DE3935863A1 - Heizleiter - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Heizleiter mit einem
Schmelzpunkt < 2000°C auf Basis mindestens eines
Übergangsmetalls aus den Nebengruppen IVa bis VIa des
Periodischen Systems der Elemente (PSE).
Als Heizleiter werden Körper aus elektrisch leitfähigem
Material bezeichnet, bei denen der elektrische Widerstand
zur Umwandlung von elektrischer Energie in Wärmeenergie
ausgenutzt wird.
Bekannt sind Heizleiter aus hitzebeständigen Legierungen
mit hohem elektrischen Widerstand, beispielsweise auf der
Basis Ni-Cr oder Cr-Al. Es sind jedoch auch Heizleiter
bekannt aus hochschmelzenden Metallen. Hochschmelzende
Metalle sind in den Nebengruppen IVa bis VIII des PSE zu
finden. Sie zeichnen sich neben relativ hohen Schmelz
punkten durch hohe Dichte, meist hohe Härte und Festigkeit
sowie hohen Elastizitätsmodul aus. Der technische Einsatz
hochschmelzender Metalle bei Höchsttemperaturen, wie sie
bei der Anwendung als Heizleiter auftreten, wird in erster
Linie durch die Verdampfungsgeschwindigkeit begrenzt.
Für Prozesse mit hohen Arbeitstemperaturen werden
bevorzugt die Metalle Wolfram, Tantal und Molybdän als
Heizleiter eingesetzt. Beispielsweise werden derartige
Heizleiter als Wendel (filament) für die Abscheidung von
Festkörperpartikeln aus der Gasphase mittels Chemical
Vapour Deposition (CVD) eingesetzt. Mittels solcher
Prozesse können freitragende Formkörper oder aber auch
Beschichtungen auf unterschiedlichsten Substraten
hergestellt werden.
Ganz allgemein ist für einen CVD-Prozeß charakteristisch,
daß eine Mischung von Gasen bei einer relativ hohen
Temperatur mit einer Substratoberfläche in Wechselwirkung
tritt unter Zersetzung mindestens eines am Gasgemisch
beteiligten Gases und Abscheidung eines Reaktionsproduktes
in fester Phase an der Substratoberfläche. Der konven
tionelle CVD-Prozeß bedingt hohe Temperaturen, reaktive
Gase und eine für die Durchführung eines solchen Ver
fahrens geeignete Vorrichtung. Typische Prozeßparameter
sind Temperaturen im Bereich von 450 bis zu 2500°C,
Drucke im Bereich von 10-5 bis 1 bar und ein Prozeß
gasgemisch aus mindestens einem reaktiven Gas und weiteren
Gasen wie inerten, oxydierenden oder reduzierenden Gasen.
Die Aktivierung des Prozeßgasgemisches innerhalb des
Reaktors erfolgt in einer Anregungszone (Gasphasenbereich
mit maximalem Energieinhalt), die beispielsweise über ein
Plasma, das durch Einkopplung von Mikrowellen- oder
Hochfrequenz-Energie, über einen durch Stromdurchgang
beheizten Draht (filament) oder über eine Flamme erzeugt
werden kann. In der Anregungszone werden die Gasphasen
reaktionen stimuliert und eine Abscheidung der Reaktions
produkte erfolgt anschließend auf dem vorzugsweise in
einem Abstand zur Anregungszone positionierten Substrat,
das auf einem üblicherweise temperaturgeregelten Substrat
halter angeordnet ist. Die Restgase werden mittels einer
Vakuumpumpe aus dem Reaktor abgepumpt.
Aus Jap. J. Appl. Phys. 21 (1982), Nr. 4, Seiten L183 bis
L185 ist in Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung zur
Abscheidung von Diamantpartikeln mittels Chemical Vapour
Deposition aus einer Methan/Wasserstoff-Gasphase bekannt,
in welcher das Reaktionsgasgemisch durch einen Heizleiter
in Form einer Wolframwendel einer Temperatur von
etwa 2000°C aktiviert wird.
Bei ähnlichen Versuchen, die im Rahmen der Erfindung
durchgeführt wurden, hat sich gezeigt, daß das Material
des Heizleiters (vorzugsweise Molybdän, Wolfram oder
Tantal) unter Prozeßbedingungen, wie sie zur Herstellung
von Diamantschichten aus der Gasphase erforderlich sind
(Kohlenwasserstoffgas/Wasserstoff-Atmosphäre, Temperaturen
über 2000°C), innerhalb kürzester Zeit (etwa nach 10 h
Prozeßdauer) verspröden und spontan oder bei einer
leichten Erschütterung oder Berührung zerbrechen.
Untersuchungen an versprödeten Heizleitern haben ergeben,
daß Reaktionen zwischen dem Material des Heizleiters und
dem Kohlenstoff-haltigen reaktiven Prozeßgas unter Bildung
von Carbiden stattgefunden hatten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Heizleiter zu
schaffen, die für Hochtemperaturprozesse in insbesondere
einer reaktiven Kohlenstoff-haltigen Gasphase geeignet
sind und die eine längere Lebensdauer aufweisen als die
bisher für derartige Prozesse eingesetzten Heizleiter aus
hochschmelzenden Metallen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der
Heizleiter aus einem Carbid des Übergangsmetalls oder
einem Mischcarbid der Übergangsmetalle mit einem Gehalt an
gebundenem Kohlenstoff, der einer stöchiometrischen
Zusammensetzung mindestens nahezu entspricht, hergestellt
ist.
Nach vorteilhaften Weiterbildungen der Erfindung ist der
Heizleiter aus einem Carbid oder einem Mischcarbid der
Übergangsmetalle Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Niob,
Tantal, Molybdän und/oder Wolfram insbesondere durch
heißisostatisches Pressen von Carbidpulver oder durch
Sintern eines aus Carbidpulver mit einem Zusatz von
geeignetem, aus dem Sinterkörper entfernbarem Bindemittel
und/oder Sinterhilfsmittel hergestellten Preßkörpers oder
durch Abscheidung aus einer ein fluchtiges Hologenid
mindestens eines der genannten Übergangsmetalle und
Kohlenstoff-haltiges Gas enthaltenden Gasphase mittels
Chemical Vapour Deposition (CVD) hergestellt.
Überraschenderweise hat sich gezeigt, daß für den Heiz
leiter gerade das Material mit Vorteil eingesetzt werden
kann, das sich bei dem bekannten Prozeß nach sehr kurzer
Prozeßdauer bildet und sich dort als mangelhaft oder sogar
ungeeignet erwiesen hat, nämlich Carbide der hoch
schmelzenden Metalle.
Die Herstellung von Carbiden der hochschmelzenden Metalle
der Nebengruppen IVa bis VIa des PSE sowie ihre Weiter
verarbeitung sind bekannt (vgl. hierzu Ullmanns
Encyklopädie der technischen Chemie, 3. Auflage 1954).
Beachtlich ist jedoch, daß Carbide als Ausgangsmaterial
für den erfindungsgemäßen Heizleiter eingesetzt werden,
die einen Gehalt an gebundenem Kohlenstoff haben, der der
stöchiometrischen Zusammensetzung mindestens nahezu, wenn
möglich vollständig, entspricht. Insbesondere durch
heißisostatisches Pressen von derartigen Carbidpulvern
lassen sich mechanisch außerordentlich stabile Formkörper
einer Dichte im Bereich von mindestens 88% herstellen,
die nach dem Pressen einem weiteren mechanischen
Bearbeitungsschritt unterzogen werden können, so daß
Heizleiter einer gewünschten Formgebung ohne Schwierig
keiten hergestellt werden können. Es ist jedoch auch
möglich, andere aus der Pulvermetallurgie bekannte
Verformungstechniken für die Herstellung der erfindungs
gemäßen Heizleiter einzusetzen.
Mit der Erfindung sind die Vorteile verbunden, daß Heiz
leiter, die insbesondere in einer Kohlenstoff-haltigen
Gasphase eingesetzt werden sollen, eine wesentlich längere
Lebensdauer als metallische Heizleiter haben. Dadurch
ergibt sich für die eingesetzten Prozeßeinrichtungen ein
geringerer Wartungsaufwand infolge selteneren Wechsels des
Heizleiters. Dies führt insbesondere für eine Großserien
fertigung zu erheblicher Kostenreduzierung. Gegenüber
einer Wendel aus hochschmelzendem Metall als Heizleiter
(filament) ergibt sich der weitere Vorteil, daß aus den
Ausgangscarbiden, z. B. wenn diese mittels eines
heißisostatischen Preßprozesses zu einem Heizleiter
verformt werden, beliebig geformte, z. B. also auch
großflächige Heizleiter hergestellt werden können, die
eine gleichzeitige relativ großflächige Beheizung
ermöglichen.
Dadurch, daß ein unter den Prozeßbedingungen für einen
CVD-Prozeß mit Kohlenstoff-haltigem Reaktionsgas und
Temperaturen bis zu 2500°C ein Heizleiter aus einem
chemisch stabilen Material eingesetzt wird, wird das
Problem umgangen, daß der Heizleiter während des Prozesses
chemisch mit der reaktiven Gasphase reagiert und infolge
der damit verbundenen Gefügeänderungen und des daraus
resultierenden Verlustes an mechanischer Festigkeit nur
eine relativ kurze Lebensdauer hat, was bei den bekannten
Heizleitern aus z. B. Wolfram- oder Tantal-Draht (filament)
der Fall ist. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen
Heizleiters ergibt sich daraus, daß Carbide von solchen
Metallen eingesetzt werden können, die als reine Metalle
eine katalytische Wirkung beim Dissoziationsprozeß des
Reaktionsgasgemisches haben: auch die Carbide solcher
Metalle haben sich als katalytisch wirksam erwiesen.
Übergangsmetalle sind in der Regel katalytisch wirksam bei
organisch-chemischen Reaktionen.
Als Ausführungsbeispiel wird die Anwendung eines erfin
dungsgemäßen Heizleiters aus Wolframcarbid in einem
CVD-Prozeß zur Abscheidung von polykristallinen Diamant
schichten aus der Gasphase beschrieben.
Ein aus Wolframcarbid durch einen Sinterprozeß herge
stellter Heizleiter eines Durchmessers von 1 mm und einer
Länge von 50 mm wird zunächst zur Entfernung von Fremd
stoffen über eine Dauer von drei Stunden in einem Gas
gemisch aus 1% Methan und 99% Wasserstoff bei einem
Druck von etwa 66 mbar durch direkten Stromdurchgang auf
eine Temperatur von 2500°C erhitzt. Anschließend wird der
Heizleiter in einen CVD-Reaktor zur Abscheidung von poly
kristallinem Diamant anstelle der sonst üblicherweise
verwendeten Wendel aus hochschmelzenden Metallen
installiert. Mit dem erfindungsgemäßen Heizleiter wurden
bei CVD-Prozessen zur Abscheidung von polykristallinen
Diamantschichten dieselben Ergebnisse (z. B. Abscheiderate,
Morphologie) erreicht, wie unter Einsatz eines gewendelten
Tantaldrahtes zur Anregung der Reaktionsgasphase. Mit dem
erfindungsgemäßen Heizleiter wurden mindestens
12 Abscheideprozesse einer Dauer von durchschnittlich 7 h
durchgeführt, ohne daß der Heizleiter seine mechanische
Stabilität eingebüßt hatte. Tantaldrähte zeigten bereits
nach einer Prozeßdauer von 10 h unter gleichen Bedingungen
eine solche Versprödung, daß sie bei geringster
mechanischer Erschütterung zerbrachen.
Claims (6)
1. Heizleiter mit einem Schmelzpunkt < 2000°C auf
Basis mindestens eines Übergangsmetalls aus den
Nebengruppen IVa bis VIa des Periodischen Systems der
Elemente (PSE),
dadurch gekennzeichnet,
daß er aus einem Carbid des Übergangsmetalls oder einem
Mischcarbid der Übergangsmetalle mit einem Gehalt an
gebundenem Kohlenstoff, der einer stöchiometrischen
Zusammensetzung mindestens nahezu entspricht, hergestellt
ist.
2. Heizleiter nach Anspruch 1,
dadurch qekennzeichnet,
daß er aus einem Carbid oder einem Mischcarbid der
Übergangsmetalle Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Niob,
Tantal, Molybdän und/oder Wolfram hergestellt ist.
3. Heizleiter nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß er durch heißisostatisches Pressen von Carbidpulver
hergestellt ist.
4. Heizleiter nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß er durch Sintern eines aus Carbidpulver mit einem
Zusatz von geeignetem, aus dem Sinterkörper entfernbarem
Bindemittel und/oder Sinterhilfsmittel hergestellten
Preßkörpers hergestellt ist.
5. Heizleiter nach den Ansprüchen 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß er durch Abscheidung aus einer ein flüchtiges
Hologenid mindestens eines der genannten Übergangsmetalle
und Kohlenstoff-haltiges Gas enthaltenden Gasphase mittels
Chemical Vapour Deposition (CVD) hergestellt ist.
6. Anwendung des Heizleiters nach den Ansprüchen 1
bis 5 in einer Vorrichtung zur Abscheidung mikro
kristalliner Festkörperpartikel aus einer Kohlenstoff-
haltige Gase enthaltenden Gasphase mittels Chemical Vapour
Deposition (CVD), wobei die chemische Reaktion zwischen
den Komponenten des Reaktionsgasgemisches über den Heiz
leiter thermisch in Gang gesetzt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19893935863 DE3935863C2 (de) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | CVD (Chemical Vapour Deposition)-Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19893935863 DE3935863C2 (de) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | CVD (Chemical Vapour Deposition)-Vorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3935863A1 true DE3935863A1 (de) | 1991-05-02 |
| DE3935863C2 DE3935863C2 (de) | 1993-10-21 |
Family
ID=6392391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19893935863 Expired - Fee Related DE3935863C2 (de) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | CVD (Chemical Vapour Deposition)-Vorrichtung |
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|---|---|
| DE (1) | DE3935863C2 (de) |
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| CN102158993A (zh) * | 2011-05-06 | 2011-08-17 | 陈小蕾 | 高温铝合金基稀土厚膜电路电热元件及其制备技术 |
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1989
- 1989-10-27 DE DE19893935863 patent/DE3935863C2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3935863C2 (de) | 1993-10-21 |
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