DE3144459A1 - Combination electrode with a field-effect transistor as ion-sensitive element - Google Patents
Combination electrode with a field-effect transistor as ion-sensitive elementInfo
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Abstract
Description
BESCHREIBUNG DESCRIPTION
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrochemischen Sensor zur Bestimmung der Konzentration verschiedener Ionen in einer Lösungsprobe und insbesondere auf eine Kombinationselektrode mit einem Feldeffekttransistor als ionenempfindliches Element.The invention relates to an electrochemical sensor for Determination of the concentration of various ions in a solution sample and in particular on a combination electrode with a field effect transistor as ion-sensitive Element.
Ein typisches und in der Praxis viel benutztes Beispiel eines elektrochemischen Sensors zur Bestimmung der Konzentration diverser Ionen in einer Lösungsprobe bildet eine Glas-Elektrode zur pH-Wertmessung.A typical example of an electrochemical one that is widely used in practice Sensor for determining the concentration of various ions in a solution sample a glass electrode for pH measurement.
Kürzlich wurde z.B. in der JP-OS 54-66194, JP-GM-OS 54-77093 und der JP-OS 53-109690 die Verwendung eines Feldeffekttransistors (im folgenden kurz "FET" genannt) auf diesem Gebiet vorgeschlagen und darauf hingewiesen, daß derartige elektrochemische Sensoren zur Bestimmung der Konzentration von Ionen in einer Lösungsprobe von geringer Menge und in kleinen Körperhohlräumen von Lebewesen (z.B. in Magen oder Adern bei intravasaler Messung) geeignet sind, weil sie im Vergleich zu der herkömmlichen Glas-Elektrode einen beachtlichen Schritt zur Miniaturisierung solcher Meßelektroden darstellen.Recently, for example, JP-OS 54-66194, JP-GM-OS 54-77093 and JP-OS 53-109690 the use of a field effect transistor (hereinafter referred to as "FET" called) proposed in this field and pointed out that such electrochemical Sensors for determining the concentration of ions in a solution sample of less Amount and in small body cavities of living beings (e.g. in the stomach or veins in intravascular measurement) are suitable because they are compared to the conventional Glass electrode represents a considerable step towards miniaturizing such measuring electrodes represent.
Grundsätzlich muß eine als elektrochemischer Sensor verwendete ionenempfindliche Elektrode zusammen mit einer Bezugs- oder Normalelektrode, welche konstant das vorhandene Potential unabhängig von der Anderung der Ionenkonzentration anzeigt, eingesetzt werden, weil die Herstellung einer elektrochemischen Meßzelle mit Doppelelektrode erst die Ermittlung einer der Ionenkonzentration entsprechenden elektromotorischen Kraft (EMK) ermöglicht. Dieser Grundsatz gilt auch für einen elektrochemischen Sensor mit einem FET; dieser muß zusammen mit einer sog.In principle, an ion-sensitive sensor used as an electrochemical sensor must be used Electrode together with a reference or normal electrode, which is constantly the existing Indicates potential regardless of the change in ion concentration because the production of an electrochemical measuring cell with double electrode only the determination of an electromotive corresponding to the ion concentration Force (EMK) made possible. This principle also applies to an electrochemical sensor with a FET; this must be combined with a so-called.
Normalelektrode eingesetzt werden. Diese Forderung hat sich als bedeutendes Hindernis bei der praktischen Verwendung und Verbreitung von FETen als Sensoren erwiesen.Normal electrode can be used. This requirement has proven to be significant Obstacle to the practical use and spread of FETs as sensors proven.
So enthält beispielsweise die JP-0S 54-81897 den Vorschlag, zumindest die Oberfläche des Gate-Bereichs eines FETs mit isoliertem Gate mit einem hydrophoben hochmolekularen organischen Film als Bezugs- oder Normalelektrode zu überziehen. Ähnliches wird in der JP-0 54-128791 vorgeschlagen. For example, JP-0S 54-81897 contains the suggestion, at least the surface of the gate region of an insulated gate FET with a hydrophobic to coat high molecular organic film as a reference or normal electrode. Similar proposals are made in JP-0 54-128791.
In der Fachzeitschrift "Nippon Kagaku Kaishi" (J. Chem. Soc.In the journal "Nippon Kagaku Kaishi" (J. Chem. Soc.
Japan) 10, 1499 (1980) wird jedoch berichtet, daß eine derartige FET-Bezugselektrode nicht immer unabhängig von der Ionenkonzentration in einer Lösungsprobe das konstante Potential anzeigt.Japan) 10, 1499 (1980), however, it is reported that such an FET reference electrode not always the constant, regardless of the ion concentration in a solution sample Indicates potential.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einwandfrei funktionierende, einfach aufgebaute und leicht zu handhabende Kombinationselektrode mit einem FET als ionenempfindlichem Element zu schaffen.The invention is based on the object of providing a properly functioning, simply constructed and easy to use combination electrode with an FET as an ion-sensitive element.
Die erfindungsgemäße Lösung der gestellten Aufgabe ist kurz gefaßt im Patentanspruch 1 angegeben.The inventive solution to the problem posed is brief specified in claim 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind im nachfolgenden Beschreibungsteil bzw. in den Unteransprüchen dargelegt.Advantageous further developments of the inventive concept are given below Part of the description or set out in the subclaims.
Der Grundgedanke der Erfindung geht dahin, den FET als ionenempfindliches Element und ein temperaturempfindliches Element in einem inneren Zylinder anzuordnen, den Innenzylinder mit einem Außenzylinder zu umgeben und in dem Zwischenraum zwischen den beiden Zylindern die aus einer Innenelektrode und einer inneren Lösung gebildete Bezugselektrode anzuordnen.The basic idea of the invention is to use the FET as ion-sensitive To arrange element and a temperature-sensitive element in an inner cylinder, to surround the inner cylinder with an outer cylinder and in the space between the two cylinders formed from an inner electrode and an inner solution To arrange reference electrode.
Die erfindungsgemäße Kombinationselektrode erfüllt die an sie gestellten Forderungen und gleicht zusätzlich Temperaturschwankungen sofort aus.The combination electrode according to the invention fulfills the requirements placed on it Requirements and also compensates for temperature fluctuations immediately.
Einige bevorzugte Ausführungsbeispiele sowie vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend unter Bezug auf eine Zeichnung näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 eine teilweise geschnittene Seitenansicht eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung, Fig. 2 und 3 vergrößerte Teilschnitte durch wesentliche Einzelheiten der Kombinationselektrode von Fig. 1, Fig. 4 eine aufgeschnittene Seitenansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 5 und 6 vergrößerte Teilschnitte durch wesentliche Einzelheiten der Kombinationselektrode von Fig. 4 Das in Fig. 1 bis 3 dargestellte erste Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Kombinationselektrode zur Bestimmung des pH-Werts enthält einen Feldeffekttransistor (im folgenden kurz als FET bezeichnet) 3 als ionenempfindliches Element. Der in Fig. 3 gezeigte Schnitt verläuft durch ein Halbleitersubstrat 5, auf dem ein FET mit isoliertem Gate und ein temperaturempfindliches Element 4 ausgebildet ist. Some preferred exemplary embodiments and advantageous details of the invention are explained in more detail below with reference to a drawing. 1 shows a partially sectioned side view of a first exemplary embodiment of the invention, FIGS. 2 and 3 enlarged partial sections through essential details of the combination electrode of FIG. 1, FIG. 4 is a cut-away side view of a second embodiment of the invention, and FIGS. 5 and 6 enlarged partial sections by essential details of the combination electrode of Fig. 4 The in Fig. 1 to 3 illustrated first embodiment of a combination electrode according to the invention for determining the pH value contains a field effect transistor (hereinafter referred to as referred to as FET) 3 as an ion-sensitive element. The section shown in FIG. 3 runs through a semiconductor substrate 5 on which an insulated gate FET and a temperature-sensitive element 4 is formed.
Die als Doppelzylinder ausgebildete Kombinationselektrode aDt einen aus einem thermisch schrumpffähigem Kunststoffröhrchen hergestellten Innenzylinder 1 und einen aus hartem Kunststoff gefertigten Außenzylinder 2. Der Innenzylinder 1 enthält das Substrat 5 mit dem ionen empfindlichen FET 3 und dem darüber zur Temperaturkompensation ausgebildeten temperaturempfindlichen Element 4, welches auf Temperaturänderungen anspricht. Das Substrat 5 ist - unter Ausschluß des ionenempfindlichen Elementes oben - mit einer Isolierschicht 6 aus z.B. Siliconharz abgedeckt.The combination electrode designed as a double cylinder aDt one inner cylinder made from a thermally shrinkable plastic tube 1 and an outer cylinder made of hard plastic 2. The inner cylinder 1 contains the substrate 5 with the ion-sensitive FET 3 and the one above for temperature compensation formed temperature-sensitive element 4, which is based on temperature changes appeals to. The substrate 5 is - to the exclusion of the ion-sensitive element above - covered with an insulating layer 6 made of e.g. silicone resin.
Als temperaturempfindliches Element sind Metall-Dünnfilm-, Halbleiter-, Netalloxid-Ausführungen o. dgl. geeignet. Temperaturempfindliche Elemente in Metall-Dünnfilmtechnik können durch Spritzen oder Ablagern von Platin o. dgl., und in Halbleitertechnik durch Temperatur-Sensibilisierung eines Teils des Halbleitersubstrats erzeugt werden. Mehrere von dem Substrat 5 ausgehende Anschluß leitungen 7 sind mit den Einzelkontakten eines an einer Endkappe 8 des Außenzylinders 2 befestigten Kupplungsteils 9 zur externen Schaltung verbunden. Die durch den Innenzylinderiführenden Leitungen 7 sind nach dessen Wärmeschrumpfung in dem Innenzylinder 1 mittels eines durch eine Spritze o. dgl.Metal thin-film, semiconductor, Netalloxid designs or the like are suitable. Temperature-sensitive elements in metal thin-film technology can by spraying or depositing platinum or the like, and in semiconductor technology by Temperature sensitization of part of the semiconductor substrate can be generated. Several of the substrate 5 outgoing connection lines 7 are with the individual contacts one attached to an end cap 8 of the outer cylinder 2 coupling part 9 for external circuit connected. The lines 7 through the inner cylinder are after its heat shrinkage in the inner cylinder 1 by means of a through a Syringe or the like
eingefüllten Gießharzes fixiert.Filled casting resin fixed.
In dem zwischen Innen- und Außenzylinder 1, 2 gebildeten Spalt befinden sich eine Innenelektrode 12 aus Silber-Silberchlorid o. dgl. und eine Kaliumchloridlösung als innere Lösung 13; durch sie ist die Bezugs- oder Normalelektrode gebildet. Der zwischen beiden Zylindern 1 und 2 gebildete Spalt ist endseitig durch ein Verschlußteil 11 aus Gummi, Kunststoff o. dgl., durch das ein eine Brücke zwischen der inneren Lösung 13 und der Lösungsprobe bildendes und z.B. aus Keramik hergestelltes Kontaktelement 14 hindurchgeführt ist, abgeschlossen.Located in the gap formed between the inner and outer cylinders 1, 2 An inner electrode 12 made of silver-silver chloride or the like and a potassium chloride solution as inner solution 13; they form the reference or normal electrode. Of the The gap formed between the two cylinders 1 and 2 is at the end by a closure part 11 made of rubber, plastic or the like, through which a bridge between the inner Solution 13 and the solution sample forming contact element made of ceramic, for example 14 is passed, completed.
Im Fall eines als Halbleitertyp ausgebildeten temperaturempfindlichen Elements 4 besteht das Substrat 5 z.B. aus p-leitendem Si (Silizium). Gemäß Fig. 3 dienen n -Schichten 15, 16 als Source, je eine. p+-Schicht 17 und Schicht 18 als temperaturempfindliches Halbleiterelement, eine SiO2-Schicht 19 als Isolierschicht.In the case of a temperature-sensitive one designed as a semiconductor type Element 4, the substrate 5 consists, for example, of p-conducting Si (silicon). According to Fig. 3, n layers 15, 16 serve as a source, one each. p + layer 17 and layer 18 as temperature-sensitive semiconductor element, a SiO2 layer 19 as an insulating layer.
Darüber ist eine Schicht 20 aus Si 3N4 oder Ta205 oder Al 203 aufgebracht. Die notwendigen Elektroden sind durch aus Al hergestellte Leiterbahnen 21 verbunden. Der FET 3 mit isoliertem Gate ist mit Ausnahme seines Gate-Abschnitts 22 mit einer Schicht 23 aus CVD SiO2 oder Si3N4 oder Ta203 oder Al203 oder dem in USA von der Union Carbide Corporation unter der geschützten Handelsbezeichnung PARYLENE vertriebenen Mittel beschichtet. Mit 24 ist eine Lösungsprobe bezeichnet.A layer 20 made of Si 3N4 or Ta205 or Al 203 is applied over this. The necessary electrodes are connected by conductor tracks 21 made of Al. The insulated gate FET 3 except for its gate portion 22 is provided with a Layer 23 made of CVD SiO2 or Si3N4 or Ta203 or Al203 or that in the USA from the Union Carbide Corporation under the registered trademark PARYLENE Medium coated. At 24 a solution sample is designated.
Das in Fig. 4 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht weit- gehend dem vorstehend beschriebenen, hat jedoch als Besonderheit eine an dem Außenzylinder 2 befestigte längliche zylindrische Endkappe 25, in der sichtbar ein Digital-Anzeigeelement 26 zum Anzeigen der Ionenkonzentration usw., eine für die digitale Anzeige notwendige elektrische Schaltung incl. Batterie und ein oben zugänglicher Schalter 27 zum Bedienen der Anzeige enthalten sind.The embodiment shown in Fig. 4 largely corresponds to going that described above, but has a special feature on the outer cylinder 2 attached elongated cylindrical end cap 25 in which a digital display element is visible 26 for displaying the ion concentration, etc., one necessary for the digital display electrical circuit including battery and a switch 27 accessible from above for operation included in the ad.
Weitere bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in Fig. 5 und 6 dargestellt. Als Besonderheit haben sie einen austauschbaren bzw. lösbar mit dem Rest des elektrochemischen Sensors verbundenen Sensorabschnitt 28, der ein den FET mit isoliertem Gate sowie ein temperaturempfindliches Element tragendes und in ein Harz eingeformtes Substrat 5 umfaßt.Further preferred exemplary embodiments of the invention are shown in FIG. 5 and 6 shown. As a special feature, they have an interchangeable or detachable with the remainder of the electrochemical sensor connected sensor portion 28, the a supporting the insulated gate FET and a temperature sensitive element and substrate 5 molded in a resin.
Bei der Ausführung gemäß Fig. 5 ist das Verschlußteil 11 unterseitig mit einer Aussparung 29 versehen, in deren Boden Anschlsse 30 der Leitungen 7 so angeordnet sind, daß sie mit von dem Substrat 5 ausgehenden Anschlüssen 31 elektrisch verbunden sind, wenn der Sensorabschnitt 28 passend - und zu diesem Zweck durch eine Nase 28a richtig orientiert - in die Aussparung 29 eingeführt ist.In the embodiment according to FIG. 5, the closure part 11 is on the underside provided with a recess 29, in the bottom of which connections 30 of the lines 7 so are arranged so that they are electrically connected to terminals 31 emanating from the substrate 5 are connected if the sensor section 28 fits - and for this purpose by a nose 28a correctly oriented - is inserted into the recess 29.
Der Abdichtung dient ein O-Ring 32.An O-ring 32 is used for sealing.
Bei der Ausführung in Fig. 6 trägt der aus hartem Kunststoff gefertigte Innenzylinder 1 unten ein mit zu Anschlüssen 33 des austauschbaren Sensorabschnitts 28 passenden Anschlüssen 34 versehenes Anschlußteil 33. Der Sensorabschnitt 28 ist unten am Innenzylinder durch eine auf dessen Umfang aufgeschraubte Kappe 36 fixiert. Als Paß- und Dichtelemente besitzt der Sensorabschnitt 28 eine Dichtung 37 und einen Flansch 38.In the embodiment in FIG. 6, the one made of hard plastic carries Inner cylinder 1 at the bottom with connections 33 of the exchangeable sensor section 28 matching connections 34 provided connection part 33. The sensor section 28 is fixed at the bottom of the inner cylinder by a cap 36 screwed onto its circumference. As fitting and sealing elements, the sensor section 28 has a seal 37 and a Flange 38.
Die Erfindung schließt verschiedene Arten von Kombinationselektroden ein, mit denen entweder - wie in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsbeispielen erläutert - der pH-Wert ge-+ 2+ - - -messen oder die Bestimmunq von Nu+, K , Ca , Cl , Br , 1 F, Cd2+, Cm2+, Pb usw. durchführbar ist.The invention includes various types of combination electrodes a, with which either - as in connection with the preferred exemplary embodiments explained - the pH value ge + 2+ - - -measure or the determination of Nu +, K, Ca , Cl, Br, 1 F, Cd2 +, Cm2 +, Pb, etc. is feasible.
Mit der Erfindung sind u.a. folgende Vorteile verbunden: a) Die erfindungsgemäße Kombinationselektrode ist stabil, weil ihre aus einer Innenelektrode und einer inneren Lösung o.dgl.The invention has the following advantages, among others: a) The Combination electrode is stable because its made up of an inner electrode and an inner electrode Solution or the like.
bestehende und mit dem durch einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate gebildeten elektrochemischen Sensor kombinierte Bezugselektrode unabhängig von der Ionenkonzentration in einer Lösungsprobe konstant die Spannung ermittelt. Dagegen ist eine aus einem Feldeffekttransistor und einer FET-Bezugselektrode gebildete Kombinationselektrode unstabil. existing and with the isolated by a field effect transistor Gate formed electrochemical sensor combined reference electrode independently the voltage is constantly determined from the ion concentration in a solution sample. In contrast, one is formed from a field effect transistor and an FET reference electrode Combination electrode unstable.
b) Durch die Anordnunq des FET mit isoliertem Gate und des temperaturempfindlichen Elements auf einem einzigen Substrat findet eine augenblickliche Temperaturkompensation statt, denn die Temperaturwerte der Lösung nahe dem ionenempfindlichen Bereich, des ionenempfindlichen Bereichs und des temperaturempfindlichen Halbleiterelements werden ausreichend zur Übereinstimmung gebracht.b) The arrangement of the insulated gate FET and the temperature sensitive Elements on a single substrate find instant temperature compensation instead, because the temperature values of the solution are close to the ion-sensitive area, the ion-sensitive area and the temperature-sensitive semiconductor element are made to match sufficiently.
c) Die vorliegende Kombinationselektrode ist wegen ihres schlanken doppelzylindrischen Aufbaus leicht zu handhaben und kann einfach heraestellt werden, weil der Außenzylinder eine Schutzhülle für den FET mit isoliertem Gate und die anderen Elemente bildet.c) The present combination electrode is because of its slim double-cylindrical construction easy to handle and can be easily manufactured, because the outer cylinder is a protective cover for the insulated gate FET and the other elements.
Claims (3)
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0146977A1 (en) * | 1983-08-24 | 1985-07-03 | Cordis Europa N.V. | Apparatus for determining the activity of an ion (pion) in a liquid |
| EP0155725A1 (en) * | 1984-02-27 | 1985-09-25 | Sentron v.o.f. | Ion concentration measurement system that employs measuring and reference field effect transistor electrodes sensitive to the same ion |
| DE8709786U1 (en) * | 1987-07-16 | 1987-09-10 | Conducta Gesellschaft für Meß- und Regeltechnik mbH & Co, 7016 Gerlingen | Multi-combination electrode with a temperature sensor |
| DE3840962A1 (en) * | 1988-12-05 | 1990-06-07 | Hellige Gmbh | Ion-sensitive electrode and method for compensating for the temperature dependence in such electrodes |
| DE3840961A1 (en) * | 1988-12-05 | 1990-06-07 | Hellige Gmbh | Ion-sensitive electrode and method for compensating for the temperature dependence in such electrodes |
| EP1080684A3 (en) * | 1999-09-03 | 2003-04-16 | Nihon Kohden Corporation | Sensor for measuring a gas or ion concentration in living tissue |
| EP1249700A3 (en) * | 2001-04-12 | 2004-02-04 | Micronas GmbH | Sensor for measuring an ionic concentration or a gaseous concentration |
| US6929728B2 (en) | 2001-04-12 | 2005-08-16 | Micronas Gmbh | Sensor for measuring a gas concentration or ion concentration |
| US7326974B2 (en) | 2002-11-22 | 2008-02-05 | Micronas Gmbh | Sensor for measuring a gas concentration or ion concentration |
| US10524703B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-01-07 | Dexcom, Inc. | Transcutaneous analyte sensor |
| US10610137B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-04-07 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10813577B2 (en) | 2005-06-21 | 2020-10-27 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764748A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Copying machine |
-
1980
- 1980-12-30 JP JP55187509A patent/JPS57113361A/en active Pending
-
1981
- 1981-11-09 DE DE19813144459 patent/DE3144459A1/en not_active Ceased
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0146977A1 (en) * | 1983-08-24 | 1985-07-03 | Cordis Europa N.V. | Apparatus for determining the activity of an ion (pion) in a liquid |
| US4691167A (en) * | 1983-08-24 | 1987-09-01 | Sentron V.O.F. | Apparatus for determining the activity of an ion (pIon) in a liquid |
| EP0155725A1 (en) * | 1984-02-27 | 1985-09-25 | Sentron v.o.f. | Ion concentration measurement system that employs measuring and reference field effect transistor electrodes sensitive to the same ion |
| DE8709786U1 (en) * | 1987-07-16 | 1987-09-10 | Conducta Gesellschaft für Meß- und Regeltechnik mbH & Co, 7016 Gerlingen | Multi-combination electrode with a temperature sensor |
| DE3840962A1 (en) * | 1988-12-05 | 1990-06-07 | Hellige Gmbh | Ion-sensitive electrode and method for compensating for the temperature dependence in such electrodes |
| DE3840961A1 (en) * | 1988-12-05 | 1990-06-07 | Hellige Gmbh | Ion-sensitive electrode and method for compensating for the temperature dependence in such electrodes |
| EP1080684A3 (en) * | 1999-09-03 | 2003-04-16 | Nihon Kohden Corporation | Sensor for measuring a gas or ion concentration in living tissue |
| EP1249700A3 (en) * | 2001-04-12 | 2004-02-04 | Micronas GmbH | Sensor for measuring an ionic concentration or a gaseous concentration |
| US6929728B2 (en) | 2001-04-12 | 2005-08-16 | Micronas Gmbh | Sensor for measuring a gas concentration or ion concentration |
| US6955749B2 (en) | 2001-04-12 | 2005-10-18 | Micronas Gmbh | Sensor for measuring an ion concentration or gas concentration |
| US7326974B2 (en) | 2002-11-22 | 2008-02-05 | Micronas Gmbh | Sensor for measuring a gas concentration or ion concentration |
| US10799158B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-10-13 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10932700B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-03-02 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US11883164B2 (en) | 2004-07-13 | 2024-01-30 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US11064917B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-07-20 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US11045120B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-06-29 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10709363B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-07-14 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US11026605B1 (en) | 2004-07-13 | 2021-06-08 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10709362B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-07-14 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10993642B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-05-04 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10722152B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-07-28 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10993641B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-05-04 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10524703B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-01-07 | Dexcom, Inc. | Transcutaneous analyte sensor |
| US10799159B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-10-13 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10813576B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-10-27 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10980452B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-04-20 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10827956B2 (en) | 2004-07-13 | 2020-11-10 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10918314B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10918315B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10918313B2 (en) | 2004-07-13 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
| US10743801B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-08-18 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10716498B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-07-21 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10918318B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10918316B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10856787B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-12-08 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10925524B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-02-23 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10918317B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-02-16 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10610137B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-04-07 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10898114B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-01-26 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10610136B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-04-07 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US11000213B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-05-11 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10709364B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-07-14 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10617336B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-04-14 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US11051726B2 (en) | 2005-03-10 | 2021-07-06 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10610135B2 (en) | 2005-03-10 | 2020-04-07 | Dexcom, Inc. | System and methods for processing analyte sensor data for sensor calibration |
| US10813577B2 (en) | 2005-06-21 | 2020-10-27 | Dexcom, Inc. | Analyte sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57113361A (en) | 1982-07-14 |
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