DE3445698C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3445698C2 DE3445698C2 DE3445698A DE3445698A DE3445698C2 DE 3445698 C2 DE3445698 C2 DE 3445698C2 DE 3445698 A DE3445698 A DE 3445698A DE 3445698 A DE3445698 A DE 3445698A DE 3445698 C2 DE3445698 C2 DE 3445698C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cuboid
- metallization
- varistor
- cuboid body
- chip varistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Chip-Varistor, bestehend aus
einem quaderförmigen Körper, der wenigstens zum Teil aus
Varistormaterial gebildet ist und wenigstens zwei metalli
sierte Anschlußflächen an zwei gegenüberliegenden Quader
enden aufweist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Aus der DE-OS 30 19 969 ist ein Chip-Varistor der genannten
Art bekannt, der plättchenförmig mit rechteckigem Querschnitt
ausgebildet ist, jedoch
hochkant stehend eingebaut werden müßte.
Ein weiterer bekannter Chip-Varistor dieser Art, der sog.
"Glaze-Varistor" ist in dem Prospekt "Transient/Surge
Absorbers" 1983/84 der Firma National Matsushita Electric
beschrieben. Er weist aufgrund des relativ kleinen Volumens
der Varistorschicht nur ein geringes Energieabsorptions
vermögen auf und ist deshalb für die übliche Varistoran
wendung im Oberspannungsschutz nicht geeignet. Darüber
hinaus besteht bei ihm bei Impulsbelastung die Gefahr der
Gleitfunkenbildung auf der Oberfläche der Varistorschicht,
also der Widerstandsschicht, die auf einem Keramiksubstrat
aufgebracht ist.
Aus der DE-OS 22 35 783 ist ein Varistor bekannt, bei dem
die elektrischen Eigenschaften hauptsächlich durch einen
Spalt in der Metallisierung bestimmt werden, die Körper
dicke aber ohne Einfluß ist. Der Stromfluß erfolgt von
einer Elektrode zur anderen über den Metallisierungsspalt,
entlang der Oberfläche. Damit sind Überschläge über den
Spalt bei höheren Spannungen bzw. bei starken Impuls
strömen auf den Ober- und Unterseiten des Varistors offen
sichtlich unvermeidlich.
Bei dem aus der DE-OS 21 26 340 bekannten Dickschicht-
Varistor, der Unterbrechungen in der Metallisierung auf
weist, erfolgt der Stromfluß von einer Elektrode zur an
deren an der Oberfläche des Varistormaterials. Die Strom
verteilung entspricht der aus der DE-OS 22 25 783 bekann
ten Varistorkonstruktion.
Es ist ferner aus der US-PS 42 90 041 ein Mehrschicht
varistor bekanntgeworden, der interne Elektroden aufweist,
die wechselweise mit einer der beiden externen Elektroden
verbunden sind. Auf der Ober- und der Unterseite dieses
Varistors befinden sich jedoch keine Elektroden, sondern
lediglich an den Stirnflächen des Varistorkörpers, so daß
die Überschlagsgefahr dadurch an sich weitgehend beseitigt
ist, allerdings die Lötbarkeit stark eingeschränkt wird.
Aus der AT-PS 2 37 111 ist die Herstellung von flachen
elektrischen Schaltelementen wie z. B. Widerständen bekanntgeworden, die an einer
Trägerfläche haftende, elektrisch wirksame Schichten ent
halten. Die Schichten und Anschlußstreifen werden für viele Elemente gleichzeitig auf einem
Substrat aufgetragen und das Substrat anschließend
in einzelne Elemente aufgeteilt.
Bekanntlich lassen sich höhere Energieabsorptionswerte durch
eine Vergrößerung des Varistorvolumens erreichen, beispiels
weise kann der ganze Körper aus Varistormaterial gebildet
werden. Generell ist darauf hinzuweisen, daß dann, wenn die
gleiche Kontaktierung wie bei den Chip-Varistoren verwendet
wird, es bei höheren Impulsströmen zu Überschlägen auf der
Varistoroberfläche kommt. Diese Funkenbildung zwischen den
metallisierten Anschlußflächen an den Enden des quader
förmigen Körpers, der beispielsweise Abmessungen von
8 × 4 × 2 mm aufweist, ist darauf zurückzuführen, daß die
Kontaktierung, die durch die metallisierten Anschlußflächen
gebildet wird, einen Stromfluß auf der Oberfläche des
Varistors begünstigt, während das Innere des Varistors
praktisch stromfrei bleibt.
Bei höheren Spannungen bzw. Impulsströmen ab etwa 20 A kommt
es deshalb zu Überschlägen auf den Ober- und Unterseiten des
Varistors. Diese Wirkung kann zwar durch eine Stirnflächen
kontaktierung vermieden werden, bei der nur die einander
gegenüberliegenden, endseitigen Stirnflächen des quader
förmigen Körpers mit einer Metallisierung versehen werden
und nicht zumindest teilweise auch die Ober- und Unterseite
dieses Körpers, jedoch hat diese Stirnflächenkontaktierung
den Nachteil, daß sie die Lötbarkeit der Varistorelemente
stark einschränkt und damit ihre Brauchbarkeit grundsätz
lich in Frage stellt. Darüber hinaus läßt sich bei der
artigen Chip-Varistoren die Varistorspannung nur über
die Bauelementlänge einstellen, was dazu führt, daß eine
Vielzahl von unterschiedlichen Längenabmessungen hergestellt
und bevorratet werden müssen, um unterschiedliche Spannungen
zu realisieren.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, den Chip-
Varistor der genannten Art so auszubilden, daß er sowohl ein
ausreichendes Volumen aufweist, um das geforderte Energieab
sorptionsvermögen zu erhalten, als auch Sicherheit gegen
Gleitfunken auf seiner Oberfläche bietet und darüber hinaus
die Möglichkeit bietet, seine Spannung bei konstanten Abmes
sungen seiner Ober- und Unterseiten einstellbar zu machen.
Darüber hinaus soll für einen derartigen Varistor ein Her
stellungsverfahren entwickelt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Flächen an der Ober- und Unterseite des quaderförmigen Kör
pers, die zusammen mit den Stirnflächen der Quaderenden und
den Seitenflächen den quaderförmigen Körper begrenzen, mit
die Metallisierungen auf der Ober- und Unterseite des qua
derförmigen Körpers in jeweils zwei unterschiedlich große
Teilflächen aufteilenden Unterbrechungen versehen sind, und
daß die Metallisierung der kleineren Teilfläche der Obersei
te und die Metallisierung der größeren Teilfläche der Unter
seite nur mit der metallisierten Anschlußfläche des einen
Quaderendes, und die Metallisierung der größeren Teilfläche
der Oberseite und die Metallisierung der kleineren Teilflä
che der Unterseite nur mit der metallisierten Anschluß flä
che des anderen Quaderendes elektrisch leitend verbunden
sind.
Durch diese Konstruktion ist infolge Überlappung der Elektro
den die Stromflußrichtung um 90° gedreht, so daß Strom- bzw.
Spannungsüberschläge nur noch im Bereich der Unterbrechung
der Metallisierung zu erwarten sind. Die Einstellbar
keit der Varistorspannung wird in einfacher Weise dadurch
ermöglicht, daß für die Dicke des quaderförmigen Körpers,
die im Ausführungsbeispiel mit H bezeichnet ist, ver
schiedene Abmessungen gewählt werden. Hierbei soll
"einstellbar" im Hinblick auf die Varistorspannung be
deuten, daß durch geeignete Wahl der Körperhöhe von
Hause aus eine bestimmte gewünschte Spannung erhalten
werden kann. Wird eine andere Spannung verlangt, so muß
die Körperhöhe bei der Herstellung des Varistors geändert
werden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann jede
streifenförmige Aussparung durch zwei parallele Ränder be
grenzt sein, die sich parallel zu den an die Anschluß
flächen angrenzenden Rändern der Ober- und Unterseiten erstrecken.
Zur weiteren Verbesserung der Überschlagsfestigkeit läßt
sich gemäß einer weiteren Ausgestaltung des Erfindungsvor
schlags die Oberfläche des Varistormaterials im Bereich
der streifenförmigen Aussparungen mit Nuten versehen, die in
das Varistormaterial eingearbeitet sind und sich in Rich
tung der streifenförmigen Aussparungen erstrecken.
Darüber hinaus hat es sich als vorteilhaft erwiesen, den
quaderförmigen Körper als Schichtkörper auszubilden, be
stehend aus parallel zu seinen Ober- und Unterseiten ver
laufenden, einander abwechselnden Schichten aus Varistor
material und elektrisch gut leitfähigem Material, wobei
letztgenannte Schicht wiederum abwechselnd mit dem einen und
dem anderen metallisierten Quaderende elektrisch verbunden sind.
Zur Herstellung von Chip-Varistoren nach einem der Ansprüche
1 bis 5 dient ein Verfahren, gemäß dem ein quaderförmiger
Körper aus Varistormaterial hergestellt und auf seinen
Oberflächen vollständig metallisiert wird, woraufhin in
die einander gegenüberliegenden Ober- und Unterseiten
des quaderförmigen Körpers wenigstens je eine die Metalli
sierung aussparende Nut eingearbeitet wird und danach
der Körper quer zu seiner Längsachse in einzelne Längs
stücke zerschnitten wird, die die eigentlichen quaderför
migen Körper bilden, so daß deren Längsachse in Richtung
der Querachse des ursprünglichen quaderförmigen Körpers
verläuft und deren Querachse in Richtung der Längsachse
des ursprünglichen quaderförmigen Körpers.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. In der
Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht des quaderförmigen
Körpers eines Chip-Varistors, dessen gegenüber
liegenden Enden vollständig und dessen gegen
überliegende Ober- und Unterseiten teilweise
metallisiert sind,
Fig. 2 eine schematische Seitenansicht des Varistors
von Fig. 1 in Richtung des Pfeils A in Fig. 1,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer anderen Aus
führungsform des Chip-Varistors,
Fig. 4 eine der Fig. 2 entsprechende schematische Sei
tenansicht des Chip-Varistors von Fig. 3,
Fig. 5 eine längsgeschnittene Seitenansicht eines Viel
schicht-Varistors
und
Fig. 6a, b und c schematische Darstellungen der auf
einanderfolgenden Herstellungsschritte des
quaderförmigen Körpers, aus dem der Chip-Varistor
aufgebaut ist.
Mit "Varistor" werden bekanntlich spannungsabhängige
Widerstände bezeichnet, die in aller Regel aus gesintertem
Siliziumkarbid oder Zinkoxid mit Beimengungen anderer Stoffe
in Scheiben- oder Stabform bestehen und vor allem in der Nach
richtentechnik Anwendung finden. Ihre Spannungsabhängigkeit
beruht auf einem veränderlichen Kontaktwiderstand zwischen
den einzelnen Kristallen.
Der in Fig. 1 dargestellte Chip-Varistor ist ein quaderförmi
ger Körper 1. Seine Abmessungen betragen beispielsweise 2 ×
1,25 × 0,5 mm (Länge, Breite, Höhe) bis beispielsweise 8 × 4
× 4 mm. Er besteht aus einem oxidkeramischen Widerstandsmate
rial und ist an den Quaderenden 2, 3 mit metallisierten An
schlußflächen 8, 9 versehen, die die Quaderenden vollständig
abdecken, und ist auf seiner Oberseite 4 sowie seiner Unter
seite 5 ebenfalls mit einer Metallisierung 6, 7 (Fig. 2) ver
sehen. Die Metallisierung 6, 7 ist sowohl auf der Oberseite 4
wie auf der Unterseite 5 unterbrochen, wobei diese Unterbre
chung, wie den Fig. 1 und 2 entnommen werden kann, jeweils
eine streifenförmige Aussparung 10, 11 in den metallisierten
Flächen bildet, die bis zur Oberfläche des Varistormaterials
reicht und auf der Oberseite 4 die Metallisierung in eine
solche 6 a einer kleineren Teilfläche und 6 b einer größeren
Teilfläche, und die Metallisierung auf der Unterseite 5 in
eine solche 7 a einer kleineren Teilfläche und 7 b einer größe
ren Teilfläche aufteilt. Es sind also lediglich zwei einander
gegenüberliegende Flächen der vier an die Quaderendflächen an
grenzenden Flächen 4, 5, 19 und 23 mit einer Metallisierung
versehen. Die streifenförmigen Aussparungen 10, 11 sind durch
zwei parallele Ränder 12, 13 begrenzt, die sich parallel zu
den in Querrichtung des Körpers liegenden Kanten seiner Ober-
und Unterseite erstrecken.
Dies bedeutet, daß die Metallisierung 6 a der kleineren Teil
fläche der Oberseite 4 und die Metallisierung 7 b der größeren
Teilfläche der Unterseite 5 mit der metallisierten Anschluß
fläche 8 des einen Quaderendes 2 über die gemeinsamen Kanten
elektrisch leitend verbunden sind, während die Metallisie
rung 6 b der größeren Teilfläche der Oberseite 4 und die
Metallisierung 7 a der kleineren Teilfläche der Unterseite 5
nur mit der metallisierten Anschlußfläche 9 des anderen
Quaderendes 3 über die gemeinsamen Kanten elektrisch lei
tend verbunden sind.
Durch diese Bauform des Chip-Varistors läßt sich seine
Spannung bei konstanter "Grundfläche" des quaderförmigen
Körpers durch Änderung der Bauhöhe H (Fig. 2) von Hause
aus, also bei der Herstellung des Chip-Varistors, fest
legen. Somit ist die Einstellbarkeit der Spannung in Ab
hängigkeit von der Bauteilhöhe gegeben. Durch Versuche
wurde gefunden, daß die Breite d der streifenförmigen
Aussparungen 10, 11 etwa das 1,5fache der Höhe H sein
muß, da, nachdem durch diese Bauform aufgrund der Über
lappung der Elektroden (metallisierte Oberflächen) die
Stromflußrichtung gegenüber einer nur an den stirnsei
tigen Quaderenden kontaktierten Chip-Varistor um 90° ge
dreht ist, die Möglichkeit von Strom- bzw. Spannungs
überschlägen nur noch im Bereich der streifenförmigen
Aussparung gegeben ist.
Da die Bedingung d < 1,5 H bei höheren Varistorspannun
gen zu kleinen Elektrodenflächen führt und damit zu ge
ringem Energieabsorptionsvermögen, wird vorzugsweise,
wie aus den Fig. 3 und 4 ersichtlich, im Bereich der
streifenförmigen Aussparungen 10, 11 der Ober- und Unter
seiten des Chip-Varistors zwischen den Elektroden wenig
stens eine Nut 14, 15 angebracht, durch die bei großen
Werten von H der Wert für d vergrößert wird, da der
Stromfluß zwischen den Elektroden und damit die Über
schlagsweite nicht durch die Luftstrecke gemessen wird,
sondern über die Varistor-Oberflächenmaterialstrecke
zwischen den benachbarten Elektroden und diese Material
strecke gegenüber dem bloßen Abstand d um die zweifache
Höhe der Nutseiten vergrößert ist.
Es versteht sich, daß bei niedrigen Varistorspannungen
und kleinen Bauteilhöhen H diese Nut überflüssig ist.
In Fig. 5 ist eine andere Ausführungsform des Chip-
Varistors dargestellt, bei der der quaderförmige Körper
als Schichtkörper 16 ausgebildet ist, bestehend aus
mehreren parallel zu den Ober- und Unterseiten verlaufen
den, einander abwechselnden Schichten aus Varistormate
rial 17 und elektrisch gut leitfähigem Material 18.
Die leitfähigen Materialschichten 18 sind wiederum ab
wechselnd mit dem einen und dem anderen metallisierten
Quaderende 2 a bzw. 3 a elektrisch verbunden.
Durch Anwendung einer solchen Schichttechnik, die zu
dem in Fig. 5 gezeigten Vielschicht-Chip-Varistor führt,
läßt sich das Energieabsorptionsvermögen noch wesentlich
steigern, allerdings auf Kosten eines doch erheblich
höheren Herstellungsaufwandes.
Zur Herstellung eines Chip-Varistors der in den Fig. 3 und
4 gezeigten Art dient ein Verfahren, dessen Schritte im
folgenden anhand der Fig. 6a, 6b und 6c erläutert
werden.
Zunächst werden größere Platten oder Stangen aus Varistor
material zu Körpern der in Fig. 6a gezeigten Art gepreßt, ge
sintert und eventuell zersägt. Daraufhin wird dieser Körper
auf seiner gesamten Oberfläche mit Silber kontaktiert,
also metallisiert. Danach werden in Längsachsenrichtung
des stangenförmigen Körpers in seine Ober- und Unterseiten
Nuten oder rillenförmige Vertiefungen der bei 14 und 15
in Fig. 3 gezeigten Art eingefräst oder eingesägt, die
tiefer sind als die Metallisierungsschicht und die die
Aufgabe haben, die Überschlagsfestigkeit zu verbessern
(Fig. 6b). Anschließend werden von diesem stangenförmigen
oder quaderförmigen Körper quer zu seiner Längsachse
in Fig. 6c mit 20 bezeichnete Stücke abgeschnitten, die
die in Fig. 3 dargestellten Chip-Varistoren bilden, deren
Seitenflächen 21 (22) demnach nicht metallisiert sind,
im Gegensatz zu den stirnseitigen Enden. Die Längsachse
dieser Chip-Varistoren entspricht somit der Querachse des
ursprünglich hergestellten quaderförmigen Körpers, der in
die einzelnen Chips zerteilt wird.
Die Oberfläche des so hergestellten Chip-Varistors wird
mit Ausnahme der Kontaktflächen, d. h. der stirnseitigen
Enden, mit einer Schutzschicht überzogen. Die Kontakt
flächen können beispielsweise durch Vernickeln und Ver
zinnen verstärkt werden.
Claims (7)
1. Chip-Varistor, bestehend aus einem quaderförmigen Körper,
der wenigstens zum Teil aus Varistor-Material gebildet
ist und wenigstens zwei metallisierte Anschlußflächen an
zwei gegenüberliegenden Quaderenden aufweist, dadurch
gekennzeichnet, daß die Flächen an der
Ober- und Unterseite (4, 5) des quaderförmigen Körpers
(1), die zusammen mit den Stirnflächen der Quaderenden
(2, 3) und den Seitenflächen (19, 23) den quaderförmi
gen Körper begrenzen, mit die Metallisierungen (6, 7)
auf der Ober- und Unterseite (4, 5) des quaderförmigen
Körpers in jeweils zwei unterschiedlich große Teilflä
chen aufteilenden Unterbrechungen (10, 11) versehen
sind, und daß die Metallisierung (6 a) der kleineren
Teilfläche der Oberseite (4) und die Metallisierung (7 b)
der größeren Teilfläche der Unterseite (5) nur mit der
metallisierten Anschlußfläche (8) des einen Quaderendes
(2), und die Metallisierung (6 b) der größeren Teilflä
che der Oberseite (4) und die Metallisierung (7 a) der
kleineren Teilfläche der Unterseite (5) nur mit der me
tallisierten Anschlußfläche (9) des anderen Quaderendes
(3) elektrisch leitend verbunden sind.
2. Chip-Varistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die miteinander elektrisch lei
tend verbundenen Metallisierungen (6 a, 7 b; 6 b, 7 a) an
der jeweiligen gemeinsamen Kante des quaderförmigen
Körpers ineinander übergehen.
3. Chip-Varistor nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Unterbrechung (10, 11) der
Metallisierung (6, 7) auf der Oberseite (4) bzw. der
Unterseite (5) des quaderförmigen Körpers (1) durch
eine streifenförmige Aussparung gebildet ist.
4. Chip-Varistor nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die streifenförmige Aussparung
durch zwei parallele Ränder (12, 13) begrenzt ist, die
sich parallel zu den an die Anschlußflächen (8, 9)
grenzenden Rändern der Ober- und Unterseiten (4, 5) er
strecken.
5. Chip-Varistor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Oberfläche des Va
ristormaterials im Bereich der Unterbrechungen (10, 11)
der Metallisierung wenigstens eine sich über die ganze
Länge der streifenförmigen Aussparungen (10, 11) er
streckende Nut (14, 15) aufweist.
6. Chip-Varistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der quaderförmige
Körper (1) als Schichtkörper (16) ausgebildet ist, be
stehend aus parallel zu seinen Ober- und Unterseiten
verlaufenden, einander abwechselnden Schichten aus Va
ristormaterial (17) und elektrisch gut leitfähigem Ma
terial (18), wobei die elektrisch gut leitfähigen Mate
rialschichten abwechselnd mit den metallisierten An
schlußflächen des einen und des anderen Quaderendes (2 a,
3 a) elektrisch leitend verbunden sind.
7. Verfahren zur Herstellung des Chip-Varistors nach einem
der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß
- a) ein quaderförmiger Körper aus Varistormaterial her gestellt und seine Oberfläche vollständig metalli siert wird,
- b) in die einander gegenüberliegenden Ober- und Unter seiten des quaderförmigen Körpers wenigstens je ei ne die Metallisierung unterbrechende, sich in Rich tung seiner Längsachse erstreckende Aussparung ein gearbeitet wird,
- c) der quaderförmige Körper quer zu seiner Längsachse in einzelne Längenstücke zerschnitten wird, deren Ober- und Unterseiten in Richtung der ursprüngli chen Quaderlängsrichtung kürzer sind als in Rich tung der ursprünglichen Quaderquerrichtung.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843445698 DE3445698A1 (de) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung |
| EP85113401A EP0184645B1 (de) | 1984-12-14 | 1985-10-22 | Chip-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| AT85113401T ATE40765T1 (de) | 1984-12-14 | 1985-10-22 | Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843445698 DE3445698A1 (de) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3445698A1 DE3445698A1 (de) | 1986-06-26 |
| DE3445698C2 true DE3445698C2 (de) | 1991-01-03 |
Family
ID=6252820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19843445698 Granted DE3445698A1 (de) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0184645B1 (de) |
| AT (1) | ATE40765T1 (de) |
| DE (1) | DE3445698A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4029681A1 (de) * | 1990-09-19 | 1992-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3731966C3 (de) * | 1986-09-26 | 1995-02-09 | Gen Electric | Oberflächenmontierbarer Varistor |
| GB2242066B (en) * | 1990-03-16 | 1994-04-27 | Ecco Ltd | Varistor structures |
| GB2242068C (en) * | 1990-03-16 | 1996-01-24 | Ecco Ltd | Varistor manufacturing method and apparatus |
| US5973588A (en) | 1990-06-26 | 1999-10-26 | Ecco Limited | Multilayer varistor with pin receiving apertures |
| US6183685B1 (en) | 1990-06-26 | 2001-02-06 | Littlefuse Inc. | Varistor manufacturing method |
| DE102006033691A1 (de) * | 2006-07-20 | 2008-01-31 | Epcos Ag | Widerstandselement mit PTC-Eigenschaften und hoher elektrischer und thermischer Leitfähigkeit |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2777039A (en) * | 1954-06-29 | 1957-01-08 | Standard Coil Prod Co Inc | Resistor elements adapted for use in connection with printed circuits |
| DE1064127B (de) * | 1956-02-04 | 1959-08-27 | Blaupunkt Werke Gmbh | Verfahren zur Bestueckung von sogenannten gedruckten Schaltungen mit Schaltungselementen |
| AT237111B (de) * | 1961-12-27 | 1964-11-25 | Elettronica Metal Lux S P A | Verfahren zur Herstellung flacher, elektrischer Schaltelemente |
| DE2126340C3 (de) * | 1971-05-24 | 1973-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) | Mit Elektroden versehener Dick schichtwiderstand |
| US3768058A (en) * | 1971-07-22 | 1973-10-23 | Gen Electric | Metal oxide varistor with laterally spaced electrodes |
| JPS5823921B2 (ja) * | 1978-02-10 | 1983-05-18 | 日本電気株式会社 | 電圧非直線抵抗器 |
| DE3019969A1 (de) * | 1980-05-24 | 1981-12-03 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Spannungsabhaengiger widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
| ATE34482T1 (de) * | 1984-07-31 | 1988-06-15 | Siemens Bauelemente Ohg | Varistor in chip-bauweise zur verwendung in gedruckten schaltungen und verfahren zu seiner herstellung. |
-
1984
- 1984-12-14 DE DE19843445698 patent/DE3445698A1/de active Granted
-
1985
- 1985-10-22 EP EP85113401A patent/EP0184645B1/de not_active Expired
- 1985-10-22 AT AT85113401T patent/ATE40765T1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4029681A1 (de) * | 1990-09-19 | 1992-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3445698A1 (de) | 1986-06-26 |
| EP0184645B1 (de) | 1989-02-08 |
| EP0184645A2 (de) | 1986-06-18 |
| EP0184645A3 (en) | 1987-01-28 |
| ATE40765T1 (de) | 1989-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4008507C2 (de) | Laminiertes LC-Filter | |
| DE4021634C2 (de) | Rauschfilter | |
| DE3930000A1 (de) | Varistor in schichtbauweise | |
| DE2952441A1 (de) | Laminiertes elektronisches bauteil und verfahren zur herstellung solcher bauteile | |
| DE19912851A1 (de) | Monolithischer Varistor | |
| DE69823637T2 (de) | Laminat-Varistor | |
| EP0085980A1 (de) | Elektrischer Widerstand, der niederohmig ist und insbesondere zum Schutz eines elektrischen Verbrauchers gegen elektrische Überlastung dient | |
| DE3445698C2 (de) | ||
| EP1425762B1 (de) | Elektrisches vielschichtbauelement | |
| DE68908976T2 (de) | Festelektrolytkondensator, insbesondere aus Tantal, mit einer eingebauten Schmelzsicherung. | |
| DE102007013751B4 (de) | Tiefpassfilter und Tiefpassfilter-Anordnung | |
| DE19917861A1 (de) | Laminierte LC-Komponente | |
| DE102006030858A1 (de) | Überspannungsableiter | |
| DE3731967A1 (de) | Spannungsmultipliziervaristor | |
| DE1614858C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
| EP1391898B1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement | |
| DE6607301U (de) | Elektrisches filter | |
| DE1262465B (de) | Verzoegerungseinrichtung in Form einer Kunstleitung mit verteilten Induktivitaeten und Kapazitaeten | |
| DE2320482C3 (de) | Sperrschichtkondensator, Schaltungsanordnung von Sperrschichtkondensatoren und Verfahren zum Herstellen eines Sperrschichtkondensators | |
| DE10057084B4 (de) | Chip-Thermistoren und Verfahren zum Herstellen derselben | |
| DE4410753C2 (de) | Kondensator-Array | |
| DE2140071B2 (de) | Hochspannungs-halbleitergleichrichter | |
| DE3914624A1 (de) | Anordnung mit zumindest zwei funkenstrecken fuer die begrenzung von ueberspannungen | |
| DE2437312B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines abgeglichenen Schichtwiderstandes | |
| DE69009425T2 (de) | Festelektrolytkondensator, insbesondere aus Tantal, mit kontrollierbarer eingebauter Schmelzsicherung. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
| 8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
| D4 | Patent maintained restricted | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |