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DE3148121C2 - - Google Patents

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DE3148121C2
DE3148121C2 DE3148121A DE3148121A DE3148121C2 DE 3148121 C2 DE3148121 C2 DE 3148121C2 DE 3148121 A DE3148121 A DE 3148121A DE 3148121 A DE3148121 A DE 3148121A DE 3148121 C2 DE3148121 C2 DE 3148121C2
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DE
Germany
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micromask
laser beam
memory
structural information
output signals
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DE3148121A
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DE3148121A1 (de
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Gerhard Djursholm Se Westerberg
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Individual
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
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    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Prüfung von Mikromasken und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 bzw. 4, wie aus der DE 27 00 252 A1 bekannt.
Solche Mikromasken werden bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen angewendet.
In der SE-PS 3 75 216, der US-PS 39 03 536 und der US-PS 40 60 816 werden Verfahren und Vorrichtungen zur Erzeugung von Mikromasken beschrieben.
Die dort beschriebenen Vorrichtungen umfassen Einrichtungen zum Herbeiführen einer Relativbewegung zwischen einer Strahlungsquelle und einem strahlungsempfindlichen Medium. Diese Einrichtungen weisen einen ersten Schlitten für eine verhältnismäßig langsame Bewegung in einer Richtung und einen zweiten Schlitten für eine rasche Hin- und Herbewegung in einer quer zur erstgenannten Richtung verlaufenden Richtung auf, um eine Oberfläche des strahlungsempfindlichen Mediums mit einem Strahl der Strahlungsquelle abzutasten, wobei dieser das strahlungsempfindliche Medium belichtet.
Die beschriebene Technik ist gut anwendbar und genau. Als Beispiel kann erwähnt werden, daß das Muster einer derart erzeugten Maske eine Toleranz von etwa ±0,25 µm hat.
Mit Hilfe dieser Technik kann eine Maske mit außerordentlich kompliziertem Muster hergestellt werden, die normalerweise eine größere Oberfläche als 10×10 cm hat.
Bei dieser Maskentechnik besteht ein Problem darin, auf möglichst effiziente Weise zu überprüfen, ob eine erzeugte Maske korrekt ist.
So werden z. B. erzeugte Masken "von Hand" kontrolliert, indem man sie im Mikroskop betrachtet. Die Untersuchung von nur einer Maske mit einem Muster von normaler Kompliziertheit nimmt dabei etwa einen Arbeitstag in Anspruch und ist sehr anstrengend. Außerdem besteht die Gefahr, daß Fehler bei der Kontrolle nicht entdeckt werden.
Ein demgegenüber verbessertes, mechanisiertes Prüfverfahren der eingangs genannten Art ist der eingangs genannten DE 27 00 252 A1 entnehm­ bar. Nach diesem bekannten Verfahren wird die Prüfung ei­ ner Maske, über deren Erzeugungsweise weder etwas bekannt ist noch bekannt zu sein braucht, derart vorgenommen, daß die Strukturen der Maske mit einem Laserstrahl in Trans­ mission oder in Reflexion abgetastet werden und die Ab­ tastsignale, welche die Struktur der Maske widerspiegeln, mit allgemeinen Konstruktionsregeln verglichen werden. Derartige allgemeine Konstruktionsregeln betreffen bei­ spielsweise den Mindestabstand der Leiterbahnen auf der Maske oder die Breite der Leiterbahnen oder ähnliches. Nachteilig ist, daß der Vergleich der Abtastsignale mit diesen allgemeinen Konstruktionsregeln außerordentlich aufwendige Computeranlagen und zeitaufwendige Rechenvor­ gänge erfordert und als Ergebnis nur die Feststellung liefert, ob die auf der Maske vorliegenden Strukturen den Konstruktionsregeln genügen oder nicht. Ob auf der Maske tatsächlich fehlerhafte Strukturen vorhanden sind oder nicht, läßt sich nicht mit Sicherheit feststellen, denn auch fehlerhafte Maskenstrukturen können den allgemeinen Konstruktionsregeln wie Leitbahnabstand oder Leitbahnbreite voll und ganz genügen und dennoch so von der gewollten Struktur abweichen, daß ein nach der Maske hergestelltes Bauelement funktionsunfähig ist.
Weiterhin ist aus der WO 79/00 876 A1 ein Prüfverfahren für Mikromasken bekannt, bei dem mit Hilfe von zwei Ab­ tastköpfen überprüft wird, ob auf der Maske mehrfach vor­ handene Strukturen miteinander identisch sind. In diesen Strukturen vorhandene, zufällig verteilte Fehler können auf diese Weise gefunden werden, nicht aber systematische Fehler, die in allen diesen Strukturen in gleicher Weise auftreten.
Schließlich ist aus der GB-PS 15 79 290 ein Verfahren zur Überprüfung von Leiterplatten auf Defekte bekannt, bei dem in einem Speicher enthaltene Daten, die ein Bild der zu prüfenden Leiterplatte mit niedriger Auflösung dar­ stellen, mit den Daten verglichen werden, die durch eine hochauflösende Scanner-Abtastung des Prüflings gewonnen werden. Für die Prüfung von Mikromasken ist ein solches Verfahren nicht geeignet.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß auf technisch einfache und schnelle Art und Weise die Fehlerfreiheit einer fertigen Maske überprüft werden kann, ohne daß ein großer Rechen­ aufwand und umfangreiche Computeranlagen erforderlich sind.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil der Patentansprüche 1 bzw. 4 angegebenen Merkmale.
Diesen Maßnahmen liegt die Überlegung zugrunde, daß Mikromasken regelmäßig mit Hilfe eines Verfahrens hergestellt werden, bei dem eine Strahlungsquelle bezüglich eines Maskenrohmaterials eine die Maskenoberfläche systematisch abtastende Relativbewegung ausführt, wobei der Stahl die Oberfläche des Mikromaskenmaterials belichtet. Die den Strahl und dessen Relativbewegung steuernden Steuersignale werden bei diesem Herstellungsverfahren in einem Speicher abgespeichert oder sind bereits in einem Speicher zur Her­ stellung einer Vielzahl von gleichartigen Mikromasken vor­ handen.
Ausgehend von diesem Herstellungsverfahren stehen also in einem Speicher in Form von Steuersignalen vollständige Informationen über die Beschaffenheit und Geometrie der herzustellenden Mikromaske zur Verfügung.
Bei der erfindungsgemäßen Überprüfung der hergestellten Mikromaske wird nun wiederum die Oberfläche der Mikromaske mit einer Strahlungsquelle in der gleichen Weise abgetastet, wie dies auch bei der Herstellung erfolgte. Bei dieser Ab­ tastung zur Überprüfung ergeben sich Abtastsignale, die zu­ sammen mit der jeweiligen Relativposition zur Maske die ge­ naue Struktur der vorliegenden zu prüfenden Maske wieder­ geben. Diese Abtastsignale müssen mit den bei der Her­ stellung gespeicherten Steuersignalen identisch überein­ stimmen, wenn die fertige Maske fehlerfrei ist. Es genügt also, in technisch einfacher Weise die bei der Abtastung ermittelten Abtastsignale mit den im Speicher vorliegenden, bei der Herstellung verwendeten Steuersignalen zu verglei­ chen und bei einer Abweichung einen Fehler anzuzeigen. Da auf einer einzelnen Mikromaske stets eine Vielzahl von iden­ tischen Strukturen für beispielsweise Halbleiterchips ent­ halten ist, genügt es, die als fehlerhaft erkannte Struk­ tur zu ermitteln und bei der späteren Verwertung der Maske als fehlerhaft zu berücksichtigen.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat gegenüber dem Stand der Technik den ganz erheblichen Vorteil, daß das er­ mittelte Vergleichsergebnis einen absolut sicheren Schluß darüber zuläßt, ob die abgetastete Struktur fehlerfrei ist oder nicht, denn es gibt nur die beiden Möglichkeiten, daß entweder Unterschiede beim Vergleich auftreten, was einen Fehler anzeigt, oder sich keine Unterschiede zeigen, was einen Beweis für die Fehlerfreiheit bedeutet.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens sind in den Ansprüchen 2 und 3 niedergelegt, während der Anspruch 5 die erfindungsgemäße Vorrichtung in vorteilhafter Weise weiterbildet.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beispielsweise beschrieben; es zeigen
Fig. 1 in schematischer Weise eine Vorrichtung, bei der die Erfindung angewendet wird und die durch eine Mischung aus Blockdiagramm und Skizze dargestellt ist, und
Fig. 2 einen Prinzipquerschnitt einer Musterplatte.
In Fig. 1 bezeichnet 1 eine mechanische Vorrichtung zur Verschiebung eines Teiles der Optik 2 einer Strahlungsquelle in zwei Querrichtungen in Beziehung zu einer Musterplatte 3 mit einem Substrat 4 zur Herstellung einer Mikromaske.
In der als Beispiel gezeigten Ausführungsform der Vorrichtung 1, die der in der US-PS 40 60 816 gezeigten Vorrichtung entspricht, ist ein erster Schlitten 5 für eine relativ langsame Bewegung in y-Richtung mittels eines Schrittmotors 6 mit zugehöriger Schraube 7 angeordnet. Ein zweiter Schlitten 8 ist für eine relativ schnelle Hin- und Herbewegung in x-Richtung mittels zweier Federn 9, 10 und einer elektromagnetischen Antriebseinrichtung 11 ausgebildet und besteht aus einer schwingendem Masse in einem mechanischen System.
Der genannte Teil der Optik 2 ist an dem zweiten Schlitten angebracht.
Bei der Erzeugung einer Mikromaske wird der zweite Schlitten 8 schnell hin- und hergeführt, während sich der erste Schlitten 5 langsam bewegt. Dies bedeutet, daß das durch die Optik 2 geleitete Licht eines Lasers 12 das strahlungsempfindliche Substrat 4 in einem Linienmuster abtastet. Durch Änderung der Lichtintensität, die das Substrat 4 trifft, wird ein Muster, d. h. eine Mikromaske, erzeugt.
Gemäß der US-PS 39 03 536 ist ein akusto-optischer Modulator 13 vorgesehen, dem ein moduliertes hochfrequentes Steuersignal von einer Steuereinrichtung 14 über einen in Fig. 1 gestrichelt gezeigten Leiter 15 zugeführt wird. Der Modulator 13 hat die Aufgabe, den Strahl 16 des Lasers 12 abzulenken und die Intensität des Strahles bei dessen Durchgang durch den Modulator 13 zu modulieren. Der akusto-optische Modulator 13 enthält einen Glaskörper 17, an dem ein oder mehrere piezoelektrische Kristalle 18 anliegen. Diesen Kristallen wird das Steuersignal zugeführt, wobei im Glaskörper 17 Ultraschallwellen gebildet werden, die zur Folge haben, daß ein Raster von Bereichen verschiedener Dichte im Glaskörper gebildet wird, das eine Ablenkung des Strahles 16 bewirkt.
Die Änderung des Strahles 16 des Lasers 12 in Kombination mit der Relativbewegung der Optik 2 der Strahlungsquelle gegenüber dem strahlungsempfindlichen Substrat ergibt somit eine Mikromaske in Übereinstimmung mit dem Steuersignal, das dem Modulator 13 von der Steuereinheit zugeführt wird.
Zur kontinuierlichen Bestimmung der Lage des Substrates 4 in Beziehung zur Optik 2 ist ein Lagegeber in Form eines Gebers am Schrittmotor 6, der ein Impulszähler 23 sein kann, und eines Laserinterferometers 19, 20 von bekanntem Typ, beispielsweise gemäß der US-PS 39 03 536 vorgesehen. An das Laser­ interferometer 19, 20 sind ein Zähler 21 und ein Dekoder 22 von bekannter Art zur Herstellung eines Signales angeschlossen, das der Lage des zweiten Schlittens 8 in Beziehung zum Substrat entspricht. An den Impulserzeuger ist auch ein entsprechender Dekoder 24 zur Herstellung eines Signales angeschlossen, das der Lage des ersten Schlittens 5 in Beziehung zum Substrat entspricht.
Bei Erzeugung einer Mikromaske ist somit das an den Modulator 13 abgegebene Steuersignal über die Steuereinrichtung 14 mit der Lage der Optik 2 in Beziehung zum Substrat 4 synchronisiert.
Die Steuereinrichtung 14 ist von der aus der US-PS 39 03 536 bekannten Art und enthält Register zum Empfang von Informationen von einem die Konfiguration der gewünschten Mikromaske enthaltenden Speicher, sowie Einrichtungen zur Erzeugung des Steuersignales für den Modulator 13 in Übereinstimmung mit den empfangenen Informationen.
Vorstehend wurde ein Beispiel einer Vorrichtung zur Bewirkung einer Relativbewegung zwischen einem Teil einer Optik 2 und einem Substrat 4 sowie zur Erzeugung einer Mikromaske beschrieben.
Es ist klar, daß zur Herbeiführung der Relativbewegung auch andere mechanische oder elektronische/mechanische Vorrichtungen angewendet werden können.
Die Erfindung, die im folgenden ausgehend von der oben als Beispiel erläuterten Vorrichtung beschrieben wird, kann bei Masken angewendet werden, die mit irgendeiner beliebigen Vorrichtung erzeugt worden sind, bei der die Information von einer Steuereinrichtung in Form eines die Modulation des Strahles 16 bewirkenden Steuersignales abgegeben wird, das in Abhängigkeit von Positionsangaben bezüglich des Auftreffpunktes des Strahles auf das Substrat in Beziehung zur Oberfläche des Substrates abgegeben wird.
Die Musterplatte 3 enthält eine Glasscheibe 25 auf der sich eine Schicht 26 aus z. B. Chrom oder Chromoxid, und auf dieser eine Schicht 27 aus Photolack befindet. Mittels des Lasers 12, der ein HE-Cd-Laser sein kann, wird die Schicht 27 aus Photolack belichtet, der bei Entwicklung an belichteten oder nicht belichteten Stellen verschwindet. Danach wird die Schicht aus Chrom oder Chromoxid geätzt, und die Mikromaske ist dann fertig.
Die Information bezüglich der Lage der Mikromaske bei deren Herstellung in Beziehung zu einem gegen sie einfallenden, in Intensität und/oder Lage wechselnden Laserstrahl und der Intensitäts- und/oder Lageänderung des Laserstrahles wird in die Steuereinrichtung 14 eingespeist.
Die Mikromaske wird in der Vorrichtung zur Bewirkung der Relativbewegung angeordnet und in ihr in Startposition eingerichtet.
Der Strahl 16 des Lasers 12 darf unmoduliert durch den Modulator 13 und/oder ein Linsensystem 28, 2 hindurchgehen. Das vom Substrat reflektierte Laserlicht wird durch einen für diesen Zweck vorgesehenen halbdurchlässigen Spiegel 29 geleitet und dabei von einem lichtempfindlichen Element 30 von bekannter Art empfangen. Nach Verstärkung in einem Verstärker 31 wird das Signal am Ausgang des lichtempfindlichen Elements 30 an eine Vergleichsschaltung 32 abgegeben.
Durch die Reflexion des unmodulierten Laserstrahles 43 an der Mikromaske wird der Laserstrahl auf eine Weise moduliert, die der Weise entspricht, in der er bei Erzeugung der Mikromaske moduliert war, bzw. moduliert sein sollte, um eine solche Mikromaske herzustellen. Der vom lichtempfindlichen Element 30 abgefühlte reflektierte Laserstrahl 44 enthält somit Information über das Muster der Mikromaske in Form einer Modulierung.
Die Vergleichsschaltung 32 enthält z. B. ein EXCLUSIV-ODER-Gatter 33.
So wie der Laserstrahl zur Reflexion an der Mikromaske veranlaßt wird, kann er statt dessen auch dazu gebracht werden, hindurchgeleitet und danach von einem entsprechenden lichtempfindlichen Element abgefühlt zu werden.
Vor Ingangsetzung der Vorrichtung 1 wird die Lage der Schlitten 5, 8 mittels der Lagegeber 23, 19, 20 eingestellt. Die beiden Dekoder 22, 24 sind hierbei vorgesehen, z. B. eine binäre "0" anzugeben, was die Startposition für die Schlitten anzeigt. Das Ausgangssignal jedes Dekoders 22, 24 wird einem UND-Gatter 34 zugeführt, das bei gleichen Ausgangssignalen einen Startimpuls über den Leiter 35 an die Steuereinrichtung 14 abgibt.
Die Steuereinrichtung 14 startet die Antriebseinrichtung 11 und den Schrittmotor 6, wobei die Lage der Mikromaske in Bezug zu dem auf sie auftreffenden Laserstrahl gemäß einem Linienmuster auf entsprechende Weise wie bei Erzeugung der Mikromaske verändert wird.
Die Lagegeber 23, 19, 20 geben über die Dekoder 22, 24 kontinuierlich Signale bezüglich der Lage der Schlitten 8, 5 entsprechend der Position des auf die Mikromaske auftreffenden Laserstrahles in bezug zur Mikromaske ab. Die Signale gehen zu einer logischen Schaltung 36 über die Leiter 39, 40 und zur Steuereinrichtung 14 über die Leiter 41, 42. Die Steuereinrichtung 14 liefert auf der Grundlage dieser Signale ein Steuersignal in Form z. B. eines Modulationssignales entsprechend der einleitend erwähnten Information synchron mit der Position, die die Mikromaske in Beziehung zum einfallenden Laserstrahl 43 hat. Dieses Modulationssignal, das bei Erzeugung der Mikromaske den Modulator 13 steuerte, wird der Vergleichsschaltung 32 zugeführt.
Die zwei der Vergleichsschaltung 32 zugeführten Signale, nämlich das Modulationssignal, und das dem reflektierten Laserlicht entsprechende Signal, werden in der Vergleichsschaltung 32 verglichen. Bei Übereinstimmung zwischen den so verglichenen Signalen wird angezeigt, daß die Mikromaske korrekt erzeugt ist, und bei Abweichung zwischen den Signalen wird das Vorliegen eines Fehlers angezeigt. Bei Abweichung zwischen den Signalen gibt die Vergleichsschaltung 32 über einen Leiter 37 ein Signal an die logische Schaltung 36 ab, welche die von den Dekodern 22, 24 angegebene Position auf einem Drucker 38 ausschreibt, oder die Position in einem Speicher 38 speichert. Es besteht hier für gewisse Fälle die Möglichkeit, von der Positionsangabe ausgehend den Fehler zu korrigieren.
Die logische Schaltung 36 kann so ausgebildet sein, daß sie anhand des Signals von einer modifizierten Vergleichsschaltung 33 für die Abgabe kontinuierlicher Signale entdeckt, welcher Fehlertyp vorliegt, und die Information in einem Speicher 38 zusammen mit der Position speichert.
Vorstehend wurden das Verfahren und die Vorrichtung im Zusammenhang mit der in Fig. 1 gezeigten bevorzugten Vorrichtung beschrieben, bei der ein akusto-optischer Modulator 13 vorgesehen ist, und der Schlitten 8 die Optik 2 trägt. Die Änderung der Intensität und/oder Lage des Laserstrahles in Beziehung zu einem Substrat kann natürlich auf andere Weise bewirkt werden, bei der die abgegebenen Steuersignale auf entsprechende Weise ausgenutzt werden.
Der reflektierte Laserstrahl 44 oder ein hindurchgeleiteter Laserstrahl enthalten somit Information über das Muster der Mikromaske in Form einer Modulation oder Signaländerung am Ausgang des lichtempfindlichen Elements 30. Es ist offenbar, daß jede Mikromaske kontrolliert werden kann, ungeachtet der Vorrichtung, mittels derer sie erzeugt wurde, vorausgesetzt, daß sich in einem Speicher Information über das Muster der Mikromaske befindet, und die Information, wenn notwendig, in ein Signal umgewandelt werden kann, das mit dem Siganl vergleichbar ist, das am Ausgang des lichtempfindlichen Elements 30 auftritt.
Vorstehend wurde erwähnt, daß das der Vergleichsschaltung zugeführte Steuersignal dem Steuersignal entspricht, das bei Erzeugung der Mikromaske verwendet wurde.
In diesem Zusammenhang lassen sich wenigstens zwei Fälle unterscheiden.
Im ersten Fall wird die Mikromaske mittels eines Laserstrahles erzeugt, dem über einen akusto-optischen Modulator nur Intensitätsänderungen bezüglich des auf das Substrat auftreffenden Laserstrahles aufgeprägt werden. Das Steuersignal besteht hier also aus einer Intensitätssteuerung. In diesem Fall wird ein unmodulierter Laserstrahl zur Mikromaske ausgesendet, und gleichzeitig wird das Steuersignal der Vergleichsschaltung zugeführt.
Im zweiten Fall wird die Mikromaske mittels eines Laserstrahles erzeugt, dem über einen oder zwei akusto- optische Modulatoren 13 sowohl Intensitätsänderungen als auch Lageänderungen aufgeprägt werden, d. h. eine Abtastbewegung zwischen den von den Schlitten mechanisch bewirkten benachbarten Parallelverschiebungen der Optik 2 in Beziehung zum Substrat.
In diesem Fall wird gegen die Mikromaske ein Laserstrahl ausgesendet, der mittels des Steuersignales so gesteuert wird, daß er dieselbe Lageänderung wie bei der Erzeugung der Mikromaske durchführt. Dieser Teil des Steuersignales wird somit dem oder den Modulatoren 13 zugeführt, die bei der Erzeugung die Lageänderungen ergaben. In Fig. 1 geschieht dies über den Leiter 15. Gleichzeitig mit dem Zuführen dieses Teiles des Steuersignales zum Modulator 13 wird der Teil des Steuersignales, der bei der Erzeugung die Intensitätsänderungen steuerte, der Vergleichsschaltung 32 zugeführt.
In beiden Fällen werden somit in der Vergleichsschaltung 32 Intensitätsänderungen verglichen.
Jedoch kann das lichtempfindliche Element 30 auch zur Abtastung von Lageänderungen ausgebildet werden. Wenn das Steuersignal einen Teil zur Steuerung von Lageänderungen enthält, kann deshalb auch dieser Teil der Vergleichsschaltung 32 zugeführt werden, die in diesem Fall sowohl Intensitätsänderungen als auch Lageänderungen vergleicht.

Claims (5)

1. Verfahren zur Prüfung von Mikromasken mit folgenden Verfahrensschritten:
  • - Abtasten der Mikromaske durch einen Laserstrahl in Reflexion oder Transmission durch eine Relativ­ bewegung von Laserstrahl und Mikromaske in zwei zueinander senkrechten Richtungen zur Erzeugung von lage- und intensitätsabhängigen Ausgangssi­ gnalen durch ein lichtempfindliches Element, die repräsentativ für die Struktur der Mikromaske sind,
  • - Vergleich der so ermittelten Ausgangssignale mit in einem Speicher gespeicherten Strukturinforma­ tionen, und
  • - Anzeige eines Fehlers der Mikromaske bei Abweichung der ermittelten Ausgangssignale von den gespeicher­ ten Strukturinformationen, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß das Abtasten der Mikromaske durch den Laser­ strahl derart erfolgt, daß die Relativbewegung zwischen der Mikromaske und dem Laserstrahl auf dieselbe Weise wie bei der Herstellung der Mikro­ maske erfolgt und
  • - daß die so ermittelten Ausgangssignale des licht­ empfindlichen Elements einer Vergleichsschaltung zugeführt werden, die sie mit den im Speicher ge­ speicherten Strukturinformationen vergleicht, wo­ bei diese Strukturinformationen die direkt zur Er­ zeugung der Struktur der Mikromaske abgespeicherten Daten bezüglich der Intensität und der Positonie­ rung des die Struktur erzeugenden Laserstrahls sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Position eines festge­ stellten Fehlers in einem Speicher gespeichert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß bei Erzeugung der Mikromaske mit einem modulierten Laserstrahl das Modulationssignal als Bestandteil der Strukturinfor­ mationen gespeichert wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
  • - mit einer Anordnung zur Relativbewegung der zu prüfenden Mikromaske bezüglich eines Lasers und des lichtempfindlichen Elements,
  • - mit einem die Strukturinformationen enthaltenden Speicher,
  • - mit einer Vergleichsschaltung, und
  • - mit einer Anzeigeeinrichtung, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der Speicher zur Speicherung der bei der Her­ stellung der Mikromaske bezüglich der Inten­ sität und Positionierung direkt verwendeten Struk­ turinformationen ausgebildet ist, und
  • - daß die Vergleichsschaltung (32) zum Vergleich der gespeicherten Strukturinformationen und der bei der Prüfung erhaltenen Ausgangssignale ausgebildet ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein weiterer Speicher (38) zur Speicherung der Fehlersignale und deren Position vor­ gesehen ist.
DE19813148121 1980-12-11 1981-12-04 Verfahren und vorrichtung zur kontrolle von mikromasken Granted DE3148121A1 (de)

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