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DE3241440A1 - Verfahren zur herstellung von siliciumnitrid-pulver - Google Patents

Verfahren zur herstellung von siliciumnitrid-pulver

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Publication number
DE3241440A1
DE3241440A1 DE19823241440 DE3241440A DE3241440A1 DE 3241440 A1 DE3241440 A1 DE 3241440A1 DE 19823241440 DE19823241440 DE 19823241440 DE 3241440 A DE3241440 A DE 3241440A DE 3241440 A1 DE3241440 A1 DE 3241440A1
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DE
Germany
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silicon
ammonia
silicon nitride
carbon atoms
reaction
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Application number
DE19823241440
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English (en)
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DE3241440C2 (de
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Tadashi Iwai
Takashi Kawahito
Tetsuo Ube Yamaguchi Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
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Application granted granted Critical
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid-Pulver.
  • ================================================== Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid-Pulver, welches für die Herstellung von Siliciumnitrid-Sintermaterial geeignet ist, welches sich als sehr harter bzw. hochfester hitzebeständiger Werkstoff einsetzen läßt Ein übliches bekanntes Verfahren ist das sogenannte Imid- oder Amid-Dekompositionsverfahren, bei dem ein Siliciumhalid mit Ammoniak zur Reaktion gebracht wird, wobei anschließend das resultierende Siliciumdiimid oder Siliciumtetramid unter einer Inertgas- oder einer Ammoniakgasatmosphäre erhitzt wird. Dieses Verfahren ist jedoch insoweit nachteilig, als es sich bei der Reaktion des Siliciumhalids und des Ammoniaks um eine sehr heftige exotherme Reaktion handelt. Aus diesem Grunde ist die Steuerung bzw. Kontrolle der Reaktion außerordentlich schwierig. Es wird außerdem eine sehr große Menge an Ammoniumhalid in Form von Rauch oder Dämpfen als Nebenprodukt gebildet. Die Ablagerung des Ammoniumhalid-Nebenprodukts an der Innenwand des Reaktors den BeschickungsdUsen für die Ausgangsstoffe und an der Rohrwand des Gas aus lasses führt zu Verstopfungs- und verschiedenen anderen Problemen.
  • Zur Beseitigung der geschilderten Nachteile des Imid-oder Amid-Dekompositionsverfahrens ist in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung (Rokai) Nr. 54-1 4 5400 ein Verfahren vorgeschlagen worden. Gemäß diesem Vorschlag kann Siliciumnitrid-Pulver mit einem hohen Reinheitsgrad erhalten werden. Dieses vorgeschlagene Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß das erhaltene Siliciumnitrid-Pulver schwierig zu handhaben ist, da es nur eine niedrige Rüttel- bzw. Rlopfdichte hat, und zwar aufgrund seiner großen Anzahl von Nadelkristallen, die während der Calcinierungsstufe gebildet werden. Es ist daher erforderlich, das Siliciumnitrid-Pulver zu vermahlen, um die Ruttel- bzw. Klopfdichte vor der Calcinierstufe zu erhöhen, um das Sinterprodukt zu erhalten.
  • Ausgehend davon liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde dafür Sorge zu tragen, daß während der Calcinierstufe das Wachsen von Nadelkristallen verhindert wird, um ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid-Pulver mit gleichmäßiger Teilchengröße und regelmäßigen Kristallen zu erhalten.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe dienen die Verfahrens schritte gemäß Kennzeichen des Patentanspruchs 1.
  • Gemäß einer abgewandelten Ausführungsform wird diese Aufgabe gelöst durch eine Verfahrensweise gemäß Kennzeichen des Patentanspruchs 5.
  • Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen: Fig. 1 ein unter Verwendung eines Rastermikroskops aufgenommenes Mikrobild des gemäß Beispiel 1 hergestellten Siliciumnitrid-Pulvers, und Fig. 2 ein unter Verwendung eines Rastermikroskops aufgenortirnenes Mikrobild des gemäß des Vergleichbeispiels 1 erzeugten Siliciumnitrid-Pulvers0 Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es möglich, ein Siliciumnitrid-Pulver mit einem hohen Kristallisierungsgrad und einer regelmäßigen Kristallform bei einer gleichmäßigen Teilchengröße von 0,1 bis 1 um (Mikron) in hoher Ausbeute zu erhalten0 Wenn außerdem das Reaktionsprodukt der ersten Stufe vor oder nach der Calcinierungsstufe zufällig mit Sauerstoff jbsn Kontakt kommt, erhöht sich der Sauerstoffgehalt des Siliciumnitrid-Pulvers nicht.
  • Im folgenden wird die erste Stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.
  • Typische Beispiele von Verbindungen, wie sie durch die Formel CI) im Patentanspruch 1 dargestellt sind, sind: Chloralkylsilane, beispielsweise Trichlormethylsilan, Trichlorethylsilan, Trichlorpropylsilan, Dichlordimethyl- silan, Dichlordiethylsilan, Dichlordibutylsilan, Chlort riethyls ii an und Chlortripropylsilant Chioralkenylsilane, wie Trichlorvinylsilan, Dichlordivinylsilan, Trichlorallylsilan und Chlortriallylsilan; Chlorarylsilane, wie Trichlorphenylsilan, Dichlorphenylsilan, Chlortriphenylsilan, Trichlortolylsilan und Dichlorditolylsilan; und Chloralkarylsilane, wie Trichlorobenzylsilan und Dichlorodibenzylsilan.
  • Wenn die Reaktion mit Ammoniak in einer flüssigen Phase durchgeführt wird, sind bevorzugt solche Chlorarylsilane zu verwenden, die einen relativ hohen Siedepunkt aufweisen und eine gute Löslichkeit in einem Reaktionslösungsmittel haben. Wenn andererseits die Reaktion mit Ammoniak in einer Gasphase durchgeführt wird, sind bevorzugt solche Chloralkylsilane zu verwenden, die einen relativ niedrigen Siedepunkt haben.
  • Bevorzugte Beispiele für Verbindungen, wie sie durch die Formel (II) des Patentanspruchs 1 dargestellt sind, sind Tetrachlors ilan, Trichlors ilanhydrid, Dichlorsilandihydrid und Chlorsilantrihydrid.
  • Die Verbindungen gemäß der Formel (I) oder die Verbindungen gemäß Formel CI) zusammen mit den Verbindungen gemäß Formel CII) sollen bevorzugt in solchen Mengen verwendet werden, daß das Gesamtverhältnis der Siliciumatcme zu den Kohlenstoffatomen (Si/C) o,5 bis 50, vorzugsweise 1 bis 30, beträgt. Von den Verbindungen gemäß Formel (I) können Trichlormethylsilan, welches ein Si/C-VerhEltnis von 1, Dichlordimethylsilan, welches ein Si/C-Verhältnis von o,5 und Trichlorethylsilan mit einem Si/C-Verhältnis von o,5 allein ohne Verbindungen gemäß Formel (II) bei der Reaktion mit Ammoniak benutzt werden. Die anderen Verbindungen gemäß Formel (I) müssen jedoch zusammen mit Verbindungen der Formel (II) verwendet werden, um ein Gesamt-Si/C-Verhältnis im Bereich von 0,5 bis 50 sicherzustellen. Die oben zuletzt aufgeführten drei Verbindungen können jedoch auch zusammen mit Verbindungen gemäß Formel (II) bei der Reaktion mit Ammoniak benutzt werden.
  • Bei einem Si/C-Verhältnis von weniger als o,5 wird der freie Kohlenstoffanteil des resultierenden Siliciumnitrid-Pulvers erhöht, was eine Abnahme der Sinterfähigkeit zur Folge hat. Eine derartige Abnahme der Sinterfähigkeit würde eine zusätzliche Decarbonisierungsstufe erforderlich machen, bei der der in dem Siliciumnitrid enthaltene freie Kohlenstoff durch Erhitzen des Siliciumnitrid-Pulvers auf Temperaturen von 300 bis Soo OC, vorzugsweise 500 bis 700 °C, unter einer oxidierenden Atmosphäre, beispielsweise Luft, entfernt wird. Diese Decarbonisierungs- bzw, Entkohlungsstufe führt zusätzlich zu dem Nachteil, daß ein Teil des Siliciumnitrid-Pulvers infolge der örtlichen Erhitzung, welche aus der Verbrennung des freien Kohlenstoffs resultiert, in unerwünschter Weise oxidiert wird.
  • Wenn andererseits das Si/C-Verhältnis höher als 50 ist, wird der Anteil der unerwünschten Nadelkristalle, welche in dem resultierenden Siliciumnitrid-Pulver enthalten sind, erhöht. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die Verbindungen der Formel (I) oder die Verbindungen der Formeln (I) und (II), die im folgenden auch insgesamt als "Siliciumverbindungen" bezeichnet werden, unter den angegebenen Bedingungen mit Ammoniak zur Reaktion gebracht, woran sich die Wärmedekomposition b zw thermische Zersetzung, d.h. die calcinierungsstufe, anschließt. Wenn bei diesen Prozessen beispielsweise Chloralkylsilane als die Verbindung (I) benutzt werden, ist ein relativ geringes Si/C-Verhältnis im Bereich von 0,5 bis 2 vorteilhaft, da die Alkylgruppe in der Verbindung (I) in der Calcinierungsstufe leicht zersetzt wird. Wenn im Gegensatz dazu Chlorarylsilane als die Verbindung (I) benutzt werden, stein relativ hohes Si/C-Verhältnis im Bereich von 1 bis 50 vorteilhaft, da die in der Verbindung (I) enthaltene Arylgruppe nicht leicht in der Calcinierungsstufe zersetzt wird.
  • Die Reaktion der Siliciumverbindungen mit Ammoniak kann entweder in einer Flüssigphase oder einer Dampfphase stattfinden. Obwohl an Stelle von Ammoniak auch Amine benutzt werden können, ist die Verwendung von Aminen in der Praxis unvorteilhaft, da die dann erforderlichen Ab scheide- und Wiedergewinnungsprozesse für die nicht reagierten Amine aufwendig sind.
  • Wenn die Reaktion der Siliciumverbindungen mit Ammoniak in der Flüssigphase stattfinden soll, werden die Siliciumverbindungen in einem organischen Lösungsmittel gelöst und mit flüssigem oder gasförmigem Ammoniak in Kontakt gebracht, um damit zu reagieren. Für diese Reaktion eignen sich insbesondere solche organische Lösungsmittel, die nicht mit den Siliciumverbindungen und dem Ammoniak reagieren, und die außerdem unter den Reaktionsbedingungen in flüssigem Zustand verbleiben. Beispiele für solche Lösungsmittel sind aliphatische Kohlenwasserstoffe mit 4 bis 8 Kohlenstoffatomen, beispielsweise Butan Pentan, Hexan und Heptan, und aromatische Kohlenwasserstoffe wie Benzol, Toluol und Xylol.
  • Wenn flüssiges Ammoniak benutzt wird, wird die Reaktion vorzugsweise gemäß einer Methode durchgeführt, wie sie in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung (kokav) Nr. 54-145400 beschrieben ist. Gemäß diesem Verfahren werden die in dem organischen Lösungsmittel gelöste Siliciumverbindungen in eine organische hdsungsmittelschicht eingebracht, die als separate Schicht gegenüber einer flüssigen Ammoniakschicht in einem Reaktionsbehälter vorhanden ist, wobei die Reaktion im Bereich der Grenzfläche zwischen diesen beiden Schichten abläuft.
  • Wenn gasförmiges Ammoniak verwendet wird, wird die erwünschte Raktion in der Weise durchgeführt, daß man das gasförmige Ammoniak in die organische Lösungsmittellösung der Siliciumverbindung einbläst. Für eine derartige Verfahrensweise wird bevorzugt eine mit hoher Geschwindigkeit rotierende Gasbeschickungs leitung verwendet, wie sie in der japanischen Patentschrift (Kokoku) Nr. 52-21991 beschrieben ist, da das feste Reaktionsprodukt die Neigung hat, sich während einer kontinuierlichen Langzeit-Reaktion abzulagern und die Gaszuleitungsdüse zu verstopfen.
  • Die Reaktionstemperatur liegt vorzugsweise zwischen -80 °C bis 30 °C. Der Reaktionsdruck liegt vorzugsweise bei Normaldruck im Fall von gasförmigem Ammoniak oder bei dem Dampfsättigungsdruck des Ammoniaks bei seiner Reaktionstemperatur oder darüber im Fall von flüssigem Ammoniak, Wenn die Reaktion der Siliciumverbindungen mit Ammoniak in einer Dampfphase stattfinden soll, werden die Siliciumverbindungen mit einem Inertgas, beispielsweise Stickstoff oder Argon, verdünnt, und sie werden vorzugsweise dann mit dem gasförmigen Ammoniak oder mit gasförmigem Ammoniak, welches mit einem Inertgas, beispielsweise Stickstoff oder Argon verdünnt ist, in Kontakt gebracht.
  • In diesem Fall werden vorzugsweise solche Verbindungen (I) verwendet, die einen Dampfsättigungsdruck von So rmruig oder mehr bei der Reaktionstemperatur haben. Die Reaktionstemperatur liegt vorzugsweise bei o bis 200 °C, und der Reaktionsdruck kann etwa bei Normaldruck liegen.
  • Von den beiden geschilderten Reaktionsarten ist die Fltssigphasen-Raktion vorn Standpunkt der Ausbeute, der Dichte, und der Teilchenform des Siliciumnitrid-Pulvers vorteilhaft.
  • Sowohl bei den Flüssigphasen- als auch den Dampfphasen-Reaktionen wird das Ammoniak vorzugsweise in einer stöchiometrischen Überschußmenge hinsichtlich der Siliciumverbindungen verwendet. Dieses bedeutet, daß vorzugsweise das Zwei- oder Mehrfache, insbesondere das Drei- bis Zwanzigfache, einer Molekularzahl des Ammoniaks, und zwar bezogen auf die Atomzahl des Chlors, welches an das Silicium in den Siliciumverbindungen gebunden ist, benutzt wird.
  • Bei der Reaktion der oben genannten Siliciumverbindungen mit Ammoniak wird eine große Menge Ammoniumchlorid als Nebenprodukt zusammen mit dem Reaktionsprodukt gebildet, d.h. den Siliciumimid oder dem Siliciumamid. Wenn bei der Flüssigphasen-Reaktion eine Überschußmenge an flUssigem Ammoniak verwendet wird, wird sich das als Nebenprodukt anfallende Ammoniumchlorid in dem flüssigen Ammoniak lösen, so daß das erwünschte Reaktionsprodukt leicht, beispielsweise durch Filtration, aus dem Reaktionsgemisch abgetrennt werden kann. In anderen Fällen wird das Ammoniumchlorid als voluminöser Feststoff ausfällen, und zwar zusammen mit dem er- wünschten Reaktionsprodukt. Der r größte Teil des Ammoniumchlorids wird in der anschließenden Calcinierungsstufe zersetzt und aus dem System ausgestoßen, während ein anderer Teil eine Umkehrreaktion durchläuft, wobei nicht nur die Ausbeute an dem erwünschten Siliciumnitrid beträchtlich herabgesetzt wird, sondern auch die Möglichkeit entsteht, daß an das Siliciumatom gebundene Chloratome in dem Siliciumnitrid als Verunreinigungen zurückbleiben.
  • Es ist daher erforderlich und vorteilhaft, das Ammoniumchlorid von dem erwünschten Reaktionsprodukt apl trennen, indem man das Feststoffprodukt nach Ab filterung des Feststoffproduktes aus dem Reaktionsgemisch gründlich mit flüssigem Ammoniak wäscht.
  • Im folgenden wird die zweite Verfahrens stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.
  • Erfindungsgemäß wird das erwünschte Reaktionsprodukt aus der ersten Stufe durch Erhitzen calciniert, um die Dekomposition bzw. Zersetzung herbeizuführen. Auf diese Weise wird das kristallisierte Siliciumnitrid-Pulver erhalten, Die Calcinierungsstufe soll unter einer Inertgasatmosphäre, beispielsweise Stickstoff oder Argon, oder einer reduzierenden Gasatmosphäre wie Ammoniak, einem Gas gemisch aus Wasserstoff und Stickstoff, oder einem Gas gemisch aus Kohlenstoffmonoxid und Stickstoff, durchgeführt werden. Die Zersetzung des Reaktionsproduktes der ersten Stufe ist beendet, bevor die Calcinierungstemperatur einen Wert über 1000 °C erreicht. Das durch die Calcinierung bis zu etwa looo °C erhaltene Siliciumnitrid-Pulver ist jedoch ein amorphes Pulver, welches noch Spurenmengen an Wasserstoffatomen enthält und eine sehr feine Teilchengröße von o,ol /um oder weniger hat. Um das erwünschte kristallisierte Siliciumnitrid-Pulver in Form regelmäßiger Kristalle mit einer Teilchengröße von o,1 bis 1,o /um zu erhalten, wird die Calcinierung vorzugsweise bei eine Temperatur von 1200 bis 1700 °C, vorzugsweise 1300 bis 1600 OC, durchgefthrt. Die bevorzugte Calcinserungszeit beträgt 1 bis 5 Stunden.
  • Das bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens erhaltene Siliciumnitrid-Pulver enthält freie Kohlenstoffatome oder Kohlenstoffatome, die in dem Siliciumnitrid an die Siliciumatome gebunden sind, nur in einer Menge, die nicht ausreicht, um die Produktion des Sinter-Siliciumnitrids nachteilig zu beeinflussen. Wenn das Si/C-Verhältnis von Siliciumatomen zu Kohlenstoffatomen in der Ausgangs-Siliciumverbindung niedrig ist, wird, um die Verunreinigung des Siliciumnitrids mit Siliciumoxid, welches durch zufällig in dem Reaktionssystem vorhandenen Sauerstoff gebildet werden kann, das calcinierte Siliciumnitrid-Pulver vorzugsweise jeder geeigneten Ublichen Decarbonisierungsbehandlung unterworfen werden, um den Anteil an freiem Kohlenstoff in dem Siliciumnitrid-Pulver herabzusetzen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren wird im folgenden anhand von die Erfindung nicht einschränkenden Beispielen beschrieben.
  • Beispiel 1 1) Herstellung von Siliciumimid.
  • Die Herstellung von Siliciumimid erfolgte gemäß der in der japanischen Patentveröffentlichung 54-145400 beschriebenen Verfahrensweise.
  • Ein vertikal stehendes Reaktionsrohr mit einem Durchmesser von 4,5 cm und einer Höhe von 30 cm wurde auf eine Temperatur von -40 °C abgekühlt, und die in dem Reaktionsrohr vorhandene Luft wurde durch Stickstoff ersetzt. Danach wurden loo ml flüssiges Ammoniak und 50 ml Toluol in das Reaktionsrohr gefüllt. Diese Stoffe trennten sich in dem Reaktionsrohr in eine obere flüssige Ammoniakschicht und einer unteren Toluolschicht. Anschließend wurden insgesamt 4o ml einer vorher zubereiteten Toluollösung aus 49,5 mMol Siliciumtetrachlorid und 0,5 mMol Dichlordiphenylsilan (Si/C-Verhältnis der Siliciumverbindungen = 100/12) in die langsam umgerührte untere Schicht durch ein Beschickungsrohr mit einer Beschickungsrate von etwa 10 ml/min zugeführt.
  • Gleichzeitig mit dem Zuführen der Toluollösung wurde in der Grenzfläche zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht ein weißes Reaktionsprodukt ausgefällt. Dieses Reaktionsprodukt wurde abgefiltert und anschließend zweimal mit jeweils 50 ml flüssigem Ammoniak gewaschen.
  • 2) Calcinierung des Reaktionsproduktes Das erhaltene Reaktionsprodukt wurde zwei Stunden lang bei einer Temperatur von loo °C erhitzt, um sich zu zersetzen, wobei Stickstoffgas durchgeblasen wurde. Das zersetzt Produkt wurde durch zweistündiges Erhitzen auf eine Temperatur von 1450 °C in einem Tamman-Ofen calciniert, wobei Stickstoffgas weiterhin durchgeblasen wurde Auf diese Weise wurden 2,2 g eines weißlichen (oder gräulichweißen) Pulvers erhalten, wobei die Ausbeute an Pulver, basierend auf den Siliciumverbindungen, 95 % betrug.
  • Als ein Ergebnis einer Röntgenspektrographanalyse des Produktes wurden Diffraktionslinien von Alpha-Siliciumnitrid und 5 % oder weniger von Beta-Siliciumnitrid beobachtet. Die Elementaranalysewerte von N, C und 0, ermittelt durch eine Schutzgas-Schmelzmethode, betrugen 38,5 %, 1,2 8 bzw. 3,5 %. Auf dem Wege der Röntgen-Fluoreszenz-Analyse wurden nur jeweils loo ppm oder weniger der Stoffe Fe, Al, Ca, K und C1 festgestellt, d.h. Stoffe anders als die Hauptkomponente. Die Rdttel- bzw.
  • Klopfdichte des resultierenden Pulvers betrug 1,2 g/cm2, und die durch eine Stickstoffadsorptionsmethode ermittelte Brunaver-Emmet-T6ller (BET) - spezifische Oberfläche des Pulvers betrug 6 m3/g. Mit dem Raster-Elektronenmikroskop wurden ausschließlich Pulverpartikel in Form regelmäßiger Kristalle mit einer Partikelgröße von 0,5 bis 1,o µm festgestellt, so wie sie in Fig. 1 dargestellt sind.
  • Vergleichsbeispiel 1 Es wurde eine Gesamtausbeute von 2,1 g eines weißlichen Pulvers in der gleichen Weise, wie im Beispiel 1 beschrieben, hergestellt, wobei jedoch 50 mMol Siliciumtetrachlorid ohne Dichlordiphenylsilan verwendet wurde.
  • Eine Röntgenspektrographanalyse des Pulvers zeigte eine breite Diffraktionslinie von Alpha-Siliciumnttriden mit einer unzulänglichen Rristallbildung.
  • Anschließend wurde das Pulver zwei Stunden lang in der gleichen Weise, wie in Beispiel 1 Cund auch in Beispiel 2) beschrieben, bei einer Temperatur von 1 55o °C calciniert.
  • Eine Röntgenspektrographanalyse des calcinierten Pro- duktes zeigte Diffraktionslinien von Alpha-Siliciumnitrid und 5 bis lo % von Beta-Siliciumnitrid. Es wurden noch folgende analytische Daten erhalten: Elementaranalyse: N: 39,2 %, C: 0,5 %, 0: Xe8 % jeweiliger Anteil an Fe, Al, Ca, K und Cl: loo ppm oder weniger Rüttel- bzw. Klopfdichte: o,6 g/cm³ Spezifische Oberfläche: 10 m2/g Beobachtung des Produktes durch das Raster-Elektronenmikroskop: Aggregate von Mikropartikeln mit einer Teilchengröße von etwa o,1 µm und nadelähnliche Kristalle mit einem Durchmesser von 0,2 µm und einer Länge von etwa 1 bis 10 Zum (siehe Fig. 2).
  • Beispiel 2 Weißliches Pulver wurde in der gleichen Weise, wie in Beispiel 1 beschrieben, hergestellt, wobei jedoch eine Mischung von 49,5 mMol Siliciumtetrachlorid und o,5 mMol Phenyltrichlorsilan (Si/C-Verhältnis der Siliciumverbindungen = 100/6) verwendet wurden. Die Ausbeute an dem erwünschten Produkt betrug 2,3 g (entsprechend 98 % basierend auf den Siliciumverbindungen).
  • Die Ergebnisse der Röntgenspektrographanalyse, der Elementaranalyse für N, C und 0, der BET-spezifischen Oberfläche und der Klopf- bzw. Rütteldichte sind in Tabelle 1 enthalten.
  • Beispiel 3 Ein Reaktionsprodukt, welches sich im wesentlichen aus Siliciumdiimid zusammensetze, wurde im wesentlichen in der gleichen Weise, wie im Beispiel 1 beschrieben, verhalten, wobei jedoch eine Mischung aus 48,5 mMol Siliciumtetrachlorid und 1i5 mMol Methylphenyldichlorsilan (Si/c-Verhältnis der Siliciumverbindungen = 100/21) verwendet wurden. Die Reaktionsmischung wurde zwei Stunden lang in einem Tammann-Ofen durch Erhitzen auf eine Temperatur von 1400 °C calciniert, wobei Stickstoffgas durchgeblasen wurde. Auf diese Weise wurden 1,9 g eines weißlichen Pulvers erhalten (entsprechend einer,Ausbeute von 81 % bezogen auf die Siliciumverbindungen).
  • Die verschiedenen analytischen Daten des resultierenden Pulvers sind in Tabelle 1 enthalten.
  • Beispiel 4 Ein hauptsächlich aus Siliciumdiimid zusammengesetztes Reaktionsprodukt wurde im wesentlichen in der gleichen Weise hergestellt, wie in Beispiel 1 beschrieben, wobei jedoch eine Mischung aus 49,9 mMol Trichlorsilanhydrid und o,1 mMol Diphenyldichlorsilan (Si/C-Verhältnis der Siliciumverbindungen = loo/2,4) verwendet wurden.
  • Das Reaktionsprodukt wurde zwei Stunden lang in einem Tammann-Ofen bei einer Temperatur von 1360 °C calciniert, während Stickstoffgas durchgeblasen wurde.
  • Auf diese Weise wurden 2,o g eines weißlichen Pulvers erhalten, (die Ausbeute betrug, bezogen auf die Siliciumverbindungen, 86 %).
  • Die verschiedenen Analysedaten des resultierenden Pulvers ergeben sich aus Tabelle 1.
  • T a b e l l e 1
    Beispiel Röntgenanalyse Elementar-Analyse (Gew.-%) Spez.-Oberfläche Rütteldichte
    Alpha- Beta- N C O (m²/g) (g/cm³)
    Kristalle Kristalle
    2 95 5 38,3 1,0 1,2 5,5 1,4
    3 98 2 38,7 1,4 0,8 6,4 1,3
    4 100 0 38,1 0,7 1,7 7,2 1,1
    Die Anteile an Fe, Al, Ca, K und C1 der gemäß den Beispielen 2 bis 4 erhaltenen Siliciumnitrid-Pulverprodukte betrugen jeweils 700 ppm oder weniger. Diese Produkte bestanden aus Partikeln mit regelmäßiger Kristallform mit einer Größe von o,3 bis 1,o /um, und zwar betrachtet mittels Raster-Elektronenmikroskop.
  • Beispiel 5 Eine Mischung aus 8,o g Siliciumtetrachlorid und o,8 g Diphenylsilandichlorid (Si/C-Verhältnis der Siliciumverbindungen = 100/72) wurde in 5oo ml Toluol gelöst. Mit dieser Lösung wurde ein Einliter-Reaktor beschickt, dessen Atmosphäre vorher gegen Stickstoff ausgetauscht worden war. Danach wurde Stickstoffgas, welches 20 Volumenprozent Ammoniakgas enthielt, über einen Zeitraum von 2 Stunden unter Umrühren bei einer Temperatur von -1o °C und einer Zuführrate von o,5 Nl/min in diese Lösung eingeleitet. Der resultierende voluminöse weiße Feststoff wurde durch Filtration unter einer Stickstoffatmosphäre erhalten und dann 5 mal mit jeweils 50 ml flüssigem Ammoniak gewaschen.
  • Das so erhaltene Pulver wurde zwei Stunden lang bei einer Temperatur von 1000 °C erhitzt und dann zwei Stunden lang in einem rohrförmigen Tammann-Ofen bei einer Temperatur von 1460 °C calciniert, während Stickstoffgas durchgeblasen wurde. Auf diese Weise wurden 2,3 g eines schwärzlich-grauen Pulvers erhalten.
  • Das Pulver wurde 8 Stunden lang bei einer Temperatur von 600 °C einer Hitzebehandlung ausgesetzt, wobei Luft durchgeblasen wurde. Als Ergebnis wurden 1,9 g eines weißlichen Pulvers erhalten (die Ausbeute betrug, bezogen auf die Siliciumverbindungen, 82 %).
  • Die analytischen Daten des resultierenden Pulvers sind in Tabelle 2 enthalten. Der-Anteil von jeweils Fe, Al Ca, K und Cl in dem Pulver betrug loo ppm oder weniger.
  • Es wurden nur Pulverpartikel mit regelmäßiger Rristallform und in einer Größe von 0,5 5 bis. 1 ,o µm erhalten, und zwar festgestellt mittels Raster-Elektronenmikroskop.
  • Beispiel 6 Ein nach Art eines Zyklons aufgebauter Glasbehälter mit einem Aufnahmevolumen von 3 Liter und mit drei Gaszuführungsrohren und einem Gasauslaßrohr wurde zum Austausch der Luft mit Stickstoff durchblasen. Danach wurden Stickstoffgas, das 5 Volumenprozent Trichlorsilanhydrid enthielt, Stickstoffgas, das 5 Volumenprozent DImethylsilandichlorid enthielt, und Ammoniakgas separat durch die drei Gaseinleitungsrohre mit einer Zufthrungsgeschwindigkeit von 0,3 Nl/min, o,3 Nl/min bzw. o,5 Nl/min während eines Zeitraumes von 2 Stunden in den Behälter eingefüllt, und man ließ diese Füllung bei einer Temperatur von o °C reagieren0 An der Innenwand und dem Boden des Behälters lagerten sich voluminöse weiße Feststoffe ab. Um den Feststoff in Form einer Aufschlämmung zu erhalten, wurde in den Behälter Toluol eingefüllt.
  • Der Feststoff wurde aus der Aufsohlämmung durch Filtration abgetrennt.
  • Der auf diese Weise erhaltene Feststoff wurde in ein Quarzschiffchen gegeben. Der Feststoff wurde 2 Stunden lang bei einer Temperatur von 500 °C erwärmt und dann 2 Stunden lang in einem rohrförmigen Elektroofen bei einer Temperatur von 1000 0C erhitzt, um die Zersetzung zu bewirken, während Stickstoffgas durchgeblasen wurde.
  • Das zersetze Produkt wurde 2 Stunden lang bei einer Temperatur von 1400 °C calciniert, um 4,7 g eines schwärzlich, weißlichen Pulvers zu erhalten. Das Pulver wurde dann 8 Stunden lang einer Wärmebehandlung bei 600 °C ausgesetzt, wobei Luft durchgeblasen wurde. Auf diese Weise wurden 4,5 g eines weißlichen Pulvers erhalten (die Ausbeute betrug, bezogen auf die Siliciumverbindungen, 60 %).
  • Die analytischen Daten dieses Pulvers ergeben sich aus Tabelle 2. Der Gehalt an jeweils Fe, Al, Ca, K und C1 in dan Pulver betrug jeweils loo ppm oder weniger.
  • Mittels Ras ter-El ektronenmikros kopbeob achtung wurde festgestellt, daß die meisten der Pulverpartikel eine regelmäßige Kristallform hatten bei einer Teilchengröße von etwa o,5 /um, obwohl auch eine kleine Menge an nadelförmigen Kristallen vorhanden waren.
  • T a b e l l e 2
    Beispiel Röntgenanalyse Elementar-Analyse (Gew.-%) Spez. -Oberfläche Rütteldichte
    Alpha- Beta- N C O (m²/g) (g/cm³)
    Kristalle Kristalle
    5 93 7 37,8 1,2 2,1 2,7 1,3
    6 94 6 35,5 1,8 2,5 6,0 0,8
    Leerseite

Claims (5)

  1. Patent ansprüche 1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid-Pulver, dadurch gekennzeichnet, daß man 1. eine Verbindung der Formel (I) RmSiCl4-m (I), in der R eine aliphatische Restgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine aromatische Restgruppe mit 6 bis 8 Kohlenstoffatomen bedeutet, wenn m eine Zahl von 1, 2 oder 3 darstellt, und eine Verbindung der Formel (II) HnSiCl4-n (II), wenn n eine Zahl von o, 11, 2 oder 3 darstellt, wobei das Verhältnis von Siliciumatomen zu Kohlenstoffatomen (Si/C) in beiden Verbindungen (I) und (II) in der Größe von 0,5 bis 50 beträgt, mit Ammoniak zur Reaktion bringt, und 2. das resultierende Reaktionsprodukt in der ersten Stufe bei einer Temperatur von 1200 bis 1700 °C unter einer Inertgas oder einer reduzierenden Atmosphäre calciniert.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Reaktion gemäß Punkt (1) bei einer Temperatur von -8o 0C bis 30 °C in einer flüssigen Phase durchführt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, , dadurch gekennzeichnet, daß man die Reaktion gemäß Punkt (1 ) bei einer Temperatur von 0 bis 200 °C in einer Dampfphase durchführt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Reaktion gemäß Punkt (1) unter Verwendung einer Ammoniakmenge durchführt, die mindestens dem Zweifachen der Molekularzahl entspricht, und zwar basierend auf der Atomnummer des Chlors, welches in den Verbindungen (I) und (II) an das Silicium gebunden ist.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid-Pulver, dadurch gekennzeichnet, daß man 1. entweder mindestens eine Verbindung aus der Gruppe von Trichlormethylsilan, Dichlormethylsilan und Trichlorethylsilan oder eine Mischung davon mit mindestens einer Verbindung der Formel (III) R'nSlC14~n (III), in der R' eine aliphatische Restgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine aromatische Restgruppe mit 6 bis 8 Kohlenstoffatomen bedeutet, wenn n eine Zahl von 1, 2 oder 3 darstellt, vorausgesetzt, daß R' bei n = 1 keine Methyl- oder Ethylgruppe und bei n = 2 keine Methylgruppe ist, wobei das Verhältnis von Kohlenstoffatomen zu Siliciumatomen in der Mischung zwischen o,5 bis 50 beträgt, mit Ammoniak zur Reaktion bringt, und 2. das resultierende Reaktionsprodukt in der ersten Stufe bei einer Temperatur von 1200 bis 1700 0C unter einer Inertgas oder einer reduzierenden Atmosphäre calciniert.
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