dem Tiefpaßfilter
zugeführt wird und dadurch als ein analoges Audiosignal
verarbeitet wird, möglich, ein einwandfreies Audiosignal zu
gewinnen, dessen S/N-Verhältnis sehr hoch, beispielsweise
höher als 120 dB, liegt.
Wie zuvor beschrieben, können gemäß diesem Ausführungsbei
spiel die Einschaltzustands-Widerstandswerte der beiden
Transistoren, die die Ausgangssignal-Pufferstufe bilden, auf
einfache Weise einander gleich gemacht werden, und zwar
unabhängig von Schwankungen der Umgebungstemperatur, wodurch
ein ausgezeichneter PWM-Impuls erzeugt wird, der eine kleine
Rauschkomponente aufweist.
Anhand von Fig. 9 bis Fig. 11 wird im folgenden die Erdung
in der LSI-Schaltung erläutert, die den D/A-Wandler gemäß
der vorliegenden Erfindung darstellt.
In der Anordnung, die in Fig. 9 gezeigt ist, ist eine LSI-
Schaltung vorgesehen, die mit dem Bezugszeichen 70 bezeich
net ist. Die LSI-Schaltung 70 ist auf einer Leiterplatte 61
montier, die geerdet ist. In der Einchip-LSI-Schaltung 70
sind ein Digital-Signalverarbeitungsteil 71, der ein digita
les Signal in ein analoges Signal umsetzt, und ein Analog-
Signalverarbeitungsteil 72 linksseitig bzw. rechtsseitig in
einer sog. Einchip-Bauweise vorgesehen. Der Digital-Signal
verarbeitungsteil 71 kann aus dem digitalen Interpolations
filter 2, dem D/A-Wandler 3, der in Fig. 1 gezeigt ist, oder
dergl. gebildet sein, während der Analog-Signalverarbei
tungsteil 72 eine Ausgangssignal-Pufferschaltung (Ausgangs
signal-Pufferstufe 4 gemäß Fig. 1) sein kann, die das ana
loge Signal erhält, das durch den Digital-Signalverarbei
tungsteil 71 in die analoge Form umgesetzt ist. Eine tren
nende Erdungselektrode 73 ist auf der oberen Oberfläche des
Grenzbereichs zwischen den zwei Signalverarbeitungsteilen 71
u. 72 vorgesehen. Die Erdungselektrode 73 ist durchgehend
von dem einen Ende zu dem anderen Ende der oberen Oberfläche
des Grenzbereichs ausgebildet, und eine Breite derselben,
die mit "W" bezeichnet ist, ist beispielsweise zu 50 Mikro
meter bestimmt. Die trennende Erdungselektrode 73 ist mit
einem Erdungselektrodenabschnitt 62a, der auf der Leiter
platte 61 vorgesehen ist, über einen Leitungsdraht 63 ver
bunden. Erdungselektroden 74 u. 75 sind unabhängig vonein
ander auf den oberen Oberflächen des Digital-Signalverar
beitungsteils 71 und des Analog-Signalverarbeitungsteils 72
ausgebildet und jeweils mit Erdungselektrodenabschnitten 62b
u. 62c, die auf der Leiterplatte 61 ausgebildet sind, über
Leitungsdrähte 63 verbunden. Im vorliegenden Fall sind,
während der Erdungselektrodenabschnitt 62a, der mit der
trennenden Erdungselektrode 73 verbunden ist, mit dem Er
dungsabschnitt der Leiterplatte 61 verbunden sein kann, die
Erdungselektrodenabschnitten 62b u. 62c jeweils mit den
Erdungselektroden 74 u. 75 der zwei Signalverarbeitungsteile
71 u. 72 verbunden. Der Erdungselektrodenabschnitt 62a muß
unabhängig ausgebildet sein.
Die innere Struktur der LSI-Schaltung 70 wird im folgenden
anhand von Fig. 10 beschrieben.
Wie in Fig. 10 gezeigt, sind n+-Dotierungsbereiche und n+-
Dotierungsbereiche, die vorbestimmte Schaltungselemente
bilden, an der Oberfläche eins p--Halbleitersubstrats 70a
ausgebildet und in linke und rechte Abschnitte unterteilt,
um die Schaltungssanordnung, bestehend aus dem Digital-
Signalverarbeitungsteil 71 und dem Analog-Signalverarbei
tungsteil 72, zu schaffen. In dem Grenzabschnitt zwischen
den zwei Signalverarbeitungsteilen 71 u. 72, d. h. dem zen
tralen Abschnitt der Oberfläche der LSI-Schaltung 70, ist
die trennende p+-Elektrode 73 vorgesehen, die durch dieselbe
Dotierung wie diejenige, die das Halbleitersubstrat 70a
auf weist, erzeugt ist. Die Erdungselektrode 74 des Digital-
Signalverarbeitungsteils 71 und die Erdungselektrode 75 des
Analog-Signalverarbeitungsteils 72 sind jeweils als p+-
Dotierungsbereiche vorgesehen. Ein Spannungsquellenanschluß
DVDD des Digital-Signalverarbeitungsteils 71 ist aus dem
vorbestimmten n--Dotierungsbereich herausgeführt, während
ein anderer Spannungsquellenanschluß DVSS aus dem vorbe
stimmten n+-Dotierungsbereich herausgeführt ist. Ferner ist
ein Spannungsquellenanschluß AYDD des Analog-Signalverar
beitungsteils 72 aus dem vorbestimmten n--Dotierungsbereich
herausgeführt, während ein anderer Spannungsquellenanschluß
AVSS aus dem vorbestimmten n+-Dotierungsbereich herausge
führt ist.
Dementsprechend sind, wie in Fig. 11 gezeigt, unter der
Bedingung, daß die Schaltung innerhalb des Digital-Signal
verarbeitungsteils 71 und die Schaltung innerhalb des Ana
log-Signalverarbeitungsteils 72 voneinander durch das Erdpo
tential in dem Grenzabschnitt isoliert sind, der Spannungs
quellenanschluß DVDD oder AYDD und der Spannungsquellenan
schluß DVSS oder AVSS nicht miteinander verbunden, und die
zwei Signalverarbeitungsteile 71 u. 72 sind außerdem jeweils
geerdet. Ferner sind die Schaltungsströme innerhalb der
Signalverarbeitungsteile 71 u. 72 daran gehindert, zu den
Erdungselektroden 74 u. 75 der zwei Signalverarbeitungsteile
71 u. 72 zu fließen.
Demzufolge werden die Stromversorgungsquellensignale ge
trennt an die zwei Signalverarbeitungsteile 71 u. 72 ge
führt, und eine Rauschkomponente, die von dem Digital-Si
gnalverarbeitungsteil 11 in Form eines Impulses erzeugt
wird, wird daran gehindert, auf die Seite des Analog-Si
gnalverarbeitungsteils 72 zu gelangen, wodurch verhindert
werden kann, daß eine Zitterkomponente (jitter) aufgrund der
Impulsformungsrauschkomponente in dem Signal erzeugt wird,
das von dem Analog-Signalverarbeitungsteil 72 gewonnen wird.
Dementsprechend wird das analoge Audiosignal, das sich aus
dem Umsetzen des digitalen Audiosignals durch die LSI-
Schaltung 70 in diesem Ausführungsbeispiel ergibt, zu einem
ausgezeichneten Audiosignal, das keine Rauschkomponente
aufweist und dessen S/N-Verhältnis beträchtlich verbessert
werden kann.
Obgleich die Breite W der trennenden Erdungselektrode 73 zu
50 Mikrometer in dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel
vorbestimmt ist, ist - falls dies möglich ist - vorzuziehen,
die Breite W größer als 50 Mikrometer zu machen.
Wie zuvor ausgeführt, sind der Digital-Signalverarbeitungs
teil und der Analog-Signalverarbeitungsteil, die innerhalb
ein und desselben Chip vorgesehen sind, daran gehindert,
sich gegenseitig zu beeinflussen, wodurch die Signalverar
beitung zufriedenstellend durch den Analog-Signalverarbei
tungsteil ausgeführt werden kann, ohne daß sie durch eine
Rauschkomponente beeinflußt wird, die in dem Digital-Si
gnalverarbeitungsteil erzeugt wird. Auf diese Weise ist es
möglich, ein ausgezeichnetes Signal zu gewinnen, in dem die
Zitterkomponente (jitter) aufgrund der Rauschkomponente
vermieden und das S/N-Verhältnis verbessert werden kann.
Die vorliegende Erfindung ist selbstverständlich nicht auf
die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Es können
vielmehr zahlreiche Änderungen und Modifikationen durch den
Fachmann ausgeführt werden, ohne daß dazu der allgemeine Er
findungsgedanke und der Schutzumfang, wie er durch die An
sprüche bestimmt ist, verlassen werden müßten.
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-Wandler zum Umsetzen eines
digitalen Signals in ein analoges Signal,
mit
- 1. einem digitalen Eingangssignal, dem eine Abtastfrequenz (fs) zugrundeliegt,
- 2. einem digitalen Interpolationsfilter (2), dem das digitale Eingangssignal zugeführt wird,
- 3. einem von dem Interpolationsfilter erzeugten modifizierten digitalen Signal, dem eine Abtastfrequenz zugrundeliegt, die höher ist als die Abtastfrequenz (fs), wobei das modifizierte digitale Signal eine geringere Bitanzahl als das digitale Eingangssignal aufweist,
- 4. einem Impulsbreitenmodulator, dem das modifizierte digitale Signal zuführbar ist, zum Erzeugen eines Ausgangs-Impulssignals mit einer Impulsbreite, die der Impulsbreite des modifizierten digitalen Signals entspricht,
- 5. einer Ausgangssignal-Pufferstufe (52, 53, 54), der das Ausgangs-Impulssignal des Impulsbreitenmodulators zuführbar ist und die eine Komplementär-Metalloxid- Halbleiter (CMOS)-Inverterschaltung (32, 33, 37/34, 35, 36) aufweist, die aus p-Kanal- und n-Kanal-Transistoren gebildet ist, und,
- 6. einer Tiefpaßfilteranordnung (55, 56), die mit dem Ausgangssignal der Ausgangssignal-Pufferstufe (52, 53, 54) versorgt wird, wobei das digitale Interpolationsfilter, der Impulsbreitenmodulator und die Ausgangssignal-Pufferstufe Teil einer integrierten Schaltung (70) sind und einer der p-Kanal- oder n-Kanal- Transistoren ein Mittel zum Regeln der Spannung aufweist, die an das Substrat (30) der integrierten Schaltung (70) gelegt ist, so daß der Widerstandswert dieses einen Transistors in seinem leitenden Zustand veränderbar ist.
2. Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-Wandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssignal-Pufferstufe eine erste CMOS-Inverterschaltung (52) zum Erzeugen
eines ersten Ausgangssignals, eine zweite und eine dritte CMOS-Inverterschaltung (53,
54), die in Reihe geschaltet sind, zum Erzeugen eines zweiten Ausgangssignals enthält
und daß die Tiefpaßfilteranordnung eine erste Filterschaltung (55), die mit dem ersten
Ausgangssignal versorgt wird, und eine zweite Filterschaltung (56), die mit dem
zweiten Ausgangssignal versorgt ist, sowie ein Subtrahierglied (57), das mit den
Ausgangssignalen der ersten und der zweiten Filterschaltung (55, 56) versorgt wird,
enthält.
3. Schaltungsanordnung für einen Digital/Analog-Wandler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die integrierte Schaltung (70) ein erstes Erdungsmittel (74) zum Erden eines ersten
Schaltungsteils (71), der zumindest das digitale Interpolationsfilter und den
Impulsbreitenmodulator enthält, ein zweites Erdungsmittel (75) zum Erden eines
zweiten Schaltungsteils (72), der zumindest die Ausgangssignal-Pufferstufe (52, 53, 54)
enthält, und ein drittes Erdungsmittel (73) zum Erden eines Grenzbereichs zwischen
dem ersten und dem zweiten Schaltungsteil (71, 72) aufweist.
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|---|---|---|---|
| JP1989019129U JPH0810209Y2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | 集積回路 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4005489A1 DE4005489A1 (de) | 1990-08-23 |
| DE4005489C2 true DE4005489C2 (de) | 1999-09-23 |
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|---|---|---|---|
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Country Status (4)
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|---|---|
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| KR (1) | KR0150206B1 (de) |
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| GB (1) | GB2228381B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10156744A1 (de) * | 2001-11-19 | 2003-06-05 | Infineon Technologies Ag | Linearer PCM/PWM-Modulator |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421215A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Sony Corp | デジタル・アナログ変換器 |
| US6219909B1 (en) * | 1990-11-28 | 2001-04-24 | Hitachi, Ltd. | Method of mounting disk drive apparatus |
| JPH05347563A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-27 | Sony Corp | D/a変換装置 |
| GB2364838B (en) | 1998-03-04 | 2002-03-20 | Fujitsu Ltd | Mixed-signal circuitry and integrated circuit devices |
| US6208280B1 (en) | 1999-01-11 | 2001-03-27 | Seagate Technology Llc | Converting a pulse-width modulation signal to an analog voltage |
| DE10255228A1 (de) * | 2002-11-26 | 2004-06-03 | Manfred Baier | Serieller Digital- Analog-Umsetzer |
| US6950118B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-09-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser imaging device including a pulse width modulator system |
| US7042484B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-05-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scan line length adjustment |
| DE10337782B4 (de) | 2003-07-14 | 2007-03-01 | Micronas Gmbh | Methode und Schaltung zur effektiven Konvertierung von PCM-in PWM-Daten |
| EP1498803A3 (de) * | 2003-07-14 | 2007-04-04 | Micronas GmbH | Methode und Schaltung zur effektiven Konvertierung vom PCM- in PWM-Daten |
| DE602007009375D1 (de) | 2007-07-27 | 2010-11-04 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Rauscharme Flip-Chip-Verpackungen und Flip-Chips dafür |
| US20200389179A1 (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | Mediatek Inc. | Dac device having positive dac and negative dac and associated digital-to-analog converting method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2176070A (en) * | 1985-05-31 | 1986-12-10 | Int Standard Electric Corp | Digital to analogue converter |
| EP0164677B1 (de) * | 1980-02-04 | 1989-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Vorrichtung zur Sprachsynthese |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4310831A (en) * | 1980-02-04 | 1982-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulated, push/pull digital to analog converter |
| DE3709207A1 (de) * | 1987-02-28 | 1988-09-08 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Schaltungsanordnung zum umwandeln von digitalen tonsignalwerten in ein analoges tonsignal |
| US4800365A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-24 | Burr-Brown Corporation | CMOS digital-to-analog converter circuitry |
-
1990
- 1990-01-12 KR KR1019900000311A patent/KR0150206B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-15 GB GB9003510A patent/GB2228381B/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-20 US US07/482,085 patent/US5023615A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-21 DE DE4005489A patent/DE4005489C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0164677B1 (de) * | 1980-02-04 | 1989-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Vorrichtung zur Sprachsynthese |
| GB2176070A (en) * | 1985-05-31 | 1986-12-10 | Int Standard Electric Corp | Digital to analogue converter |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10156744A1 (de) * | 2001-11-19 | 2003-06-05 | Infineon Technologies Ag | Linearer PCM/PWM-Modulator |
| DE10156744B4 (de) * | 2001-11-19 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Linearer PCM/PWM-Modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2228381A (en) | 1990-08-22 |
| GB2228381B (en) | 1992-12-02 |
| KR900013727A (ko) | 1990-09-06 |
| DE4005489A1 (de) | 1990-08-23 |
| KR0150206B1 (ko) | 1998-12-15 |
| US5023615A (en) | 1991-06-11 |
| GB9003510D0 (en) | 1990-04-11 |
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| DE3511688C2 (de) | ||
| DE3843366C2 (de) | ||
| EP0142182B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Umwandeln eines digitalen Eingangssignals in ein analoges Ausgangssignal |
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