DE3242015A1 - Magnetisches aufzeichnungsmedium - Google Patents
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Description
.Λ.
1A-4O39
TDK-202
(861013)
(861013)
TDK EIJSCTRONICS CO., LTD. Tokyo, Japan
Magnetisches Aufzeichnungsmedium
Die vorliegende Erfindung betrifft ein magnetisches Aufzeichnungsmedium.
Die Erfindung betrifft insbesondere ein magnetisches Aufzeichnungsmedium für Magnetaufzeichnungen
mit hoher Aufnahmedichte.
In den letzten Jahren hat sich zunehmend ein Bedarf für Aufzeichnungsmedia mit hoher Aufnahmedichte entwickelt.
Es wird erwartet, daß anstelle der herkömmlichen magnetischen Aufzeichnungsmedien, welche mit magnetischen Massen
beschichtet sind, die zukünftigen Aufzeichnungsmedien dünne, magnetische Metallschichten aufweisen, welche
durch Plattierung, Dampfabscheidung oder Sputtern ohne
Verwendung eines Bindemittels ausgebildet sind. Die
Grenze der Magnetaufzeichnungsdichte wird in großem Aus=
maß beeinflußt durch das Verhältnis von Entmagnetisierungsfeld zu Koerzitivkraft der dünnen Schicht« Die Stärke
des Entmagnetisierungsfeldes steht in Beziehung zu der Sättigungsmagnetflußdichte und der Dicke der dünnen
Schicht» Es ist ferner notwendig, daß das S/N-Verhältnis
zumindest einen zulässigen Pegel aufweist. Verglichen mit den herkömmlichen magnetischen Aufzeichnungsmedien vom
Beschichtungstyp weisen die dünnen,, magnetischen Metallschichten eine größere Sättigungsmagnetflußdichte auf,
wodurch ein höherer Ausgang erreichbar ist und ein größeres S/N-Verhältnis erzielt werden kann» Darüber hinaus
weist die Schicht eine geringe Dicke auf, und es ist eine relativ hohe Koerzitivkraft erreichbar, was es möglich
macht, die Entmagnetisierung der Magnetaufzeichnung wesentlich zu reduzieren.
Als Hauptmaterial für die dünnen, magnetischen Metallschichten werden herkömmlicherweise KobaltIegierungen,
wie Co-Si, Co-Fe-Ni und Co-Cr5 verwendet» Bei diesen Materialien
bestehen jedoch gewisse Probleme im Hinblick auf ihre Kosten sowie die Unsicherheit einer ständigen
Versorgung mit Rohmaterialien in der Zukunft. Diese Schwierigkeiten stellen ein Hindernis für die Massenherstellung
dar.
Unter Berücksichtigung des jüngsten Trends zur Energie-
und Rohstoffeinsparung wurden verschiedene Untersuchungen der Nicht-Co magnetischen Materialien durchgeführt,
d.h. Materialien, bei denen kein Co verwendet wird. So wurde beispielsweise auf dem Gebiet der Permanentmagneten
festgestellt, daß ein Magnet aus einer Mn-Al-C-Legierung
überlegene Eigenschaften aufweist (JA-AS 31448/79).
Auch auf dem Gebiet der dünnen Schichten ist berichtet worden, daß dünne Mn-Al- und Mn-Al-Cu-Schichten, die durch
Dampfabscheidung gebildet wurden, eine maximale Sättigungs
magnetflußdichte von 1000 G und eine maximale Koerzitivkraft von 1250 Oe ermöglichen und somit ausgezeichnete Eigenschaften
als magnetische Aufzeichnungsmedien aufweisen (z.B. in Journal of Applied Magnetic Science Association,
Band 15, Nr. 2, 1981).
Die durch ein Dampfabseheidungs-Verfahren ausgebildeten
Mn-Al- und Mn-Al-Cu-Dünnschichten weisen jedoch die folgenden
Nachteile auf. Es ist bei dem Dampfabscheidungs-Verfahren
erforderlich, das Substrat während der Zeit der Dampfabscheidung bei einer so hohen Temperatur wie 300 bis
40O0C zu halten. Daher kann bei diesem Verfahren ein Polymerisatfilm
nicht als Substrat verwendet werden, und das Verfahren kann nicht angewendet werden, um ein Magnetband
oder eine flexible Scheibe herzustellen. Ein weiterer, wesentlicher Nachteil besteht darin, daß die Sättigungsmagnet
flußdichte, die auf diese Weise erzielbar ist, um etwa eine Größenordnung von Zehnern kleiner ist als die, welche
mittels eines Co-Dünnfilms erzielbar ist.
Man kann erwarten, daß die Sättigungsmagnetflußdichte gesteigert wird, indem man der Mn-Al-Legierung Kupfer in
einer Menge innerhalb eines bestimmten Bereichs einverleibt, wenn auch dadurch die Koerzitivkraft zu einem gewissen
Ausmaß verringert werden kann. Von den Erfindern wurden umfangreiche Untersuchungen der Filmbildungstechnik
mit dem Ziel durchgeführt, eine dünne, magnetische Metallschicht für ein magnetisches Aufzeichnungsmedium
aus einer Mn-Al-Cu-Legierung herzustellen, ohne daß dabei die mit dem oben erwähnten Dampfabscheidungs-Verfahren
verbundenen Nachteile auftreten.
Als Ergebnis dieser Untersuchungen wurde festgestellt, daß unter Verwendung eines Sputterverfahrens, insbesondere
eines Magnetron-Sputterverfahrens, als Filmbildungstechnik
die Herstellung einer dünnen, magnetischen Mn-Al-Cu-Metallschicht möglich ist, die ausgezeichnete Eigenschaften
als magnetisches Aufzeichnungsmedium aufweist, und zwar selbst bei einer derartig geringen Substrattemperatur
, daß ein Polymerisatfilm als Substrat verwendet werden kann.
Mit der vorliegenden Erfindung wird ein magnetisches Aufzeichnungsmedium geschaffen, das ein Substrat und eine
dünne, magnetische Metallschicht umfaßt, welche auf dem Substrat mittels eines Sputterverfahrens ausgebildet ist
und im wesentlichen aus Mn, Al und Cu zusammengesetzt ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigt:
Fig. 1 eine graphische Darstellung, in der die Änderungen
der magnetischen Eigenschaften einer dünnen Mn-Al=Cu=Schicht
in Abhängigkeit von der Änderung des Kupferanteils dargestellt sind»
Das Sputterverfahren ist ein Verfahren, bei dem bei Durchführung einer Glühentladung in einer vakuumbeaufschlagten
InertgasatmoSphäre die Gasionen angetrieben werden, um
mit der Kathode (dob.» dem Target) zu kollidieren und dabei das Kathodenmaterial in Form von Atomen oder Gruppen von
Atomen zu verdampfen. Die auf diese Weise gesputterten (verdampften) Metallatome werden auf einem Substrat abgeschieden,
das nahe der Anode angeordnet ist, wobei sich auf dem Substrat die dünne Metallschicht ausbildet.
Um den Temperaturanstieg des Substrats zu verhindern, hat sich eine Sputtervorrichtung vom Magnetron-Typ als besonders
effektiv erwiesen, bei der ein Magnet hinter der
. (br
Kathode (d.h. dem Target) in der Weise angeordnet ist, daß ein magnetisches Feld senkrecht zu dem elektrischen
Feld in dem Entladungsraum orientiert wird. Diese Sputtervorrichtung vom Magnetron-Typ ist so gebaut, daß die
durch die Entladung erzeugten Elektronen durch das magnetische Feld gedreht werden und ihnen eine Abdrift gestattet
wird. Auf diese Weise wird verhindert, daß die Elektronen zum Substrat strömen, welches der Kathode gegenüberliegend
angeordnet ist, wodurch wiederum der Temperaturanstieg des Substrats unterdrückt wird. Ein weiterer
Vorteil besteht darin, daß die Sputtervorrichtung vom Magnetron-Typ ein Sputtern mit hoher Geschwindigkeit
ermöglicht.
Unerwarteterweise wurde festgestellt, daß bei der Anwendung eines derartigen Sputterverfahrens es nicht nur
möglich ist, den Anstieg der Substrattemperatur zu verhindern, sondern daß es auch möglich ist, die Sättigungsmagnetflußdichte
zu steigern, und zwar um ein Mehrfaches des Wertes der Mn-Al-Cu-Schieht, die durch das Dampfabscheidungs-Verfahren
erhältlich ist. Es wird angenommen, daß dies der Tatsache zuzuschreiben ist, daß die Energie
der Atome, die bei dem Sputterverfahren in das Substrat einschlagen, viel größer ist als bei dem Dampfabscheidungsve
rfahren.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird es bevorzugt, das Kupfer in einer Menge von höchstens 25 Gew.% einzuverleiben,
wobei der Rest von wenigstens 75 Gew.% zusammengesetzt ist aus Mn und Al mit einer vorbestimmten Proportion
sowie unvermeidbaren Verunreinigungen. Das Verhältnis von Mn zu Al liegt innerhalb eines Bereiches von
65:35 bis 75:25 (nach Gewicht). Das optimalste Verhältnis beträgt 71:29 (nach Gewicht). Falls das Verhältnis
von dem optimalen Verhältnis abweicht, fallen die magne-
tischen Eigenschaften scharf ab, und falls das Verhältnis von dem obengenannten Bereich abweicht, geht die ferromagnetische Eigenschaft verlorene Kupfer kann, wie oben
erwähnt, in einer Menge von höchstens 25 Gew.% einverleibt sein» Vorzugsweise ist es jedoch in einer Menge von 5 bis
20 Gew„% einverleibt.
Die Dicke der Schicht liegt vorzugsweise innerhalb eines Bereichs von 0,1 bis 1,0/um. Falls die Dicke geringer als
0,1/um ist, neigt das S/N-Verhältnis (Signal/Rausch-Verhältnis)
dazu, schlechter" zu werden. Falls andererseits die Dicke 1,0/um übersteigt, wird es unmöglich, eine hohe
Signaldichte bei der Aufzeichnung zu erzielen.
Das Substrat kann aus jedem Material bestehen, das herkömmlicherweise
für magnetische Aufzeichnungsmedien verwendet wird. Bevorzugte Materialien für das Substrat umfassen
Polymerisate, wie Polyester, Polyimid und Polyamid.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Beispiels näher erläutert.
Eine dünne Mn-Al-Cu-Schicht wird mittels einer Hochfrequenz
-Magnetron-Sputtervorrichtung ausgebildet. Die Schicht
ist zusammengesetzt aus 7 Gew.% Cu und zum Rest aus 93 Gew.% Mn und Al in einem Gewichtsverhältnis von Mn zu
Al von 71s29. Folgende Bedingungen wurden bei dem Sputterverfahren
angewendet: der Hintergrundgasdruck betrug 5,0 χ 10 Torr (in der Kammer); die Ar-GasStrömungsrate
(ausgedrückt durch den Druck in der Kammer, wenn Ar in einem Gleichgewichtszustand zugeführt wurde) war 4,0 χ
10~* Torr; der Ar-Gasdruck war 4s0 χ 10"^ Torr (d.h. die
direkte Strömung); die hochfrequente elektrische Leistung
war 1,6 kW und die Substrattemperatur betrug 23O0C. Bei
dem Substrat handelte es sich um eine Polyimidfolie (Film) und die Sputterzeit betrug 5 min.
Die magnetischen Eigenschaften der auf diese Weise gebildeten
Schicht wurden bestimmt. Die Koerzitivkraft betrug 520 Oe, die Sättigungsmagnetflußdichte betrug 4270 G und
das Winkelverhältnis betrug 0,57. Diese magnetischen Eigenschaften sind für ein magnetisches Aufzeichnungsmedium
geeignet. Insbesondere die Sättigungsmagnetflußdichte war um ein Mehrfaches höher als die einer ähnlichen Schicht,
welche durch das Dampfabscheidungsverfahren erhalten wurde. Anschließend wurde das Sputtern unter Anwendung der
gleichen, obengenannten Bedingungen durchgeführt, wobei jedoch der Kupferanteil variiert wurde. Die magnetischen
Eigenschaften der dabei gebildeten Schichten wurden bestimmt. Das den Rest der Zusammensetzung, mit Ausnahme
des Kupfers, ausmachende Mn und Al wurde jeweils bei einem konstanten Gewichtsverhältnis von 71:29 gehalten.
Die auf diese Weise erhaltenen Ergebnisse sind in der graphischen Darstellung der Fig. 1 gezeigt.
Aus der graphischen Darstellung geht hervor, daß der zweckentsprechende Anteil des Kupfers höchstens 25 Gew.%
beträgt. Man sieht, daß innerhalb des Bereichs, in dem der Anteil des Kupfers 5 bis 20 Gew.% beträgt, es möglich
ist, Materialien zu erhalten, welche eine hohe Sättigungsmagnetflußdichte aufweisen, ohne daß es zu einer
wesentlichen Verringerung der Koerzitivkraft kommt.
Wie vorstehend beschrieben, wird erfindungsgemäß eine
dünne, magnetische Mn-Al-Cu-Metallschicht, die für ein magnetisches
Aufzeichnungsmedium geeignete magnetische Eigenschaften aufweist, erfolgreich auf einem Polymersub-
strat ausgebildet j und zwar mittels eines Sputterverfahrens
y insbesondere eines Magnetron-Sputterverfahrens, ohne
daß es zu einem thermischen Abbau oder einer Beschädigung des Substrats kommt. Mit der vorliegenden Erfindung ist
es möglich, eine dünne, magnetische Metallschicht herzustellen, die ausschließlich aus leicht verfügbaren Materialien
zusammengesetzt ist und für ein Aufzeichnungsmedium mit hoher Signaldichte brauchbar ist, von dem angenommen
wird j, daß es in der Zukunft in gesteigertem Maße gefordert wird. Die vorliegende Erfindung leistet somit
auf diesem technischen Gebiet einen wesentlichen Beitrag.
Leerseite
Claims (1)
- PatentansprücheMagnetisches Aufzeichnungsmedium, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Substrat und eine dünne, magnetische Metallschicht umfaßt, die auf dem Substrat mittels eines Sputterverfahrens ausgebildet ist und im wesentlichen aus Mn, Al und Cu zusammengesetzt ist.2» Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne, magnetische Metallschicht zusammengesetzt ist aus höchstens 25 Gew.% Cu und einem Rest, bei dem es sich um Mn9 Al und unvermeidbare Verunreinigungen handelt, wobei das Gewichtsverhältnis von Mn zu Al innerhalb eines Bereichs von 65s35 bis 75s25 liegt,3. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne, magnetische Metallschicht eine Dicke von 0,1 bis 1,0/um aufweist»4. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3S dadurch gekennzeichnet, daß die dünne, magnetische Metallschicht mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens ausgebildet ist.5. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichtsverhältnis von Mn zu Al etwa 71:29 beträgt»6. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Cu=Gehalt in der dünnen, magnetischen Metallschicht 5 bis 20 Gewo?6 beträgt.7. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem Polymerisats ausgewählt unter Polyester, Polyimid und Polyamid, besteht.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19834437B4 (de) * | 1997-07-31 | 2010-04-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Mangan-Legierungen für magnetische Werkstoffe, Sputter-Targets aus Mangan-Legierungen und magnetische Dünnfilme |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890004258B1 (ko) * | 1984-11-14 | 1989-10-28 | 가부시끼가이샤 도오시바 | 수직자기기록 매체 및 그 제조방법 |
| US5534080A (en) * | 1995-06-01 | 1996-07-09 | National Science Council Of Republic Of China | Method for producing Mn-Al thin films |
| CN102560368A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 壳体及其制造方法 |
| JP6985708B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2021-12-22 | スピンセンシングファクトリー株式会社 | Mn系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにMn系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2718739A1 (de) * | 1976-04-27 | 1977-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungsmediums |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1982
- 1982-09-17 US US06/419,474 patent/US4533603A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-10-06 GB GB8228560A patent/GB2110245B/en not_active Expired
- 1982-11-12 DE DE19823242015 patent/DE3242015A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2718739A1 (de) * | 1976-04-27 | 1977-11-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungsmediums |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Journal of Applied Magnetic Science Association, Bd. 15, Nr. 2, 1981 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19834437B4 (de) * | 1997-07-31 | 2010-04-08 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Mangan-Legierungen für magnetische Werkstoffe, Sputter-Targets aus Mangan-Legierungen und magnetische Dünnfilme |
Also Published As
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| GB2110245B (en) | 1985-06-12 |
| JPH0328805B2 (de) | 1991-04-22 |
| DE3242015C2 (de) | 1992-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TDK CORPORATION, TOKYO, JP |
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| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |