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DE3320660A1 - Verfahren zur herstellung von hochreinem silicium durch quarzreduktion im lichtbogenofen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von hochreinem silicium durch quarzreduktion im lichtbogenofen

Info

Publication number
DE3320660A1
DE3320660A1 DE19833320660 DE3320660A DE3320660A1 DE 3320660 A1 DE3320660 A1 DE 3320660A1 DE 19833320660 DE19833320660 DE 19833320660 DE 3320660 A DE3320660 A DE 3320660A DE 3320660 A1 DE3320660 A1 DE 3320660A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
quartz
briquettes
arc furnace
purity silicon
briquetted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19833320660
Other languages
English (en)
Inventor
Bernd 8000 München Baur
Wolfgang Dr.rer.nat. Dietze
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE19833320660 priority Critical patent/DE3320660A1/de
Publication of DE3320660A1 publication Critical patent/DE3320660A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium durch
  • Quarzreduktion im Lichtboqenofen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium durch Quarzreduktion im Lichtbogenofen unter Verwendung von brikettierten, kohlenstoff-und/oder quarzhaltigen Materialien, denen ein Bindemittel zugesetzt ist.
  • In der DE-OS 30 13 319 ist ein Verfahren zum Herstellen von für Solarzellen geeiqnetem Silicium durch Reduzieren von Siliciumdioxid durch ein kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel in einem Hochtemperaturschmelzofen beschrieben. Als kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel wird dabei aktivierter Kohlenstoff oder Ruß in Form von Tabletten oder Briketts verwendet, die als ein hochgereinigtes Bindemittel Stärke, Zucker, Polyvinylalkohol, Cellulose und/oder Mischungen davon enthalten.
  • Es hat sich nämlich gezeigt, daß die Herstellung von Reinstsilicium durch Quarzreduktion im Lichtbogenofen möglichst reine Ausgangsprodukte in stückiger Form, also beispielsweise Briketts, erfordert, damit das Reaktionsprodukt CO entweichen kann und die Reaktion unter Siliciumbildung ungestört abzulaufen vermag. Reinster Naturquarz ist in stückiger Form erhältlich, so daß hierfür keine Brikettierung erforderlich ist. Dies gilt aber nicht für reine synthetische Quarz- und/oder Kohleprodukte, also beispielsweise für Ruß und Petrolkoks. Insbesondere diese Materialien müssen also brikettiert werden, wozu ein geeignetes, sehr reines und preiswertes Bindemittel benötigt wird.
  • Die bereits oben erwähnten Bindemittel haben sich für die Praxis als wenig geeignet erwiesen. So hat Zucker beispielsweise ungenügende Bindeeigenschaften, während Stärke keine ausreichende Reinheit besitzt.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, für ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium durch Quarzreduktion im Lichtbogenofen unter Verwendung von brikettierten, kohlenstoff- und/oder quarzhaltigen Materialien ein Bindemittel anzugeben, das sich durch hohe Reinheit un-d gute Bindeeigenschaften auszeichnet.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Bindemittel aus Alkylcellulose oder Methylcellulose besteht.
  • Alkylcellulose und Methylcellulose haben sich als äußerst reine Bindemittel erwiesen, die gleichzeitig auch sehr preiswert sind. So kann Methylcellulose in wäßriger Suspension bzw. Lösung eingesetzt werden, um so Petrolkoks oder Ruß und Siliciumdioxidpulver zu brikettieren. Durch Ausheizen bei etwa 200 0C entstehen so stabile, für die Siliciumherstellunq im Lichtbogenofen geeignete Briketts.
  • Diese Briketts können ihrerseits stöchiometrisch zusammenqesetzt sein, d. h., sie können etwa 24 Teile Kohlenstoff (c) und 60 Teile Quarz (SiO,) enthalten. Bevorzugt wird aber ein starker Quarz-Unterschuß, also beispielsweise ein Teil Kohlenstoff und ein Teil Quarz, wobei dann die stöchiometrische Gesamtzusammensetzung durch zusätzliche Quarzstücke oder Quarzbriketts erreicht werden kann.
  • Der Bindemittelanteil in den Briketts sollte 4 bis 10 Gew.-% und vorzugsweise 7,5 Gew.-% Methylcellulose betragen, wobei noch 6 bis 20 Gew.-% und vorzugsweise 12 Cew.-% Wasser zugesetzt sind, das sich- beim Trocknen der Briketts verflüchtigt.
  • 5 Patentansprüche

Claims (5)

  1. Patentansprüche 9 Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium durch Quarzreduktion im Lichtbogenofen unter Verwendung von brikettierten, kohlenstoff- und/oder quarzhaltigen Materialien, denen ein Bindemittel zugesetzt ist, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Bindemittel Alkylcellulose oder Methylcellulose verwendet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die brikettierten Materialien Petrolkoks oder Ruß und Siliciumdioxidpulver enthalten.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die brikettierten Materialien bei etwa 200 0C in stabile Briketts ausgeheizt werden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Briketts einen Unterschuß an Quarz enthalten.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Bindemittelanteil in den Briketts 4 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 7,5 Gew.-% Methylcellulose beträgt, und daß außerdem 6 bis 20 Gew.-%, vorzugsweise 12 Gew.-% Wasser zugesetzt sind, das sich beim Trocknen der Briketts verflüchtigt.
DE19833320660 1983-06-08 1983-06-08 Verfahren zur herstellung von hochreinem silicium durch quarzreduktion im lichtbogenofen Withdrawn DE3320660A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001025496A1 (en) * 1999-10-01 2001-04-12 Elkem Asa Carbon-containing agglomerates
EP1051796B1 (de) * 1998-01-28 2004-03-31 Verdichter OE. GesmbH Hermetisch gekapselter verdichter

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EP1051796B1 (de) * 1998-01-28 2004-03-31 Verdichter OE. GesmbH Hermetisch gekapselter verdichter
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