DE3319090A1

DE3319090A1 - Vergleicherschaltung

Info

Publication number: DE3319090A1
Application number: DE19833319090
Authority: DE
Inventors: David Jon San Jose Calif. Harris
Original assignee: Raytheon Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1982-05-26
Filing date: 1983-05-26
Publication date: 1983-12-01
Also published as: US4506176A; GB8313800D0; GB2121255A; JPS58213521A; JPH0452654B2; GB2121255B

Description

pat·..;:;, i-iv.-j.T5

-—■--' München, den 26. Mai 1983 /J

Anwaltsaktenz. .· 27 - Pat. 340

Raytheon Company, 141 Spring Street, Lexington,. Mcrs. Π2173 Vereinigte Staaten von Amerika

Vergleicherschaltung

Die Erfindung betrifft allgemein Vergleicherschaltungen und insbesondere Schaltungen dieser Art mit einem hohen Verstärkungsgevrinn, we-lche rasch und präzise ein differentio] les Eingangssignal in ein logisches Signal umformen. ·

Bekanntermaßen haben Vergleicherschaltungen einen großen Bereich von Anwendungsfällen, bei denen beispielsweise ein Spannungspegel- eines Eingangssignales mit einer Bezugsspannung verglichen wird und ein logisches Signal am Ausgang der Vergleicherschaltung abgegeben werden soll. Der logische Zustand des logischen Signales hängt dann davon ab_f ob der Spannungspegel des Eingangssignales größer oder kleiner als der Pegel der Bezugsspannung ist.

Weiter ist es bekannt, daß bestimmte Arten von Vergleicherschaltungen eine Eingangsstufe aufweisen, die über eine zwischengeschaltete Stufe und eine Schaltung zur Umwandlung des Signalpe.gels mit einer Ausgangsstufe gekoppelt ist. Eine solche Vergleicherschaltung ist in der Veröffentlichung "A Fast, Latching Comparator for 12-bit A/D Applications" von George Erdi> IEEE Journal of Solid State Circuits, Band SC-15, Nr. 6, Dezember 1980, beschrieben. In einer derartigen Vergleicherschaltung enthält die Aus-·

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ein Paar von emitterseit ig zusamrr.engeschalteten Transistoren, deren Basiselektrode:, mit dem Ausgang · einer zweiten Verstärkerstufe gekoppelt sind, während die Kollektorelektroden mit einem Paar von in Kaskade geschalteten, basissei-tig zusammengeschalteten. Transistoren verbunden sind. Die Kollektorelektrode eines der beiden in Kaskade geschalteten Transistoren ist mit ctr Basis eines Ausgangstransistors über einen Eniitterfolqetransistor gekoppelt. Die Basiselektrode des Ausgangstransistors ist mit dessen geerdetem Emitter über einen Widerstand verbunden, der einen passiven Entladungsweg für die Ladung der Basis bildet, wenn der genannte Ausgangstransistor in den nichtleitenden Zustand getrieben wird. Die Parallelschaltung des Widerstandes der 3asis-/Eroitterstrecke des Ausgangstransistors und des Entladunqswiderstandes, welcher an die Basis des Ausgangstransistors angeschlossen ist, vermindert den Versterkungsgewinn,. der durch den Emitterfolgetransistor zun. Ausqangstransistor gegeben ist. Die Kollektorelektrode des jeweils anderen der beiden in Kaskade geschalteten Transistoren ist über einen Widerstand mit einer Spannungsquelle und außerdem mit der Basiselektrode eines.pull-up-Transistors verbunden, dessen Emitter und Kollektor wiederum zwischen die Spannungsquelle und den Kollektor des Ausgangstransistors geschaltet sind. Der Widerstand im Basiskreis des pull-up-Transistors verlängert die Zeit, welche erforderlich ist, um den Ausgangstran.sistor in den Leitungszustand zu treiben, nachdem eine verhältnismäßig lange Zeitkonstante durch den genannten Widerstand und die innere Kapazität an der Basiselektrode des pull-up-Transistors vorgegeben ist. Während also ein derartiger bekannter Vergleich/ in bestimmten Anwendungsfällen eingesetzt werden kann, ergibt sich, daß der verhältnismäßig große Widerstand im Basiskreis des pull-up-Transistors und der passive Widerstand in dem passiven Basis-Entladungsstrompfad des Ausgangstransistors den Verstärkungsgewinn vermindern und die Umwandlungsgeschwindigkeit der Vergleicherschaltung herabsetzen.

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In einer anderen Vergleicherschaltung, welche auf den Seiten 2 bis 27 der Veröffentlichung "Advanced Micro Devices Linear and Interface Data Book", Advanced Micro Devices, Inc., 1979, beschrieben ist, ist die Basiselektrode des Ausgangstransistors der Ausgangsstufe mit dem Kollektor eines von zwei emitterseitig zusarriinengeschalteten Differentialtransistoren verbunden, v^elche den Eingang far die Ausgangsstufe hilden. In einer .it-r^- artigen Schaltung wird der Basisentladungsweg für dpp. Ausgsnastransistor über einen verhältnismäßig großen Widerstand im Kollektorkreis eines der Transistoren des soeben genannten Differential-Transistorpaares geführt, wodurch die Umwandlungsgeschwindigkeit dieser Vergleicherschaltung ebenfalls vermindert wird. Weiter ist der Hochfrequenz-Verstärkungsgewinn, den die emitterseitig zusammengeschalteten Differentialtransistoren bevirken, wegen des Miller-Kapazitätseffektes zwischen der Basiselektrode und der Kollektorelektrode dieser Transistoren beschränkt, wodurch ebenfalls die Umwandlungsgeschwindigkeit der Vergleicherschaltung eingeschränkt wird.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, eine Vergleicherschaltung in solcher Weise auszubilden, daß sie eine niedrige Zeitkonstante aufweist und insbesondere ein differentielles Eingangssignal rasch und präzise in ein logisches Ausgangssignal umsetzen kann.

Diese Aufgabe wird durch die im anliegenden Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Eine Vergleicherschaltung der vorliegend angegebenen Art enthält einen Ausgangstransistor, auf ein Eingangssignal ?n£sprechende differentielle Verstärkermittel zur Erzeugung einer Spannung zwischen der Basis und entweder der Kollektorelektrode oder der Emitterelektrode des Ausgangstransistors, wobei diese Spannung den Ausgangstransistor je nach Eigenschaft des Eingangssignals in den Leitungszustand oder in den nichtleitenden Zustand treibt, ferner eine Stromquelle und Schalt-

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mittel, · welche in Abhängigkeit von eiern Eingangssignal betätigt werden und mit der Stromquelle■verbunden sind, um die Stromquelle mit der Basiselektrode des Ausgangstransistors zu verbinden, wenn der Ausgangstransistor von dem leitenden Zustand in den nichtleitenden Zustand getrieben wird und ur andererseits die Stromquelle von .der Basiselektrode des Ausgangstransistors dar.n elektrisch abzutrennen, wenn der Ausgangstransistor von dem nichtleitenden Zustand in den Le itunqszustend getrieben vird.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist ein zweiter Transistor als pull-up-Transistor in Serie zwischen eine Spannungsquelle und die Kollektor-Emitter-Strecke des Ausgangstransistors geschaltet. Ein Widerstand ist zwischen -eia eine Spannungsquelle und die Basiselektrode des pull-up-Transistors gelegt. Die erwähnten Schaltmittel enthalten Einrichtungen zur Kopplung.der Stromquelle mit dem Widerstand dann, wenn der Ausgangstransistor von dem nichtleitenden Zustand in den Leitungszustand getrieben werden soll. .

In weiterer Ausgestaltung enthält der Differentialverstärker der Vergleicherschaltung ein Paar von mit der Basis zusammengeschalteten Transistoren, deren Rollektorelektroden über ein Paar jeweils den Kollektoren zugeordneter Widerstände mit einer Spannungsquelle verbunden sind. Ein erster der '-"iderstände liefert eine zum Strom durch diesen Widerstand proportionale Spannung, welche an die Basiselektrode des Ausgangstransistors über einen Emitterfolgetransistor geführt wird. Der zweite der genannten Widerstände ist derjenige V?iderstand, welcher zwischen die Spannungsquelle und die Basiselektrode des pull-up-Transistors geschaltet ist. Dieser zweite Widerstand liefert eine Spannung proportional zu dem durch ihn fließenden Strom, die an die Basiselektrode des pull-up-Transistors gelegt wird. Eine zweite Stromquelle ist an das Transistorpaar angeschlossen. In Abhängigkeit von einem Eingangssignal, welches den Ausgangstransi-

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stör von dem nichtleitenden Zustand in den Leitungszustand stellt, trennen die erwähnten Schaltmittel die erste Stromquelle von der Basiselektrode des Ausgangstransistors ab und verbinden die erste Stromquelle mit dem zweiten Transistor, während Strom von der zweiten Stromquelle auch durch den zweiten Widerstand fließt, um an dem zweiten Widerstand einr· Vorspannung für den pull-up-Transistor zu bilden. Nachdem der durch der. zweiten Widerstand fließende, zur Vorspannungserzeugung _ dienende Strom-verhältnismäßig groß ist, da er sich aus dem Strom der erstgenannten und der zweiten Stromquelle zusammensetzt, kann der Wert des zweiten Widerstandes verhältnismäßig klein gewählt werden, um die erforderliche Vorspannung für den pull-up-Transistor erzeugen zu können, so daß die Zeitkonstante, die aus dem zweiten Widerstand und der inneren Kapazität des pull-up-Transistors- resultiert, sich vermindert.

Im übrigen sind zweckmäßige Ausgestaltungen und Weiterbildungen Gegenstand der anliegenden, dem Anspruch 1 nachgeordneten Ansprüche·, deren Inhalt hierdurch ausdrücklich zum Bestandteil der Beschreibung gemacht wird, ohne an dieser Stelle den Wortlaut zu wiederholen.

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung näher erläutert. Es stellen dar:

Fig. 1 ein schematisches Schaltbild einer Vergleicherschaltung der vorliegend angegebenen Art und

Fig. 2 ein Ersatzschaltbild einer Verstärkerstufe, wie sie in der Vergleicherschaltung nach Figur 1 Verwendung findet.

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.3.

In Figur 1 ist eine mehrstufige Vergleicherschaltung 10 dargestellt, welche eine Eingangsstufe 12 mit einem Paar von Eingangsanschlüssen 14 und 16 sowie einem Paar von Ausgangsanschlüssen 18 und 20 aufweist. Der Ausgang der Eingangsstufe 12 ist mit dem Eingang einer zweiten Stufe 22 verbunden, wie aus Figur 1 ersichtlich ist. Vorspannungen werden der Eingangsstufe 12 und der zweiten Stufe 22 durch eine Vorspannungsschaltüng 24 geliefert. Der Ausgang der zweiten Stufe hat die Gestalt eines Paares von Ausgangsklemmen 26 und 28, die mit einer Schaltung 30 zur Verschiebung des Spannungspegels verbunden sind. Die Eingangsstufe 12 und die zweite Stufe 22 erzeugen also einen bestimmten Verstärkungsgewinn an einem Signal, welches den Eingangsahschlüssen 14 und 16 aufgeprägt wird. Im vorliegenden Falle verwirklicht die Eingangsstufe 12 einen Verstärkungsfaktor von 20 und die zweite Stufe 22 verwirklicht einen Verstärkungsfaktor von 25, wodurch das Eingangssignal um den Faktor 500 verstärkt wird. Dieses verstärkte Signal erscheint ah den Ausgangsanschlüssen 26 und 28 der zweiten Stufe 22. Es sei jedoch.bemerkt, daß sich der Gleichspannungspegel des verstärkten Signales in Richtung auf die Speisespannung *V_CC von vorliegend fünf Volt verschoben hat. Aus diesem Grunde ist die Schaltung zur Verschiebung des Spannungspegels vorgesehen, um den Gleichspannungspegel des an den Ausgangsanschlüssen 26 und 28 auftretenden verstärkten Signales in negativer Richtung

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zu verschieben. Das in seinem Pegel verschobene Signal erscheint an den Ausgangsanschlüssen 32 und 34 der Schaltung zur Verschiebung des Spannungspegels und wird einem Paar von Eingangsanschlüssen 36 und 38 einer Ausgangs.stufe 40 in der gezeigten Weise aufgeprägt. Die Ausgangsstufe 40 enthält einen Ausgangstransistor 0_Οπτ (vorliegend ein Schottky-Transistor), welcher in Abhängigkeit von dem Signal, das den beiden Eingangsanschlüssen 36 und 38 zugeführt wird, entweder in den Leitungszustand oder den nichtleitenden Zustand getrieben wird. Im einzelnen ist festzustellen, daß dann, wenn die Spannung am Eingangsanschluß 14 stärker positiv ist als die Spannung am Eingangsanschluß· 16, der Ausgangstransistor Qqut in den nichtleitenden Zustand getrieben wird und ein Signal entsprechend einer logischen 1 am Ausgang 31 der Vergleicherschaltung 10 auftritt, während dann, wenn die Spannung am Eingangsanschluß 16 stärker positiv ist als die Spannung am Eingangsanschluß 14, der Transistor Qqut ^ⁿ ^^en Leitungszustand gestellt wird und ein niedriger Signalwert oder ein Signal entsprechend einer logischen 0 am Ausgangsanschluß 31 der Vergieicherschaltung 10 erscheint. Die Ausgangsstufe 40 enthält auch eine Stromquelle 42 und einen Schalter 44, welcher, wie aus Figur 1 ersichtlich ist, mit der Stromquelle 42 verbunden ist. In Abhängigkeit von dem den Eingangsanschlüssen 36 und 38 zugeführten Signal stellt der Schalter 44 eine elektrische Verbindung der Stromquelle 42 mit der Basiselektrode des Ausgangstransistors Qqut ^ner» wenn dieser Ausgangstransistor von dem Leitungszustand in den nichtleitenden Zustand getrieben wird, um eine aktive Stromableitung zur Entfernung einer Basisladung von dem Ausgangstransistor zu bewirken, wenn der Ausgangstransistor abgeschaltet wird.

Betrachtet man nun mehr ins einzelne gehend die Eingangs- ■ stufe 12, so ist'festzustellen, daß diese ein Paar emitterseitig zusammengeschalteter Transistoren Q·^ und Q2 aufweist, deren Basiselektroden mit den Eingangsanschlüssen 14 bzw. 16 verbunden sind, wie aus Figur 1 hervorgeht und deren Emitter-

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elektroden über eine Stromquelle 50, vorliegend eine 2,25 mA-Stromquelle, mit einer Speisespannung -V_EE verbunden sind, wobei diese Speisespannung vorliegend -.5 bis -15 Volt beträgt. Die Kollektorelektroden der Transistoren Q₁ und Q₂ sind an die Emitterelektroden einer Kaskadenschaltung von zwei Transistoren Q₃ und Q^ angeschlossen, weichletztere mit ihrer Basis :-j?"!r,enjeschaltet sind. Schottky-Dioden S₁ und S₂ sind gegeneinander qepolt zwischen die Kollektorelektroden der Transistoren Q₃ und Q₄ geschaltet, wie aos Figur 1 hervorgeht, um ein Spannungsausschwingen zwischen den Kollektorelektroden der Transistoren Q₃ und Q₄ zu begrenzen. Die Basiselektroden der Transistoren Q₃ und Q₄ sind an die Speisespannung von +V_cc Volt über die Vorspannungsschaltung 24 angeschlossen. Die Kollektorelektroden der Transistoren Q₃ und Q₄ stehen mit einem Paar von Widerständen R₁ und R₂ an den Ausgangsanschlüssen bzw. 20 in der dargestellten Weise in Verbindung. Die Widerstände' R₁ und R₂ sind an dem Anschluß 21 miteinander verbunden, der über die Vorspannungsschaltung 24 Verbindung mit der +V^-Speisespannung hat.

Das verstärkte Signal an den Ausgängsanschlüssen 18 und 20 wird in die zweite Stufe 22 eingegeben. Die zweite Stufe 22 enthält ein Paar von emitterseitig zusammengeschlossenen Transistoren Q₅ und Qg, deren Basiselektroden mit den Ausgangsanschlüssen 18 bzw.. 20 der Eingangsstufe Verbindung haben. Die Emitterelektroden sind über eine Stromquelle 52, vorliegend eine 2,0 mA-Stromquelle, an die -Vgg-Speisespannung angeschlossen. Ein Paar von in Kaskade gescnl^yteten, mit ihrer Basis jeweils verbundenen Transistoren Q^ und Qg ist an die Kollektorelektroden der Transistoren Q₅ und Qg in der dargestellten Weise angeschlossen, wobei die Basiselektroden der Transistoren Q^ und Qg außerdem mit der Vorspannungsschaltung 24 verbunden sind. Schottky-Dioden S₃ und S₄ sind gegeneinander gepolt zwischen die Kollektorelektroden der Transistoren Q^ und Qg gelegt, um das Spannungsausschwingen zwischen den Kollektorelektroden zu begrenzen. Die KoI-

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lektorelektroden der Transistoren Q₇ und Qg haben außerdem Verbindung mit den Ausgangsanschlüssen 26 bzw. 28, sowie über die Widerstände R3 bzw; R^ mit der Speisespannung +V_cc.

Die Vorspannungsschaltung 24 ist so ausgebildet, daß sie eine Spannung an die Basiselektroden der Transistoren Q₇ und O_R liefert, welche der Speisespannung ·*·ν_cc so nahe wie r.öglich kommt, ohne die Transistoren Q₇ und O^ in die Sättigung zu bringen. Die Spannung wird an.die Basiselektroden der Transistoren Q₇ und Qg über die Serienschaltung eines Widerstandes R_a und einer Schottky-Diode S^. in Parallelschaltung, mit einem Widerstand Rj₃ geliefert.* Die Basiselektroden der Transistoren Q₇ und Qg sind an die Anode der Schottky-Diode Sg gelegt, deren Kathode über eine Stromquelle 57 mit der Speisespannung -V_EE und außerdem mit der Basis eines Transistors Q_a Verbindung hat, wie aus Figur 1 ohne weiteres.erkennbar ist. Der Kollektor des Transistors Q_a ist an die Speisespannung +V_cc angeschlossen und der Emitter des geanntea Transistors steht ' mit den Basiselektroden der Transistoren Qg und o.^ sowie· über eine Stromquelle 59 mit der Speisespannung -V_EE in Verbindung. Um eine Sättigung der Transistoren Q₇ und Qg zu verhindern, . wird an den Basiselektroden dieser Transistoren eine Spannung in solcher Weise erzeugt, daß die- Kollektörelektrode jedes der Transistoren Qg und Qg nicht mehr als V_ßE/2 Volt unter der (d.h. stärker negativ als die) Spannung an der Basiselektrode der Transistoren ist, wobei V_ßE den Spannungsabfall am Basis-/Emitterübergang von vorliegend 0,7 Volt bezeichnet. Das bedeutet, daß zur Vermeidung einer Sättigung der Basis-/ Kollektorübergang der Transistoren Q₈ und Q₉ daran gehindert wird, in Vorwärtsrichtung vorgespannt zu werden.

Zur Verbesserung des Verständnisses der Vorspannungsschaltung 24 sei zunächst Figur 2 näher betrachtet, welche ein : Ersatzschaltbild der zweiten Stufe 22 wiedergibt, wenn einer der Transistoren Q₇ und Q₈ (vorliegend der Transistor Q₈ und damit der Transistor Qg) im wesentlichen den gesagten Strom

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leitet, der durch die Stromquelle 52 bereitgestellt wird. Kie aus Figur 2 zu erkennen ist, ist die Stromquelle 52 mit der Speisespannung bzw. der Spannungsquell^ ⁺V_CC über eine Parallelschaltung 53 gekoppelt, welche in einem Schaltungszweig den Widerstand R₄ und in dem anderen S~haltun.gszweig den Widerstand R₃ in Serienschaltung mit der' Schottky-Diode S₄ aufweist. Wenn also der Transistor Qg leitet, so ist die Spannung an der Anode der Schottky-Diode S₄ und dairit an der Kollektorelektrode des Transistors Qp, gegeben durch V - V_D, vorin Vp = (I^2^R3~^vs4^^R4^//^^R3^+R4^ * ^VS4 ^-^{£t der} Spannungsabfall an der Schottky-Diode S₄ und I-2 ist der Strom, welcher durch die ■■Stromquelle 52 geliefert wird. Es sei nun wieder Figur 1 betrachtet. Eine Parallelschaltung 53' liegt zwischen der Speisespannung +V_cc und den Basiselektroden der Transistoren Q^ und Q_&. Die Parallelschaltung 53' enthält den Widerstand Rk, der zwischen der.Speisespannung +V _c und den Basiselektroden der Transistoren Q^ und Oo zu der Serienschaltung aus dem Widerstand R_a und der Schottky-Diode S^ parallelli.egt. Es sei bemerkt, daß'.die Parallelschaltung 53' mit der Speisespannung -V_EE über die Schottky-Diode Sg und die Stromquelle.57 Verbindung hat. Vorliegend ist der von der Stromquelle 57 gelie-' ferte Strom mit I57 zu bezeichnen. Weiter sind die Stromquellen 52 und 57 auf ein und demselben Halbleiterkörper gebildet und in herkömmlicher Weise, sowohl thermisch als auch herstel- j iungsmäßig aufeinander abgestimmt. Weiterhin beträgt der Strom Ic-j ein Viertel von dem Strom 152· Das bedeutet, daß vorliegend I5-, Π, 5 mA beträgt. Hier sind die Widerstands- ; werte der Widerstände R_a und R_b jeweils gleich das Vierfache der Widerstandswerte der Widerstande R₃ und R₄, so daß gil.t;R_a = R_b = 4R₃ = .4R₄. Die Fläche der Schottky-Diode S₅ . ist ein Viertel der Fläche jeder der. Schottky-Dioden So und S₄, so daß V_S3 = V₅₄ = Vgg. Weiter ist darauf hinzuweisen, daß sämtliche Widerstände R_a, R^, R₃ und R₄ sowie die Dioden S₃, S₄ und S.5 sämtlich auf demselben Halbleiterchip gefertigt sind und daher auch thermisch aneinander angepaßt sind. Es folgt somit, daß die Vorspannung an der Anode der Schottky-

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Diode S₅ und damit an der Basis der Transistoren O₇ und Qg, sich mit V _C-V_D' angeben läßt, worin V ' dem Ausdruck ( Ic₁R₃-VcC )R_h/(R_+Ru.) gleich ist und worin wiederum V_Cr der Spannungsabfall an der Schottky-Diode S₅ ist. Nachdem Ir^ = (I₅₂/4) und R_a = R_b = 4R₃ = 4R₄ und V₅₄ = Vg₅, folgt, daß V ' = Vp. Da nun die Parallelschaltung 53.' so aufgebaut und ausgebildet ist, daß sie eine Vorspannung an den Basiselektroden der Transistoren Q₇ und Q^ erzeugt, welche im wesentlichen gleich, der Spannung an der. Anode der jeweils leitenden der Schott'ky-Dioden S₃ und S₄ ist (d. h. gleich der Spannung an der Kollektorelektrode des jeweils leitenden der Transistoren Qj und Qg) f werden die Transistoren Q₇ und Qg daran gehindert, in den Sättigungszustand.zu gehen. Änderungen in den Charakteristiken der Widerstände Rg und R₄ und der Dioden S3 und S₄ aufgrund von Änderungen bei der Herstellung sind in Übereinstimmung mit den Verhältnissen bei den Widerständen R_a, R_b und der Diode S₅.gebracht, so daß die Spannungsänderungen, welche zwischen der Speisespannung ⁺V_C(; und den Kollektoren der Transistoren Q₇ und Qo aufgrund von Änderungen der Charakteristiken der Widerstände R₃, R₄ und der Dioden S₃ und S₄ erzeugt werden, eine Kompensation aufgrund entsprechender Änderungen der Charakteristiken der Widerstände R_Q und R_b sowie der Diode S₅ erfahren. Dies hat zum Ergebnis, daß die Vorspannung an der Basis der Transistoren Q₇ und Og relativ zur Spannung der Kollektorelektrode des leitenden der Transistoren Q₇ und Qg unabhängig von Änderungen der Charakteristiken der Widerstände R₃, R₄ und der Schottky-Dioden S₃ und S₄ konstant bleibt. Anders ausgedrückt bedeutet dies, daß die Parallelschaltung 53' (Figur 1) die äquivalente Parallelschaltung 53 (Figur 2). des Paares von Transistoren Q₇ und Og nachbildet, wenn einer der beiden Transistoren sich vollständig im Leitungszustand befindet, so daß die Vorspannung an den Basiselektroden der Transistoren Q₇ und Qg im wesentlichen gleich der Vorspannung an der Kollektorelektrode des jeweils leitenden der Transistoren Q₇ und Q₈ unabhängig von herstellungsbedingten Änderungen bei der Erzeugung der Wider-

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stände R-j und R^ sowie der Dioden S3 und S^ ist. Auf diese Weise wird verhindert, daß der Kollektor-/Basisübergang dieser Transistoren in Vorwärtsrichtung vorgespannt wird und die Transistoren Q₇ und O₀ werden auf ^iese Weise an der Sättigung gehindert, auch wenn, die genannten herstellungsbedingten Minderungen ' auf treten . I in Hinbl ic': a'.ii Verstehendes wird nie Vorspannung an den Basiselektroden der Transistoren O-, uno ^g soweit, wie möglich der Spannung- +V_cc angenähert, ohne daß eine Sättigung der Transistoren Q-, und Qg zugelassen wird, so daß der dynamische Betriebsbereich oder der allgemeine Betriebsmodus der Stufe maximal wird, da eine präzise Vorspannungsschaltung 53' innerhalb der Schaltung 24 zwischen der Speisespannung +V_cc und den Basiselektroden der Transistoren Q₇ und On liegt.

Während die Parallelschaltung 53" dazu dient_r eine .Sättigung der Transistoren O7 und Qq zu verhindern, haben die Dioden Di und Sg die Aufgabe, die Sättigung der Transistoren Oj- und Qg zu verhindern. Da also die Emitterelektrode des ieweils leitenden der Transistoren Q₇ und Og (und damit die Kollektorelektrode des jeweils leitenden- der Transistoren Q^ und Q₆) um ein V_ßE tiefer als die zugehörige- Basiselektrode ist, ist es notwendig, die Vorspannung an der Basiselektrode der Transistoren Qr und Qg auf (V_CC-V_D'-7_B~) zu begrenzen, um die Sättigung zu verhindern. Es sei der Fall.beträchtet, daß einer der Transistoren Q-^ und Q^ sich im Leitungszustand befindet. Beispielsweise sei angenommen, daß der Transistor Q₄ leitet. Der Strom fließt somit durch die Diode D-^, die Schottky-Diode Sg, den Widerstand' R2 und auch durch den-Widerstand R, sowie die in Serie dazu geschaltete Schottky-Diode S2 · Der Widerstandswert des Widerstandes R^ ist so qewählt, daß der Spannungsabfall an .dem Widerstand R₁ gleich dem Spannungsabfall an dem Widerstand R_a der Parallelschaltung 53' ist und der Spannungsabfall an der Schottky-Diode Sg gleich groß ist wie der Spannungsabfall an der Schottky-Diode S₅. Um weiter einen zusätzlichen V_ßE-Spannungsabfall

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Z'."-schon dor Kollektorelektrode des Transistors O5 und dessen Basiselektrode vorzusehen, um ein*= Anpassung an den Spannungsabfall zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q₇ (oder des Transistors Qg) zu erzielen, ist die Diode D-^ vorgesehen. Das bedeutet, daß der Spannungsabfall an dem Basis-/Emitterübergang des Transistors Q₇ durch die Diode D₁ verfolgt wird, was zum Ergebnis hat,·daß die Spannung an der Basiselektrode des Transistors Q₅ um ein V_RE tiefer als die Vorspannung an der Basiselektrode des Transistors Q₇ ist undfolglich ist die Vorspannung an der Basiselektrode des Transistors Q5 (oder des Transistors Qg) gleich dem Ausdruck (V*_cc-V '-V_BE) , d. h. gleich der Spannung am Kollektor des Transistors Q^, wodurch der Transistor Q₅ an der Sättigung gehindert wird. In entsprechender Weise wird der Transistor Qg dadurch an der Sättigung gehindert, daß der Widerstand R₂ gleich dem Widerstand R ^ gewählt wird und der Spannungsabfall an der Diode S₁ gleich dem Spannungsabfall an der Diode S₀ aemacht ist.

Die Diode Sg und der p-n-übergang des Transistors 0 haben die Aufgabe, die'Sättigung .der Transistoren Q₃ und Q₄ zu verhindern. Demgemäß wird der Gesamtspannungsabfall a.n der Schottky-Diode Sg und dem p-n-Übergang des Transistors Q_a gleich dem Gesaratspannungsabfall an der Diode D-^ und der Schottky-Diode Sg gemacht, was bewirkt, daß die Vorspannung an den Basiselektroden.der Transistoren Q₃ und O₄ gleich groß wie oder etwas negativer als die Vorspannung an dem Kollektor des jeweils leitenden der Transistoren Q₃ Bzw. Q^ ist und die Sättigung.dieser Transistoren verhindert wird. Vorliegend ist die Spannung an dem Verbindungspunkt 21 um 1,2 Volt niedriger als die Speisespannung V_cc. Die Spannung zwischen den Basiselektroden·Q₇ und Q₈ und den Basiselektroden der Transistoren Q₃ und Q^ ist vorliegend 1,2 Volt. Die Spannung an der Basis der Transistoren Q₇ und Q₈ .ist (V_cc~ ' ' 0,9 Volt). ' . . ·■

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Die Schaltung 30 zur Verschiebung d-35 Spanriur.gspegels· verschiebt den Gleichspannungspegel des. an den Anschlüssen 26 und 28 dargebotenen Signales in negativer Richtung um vorliegend 7,0 Volt. Die Schaltung 30 zur Verschiebung des Spannungspegels enthält hierzu ein Paar von Transistoren Oq und "10' deren Basiselektroden jeweils mit cen Anschlüssen 26 unö ?B in der dargestellten Weise verbunden sind unri deren Kollektorelektroden an der Speisespannung ⁺V_CC liegen, wie aus Figur 1 erkennbar ist. Die Emitterelektroden der Transistoren Qg und Q-^g sind mit den Emitterelektroden von Transistoren Qq und Q₁₀ jeweils zusammengeschaltet, wie ebenfalls aus Figur 1 hervorgeht. Die Kollektorelektroden der Transistoren Qq und Q₁O sind miteinander verbunden und an die Speisespannung ⁺V_CC gelegt. Die Basiselektroden der Transistoren Q-q und Qi2 sind rat Ausgangsanschlüssen 32 bzw. 34 verbunden. Die Ausgangsanschlüsse 32 und 34 sind über eine Stromquelle 60 und über ein Paar von Widerständen R^ bzw. Rg in der dargestellten Weise an die Spannung -V_EE geleqt, wobei die Widerstände vorliegend 1,5 Kiloohm aufweisen. Die Transistoren Qq und 0-^ sind als Zenerdioden geschaltet und liefern einen konstanten, .vorbestimmten Spannungsabfall von vorliegend 6,3 Volt an ihren Emitter-/Basis-Übergängen. Berücksichtigt man einen 0,7-Volt-Spannungsabfall an dem Basis-/Emitterübergang der Transistoren Qg und Q^O' ^{so er}git^)t sich, daß der Gleichspannungs- ■ pegel des Signals an den Ausgangsahschlüssen 26 und 28 in negativer .Richtung um einen feststehenden Spännungsbetrag vor. 7,0 Volt verschoben wird. Es sei bemerkt, daß wegen des endlichen Widerstandes, der von den als Zenerdioden geschalteten Transistoren Qq und Q^ verwirklicht wird, ein Spannungsteilereffekt hervorgerufen wird, welcher auf den erwähnter Widerständen der Transistoren und auf den Widerständen R^ und Rg beruht, mit dem Ergebnis, daß.hier eine Art Verstärkungsfaktor von 0,85 durch-die Schaltung 30 zur Verschiebung des Spannunqspegels eingeführt wird. '

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Die Ausgangsstufe 40 en I:/"I It ein Paar von eraitterseitis zusammengeschalteten Transistoren Q-^ und Q14, deren Basiselektroden mit den Einqangsanschlüssen 36 bzw. 38 in Verbindung stehen. Die Emitterelektroden der Transistoren 0^3 und Q-^4 sind über, eine Stromquelle 70 von vorliegend 3 mA an die Speisespannung -Vg_r angeschlossen. Die Kollektorelektroden -ier Transistoren 0— and Q^ sind irit einem ^paar von in Kaskade geschalteten, basisseitig geerdeten Transistoren Q-^ und Ojg verbunden, wie aus Figur 1 erkennbar ist, Und haben außerdem Verbindung mit einem Schalter 44. Die Kollektorelektroden der Transistoren Q^ und Q.-^g sind über Anschlußpunkte ' 7 2 bzw. 7 4 mit einen Paar von Widerständen R7 und Rg verbunden. Die Widerstände FU und Rg wiederum haben über die .jeweilige Emitter-/Kollektorstrecke von Transistoren Q2Q bzw. Q2-) Verbindung mit der Speisespannung +V . Die Basiselektroden ier Transistoren Q20 ^un(3 Q21 sind an eine geeignete Vorspannungsschaltung 25 angeschlossen, welche der Ausgangsstufe zugeordnet ist und welche eine Stromquelle 76 ,· Widerstände R]₁^, · Ri 21 R-\2^r ^14' ^25' ^43.^sowi^e Transistoren Q22 ^un^ ^2^ ^enthält, welche in der aus der Zeichnung ersichtlichen Art und Weise geschaltet sind., so daß sie eine konstante Spannung von vorliegend 2,0 Volt an die Emitterelektrode des Transistors Q2Q sowie eine weitere konstante Spannung von vorliegend 3,4 Volt an die Emitterelektrode des Transistors ru^ abgeben können. Der Anschluß 72 ist mit der Basiselektrode des Emitterfolgetransistors Q₁^ verbunden, dessen Kollektorelektrode an die Speisespannung +V_cc gelegt ist, während die Emitterelektrode Verbindung zur Basiselektrode des Ausgangstransistors Qgrjm über den Widerstand Rg von vorliegend 300 Ohm sowie über den Schaltungspunkt 76 hat. Der Anschluß 74 ist mit der Basiselektrode eines pull-up-Transistors OVg verbunden, welcher mit seinem Kollektor an die Speisespannung +V__ gelegt ist, während der Emitter Verbindung zu dem KoI-

lektor des Transistors Qqut ^unc^ ^zu ^^ein Ausgangsanschluß 31 hat. Es ist ferner festzustellen, daß die Basiselektrode des Transistors Qqut ^{an e}i-^nen Emitter eines Emitterfolgetran-

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sistors Qg-7 über eine Schottky-Diode S-^q angeschlossen ist. Der Emitter 'des Transistors Qg^ ist über einen widerstand RiLQ außerdem in der dargestellten Weise geerdet. Die Basiselektrode des Transistors Qg₇ ist an die Vorspannungsschaltung 75 angeschlossen und der Kollektor c3es Transistors Qg₇ liegt an der Speisespannung +V ". Vorliegend erzeugt die Vorspa".:ijp.gsschaltung 75 eine feststehende ^cparmüng von 0,7 Volt am Emitter des Transistors

Der Schalter 44 enthält ein Paar erp.i tterseitig zusamrr.engeschalteter Transistoren Qgg ^unc3 ^69* ^D^^e B^asisel^e'^KtrOc3^{e de}s Transistors OgJ- ist an die Kollektorelektrode des Transistors. Q^₃. angeschlossen und die Basiselektrode des Transistors Qgg hat Verbindung sowohl zur Kollektorelektrode des Transistors (Vg als auch zur Kollektorelektrcde des Transistors ' Qi4· Die Kollektorelektrode des Transistors Qgg ist mit der Basiselektrode des Transistors Qqut ^über '-^en Schaltungspunkt 76 verbunden.und die Emitterelektroden der Transistoren Qgg und Qgg liegen über eine Stromquelle 42 an der Speisespannung -V_EE.

Für die Untersuchung des Verstärkungsverhaltens der Ausgangsstufe 40 für kleine Signale sei angenommen, daß die beiden Transistoren Q-.^ und Q-w sich in einem Zustand befinden, bei dem jeweils eine Hälfte des'von der Stromquelle 70.erzeugten Stromes I^ über die Kollektorelektrode des einen bzw. ..des· anderen Transistors Qt^ bzw. Q-^ fließt, d.h. jeder Kollektor übernimmt einen Strom von I-j_/2· Während also der Verstärkungsgewinn, v?elcher einer an den Eingangsanschlüssen 36 und 38 eingegebenen Spannung durch die emitterseitig zusammengeschalteten Transistoren 0-^ und Q-j^ mitgeteilt wird, annähernd Eins ist, kann der Verstärkungsfaktor, welcher durch den in Kaskade.geschalteten Transistor Q₁^ zwischen dem Eingangsanschluß 36 und dem Schaltungspunkt 72 hervorgerufen wird, folgendermaßen angeschrie ben werden:

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worin g_m^5 der Durchgriff des Transistors Qi,- ist und R7 den Widerstandswert des Widerstandes R^ bedeutet. In entsprechender .Weise kann der VerstHrkungsgewinn, der durch den in Kaskade geschalteten ^mransistor Q₁^ zwischen dem r. ehaltungsr.ur:¹·: t. 74 und iem Ξ ingar^sars Schluß 38 hervorgeru fen wird, folgendermaßen angeschrieben werden.

worin g_rig der Durchgriff des Transistors 0-,^ ist und R_p- den Viiderstar.dswert des Widerstandes Rn bedeutet. Weiter ist der VerstärTtungsgewinn, der durch den Transistor O,g zwischen öerr, Schaltungspunkt 76 und dem Anschluß 36 verursacht wird, folTendermaßen anzugeben·

worin g_mgg der Durchgriff des Transistors Qcg ist und Rg den Widerstand.swert des Widerstandes Rg bedeutet. . Nachdem der Gesamtverstärkungsgewinn der Ausgangsstufe sich als algebraische Summe der Verstärkungsgewinne darstellt, welche den zwischen der Basis.und dem Kollektor des Ausgangstransistors Qq„_t fließenden Signalen mitgeteilt -werden, läßt sich der Gesamtverstärkungsgewi'nn folgendermaßen anschreiben·

^gml5^R7 ⁺ 9_mi6^R8 ⁺ 9ml6^R9l /²

Da der Durchgriff oder die Steilheit eines Transistors durch. den Ausdruck (1/V₁) angegeben·werden kann, worin I der Emitterstrom des Transistors und V_T = KT/q, worin .wiederum ^T< die Boltzmann-Konstante, T die absolute Temperatur und q die Ladung eines Elektrons bedeuten, ergibt.sich, daß der Gesamtverstärkungsgewinn für kleine Signale folgendermaßen ausgedrückt werden kann:

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i_(I₁R₇/2V_T + (I₁ + I₂)R₈/2_T + (I₂R₉)/2V_T "I /2

wobei In der Strom ist, welcher durch die Stromquelle 42 er zeugt wird. Es sei bemerkt, daß die Stromquelle 42 den Verstärkungsgewinn für kleine Signale am folgenden Ausdruck erhöht:

Zur Untersuchung der Wirkungsweise der Schaltung 10 seien zunächst die Wirkungsweise der Eingangsstufe 12, der zweiten Stufe 22 und der Schaltung 30 zur Verschiebung des Spannungs pegels näher betrachtet. Wenn die Spannung am Eingangsanschluß 14 stärker positiv als die Soannung am Eingangsanschluß 16 ist, so leitet der Transistor Q-^, während der Tran sistor Q-) sich im nichtleitenden Zustand befindet. Die Spannung an dem Anschluß 20 wird daher stärker positiv als die Spannung an dem Anschluß 18. Aufgrund des Auftretens dieser Spannungen an den Anschlüssen 18 und 20 wird der Transistor Q₅ in den nichtleitenden Zustand und der Transistor Qg in den leitenden Zustand gestellt, so daß die Spannung an dem Anschluß 26 stärker positiv ist als die Spannung an den Anschluß 28. Die Gleichspannungspegel der an den Anschlüssen 26 und 28 auftretenden Spannungen sind durch die Schaltung 30 zur Verschiebung des Spannungspegels in negativer Richtung in der oben erwähnten Art und Weise verschoben, doch ist die Spannung an dem Schaltungspunkt.32 und damit an dem Anschluß 36 .immer noch stärker positiv als die Spannung an den Schaltungspunkt 34 und damit an' dem Anschluß 38. Es ergibt sich somit, daß der Anschluß 3.6 stärker positiv als der Anschluß 38 ist. Andererseits ergibt sich dann, wenn die Spannung am Eingangsanschluß 16 stärker positiv ist, als die Spannung an dem Eingangsanschluß 14, daß die Transistoren Qo und Q5 leiten, während die Transistoren Q·^ und Qg nichtleitend sind, so daß die Spannung an dem Schaltungspunkt 34 und damit an dem Anschluß 38 stärker positiv als

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• ÄÄ·.

die Spannung an dem Schaltungspunkt 32 und damit an dem Anschluß 36 ist.

Es sei nun die Ausgangsstufe 40 näher betrachtet. Wenn die Spannung an dem Anschlufr 36 stärker positiv als die Spannung ■;Π dem Anschluß 38 -ist, so führt der Transistor 0- ο naher ι sämtlichen Strom I₁, der von der Stromquelle 70 erzeugt wir;", nänlich vorliegend 3 mA. Der Strom I^ *ließt such die KoI-le"»:tor-/Emitterstrecke des Transistor;- O-^_r und bewirkt einer. verhältnismäßig großen Unterschied der an der Basis-/Emitterstrecke liegenden Spannung zwischen den Transistoren Q^₅ und ^16 ^F'^ ^^ei?1 Ergebnis,- daß der Transistor Qgg nahezu den gesamten Strom I2 von vorliegend 2 mA führt, welcher durch die Stromquelle 42 bereitgestellt wird. Die Basis des Transistors Qi-y wird auf eine Spannung von nahezu gleich ItRt heruntergezogen, worin R^ der Widerstandswert des Widerstandes R^ ist, so döß die die Basis beaufschlagende Stromquelle des Ausgangstransistors Qqut ^aus9^escnaltet. wird. Die' in der Basis des Ausgangstransistors Qqut vorhandene Ladung wird rasch über die Stromquelle 42 abgeführt. D.h. der Schalter 44 verbindet die Stromquelle 42 mit der Basiselektrode des Transistors QqUT' ^{um e}*-^ne aktive Ladungsabführung von der Basis des' Ausgangstransistors Qqut ^zu bewirken. Nachdem die Basis des Ausgangstransistors Qqot ^entl^a<3en ist, fließt der Strom I2 der Stromquelle 42 von der Speisespannungsquelle +V_cc über die Schottky-Diode S-^q-und den Transistor Og-j und außerdem über den Widerstand Rg und die Kollektor-/Emitterstrecke des Transistors Q17 « Die Diode S-, q bewirkt eine Begrenzung entsprechend einem Schottky-Spannungsabfall (etwa 0,5 Volt) bezüglich des Ausschwingens der Spannung an der Basiselektrode des Ausgangstransistors CWjrp. Die Spannung an dem Ausgangsansc'hluß 31 steigt somit in positiver Richtung zur Spannung +V_cc wegen des Nachzieheffektes des Transistors 0-^g an und die Basiselektrode des Transistors Q-^q geht auf 3,4 Volt.

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Wenn an-i^recseits die Spannung an <'. 2m Anschluß 3? stärker positiv als die Spannung an dem Anschluß 36 ist, so fließt der Strom Ij der Stromquelle 70 durch die Transistoren Q-^ und Q]_ß · Unter diesen Umständen verbindet der Schalter 44 die Stromquelle 42 elektrisch mit dem Emitter des Transistors O-j^g und trennt die Stromquelle 42 elektrisch von dem Schaltungspunkt 76 ab. Der Strom I₂ fließt somit auch durch die Emitter-/Kollektorstrecke des Transistors Q^g. Aus diesem Grunde ist der Gesamtstrom durch den Widerstand P._R gleich deir. Wert I, + I₇. Die Basiselektrode des Transistors Q-^ wird mit ihrer Spannung- auf die Spannung am Schaltungspunkt 72 hingezogen. Der Transistor Q-^η lädt die Basis des Ausgangstransistors Qqt^h über den Strombegrenzungswiderstand Rq auf (es sei. bemerkt, daß die Kollektor-/Emitterstrecke des Transistors Qcq iⁿ einer offenen Schaltung liegt). Der Ausgangstransistor Q(yj<p wird in die Sättigung getrieben und seine Kollektorspannung fällt auf 'Erdpotential bis der Ausgangstransistor durch die interne Schottky-Diodenfunktion seiner Basis-VKo-llektorstrecke festgehalten wird. Es ist festzustellen, daß der Ström (I^ + I₂) durch den Transistor Q-^g und den Widerstand Rg. die Anstiegsgeschwindigkeit an der Basis des Transistors Q-^g erhöht, was die Ausgangsspannung am Ausgangsanschluß 31 herabsetzt. Nachdem weiter über den Widerstand Rg ein verhältnismäßig großer Strom, nämlich der Strom I^'+ I₂ 1 fließt, kann der Widerstandswert herabgesetzt werden, um die richtige Spannung an der Basiselektrode des Transistors Q-^g bereitzustellen und daher wird die Zeitkonstante der Schaltung (welche durch den genannten Widerstand und die innere Kapazität des pull-up-Transistors Chg gebildet, ist) vermindert.'

-V-

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Leerseite

Claims

• Patentansprüche

_ΟΠΦ)

(l -^"^rgleichorschaitung mit eineir. Ausgangstransistor (Ο

-•it £u.f ein Eingangssignal ansprechender Schaltungseini'i ."riitur.g-n zur Erzeugung einer Spannung an der Basis und • ⁱ\t'-"'3dⁱ?r .~or. Kollektor oder dem Fritter des Ausqanqstrar.si- ;■; tors derart, daß dieser selektiv in Abhängigkeit von der Eigenschaft des Eingangssignals in den Leitungszustand oder den nichtleitenden Zustand getrieben wird, gekennzeichnet el j roh eine Stromquelle (42) und durch Schaltmittel (44), v:--lche in Abhängigkeit von dem Eingangssignal betätigt werden und mit dor Stromquelle (42) verbunden sind, um die .^r-;r:v'„q j·-· 1 ] η nit der Basiselektrode des Ausganastransistors (Oq₁-T₁) zn koppeln, wenn der Ausgangstransistor von dem leitenden Zustand in den nichtleitenden Zustand getrieben werden soll.■
2. Vergleicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen eine Spannungsquelle (+V) und die Kollektor-ZEmitterstrecke des Ausgangstransistors (Q_0UT) ein weiterer Transistor (Q^s)" geschaltet ist, mit dessen Basiselektrode eine spannungserzeugende Einrichtung (Rg) .v&rbunden ist und daß die Schaltmittel (44) in Abhängigkeit von vlc-in Eingangssignal einerseits die elektrische Verbindur.a :^rv:isehen der Stromquelle (42) und der Basiselektrode, des Ausgangstransistors (Qqut^ ^bei^m Übergang des Letzteren von dem leitenden Zustand in den nichtleitenden Zustand herstellen und andererseits die Stromquelle mit der spannunnserzeugenden Einrichtung verbinden, wenn der Ausgangstransistor (Qqut^ ^{von dem} nichtleitenden Zustand in den leitenden Zustand getrieben wird.
3. Vergleichsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekenn-

--tyr

zeichnet durch ein Transistorpaar (Qf^, Qi₄), dessen Trari-

ORIGINAL INSPECTED J __ ..^BAp_-ORIGJNAL _goPY

sistoren mit ihren. Emittern zusammengeschaltet sind, während an die Basiselektroden eine Eingangssignalequelle ankoppelbar (36, 38) ist, ferner durch eine weitere, mit den zusammengeschalteten Emittern des Transistorpaares verbundene Stromquelle (70), weiter durch ein zweites Tr.ansistorpaar (Q]^* ^16^' ^^essen Transistoren mit ihren Basiselektroden zusammengeschai tet =irid, während nie Emitterelektroden des zweiten Transistorpaares mit den Kollektorelektrocien do = ersten Transistorpaare^ (·0ΐ3 * Q14) jeweils verbunirn Fir.3, fernerhin durch ein Paar von spannungserzeugenden Einrichtungen (R7, Q20' ^R8' ^21^1 ^wel^cne jeweils an die Kollektorelektroden der Transistoren, des zweiten Transistorpaares (QiCf Qifi) angeschlossen sind, desweiteren durch eine Verbin dung des Emitters des Ausgangstransistors (Q_0UT)' mit den zusammengeschalteten Basiselektroden des zweiten Transistorpaares (Qic/ Qic) f fernerhin durch einen Transistor (0-j_O), der mit seiner Kollektor-/Emitterstrecke zwischen den Kollektor des Ausgangstransistors (Qqui>) ^und einer Spannungsqüelle (⁺V_CC) liegt und welcher mit seiner: Basis an der Verbindung einer der spannungserzeugenden Einrichtungen (Rg) mit der Kollektorelektrode eines Transistors des zweiten Transistorpaares liegt, schließlich durch einen Hmitterfolge-. transistor (Q-^η), dessen Basis an die Verbindung der anderen .spannungserzeugenden Einrichtung (R7) mit dem Kollektor des anderen Transistors des zweiten Transistorpaares verbunden ist, dessen Kollektor an der Spannungsquelle liegt und dessen Emitter mit der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt ist sowie durch Verbindungen der Kollektorelektroden des ersten Transistorpaares (0χ3» Q14) ^m^ zwei Steuereingängen der Schaltmittel (44) zur elektrischen Verbindung bzw. elektrischen Abtrennung der ersten Stromquelle (42) mit bzw. von der Basiselektrode des Ausgangstransistors in Abhängigkeit von dem Eingangssignal.
4. Vergleicherschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine spannungserzeugende Einrichtung (Rg) zwischen

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. 3-

die Emitterelektrode des Er?.i tterf olgetransistors {0±η) und die Basiselektrode des Ausgangstransistors (0_ουτ) gelegt ist.
5. Vergleicherschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, da!3 an die Basiselektrode des Ausgingst r ans i stors (Qq_Tt^) eine- spannungsbeqrenzende Einrichtung ar.qeEcr.Iosr-en ist.
6. Yergleicherschaltung nach Anspruch 5-, dadarci-j gekennzeichnet, daß die spannungsbegrenzende Einrichtung eir.e Diode (St q enthält, v;elche zwischen die Spannungsquelle und die Basiselektrode des Ausgangstransistors geschaltet ist.
7. Vergleicherschaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmittel (44) ein Paar von Transistoren (Qgß' ^69^ enthalten, deren Emitterelektroden an die erstgenannte Stromquelle (42) angeschlossen sind, deren Basiselektroden mit den Kollektorelektroden des ersten Transistorpaares (Qi3 / Q14) gekoppelt sind und von dessen Kollektorelektroderi die eine mit der Basis des jeweils anderen Transistors der Schaltmittel (44) verbunden ist, während die .jeweils andere Kollektorelektrode an die Basis des Ausgangstransistors (Qqut^ angeschlossen ist.

—ORIGINAL 1MSE.ECTED ' BAD ORIGINAL