DE3114187A1 - "kupferlegierung und verfahren zu deren herstellung" - Google Patents
"kupferlegierung und verfahren zu deren herstellung"Info
- Publication number
- DE3114187A1 DE3114187A1 DE3114187A DE3114187A DE3114187A1 DE 3114187 A1 DE3114187 A1 DE 3114187A1 DE 3114187 A DE3114187 A DE 3114187A DE 3114187 A DE3114187 A DE 3114187A DE 3114187 A1 DE3114187 A1 DE 3114187A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ppm
- copper
- manganese
- selenium
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Heat Treatment Of Nonferrous Metals Or Alloys (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Kupferlegierungen und
insbesondere Legierungen, die im Vergleich zu unlegiertem Kupfer eine hohe Festigkeit, hohe Erweichungstemperaturen
und eine ausgezeichnete Leitfähigkeit aufweisen.
Die Fähigkeit von Kupfer, seine Festigkeit auch beizubehalten, nachdem es hohen Temperaturen ausgesetzt war (im folgenden
als "WärmeStabilität" bezeichnet), ist für viele
Anwendungen eine wichtige Eigenschaft, in denen Metalle eingesetzt werden - bspw. für Läufer- und Ständerwicklungen,
Schweißelektroden, Kühlkörper für elektronische Bauelemente und durch Löten zusammenzusetzende Gegenstände.
Reines Kupfer hat zwar eine ausgezeichnete Leitfähigkeit, zeigt aber bei Temperaturen von bereits etwa 150 C eine
Neigung zur Kristallerholung und Rekristallisation und zum Kornwachstum, so daß das reine Metall für viele spezielle
und kritische Anwendungen ungeeignet ist.
130064/0773
Es ist eine bekannte Maßnahme, dem Kupfer verschiedene Legierungselemente hinzuzusetzen, um es zu festigen; die
Zusatzelemente haben oft jedoch den unerwünschten Effekt, die Leitfähigkeit des reinen Kupfers zu senken. Es sind
Silberlegierungen des Kupfers bekannt, die die gewünschte Leitfähigkeit zeigen und ihre Festigkeit bei mäßig erhöhten
Temperaturen beibehalten; die hohen Kosten des zur Herstellung dieser Legierungen erforderlichen Silbers stehen jedoch
ihrer weiteren Verbreitung im Wege. Es besteht folglich Bedarf an Zusammensetzungen auf Kupferbasis, die unter erhöhten
Temperaturen eine bessere Wärmestabilität als reines Kupfer zeigen, die anderen erwünschten Eigenschaften des Kupfers
jedoch beibehalten.
Es ist bekannt, Mangan und/oder Selen dem Kupfer hinzuzufügen;
man hat aber in der Vergangenheit die sehr günstigen Effekte einer Zugabe sehr kleiner Mengen von sowohl Mangan
als auch Selen nicht erkannt. Bspw. offenbart die US-PS 2 038 136 eine Zugabe von 0,05% bis 4% Selen zum Kupfer,
um dessen Bearbeitbarkeit zu verbessern, und lehrt weiter, daß die Selen-Kupfer-Legierung auch wahlweise bis zu
0,5% Mangan enthalten kann. Die zur besseren Bearbeitbarkeit des Kupfers erforderlichen Mangan- und Selenanteile
sind jedoch weit größer als die vorliegende Erfindung zum Verbessern der Wärmestabilität des Kupfers vorschlägt.
130064/0773
3114117
Die US-PS 4 059 437 offenbart ein sauerstofffreies Kupferprodukt, das ohne Verwendung von Entoxidxermitteln hergestellt
wurde und Mangan in Mengen von 1 bis 100 ppm enthält. Das Mangan soll dabei während der Glühbehandlung des Kupfers
die Kontrolle über das Kornwachstum verbessern und zu einem Kupferprodukt mit nach dem Glühen verbesserter Oberflächenqualität,
besserem Korngefüge und besserer Duktilität, aber auch einer hohen Leitfähigkeit führen. Andere Elemente
liegen dieser Offenbarung zufolge nur in den Mengen vor, in denen sie sauerstofffreies Kupfer normalerweise enthält;
diese Druckschrift legt daher die überraschend vorteilhaften Ergebnisse hinsichtlich der Wärmestabilität nicht nahe, die
sich durch Aufnahme von Mangan und Selen in sauerstofffreies Kupfer in den anzugebenden Mengen erreichen lassen.
Die US-PS 2 206 109 offenbart eine Legierung von Kupfer mit Kobalt und/oder Nickel und weiterhin 4 - 15 % Mangan und bis
zu 0,6 % Selen. Während diese Druckschrift den Mangan- und Selenzusätzen eine verbesserte Kaltverformbarkeit und Korrosionsfestigkeit
zuschreibt, legt sie keine Kupferlegierung mit sehr geringen Mengen von Mangan und Selen nahe und
erwähnt auch nicht die mit einer solchen Legierung nach der vorliegenden Erfindung erreichbaren verbesserten Eigenschaften.
130064/0773
Andere Patentschriften, die US-PSn 1 896 193, 2 178 508, 2 232 960 und 3 451 808 offenbaren entweder Mangan oder
Selen sowie einen oder mehrere Zusätze zu Kupfer, kennen
jedoch nicht den synergetisehen Effekt einer Zugabe von
sowohl Mangan als auch Selen in Mengen innerhalb der hier angegebenen und beanspruchten Bereiche.
Allgemein richtet sich die vorliegende Erfindung auf eine kalt verformte Kupferlegierung mit hoher elektrischer
Leitfähigkeit und verbessertem Widerstand gegen Kristallerholung, Rekristallisation und Kornwachstum bei
erhöhten Temperaturen. Die kaltverformte Legierung besteht im wesentlichen aus kleinen aber wirksamen Mengen von
Mangan und Selen zur Erhöhung der Halbstunden-Erweichungstemperatur
um mindestens etwa 100° C über die eines unlegierten Kupfers für gegebene Kaltverfestigung, während
die elektrische Leitfähigkeit über etwa 100% des IACS-
Werts (International Annealed Copper Standard) bleibt, sowie aus weniger als etwa 20 ppm Sauerstoff, Rest im
wesentlichen Kupfer.
Kaltverformte Kupferlegierungen nach der vorliegenden Erfindung lassen sich herstellen, indem man unter nichtoxidierenden
Bedingungen eine Kupferschmelze mit weniger
130064/0773
31U187
als etwa 20 ppm Sauerstoff herstellt, den Mangan- und den Selenanteil in der Schmelze auf kleine, aber wirksame
Mengen derart einstellt, daß man kaltverformt eine Kupferlegierung mit einer Halbstunden-Erweichungstemperatur
von mindestens etwa 100° C über der der unlegierten Kupferbasis für gegebene Kaltverformung erhält, während
die elektrische Leitfähigkeit über etwa 100 % ICAS bleibt,
dann die Kupferlegierungsschmelze gießt, warmverformt und schließlich zur gewünschten Gestalt kaltverformt.
Fig. 1 zeigt an einem Diagramm die Endzugfestigkeit bei
Umgebungstemperatur für sechs Kupferlegierungen, nachdem diese für eine feste Dauer verschiedenen
erhöhten Temperaturen ausgesetzt waren;
Fig. 2 zeigt als Diagramm die Zunahme der Halbstunden-Erweichungstemperatur
gegenüber der eines unlegierten sauerstofffreien Kupfers für verschiedene
Legierungen mit Mn, Se oder beiden als Funktion des Mn- und/oder Se-Anteils;
Fig. 3 zeigt als Diagramm die Endzugfestigkeit verschiedener Kupferlegierungen nach dem Verweilen auf verschiedenen
Temperaturen als Funktion der Verweildauer.
130064/0773
Wie bereits ausgeführt, sollten die verbesserten Kupferlegierungen
nach der vorliegenden Erfindung im wesentlichen sauerstofffrei sein, d.h. weniger als etwa 20 ppm Sauerstoff
enthalten. Diese Bedingung läßt sich am einfachsten erfüllen, indem man von einem Kupfer mit weniger als etwa 20 ppm
Sauerstoff ausgeht und dann die Legierung unter nichtoxidierenden Bedingungen herstellt. Das als "sauerstofffrei"
bekannte Kupfer ist für die Verwendung für die vorliegende Erfindung gut geeignet; der Ausdruck wird von der Fachwelt
für ein hochreines Kupfer verwendet, das nach einem der für diesen Zweck bekannten Verfahren (einschl. des Schmelzens
unter einer reduzierenden Atmosphäre oder der Zugabe einer kleinen Menge eines Entoxidiermittels wie bspw. Phosphor zur
Kupferschmelze und Entfernen des oxidierten Mittels) von seinem Sauerstoffgehalt im wesentlichen befreit worden ist.
Sauerstofffreies Kupfer enthält typischerweise weniger als
etwa 1 bis 2 ppm Selen und weniger als etwa 1 bis 2 ppm Mangan.
Das zur Herstellung der Legierungen nach der vorliegenden Erfindung verwendete Kupfer enthält weiterhin vorzugsweise
mindestens etwa 99,99 % Cu und ist von Substanzen frei, die nachteilig mit dem in das Kupfer aufzunehmenden Selen und
Mangan reagieren.
13006A/0773
Um Legierungen nach der vorliegenden Erfindung herzustellen,
setzt man eine Kupferschmelze entsprechend der obigen Beschreibung
bei einer Temperatur von vorzugsweise zwischen etwa 1100° C und etwa 1250° C unter geeigneten nichtoxidierenden
Bedingungen an - bspw. unter einer Decke aus Argon oder einem anderen gegenüber Kupfer, Mangan und Selen inerten
Gas. Liegt zu viel Sauerstoff (im Kupfer selbst oder in der Atmosphäre über ihm) vor, wenn das Mangan und Selen der
Kupferbasis zugefügt werden, kann das Mangan oxidieren, so daß sich eine Schlacke auf der Schmelze bildet. Desgl. kann
sich im endgültigen Produkt eine Dispersion von Manganoxid ausbilden. Selen kann teilweise als Selenoxid aus der Schmelze
entfernt werden.
Bei der Herstellung der Kupferschmelze stellt man den Selen-
und den Mangangehalt so ein, daß die Schmelze die gewünschte Menge jedes Bestandteils enthält. Diese Einstellung der
Selen- und Mangananteile erfolgt am einfachsten, indem man das Mangan und Selen typischerweise elementar der Schmelze
zugibt. Zweckmäßigerweise können das Mangan, das Selen oder beide in einer Vorlegierung in einer sauerstofffreien Cu-Basis
hinzugefügt werden, um die Handhabung kleiner Mengen dieser beiden Elemente zu erleichtern. Obgleich Selen bei
der Temperatur einer Kupferschmelze verhältnismäßig flüchtig ist (vergl. Bsp. 1), ist es unter entsprechend kontrollier-
130064/0773
ten Bedingungen möglich, Selen und Mangan der Kupferschmelze
elementar hinzuzugeben, ohne daß wesentliche Verluste an ihnen auftreten. Das dem sauerstofffreien geschmolzenen '
Kupfer hinzugefügte Material kann fest oder geschmolzen vorliegen und ist vorzugsweise fest; es schmilzt sehr schnell
und die Legierungsbestandteile verteilen sich rasch in der geschmolzenen Kupferbasis.
Es hat sich herausgestellt, daß die erwünschten Eigenschaften der Legierungen nach der vorliegenden Erfindung besonders
ausgeprägt sind bei Legierungen, die das Selen und das Mangan jeweils in Mengen zwischen etwa 4 ppm (bezüglich des Gewichts
der endgültigen Zusammensetzung) und etwa 100 ppm enthalten. Allgemein erhält man mit den höheren Mangananteilen
in den Legierungen nach der vorliegenden Erfindung eine etwas niedrigere Zugfestigkeit, während Legierungen
nach der vorliegenden Erfindung mit höheren Anteilen von Mangan oder Selen" eine etwas niedrigere Leitfähigkeit
zeigen können. Die Legierungen nach der vorliegenden Erfindung haben also vorteilhafterweise einen Mangan- und Selenanteil
von jeweils etwa 4 ppm bis etwa 80 ppm und vorzugsweise etwa 10 ppm bis etwa 50 ppm. Der Fachmann kennt
analytische Methoden zum Ermitteln des Selen- und Mangananteils in den Kupferlegierungen nach der vorliegenden
Erfindung.
130064/0773
31U187
Danach wird das Kupfer mit den erwünschten Mengen des Selens und Mangans vergossen, dann - vorzugsweise auf eine
Temperatur von etwa 800° C bis etwa 950 C - erwärmt, um
das Material zu homogenisieren, und schließlich warmverformt,
um die Gießstruktur aufzubrechen; den warmverformten Gegenstand
läßt man abkühlen. Man kann den festen Gegenstand dann lösungsglühen, damit er seine Festigkeit besser beibehält
und seine Erweichungstemperatur weiter steigt. Die Temperatur· und Dauer der Lösungsglühbehandlung hängen von
der Größe des Gießlings ab, sollten jedoch so gewählt v/erden, daß die Legierung nach der Kaltverfestigung die
gewünschten Eigenschaften aufweist. In einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erhält der Gieß-.ling
eine Lösungsglühbehandlung äquivalent einer Dauer von 30 min bei einer Temperatur von 7 00° C oder mehr. Schließ- ;
'lieh bearbeitet man den Gegenstand kalt zu seiner endgülti- .'
gen Form. Typischerweise kann man ihn etwa 20 % oder mehr kaltverformen, aber man erreicht für die Legierung eine
zusätzliche Festigkeit durch eine Kaltverformung von mindestens etwa 40 %, vorteilhafterweise mindestens etwa 60 % oder mehr
und bevorzugt mindestens etwa 90 %.
Legierungen nach der vorliegenden Erfindung wurden mit den
130064/0773
31U187
in der Tabelle 1 angegebenen Bestandteilen hergestellt:
| Legierung Nr. | Mn (ppm) | Se (ppm) | Cu |
| 1 | 5 | 5 | Rest |
| 2 | 8 | 7 | ti |
| 3 | 20 | 4 | Il |
| 4 | 20 | 10 | Il |
| 5 | 24 | 7,5 | Il |
| 6 | 28 | 17 | Il |
| 7 | 36 | 20,5 | Il |
Diese Legierungen wurden nach unterschiedlichen Verfahren wie folgt hergestellt:
Legierungen 1, 2 und 6: 15 kg Kupfer mit weniger als 10 ppm
Sauerstoff wurden bei 1250 C in einer Kammer unter 100 ,um Vakuum aufgeschmolzen und die Kammer dann mit Stickstoff
gefüllt, der Schmelze Selen und Mangan elementar zugefügt, die Schmelze vergossen, bei 850 C zu 90 % warmverformt,
auf Raumtemperatur gekühlt, 30 min bei 850° C (unter Holzkohle) lösungsgeglüht, mit Wasser abgeschreckt und 90 %
kalt zu einem Draht mit einem Durchmesser von 2,06 min
(0,081 in.) Durchmesser verarbeitet. Der Mangan- und Selenanteil wurde nach Atomabsorptionsverfahren bestimmt.
130064/0773
31U187
Legierung 3: Wie für die Legierungen 1, 2 und 6, wobei das
Selen als Cu2Se hinzugegeben wurde.
Legierung 4: Wie für die Legierungen 1, 2 und 6 aber unter
Zugabe des Mangans und Selens als Vorlegierung aus 0,5 % Se und 1 % Mn, Rest Cu.
Legierungen 5 und 7: Wie für die Legierungen 1, 2 und 6,
wobei jedoch 1 kg Kupfer unter Argon bzw. Stickstoff bei Atmosphärendruck aufgeschmolzen und dann das Mangan und
Selen elementar.zugegeben wurden.
Überraschenderweise hat das Vorliegen kleiner Mengen von
sowohl Mangan als auch Selen im Kupferkörper einen bemerkenswerten
Verbesserungseffekt auf die Erweichungstemperatur der Legierung. Allgemein gesagt geht, wenn Legierungen
nach der vorliegenden Erfindung einer erhöhten Temperatur in der Größenordnung von 300 - 500° C ausgesetzt sind,
weit weniger Festigkeit verloren als bei Kupfer allein, Kupfer-Silber-Legierungen oder von nur Mangan oder Selen
enthaltendem Kupfer und entsprechenden Temperaturen.
Zum Vergleich wurde der Festigkeitsverlust von Legierungen nach der vorliegenden Erfindung und anderer Materialien
unter erhöhten Temperaturen bestimmt, indem jeweils eine
130064/0773
*" 31U187
Probe 30 min einer gegebenen Temperatur ausgesetzt, dann auf Umgebungstemperatur abkühlen gelassen und schließlich
die Endzugfestigkeit auf dem Fachmann bekannte Weise bestimmt wurde. Die entsprechenden Werte wurden als Funktion
der Behandlungstemperatur aufgetragen und die Meßpunkte der Proben gegebener Zusammensetzung zu den charakteristisch
verlaufenden Erweichungskurven miteinander verbunden, die einen ersten Bereich, in dem Festigkeit nur allmählich verloren
geht, während die Behandlungstemperatur über die Raumtemperatur hinaus ansteigt, und einen zweiten Bereich aufweisen,
indem die Festigkeit mit steigender Behandlungstemperatur
schneller absinkt.
Die in der Beschreibung und in den Ansprüchen zur Kennzeichnung der Zusammensetzungen nach der vorliegenden Erfindung
und zu deren Vergleich mit anderen Materialien verwendete Bezeichnung "Halbstunden-Erweichungstemperatur" bezeichnet
diejenige Temperatur, bei der ein Material einen Wert der Endzugfestigkeit in der Mitte zwischen der Endzugfestigkeit
vor dem Verweilen auf einer erhöhten Temperatur und einer Zugfestigkeit angenommen hat, die das Material nach einer
halbstündigen Behandlung mit erhöhter Temperatur im vollständig weichen Zustand annimmt. Wie für den Fachmann
einzusehen ist, kennzeichnet eine Zunahme der Halbstunden-Erweichungstemperatur eine höhere Stabilität der Festigkeit
130064/0773
31H187
und einen höheren Widerstand gegenüber einer Kristallerholung, einer Rekristallisation und einem Kornwachstum.
Die Kupferlegierungen nach der vorliegenden Erfindung
mit gegebener Kaltverformung zeigen Halbstunden-Erweichungstemperaturen, die mindestens etwa 100° C höher liegen als
die einer unlegierten Kupferbasis mit gleicher Kaltverformung. Im Vergleich zur Halbstunden-Erweichungstemperatur des
sauerstofffreien Kupfers, das als Basis für die Legierungen
nach der vorliegenden Erfindung dient, läßt sich also für gegebene Kaltverformung die Halbstunden-Erweichungstemperatur
um mindestens etwa 100 C erhöhen, indem man das sauerstofffreie Kupfer mit Mangan und Selen unter den hier angegebenen
Bedingungen legiert und die gleiche Kaltverformung anwendet. Vorteilhafterweise enthalten die Legierungen
nach der vorliegenden Erfindung Mangan- und Selenmengen, die die Halbstunden-Erweichungstemperatur um mindestens
etwa 150° C über die der unlegierten Kupferbasis bei gegebener Kaltverformung erhöhen, und behalten die Ausgangsfestigkeit
noch besser bei.
i Beispiel 2
Proben von Legierungen nach der vorliegenden Erfindung und von anderen mit diesen zu vergleichenden Materialien wurden
gegossen, bei 8500C um 90 % kaltverformt, bei 850° C für
130064/077 3
1 30 min lösungsgeglüht und dann um 90 % zu 2,06-mm-Draht
' kaltverformt.
j Die Fig. 1 zeigt die Erweichungskurven für sechs verschiedene
I Legierungen nach einer halbstündigen Behandlung mit Tempera-
i türen zwischen 20 C und 500 C. Diebin der Fig. 1 links
: gruppierten drei Kurven zeigen die Festigkeitsänderung als
! Funktion der Exponierungstemperatur für drei Bezugslegierun-
! gen: unlegiertes sauerstofffreies Kupfer, das von der Fa.
ί Amax Copper Inc. unter der Bezeichnung OFHC vertrieben wird,
, dann OFHC-Kupfer mit 9 ppm Selen und weniger als 0,5 ppm Man-
; gan und schließlich OFHC-Kupfer mit 18 ppm Mangan sowie weniger
] als 0,5 ppm Selen. Die gestrichelte Kurve zeigt das Erweichungs-
: verhalten von OFHC-Kupfer, das auch 924 g (33 oz.) Silber
pro Tonne der Legierung bzw. etwa 1000 ppm Silber enthält.
Die in Fig. 1 am weitesten rechts liegenden zwei Kurven zeigen das Erweichungsverhalten von zwei Legierungen nach der ·
. vorliegenden Erfindung, und zwar von OFHC-Kupfer, 2 0 ppm Mangan und 10 ppm Selen sowie OFHC-Kupfer mit 20 ppm Mangan und 20 ppm
Selen.
Wie die Fig. 1 zeigt, nehmen nach 30 min auf Temperaturen bis zu etwa 200 C die End-Zugfestigkeiten der Vergleichslegierungc
bei Raumtemperatur erheblich ab, nachdem sie Temperaturen über
. waren, während
130064/077 3
etwa 200 C ausgesetzt waren, während die geprüften Legierungen
3ΪΗ187
nach der vorliegenden Erfindung ihre Festigkeit auch noch zu einei
erheblichen Ausmaß beibehalten, nachdem sie Temperaturen von mehr als 400 C ausgesetzt waren. Die Halbstunden-Erweichungstemperaturen aer beiden erfindungsgemäßen Zusammensetzungen in Fig. 1
liegen erheblich über 350 C und sind um mehr als 100 C höher als-·
die Halbstunden-Erweichungstemperaturen des unlegierten sauerstoff freien Kupfers.
Fig. 1 zeigt weiterhin, daß die Legierungen nach der vorliegenden Erfindung, nachdem sie hohen Temperaturen ausgesetzt waren, ver-
gleichbare oder höhere Zugfestigkeiten bei Raumtemperatur haben als eine herkömmliche Kupfer-Silber-Legierung. Die Festigkeit der '
in der Fig. 1 gezeigten speziellen Cu-Ag-Legierung fällt ober- : ,'
halb etwa 350 C ab; nachdem sie einer Temperatur von 400 C aus- :
gesetzt waren, zeigen jedoch Legierungen nach der vorliegenden ; \
Erfindung bei Raumtemperatur weit höhere Endzugfestigkeiten als diese Cu-Ag-Legierung. Die Legierungen nach der vorliegenden Erfindung
erweisen sich als der Cu-Ag-Legierung in der Festigkeit , .-noch überlegen, nachdem sie Temperaturen von bis zu etwa 500 C
ausgesetzt waren.
Weiterhin wird auf den synergetischen Effekt einer Aufnahme von
beiden dem Kupfer gleichzeitig zugesetzten Elementen nach der vorliegenden Erfindung hingewiesen. Der starke Einfluß einer
Kombination von Mangan und Selen auf ein Erhöhen der Erweichungs- -.,
(Rekristallisations-)Temperatur des Kupfers läßt sich in der Fig. 2 erkennen. Die mit Mn und Se bezeichneten Kurven zeigen
"-■■■■' 130064/0773
31U187
die Zunahme der Halbstunden-Erweichungstemperatur bei separater Zugabe von Mangan und Selen zu sauerstofffreiem Kupfer. Wie
j ersichtlich, erhält man mit einer Zugabe von bis zu 100 ppm
J Mn oder Se allein eine maximale Zunahme der Erweichungstempera-1
tür gegenüber der des sauerstofffreien Kupfers von etwa 25 C
(Mangan allein) bzw. etwa 75 C (Selen allein). Die gestrichelte
Kurve in Fig. 2 zeigt die Summe der Zunahmen der Halbstundeni
Erweichungstemperatur infolge einer Zugabe gleicher Mengen
von entweder Mangan oder Selen als Funktion des Gesamtanteils
von Mangen und Selen. Diese Kurve zeigt die Zunahme der Halbstunden-Erweichungstemperatur,
die man bei Legieren von sauerstoff I freiem Kupfer mit gleichen Mengen von Mangan und Selen erwarten
sollte. Wie ersichtlich, würde man aus der Zugabe von Mangan ; und Selen bis zu insgesamt 100 ppm eine maximale Zunahme der
ι Halbstunden-Erweichungstemperatur von vielleicht9 0 C erwarten,
: und zwar aufgrund einer Überlagerung der separaten Einflüsse I von Mangan und Selen. Wie man aber an der als "Se + Mn (tatj
sächlich.)" markierten Kurve ersehen kann, erhält man mit einer
• Kombination von Mangan und Selen in sauerstofffreiem Kupfer
! eine unerwartete Erhöhung der Erweichungstemperatur von bis zu ι _
etwa 170° C, was die günstige synergetische Wechselwirkung
j zwischen Mangan und Selen beweist. Sämtliche in der Fig. 2
j aufgezeichneten vierte wurden an 90 % kaltverformten Legierun-
! gen aufgenommen.
Als weiteren Nachweis für die überlegenen Eigenschaften der
130064/07-7-3- —-" ~- -
Legierungen nach der vorliegenden Erfindung wurde ermittelt,
daß sie bei einer Staridard-Duktilitätsprüfung überraschend ·
hohe Duktilitätswerte zeigen. Bspw. wurde ein sauerstofffreies
Kupfer mit 20 ppm Selen und 20 ppm Mangan zu 90 % warmverformt,■ \ : 30 min bei 850 ° C lösungsgeglüht, 90 % kaltverformt und bei ! 850 C in H- geglüht. Diese Probe ließ sich in einem Rückbiege- , test nach ASTM B-170 elfmal biegen, ohne zu brechen. Dieses Er--.-: gebnis ist überraschenderweise vergleichbar mit den 11 Rückbiegun gen, die eine typische Probe aus reinem OFHC-Kupfer im gleichen ί Test übersteht, bevor sie bricht. ; ;
daß sie bei einer Staridard-Duktilitätsprüfung überraschend ·
hohe Duktilitätswerte zeigen. Bspw. wurde ein sauerstofffreies
Kupfer mit 20 ppm Selen und 20 ppm Mangan zu 90 % warmverformt,■ \ : 30 min bei 850 ° C lösungsgeglüht, 90 % kaltverformt und bei ! 850 C in H- geglüht. Diese Probe ließ sich in einem Rückbiege- , test nach ASTM B-170 elfmal biegen, ohne zu brechen. Dieses Er--.-: gebnis ist überraschenderweise vergleichbar mit den 11 Rückbiegun gen, die eine typische Probe aus reinem OFHC-Kupfer im gleichen ί Test übersteht, bevor sie bricht. ; ;
Die Legierungen nach der vorliegenden Erfindung behalten ihre \
Festigkeit bei hohen Temperaturen überraschend gut bei, wie ' v"
oben ermähnt, und auch ihre elektrische Leitfähigkeit ist mit ■
der von reinem Kupfer gut vergleichbar. Insbesondere lassen ■ · sich Leitfähigkeitswerte von mehr als 100 % IACS (International j Annealed Copper Standard) leicht erreichen. Hieraus ergibt sich, '. daß die neuartigen Legierungen sehr gut geeignet sind für
Anwendungen, für die eine hohe Leitfähigkeit und auch eine
hohe Wärmestabilität gefordert sind. Die folgende Tabelle
gibt die Leitfähigkeit für OFHC-Kupfer und für mehrere Legierungen nach der vorliegenden Erfindung an:
der von reinem Kupfer gut vergleichbar. Insbesondere lassen ■ · sich Leitfähigkeitswerte von mehr als 100 % IACS (International j Annealed Copper Standard) leicht erreichen. Hieraus ergibt sich, '. daß die neuartigen Legierungen sehr gut geeignet sind für
Anwendungen, für die eine hohe Leitfähigkeit und auch eine
hohe Wärmestabilität gefordert sind. Die folgende Tabelle
gibt die Leitfähigkeit für OFHC-Kupfer und für mehrere Legierungen nach der vorliegenden Erfindung an:
130064/0773
| Tabelle 2 | Cu | Leitfähigkeit | |
| Z us ammens etz ung | OFEC | % IACS | |
| Mn (ppm) | Se (ppm) | Rest | 101,50 |
| __ | ti | 101,05 | |
| 5 | 5 | If | 101,10 |
| '8 | 7 | ti | 100,75 |
| 20 | 10 | Il | 100,90 |
| 20 | 20 | Il | 100,75 |
| 24 | 7,5 | Il | 100,85 |
| 28 | 17 | 100,90 | |
| 36 | 20,5 | ||
Weiterhin ist festgestellt worden, daß die Legierungen nach der vorliegenden Erfindung ihre Festigkeit auch beibehalten,
wenn sie höheren Temperaturen länger als 30 min, bspw. eine oder mehrere Stunden ausgesetzt sind. Die Fig. 3 zeigt den
Effekt einer zunehmenden Exponierungszeit bei erhöhten Temperaturen auf Legierungen nach der vorliegenden Erfindung, die
30 ppm Mangan und 15 ppm Selen in sauerstofffreiem Kupfer als Legierungsbasis enthalten, und auf eine Cu-Ag-Legierung
mit 840 g (30 oz.) Silber pro Tonne in sauerstofffreiem
Kupfer als Basis; sämtliche geprüften Proben waren zu 90 % kaltver fο rmt.
Beim Verbleib auf 3 00 C scheint die Cu-Ag-Legierung etwas mehr Festigkeit beizubehalten, als die Cu-Mn-Se-Legierung
bei einem Verbleib bis etwa drei Stunden. Bei mehr als
3 Std. (bspw. 24 Std. oder mehr) ist die restliche Endzug-
, festigkeit bei der Legierung nach der vorliegenden Erfindung
weit höher.
1 3 0 0 6 4 / 017 3 ΘΘΡΥ
31U187
Bei 400 C ist die Cu-Ag-Legierung nach etwa einer halben
Stunde vollständig auf etwa 2460 kp/cm2 (35 ksi) weich ' =
geworden, während die Cu-Mn-Se-Legierung bei Raumtemperatur noch eine Festigkeit von etwa 3160 kp/cm2 (45 ksi) aufweist.
Weiterhin ist im vollständig weichen Zustand bei Räumtemperatur
die Endzugfestigkeit der Legierung nach der vorliegenden Erfindung
höher als die der Cu-Ag-Legierung.
Es hat sich weiterhin ergeben, daß die vorliegende Erfindung überraschend vorteilhafte Eigenschafben zeigt im Vergleich
zu mit Mangan plus Schwefel oder Mangan plus Tellur legiertem sauerstofffreiem Kupfer. Die Tabelle 3 enthält die Werte für
die Endzugfestigkeit, die Streckgrenze (jeweils in kp/cm2 (ksi)) und die Dehnung (%), gemessen bei Raumtemperatur nach
einem Verbleib auf 300° C oder 350° C für 30 min, wobei die ; Legierungen 90 % kaltverformt und vor dem Kaltverformen, wo ;
angegeben, lösungsgeglüht worden waren. Die Legierungen enthielten sauerstofffreies Kupfer und Schwefel allein, Selen
allein, Tellur allein, Mangan und Schwefel, Mangan und Selen und schließlich Mangan und Tellur. Wie ersichtlich, zeigen die
Legierungen mit Mangan und Selen Eigenschaften, die denen der anderen Legierungen erheblich und unerwartet überlegen sind.
130064/0773
ohne Lösungsglühen und 9o% Kaltverf. mit Lösungsglühen und 9o% Kaltverf.
l.lemcnt (ppm) 3oo°C/3omin. 35o°C/3o min. 3oo°C/3o min. 35o°C/3o min.
Mn_ _ii_ __Sc_ _Tg_ HZF SG Uelmg. HZI' SG Uehng. LZF SÜ Deling. I.ZI· SG
SG = Streckgrenze \ in kp/cm J Klanmerwene in ksi <a 1oo° Psi>
00,1 13 —
<2 2510 12y4 38,6% 2510 998 42,O% 3304 27.00 16,4» 2566 78U 43,3O
1 v (35,7) (IH,4) (3s,7) (14,2) ' (47,0) (38,4) ' (36,5) (11,1)
— 25,4 -- 20o8 78o 43,35 2587 787 37,9% 2573 823 40,7% 2O5T Ko1J 40, οϊ
(37,1) (11,1) (30,8) (11,2) (30,0) (11,7) (37,7) (11,5)
_» 4o 2397 M09 34,1% 2397 128o 39,7% 34 3K 2847 17,4% 2i'o7 IKiM 27,1%
ω (34,1) (2o,9) (34,1) (18,2) (48,9) ( 4ü,5) {U,l) (20,'J)
Q 13,8 i: -- — 251o 1o70 36,8% 2^24 879 41,0% 2051 1107 38,0% 2pi59 (»89 44,0%
ο (35,7)(15,3) (35,9) (12,5) (37,7) (K,,ö) (30,5) (<>,«)
** 13,8 — — 54 2029 19o5 27,8% 25o3 1519 31,5% 33S4 2714 19,9% 2'.!4O ll'lo 27,il
^ (37,4) (27,1) (35,0) (21,6) (47,7)(38,0) (41,9) (27,0)
^ 34 -- 20,4 — 4ooo 3028 11,1% 374o 3297 13,3% 4345 4o78 9,3% 4254 4ooo 1o,3%
2 (50,9) (51,6) (53,2) (46,9) (01,8) (58,o) (0o,5) (50,9)
57 -- 31,0 — 5579 315o 13,4% 3283 2651 21,2% 412ο 38Γ.3 8,7% 4102 39o2 9,3%
(5o,9) (44,8) (40,7) (37,7) (58,0) (54,8) (S9,2) (55,5)
i.zv = i:
Claims (10)
- Patentansprüche1 . Kaltverforinte Kupferlegierung mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und verbessertem Widerstand gegen Kristallerholung, Rekristallisation und Kornwachstum bei erhöhten Temperaturen, gekennzeichnet durch kleine, aber wirksame Mengen von Mangan und Selen, die die Halbstunden-Erweichungstemperatur der kaltverformten Legierung um mindestens etwa 100 C über die der unlegierten Kupferbasis für1 gegebene Kaltverformung erhöhen, aber die elektrische Leitfähigkeit über etwa 100% des IACS-Wertes halten, und durch130064/0773weniger als etwa 20 ppm Sauerstoff, Rest Kupfer.
- 2. Legierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Mangan und Selen in Mengen vorliegen, die wirksam sind, um die Halbstunden-Erweichungstemperatur der kaltverformten Legierung um mindestens etwa 1500C über die der unlegierten Kupferbasis für gegebene Kaltverformung zu erhöhen.
- .3. Legierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie etwa 4 bis 100 ppm Mangan und etwa 4 bis etwa 100 ppm Selen enthält.
- 4. Legierung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Mangananteil etwa 4 bis etwa 80 ppm und der Selenanteil etwa 4 bis etwa 80 ppm betragen.
- 5. Legierung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Mangananteil etwa 4 bis etwa 50 ppm und der Selenanteil· etwa 4 bis etwa 50 ppm betragen.
- 6. Verfahren zur Herstellung einer kaltverformten Kupferlegierung mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und verbessertem Widerstand gegen Kristallerholung, Rekristallisation und Kornwachstum bei erhöhten Temperaturen,130064/0773dadurch gekennzeichnet, daß man unter nichtoxidierenden Bedingungen eine Kupferschmelze mit weniger als etwa 20 ppm herstellt, den Mangan- und den Selengehalt der Kupferschmelze auf kleine, aber wirksame Mengen einstellt, daß die Halbstunden-Erweichungstemperatur der kaltverformten Legierung um mindestens 100° C höher als die der unlegierten Kupferbasis für gegebene Kaltverformung liegt und die Legierung eine elektrische Leitfähigkeit von mehr als etwa 100% IACS aufweist, und die Kupferlegierungsschmelze zu einem Gießling gießt, den man warmverformt und dann zu seiner endgültigen Gestalt kaltverformt.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man den Mangan- und den Selenanteil so einstellt, daß die Halbstunden-Erweichungstemperatur der kaltverformten Legierung mindestens etwa 150° C über der der unlegierten Kupferbasis für gegebene Kaltverformung liegt.
- 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß man den Mangananteil auf etwa 4 bis etwa 100 ppm und den Selenanteil auf etwa 4 bis etwa 100 ppm einstellt.130064/0773_4- 31U187
- 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man den Mangananteil auf etwa 4 bis etwa 80 ppm und den Selenanteil auf etwa 4 bis etwa 80 ppm einstellt.
- 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß man den Mangananteil auf etwa 4 bis etwa 50 ppm und den Selenanteil auf etwa 4 bis etwa 80 ppm einstellt.130064/0773
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/138,803 US4311522A (en) | 1980-04-09 | 1980-04-09 | Copper alloys with small amounts of manganese and selenium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3114187A1 true DE3114187A1 (de) | 1982-01-28 |
Family
ID=22483724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3114187A Ceased DE3114187A1 (de) | 1980-04-09 | 1981-04-08 | "kupferlegierung und verfahren zu deren herstellung" |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4311522A (de) |
| JP (1) | JPS575838A (de) |
| BE (1) | BE888337A (de) |
| CA (1) | CA1172473A (de) |
| DE (1) | DE3114187A1 (de) |
| FI (1) | FI69874C (de) |
| FR (1) | FR2480310A1 (de) |
| GB (1) | GB2073250B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4401997A1 (de) * | 1994-01-25 | 1995-07-27 | Okan Dipl Ing Dr Akin | Kupferlegierung |
| DE10158130C1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-04-24 | Rehau Ag & Co | Verwendung einer korrosionsbeständigen Kupfer-Zink-Legierung für Trinkwasserformteile |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1220121A (en) * | 1983-03-11 | 1987-04-07 | Shinichi Nishiyama | Electrical conductor and method of production thereof |
| US4891790A (en) * | 1988-03-28 | 1990-01-02 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optical system with an optically addressable plane of optically bistable material elements |
| US4492602A (en) * | 1983-07-13 | 1985-01-08 | Revere Copper And Brass, Inc. | Copper base alloys for automotive radiator fins, electrical connectors and commutators |
| US4650650A (en) * | 1983-10-20 | 1987-03-17 | American Brass Company, L.P. | Copper-based alloy with improved conductivity and softening properties |
| US4712161A (en) * | 1985-03-25 | 1987-12-08 | Olin Corporation | Hybrid and multi-layer circuitry |
| GB2178761B (en) * | 1985-03-29 | 1989-09-20 | Mitsubishi Metal Corp | Wire for bonding a semiconductor device |
| US4792369A (en) * | 1987-02-19 | 1988-12-20 | Nippon Mining Co., Ltd. | Copper wires used for transmitting sounds or images |
| JPS643903A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Thin copper wire for electronic devices and manufacture thereof |
| JP2505481B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-06-12 | 日鉱金属株式会社 | フレキシブル回路基板用銅合金箔 |
| JP2505480B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-06-12 | 日鉱金属株式会社 | フレキシブル回路基板用銅合金箔 |
| KR900019209A (ko) * | 1988-05-18 | 1990-12-24 | 나가노 다께시 | 동합금으로 제조된 초미선(超微線)과 그것을 사용한 반도체소자 |
| MY115423A (en) | 1993-05-27 | 2003-06-30 | Kobe Steel Ltd | Corrosion resistant copper alloy tube and fin- tube heat exchanger |
| JP3759564B2 (ja) | 1998-09-02 | 2006-03-29 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池 |
| EP0984499B1 (de) * | 1998-09-02 | 2003-03-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Lithium-Sekundärbatterie |
| US6858102B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| JP2003529206A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-09-30 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 物理蒸着ターゲット、導電性集積回路金属合金相互接続配線、電気めっきアノード、集積回路における導電性相互接続配線として用いるための金属合金 |
| US6451222B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| FI113061B (fi) * | 2001-03-09 | 2004-02-27 | Outokumpu Oy | Kupariseos |
| WO2002085081A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-24 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Printed circuit board and production method therefor, and laminated printed circuit board |
| CN1839213A (zh) * | 2003-08-21 | 2006-09-27 | 霍尼韦尔国际公司 | 在三元混合物中包含铜的pvd靶和形成含铜pvd靶的方法 |
| CN110144472B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-08-07 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种锰铜减振合金的真空感应熔炼方法 |
| CN116639663B (zh) * | 2023-06-15 | 2025-10-17 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种硒化亚铜的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1896193A (en) * | 1930-10-14 | 1933-02-07 | Weston Electrical Instr Corp | Constant resistivity alloy |
| US2038136A (en) * | 1933-09-02 | 1936-04-21 | American Brass Co | Copper-selenium alloys |
| US2178508A (en) * | 1938-04-08 | 1939-10-31 | Gen Electric | Electrical switch contact |
| US2206109A (en) * | 1938-06-25 | 1940-07-02 | Oesterreichische Dynamit Nobel | Copper-zinc alloys |
| US2232960A (en) * | 1937-08-24 | 1941-02-25 | Milnes Henry Reginald | Thermoelectric element and method of making the same |
| US3451808A (en) * | 1966-12-06 | 1969-06-24 | Isabellen Hutte Heusler Kg | Copper-manganese alloys and articles made therefrom |
| US4059437A (en) * | 1975-07-02 | 1977-11-22 | Phelps Dodge Industries, Inc. | Oxygen-free copper product and process |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB379034A (en) * | 1931-03-06 | 1932-08-25 | American Brass Co | Improvements in or relating to lead in wires for incandescent lamps, radio tubes andsimilar devices |
| DE1295844B (de) * | 1965-03-30 | 1969-05-22 | Nielsen | Verwendung einer Kupferlegierung fuer Fahrdraehte |
| JPS5830378B2 (ja) * | 1976-12-06 | 1983-06-29 | 古河電気工業株式会社 | 伸線加工性のよい銅合金線 |
-
1980
- 1980-04-09 US US06/138,803 patent/US4311522A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-04-07 GB GB8110860A patent/GB2073250B/en not_active Expired
- 1981-04-08 FI FI811087A patent/FI69874C/fi not_active IP Right Cessation
- 1981-04-08 FR FR8107084A patent/FR2480310A1/fr active Granted
- 1981-04-08 DE DE3114187A patent/DE3114187A1/de not_active Ceased
- 1981-04-08 CA CA000374937A patent/CA1172473A/en not_active Expired
- 1981-04-09 BE BE1/10198A patent/BE888337A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-04-09 JP JP5248081A patent/JPS575838A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1896193A (en) * | 1930-10-14 | 1933-02-07 | Weston Electrical Instr Corp | Constant resistivity alloy |
| US2038136A (en) * | 1933-09-02 | 1936-04-21 | American Brass Co | Copper-selenium alloys |
| US2232960A (en) * | 1937-08-24 | 1941-02-25 | Milnes Henry Reginald | Thermoelectric element and method of making the same |
| US2178508A (en) * | 1938-04-08 | 1939-10-31 | Gen Electric | Electrical switch contact |
| US2206109A (en) * | 1938-06-25 | 1940-07-02 | Oesterreichische Dynamit Nobel | Copper-zinc alloys |
| US3451808A (en) * | 1966-12-06 | 1969-06-24 | Isabellen Hutte Heusler Kg | Copper-manganese alloys and articles made therefrom |
| US4059437A (en) * | 1975-07-02 | 1977-11-22 | Phelps Dodge Industries, Inc. | Oxygen-free copper product and process |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4401997A1 (de) * | 1994-01-25 | 1995-07-27 | Okan Dipl Ing Dr Akin | Kupferlegierung |
| DE4401997C2 (de) * | 1994-01-25 | 1999-02-25 | Okan Dipl Ing Dr Akin | Verwendung einer Kupferlegierung für Bauelemente in strömendem Wasser |
| DE10158130C1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-04-24 | Rehau Ag & Co | Verwendung einer korrosionsbeständigen Kupfer-Zink-Legierung für Trinkwasserformteile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2480310B1 (de) | 1984-03-16 |
| JPS575838A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6411702B2 (de) | 1989-02-27 |
| GB2073250B (en) | 1983-10-12 |
| FI69874B (fi) | 1985-12-31 |
| FI69874C (fi) | 1986-05-26 |
| FI811087L (fi) | 1981-10-10 |
| CA1172473A (en) | 1984-08-14 |
| US4311522A (en) | 1982-01-19 |
| BE888337A (fr) | 1981-10-09 |
| FR2480310A1 (fr) | 1981-10-16 |
| GB2073250A (en) | 1981-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3114187A1 (de) | "kupferlegierung und verfahren zu deren herstellung" | |
| DE2007516C2 (de) | Legierung auf Kupferbasis | |
| DE69327470T2 (de) | Kupferlegierung mit hoher festigkeit und guter leitfähigkeit und verfahren zu deren herstellung | |
| DE10065735B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung für ein Verbindungsstück und durch das Verfahren erhältliche Kupferlegierung | |
| DE3210700C2 (de) | ||
| DE2942345C2 (de) | ||
| DE3429393A1 (de) | Kupferlegierung mit hoher festigkeit und hoher leitfaehigkeit | |
| DE2714712A1 (de) | Nickellegierung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2500084C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Aluminium-Halbzeug | |
| DE1533160A1 (de) | Legierung | |
| DE2658187A1 (de) | Magnesiumlegierungen | |
| DE2116549C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferlegierungen, die einen hohen Gehalt an Eisen, Kobalt und Phosphor aufweisen, mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und gleichzeitig hoher Festigkeit | |
| DE2842321C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Gegenständen aus Legierungen auf Cu-Ni-Sn-Basis mit vorherrschend spinodalem Gefüge | |
| DE2558545C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Magnesiumlegierung | |
| DE2809561A1 (de) | Kupferlegierung mit einer guten elektrischen leitfaehigkeit und guten mechanischen eigenschaften | |
| DE2629838A1 (de) | Al-legierungsblech fuer finnen eines waermeaustauschers und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE3729509C2 (de) | Verbesserte Kupferlegierung, insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauteile | |
| EP0035069A1 (de) | Formgedächtnislegierung auf der Basis von Cu/Al oder Cu/Al/Ni und Verfahren zur Stabilisierung des Zweiwegeffektes | |
| DE2620831C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von sauerstofffreien Kupfergußteilen und Kupferformteilen | |
| DE2657091C2 (de) | Magnesiumlegierungen | |
| DE3417273C2 (de) | Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise | |
| EP0302255A1 (de) | Verwendung einer Kupferlegierung als Werkstoff für Stranggiesskokillen | |
| DE1483180A1 (de) | Stark leitende Legierungen auf Kupferbasis | |
| DE3439721A1 (de) | Thermomechanisches verfahren fuer beryllium-kupfer-legierungen | |
| EP0517087A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferlegierungen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8131 | Rejection |