[go: up one dir, main page]

DE3232157A1 - Halbleiter-modul - Google Patents

Halbleiter-modul

Info

Publication number
DE3232157A1
DE3232157A1 DE19823232157 DE3232157A DE3232157A1 DE 3232157 A1 DE3232157 A1 DE 3232157A1 DE 19823232157 DE19823232157 DE 19823232157 DE 3232157 A DE3232157 A DE 3232157A DE 3232157 A1 DE3232157 A1 DE 3232157A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
section
frame
semiconductor module
module according
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823232157
Other languages
English (en)
Other versions
DE3232157C2 (de
Inventor
Werner Egerbacher
Herbert 8000 München Vogt
Dieter 8031 Geisenbullach Wunderlich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE19823232157 priority Critical patent/DE3232157A1/de
Priority to US06/526,554 priority patent/US4833522A/en
Publication of DE3232157A1 publication Critical patent/DE3232157A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3232157C2 publication Critical patent/DE3232157C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W70/481
    • H10W76/136
    • H10W90/00

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA g2 P 1 7 2 3 DE
Halbleiter-Modul
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Modul mit mindestens zwei auf einer metallenen Bodenplatte angeordneten Halbleiterkörpern, von denen mindestens einer eine Thyristortablette mit mindestens einer Steuerelektrode . ist, mit einem mit der Bodenplatte vebundenen Rahmen, der die Halbleiterkörper umgibt, mit mindestens einer Steuerleitung für jede Thyristortablette, wobei die Steuerleitungen mit einem von außen zugänglichen Anschlußkontakt verbunden sind.
Ein solches Halbleiter-Modul ist z. B. aus dem Siemens-Datenbuch "Module 1980/81", Seite 8, Bild 6 bekannt. Bei solchen Moduln müssen die Steuerelektroden der Thyristortabletten zugänglich sein, was bei den von der Gehäuseform abhängigen großen Entfernung zwischen Steuerelektrode und Anschlußkontakt relativ lange Steuerleitungen erfordert. Dies kann sowohl bei der Montage als auch beim Vergießen mit einer Kunstharzmasse zu Schwierigkeiten führen, wenn die Steuerleitungen z. B. als isolierte Litzen frei im Gehäuseinneren geführt sind. Diese Steuerleitungen müssen dann im allgemeinen mit einer mit der Steuerelektrode verbundenen Kontaktfahne und mit dem Anschlußkontakt verlötet werden, was relativ zeitraubende Handarbeit erfordert. ■
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiter-Modul der oben erwähnten Art so weiterzubilden, daß die elektrische Verbindung zwischen Steuerelektrode der Thyristortablette und dem von außen zugänglichen Anschlußkontakt in einfacherer Weise möglich ist.
Hab 1 Dx / 26.08.1982
Λ - VPA 82 P 17 2 3 DE
Die Erfindung ist gekennzeichnet durch die Merkmale:
a) Die Steuerleitung besteht aus zwei Abschnitten,
b) der erste Abschnitt ist fest mit der Steuerelektrode verbunden,
c) das von der Steuerelektrode abgewandte Ende des ersten Abschnittes ist einer Innenfläche des Rahmens benachbart angeordnet,
d) der zweite Abschnitt ist mechanisch mit dem Rahmen verbunden,
e) das Ende des ersten Abschnittes und der zweite Abschnitt weisen je eine für eine gegenseitige Kontaktgabe vorgesehene Fläche auf,
f) der Anschlußkontakt bildet einen Bestandteil des zweiten Abschnittes.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der önteransprüche.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Fig. 1 bis 3 näher erläutert. Diese Figuren zeigen die Aufsicht auf ein Halbleiter-Modul und zwei Schnitte entlang der Linie I-I und HI-III. Die Halbleiterkörper sind der besseren Übersichtlichkeit halber stark vereinfacht dargestellt.
Das Halbleiter-Modul hat eine metallene Bodenplatte 1, auf dem zwei Halbleiterkörper 3, 4 angeordnet sind. Die Halbleiterkörper sind Thyristortabletten mit je einer (nicht dargestellten) Steuerelektrode. Die Thyristortabletten werden von einem aus Isolierstoff bestehenden Rahmen 2 eingeschlossen, der mit der Bodenplatte 1 verbunden wird. Die Thyristortabletten stehen in thermischem Kontakt mit der Bodenplatte 1, können aber z. B. durch Keramikplättchen elektrisch vom Boden isoliert sein. Ka-
- ζ - VPA 82 P 1 7 2 3 QE
toden- und Anodenkontakte für die Thyristortabletten sind der besseren Übersichtlichkeit halber ebenfalls nicht dargestellt.
Die Steuerelektrode der Thyristortablette 4 ist mit einem Leiter 6 fest verbunden. Dieser Leiter stellt den ersten Abschnitt der Steuerleitung für die Thyristortablette dar. Der zweite Abschnitt der Steuerleitung wird durch einen ausgestanzten Blechstreifen 5 gebildet, der an der Innenfläche einer der Längswände des Rahmens 2 gehalten ist. Zu diesem Zweck weist der Rahmen 2 an seinen Innenflächen eine Führungsschiene 8 auf, in die das Ende des Blechstreifens eingesteckt wird. Weitere Befestigungselemente sind eine an der Unterseite des Blechstreifens vorgesehene Führungsnase 9 sowie eine Nase 11. Der Blechstreifen 5 trägt einen Anschlußkontakt 10. Am Fuß des Anschlußkontaktes 10 liegt senkrecht zur Zeichenebene eine Kröpfung 15. Diese Kröpfung 15 liegt von unten an einer Nase 11 an. Auf der anderen Seite liegt der Blechstreifen 5 an einem in der Führungsschiene vorgesehenen Anschlag 16 an. Damit ist der Blechstreifen 5 gegen Verdrehen in der Zeichenebene gesichert. Zur Sicherung gegen Verdrehen senkrecht zur Zeichenebene ist an einer Querwand des Rahmens eine erste Führungsschiene 13 und eine zweite Führungsschiene 14 vorgesehen. In den Zwischenraum zwischen den beiden Führungsschienen wird der Anschlußkontakt TO eingeschoben. Zur Verbesserung der Führung kann der Anschlußkontakt noch einen Fortsatz 12 aufweisen, der sich vom Anschlußkontakt weg in das Innere des Gehäuses erstreckt.
Der erste Abschnitt 6 der Steuerleitung kann aus einem Stück Kupferband bestehen. Das von der Steuerelektrode abgewandte Ende des ersten Abschnittes 6 liegt der Längswand des Rahmens 1 benachbart. Am Ende dieses Abschnittes weist der Blechstreifen 5 eine zur Kontaktgabe mit dem
-Ji- VPA 82 P 1 7 2 3 DE
Abschnitt 6 vorgesehene Fläche auf. Diese wird durch eine im Blechstreifen 5 vorgesehene Welle 7 gebildet. Beim Aufsetzen des Rahmens mit dem Steuerkontakt 10 und dem zweiten Abschnitt 5 der Steuerleitung wird nun der Kontakt zwischen den beiden Abschnitten 5 und 6 der Steuerleitung für die Thyristortablette 4 hergestellt. Die Verbindung kann z. B. als Steckkontakt derart ausgebildet sein, daß das von der Steuerelektrode abgewandte Ende des Abschnittes β eine Federzunge aufweist, die in die Welle 7 hineinpaßt. Eine einfachere und dauerhaftere Verbindung erhält man durch Verlöten beider Teile.
Die Steuerleitung für die Thyristortablette 3 besteht ebenso wie die für die Thyristortablette 4 aus zwei Teilen, nämlich einem ersten Abschnitt 18 und einem zweiten Abschnitt 19 (Fig. 3). Der zweite Abschnitt 19 ist ein ausgestanzter Blechstreifen und trägt einen Anschlußkontakt 23. Der Blechstreifen 19 sitzt in einer Führungsschiene 21 und wird durch zwei an der Innenfläche des Rahmens angebrachte Führungsnasen 20, 22 in Verbindung mit einem in der Führungsschiene 21 vorgesehenen Anschlag 28 gehalten und gegen Verdrehen gesichert. Am Fuß des Anschlußkontaktes 23 liegt der Blechstreifen 19 mit einer in der Zeichenebene liegenden"Kröpfung 26 an einer Nase 24 an. Die Fixierung des Anschlußkontaktes 23 wird durch an der genannten Querwand des Rahmens 1 vorgesehene Führungsschienen 25 und 20 sichergestellt. Zur Verbesserung der Führung kann der Anschlußkontakt 23 einen in das Gehäuseinnere gerichteten Fortsatz 30 haben.
Das vom Steuerkontakt der Thyristortablette 3 abgewandte Ende des ersten Abschnittes 18 der Steuerleitung ist der Innenfläche einer der Längswände des Rahmens 1 benachbart. Dieser Abschnitt kontaktiert hier das Ende des Streifens 19 an einer für die gegenseitige Kontaktgabe vorgesehenen Fläche. Diese Fläche kann z. B. auf einem
- 5"- VPA 82 P 1 7 2 3 DE
ausgestellten Stück 27 des Blechstreifens 19 liegen. Anstelle des Stückes 27 könnte jedoch auch hier eine Welle und eventuell eine Steckverbindung vorgesehen sein. Im gezeigten Fall wird der Kontakt durch Verlöten hergestellt.
Die Fixierung der Blechstreifen 5 und 19 kann auch auf andere Weise als durch Nasen und Führungsschienen erfolgen. Es ist z. B. denkbar, die Blechstreifen in je eine in der Innenfläche des Rahmens vorgesehene Nut zu verlegen und dort zu verkleben. Dabei ragen dann nur die zur Kontaktgabe mit den von den Steuerelektroden kommenden ersten Abschnitten vorgesehenen Flächen aus der Nut heraus. Statt der gestanzten Blechstreifen 5, 19 könnten
z. B. auch zylindrische Kupferleitungen verwendet werden, die in einer Nut an der Innenfläche des Rahmens liegen. Die genannten zweiten Abschnitte können auch bei der Herstellung des Rahmens mit in die Längswände eingespritzt werden.
6 Patentansprüche
3 Figuren
-S-Leerseite

Claims (6)

  1. - «<· VPA 82 P 1 7 2 3 DE
    Patentansprüche
    ΓΚ/Halbleiter-Modul mit mindestens zwei auf einer metallenen Bodenplatte angeordneten Halbleiterkörpern, von denen mindestens einer eine Thyristortablette mit mindestens einer Steuerelektrode ist, mit einem mit der Bodenplatte verbundenen Rahmen, der die Halbleiterkörper umgibt, mit mindestens einer Steuerleitung für jede Thyristortablette, wobei die Steuerleitungen mit einem von außen zugänglichen Anschlußkontakt verbunden sind, gekennzeichnet durch die Merkmale:
    a) Die Steuerleitung besteht aus zwei Abschnitten,
    b) der erste Abschnitt (6, 18) ist fest mit der Steuerelektrode verbunden,
    c) das von der Steuerelektrode abgewandte Ende des ersten Abschnittes ist einer Innenfläche des Rahmens (2) benachbart angeordnet,
    d) der zweite Abschnitt (5, 19) ist mechanisch mit dem Rahmen verbunden,
    e) das Ende des ersten Abschnittes und der zweite Abschnitt weisen je eine für eine gegenseitige Kontaktgabe vorgesehene Fläche (7, 27) auf,
    f) der Anschlußkontakt (10, 23) bildet einen Bestandteil des zweiten Abschnittes.
  2. 2. Halbleiter-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Abschnitt (5, 19) der Steuerleitung ein ausgestanztes Blechteil ist.
    3· Halbleiter-Modul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Abschnitt (5, 19) an einer Innenfläche des Rahmens (2) durch Führungsschienen (8, 21) und/oder Führungsnasen (8, 9, 11; 20, 22, 24) in seiner Lage gehalten ist.
    - /T - VPA 82 P 1 7 2
  3. 3 DE
  4. 4. Halbleiter-Modul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die zur Kontaktgabe vorgesehene Fläche (7/ 27) auf einer Welle oder einem : ausgestellten' Stück des ausgestanzten Blechteiles (5, 19) 5' liegt.
  5. 5. Halbleiter-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Abschnitt an der Innenfläche einer Längswand des Rahmens (2) liegt.
  6. 6. Halbleiter-Modul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußkontakt (10, 23) an der von der Bodenplatte (1) abgewandten Seite aus dem Rahmen (2) herausragt, daß der zweite Abschnitt (5, 19) durch mindestens drei Führungsschienen und/oder Führungsnasen (8, 9, 11; 20, 21, 22, 24) gehalten ist, die an der Innenfläche abwechselnd über und unter dem zweiten Abschnitt angeordnet sind.
DE19823232157 1982-08-30 1982-08-30 Halbleiter-modul Granted DE3232157A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823232157 DE3232157A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Halbleiter-modul
US06/526,554 US4833522A (en) 1982-08-30 1983-08-25 Semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823232157 DE3232157A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Halbleiter-modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3232157A1 true DE3232157A1 (de) 1984-03-01
DE3232157C2 DE3232157C2 (de) 1989-12-21

Family

ID=6172006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823232157 Granted DE3232157A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Halbleiter-modul

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4833522A (de)
DE (1) DE3232157A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0155473A1 (de) * 1984-02-23 1985-09-25 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung
DE3528427A1 (de) * 1985-08-08 1987-04-02 Bbc Brown Boveri & Cie Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente
DE3604313A1 (de) * 1986-02-12 1987-08-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE3717489A1 (de) * 1987-05-23 1988-12-01 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5285106A (en) * 1990-01-18 1994-02-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device parts

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH463627A (de) * 1966-10-21 1968-10-15 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement
DE2819327A1 (de) * 1978-05-03 1979-12-13 Semikron Gleichrichterbau Halbleiterbaueinheit
DE8214214U1 (de) * 1982-08-26 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter mit einem quaderförmigen Gehäuse

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3877064A (en) * 1974-02-22 1975-04-08 Amp Inc Device for connecting leadless integrated circuit packages to a printed-circuit board
DE7512573U (de) * 1975-04-19 1975-09-04 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichri Halbleitergleichrichteranordnung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8214214U1 (de) * 1982-08-26 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter mit einem quaderförmigen Gehäuse
CH463627A (de) * 1966-10-21 1968-10-15 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement
DE2819327A1 (de) * 1978-05-03 1979-12-13 Semikron Gleichrichterbau Halbleiterbaueinheit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Siemens-Datenbuch "Module 1980/81", S. 8 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0155473A1 (de) * 1984-02-23 1985-09-25 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung
DE3528427A1 (de) * 1985-08-08 1987-04-02 Bbc Brown Boveri & Cie Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente
DE3604313A1 (de) * 1986-02-12 1987-08-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE3717489A1 (de) * 1987-05-23 1988-12-01 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls

Also Published As

Publication number Publication date
DE3232157C2 (de) 1989-12-21
US4833522A (en) 1989-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69131712T2 (de) Lottragender anschlussdraht
DE2927011C2 (de) Chip-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE7512573U (de) Halbleitergleichrichteranordnung
DE2234961C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Steckern für Schaltplatten
DE3212442A1 (de) Gehaeuseanordnung mit paarweise miteinander ausgerichteten leitungsanschluessen, insbesondere zur kapselung von halbleiterbauteilen
DE3685814T2 (de) Zusammenbau eines elektrischen verbinders und verfahren zur ausfuehrung desselben.
DE1539863A1 (de) Transistor
DE1223461B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Gleichrichteranordnungen mit tablettenfoermigen Gleichrichterelementen
DE2819327A1 (de) Halbleiterbaueinheit
DE2242806A1 (de) Kondensatormikrophon
DE1925393A1 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens zwei an die Oberflaeche tretenden,mit Kontakten zu versehenden Zonen unterschiedlicher Leitfaehigkeit
DE2253699A1 (de) Optoelektronisches halbleiter-koppelelement
DE2247498A1 (de) Anklemmbares kontaktplaettchen fuer flexible schaltkreise
DE102017212186B4 (de) Mit Gießharz versiegelte Leistungshalbleiter-Einrichtung
DE3211975A1 (de) Montagegehaeuse fuer halbleiterbauteile mittlerer leistung
DE2353444B2 (de) In Isolierstoff eingebettetes elektromagnetisches Relais
DE3232157A1 (de) Halbleiter-modul
DE1490832B1 (de) Mikromodulschaltungseinheit
DE2315062A1 (de) Vielfachsteckanschlusstueck
DE2556610B2 (de) Aus isolierstoff bestehender grundkoerper fuer hermetisch abdichtbare relais
DE1614236B2 (de) Halbleiteranordnung
DE2249730C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer mit Leiterbahnen versehenen isolierenden FoUe
DE2206401A1 (de) Steckerleiste
DE1202362B (de) Dreidimensional aufgebaute Schaltungsanordnung mit blockfoermig ausgebildeten Schaltungsgruppen
DE2722600B2 (de) Antennensteckdose mit einer Leiterplatte

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee