DE3035471A1

DE3035471A1 - Verstaerkerschaltkreis

Info

Publication number: DE3035471A1
Application number: DE19803035471
Authority: DE
Inventors: Satoshi Ishii; Kikuo Ishikawa; Akio Ozawa; Keishi Sato; Susumu Sueyoshi; Kijomi Yatsuhashi; Masamichi Tokyo Yumino
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1979-09-21
Filing date: 1980-09-19
Publication date: 1981-04-09
Also published as: JPS6119170B2; US4540951A; JPS5646311A; JPS6142965B2; US4433305A; GB2063604B; DE3035471C2; JPS5646310A; GB2063604A

Description

Be Schreibung

Die Erfindung betrifft einen Verstärkeschaltkreis. Insbesondere betrifft die Erfindung Gegentaktverstärker, bei denen bipolare Transistoren verwendet werden.

Bei Verstärkern ist es erforderlich, Verzerrungen des Ausganges so klein wie möglich zu halten. Eine große Vielzahl von Techniken zur Verringerung von Verzerrungen ist vorgeschlagen worden. Gemäß einer bekannten Technik wird die Verzerrung mittels Wechselstrom-Gegenkopplung verringert. In diesem Fall wird der Verstärkungsfaktor unvermeidlich verringert. Deshalb ist eine erhöhte Anzahl von Verstärkungselementen oder Stufen erforderlich, um den erwünschten Verstärkungsfaktor zu erhalten* Ferner wird die Stabilität des gesamten Verstärkerschaltkreises bei der Verwendung dieser Technik beeinträchtigt bzw. verringert .

Insbesondere haben Transistoren, die üblicherweise als Verstärkungselemente verwandt werden, eine nichtlineare Eingangs-Ausgangs-Kennlinie. In Hinblick auf diesen Nachteil wurde vorgeschlagen in hohem Maße eine Wechselstrom-Gegenkopplung zu verwenden. Jedoch kompensiert die Verwendung einer starken Gegenkopplung nicht adäquat die ITichtlinearitäten.

Ferner werden im allgemeinen in üblichen Gegentaktverstärker^ welche bipolare Transistoren verwenden, zwei Spannungsquellen, eine positive und eine negative ver-

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wandt. Mithin ist es erforderlich, stets den Potentialpegel am Ausgangsanschluß des Verstärkers auf einem neutralen Pegel zwischen dem positiven Pegel und dem negativen Pegel zu halten, d.h. auf dem Masse-Pegel.

Wenn eine Gleichspannung an dem Ausgangsanschluß aufträte, flöße ein Gleichstrom durch die Last, wie z»B. einen Lautsprecher, der mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, was eine Beschädigung des Lautsprechers zur IOlge hätte ο

Es ist somit eine wesentliche Zielsetzung der Erfindung, die vorhergehend beschriebenen Nachteile bei herkömmlichen Verstärker schaltkreisen auszuschließen bzw. zu beheben*

Insbesondere liegt eine Zielsetzung der Erfindung daxin, einen Transistor-Gegentaktverstärker zu schaffen₃ bei dem die nichtlinearen Verzerrungen, welche durch die Transistoren hervorgerufen werden, ohne die Verwenduigvon Wechselstrom-Gegenkopplungen aufgehoben werden» Eine andere Zielsetzung der Erfindung besteht darin, einen Transistorverstärker zu schaffen, bei dem Änderungen des Gleichspannungsausgangspot ent ialpe gels an dem Ausgangsanschluß festgestellt und genutzt werden, um eine Gleichstrom-Rückkopplung zu der Eingangsseite des Verstärkers zu bilden, wodurch die Stabilität des«Schaltkreises für sehr tiefe !Frequenzen in bemerkenswerter Weise verbessert wird»

Sowohl diese als auch andere Zielsetzungen der Erfindung werden durch einen Gegentaktverstärkerschaltkreis erreicht, der erste und zweite Verstärkungseinrichtungen

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oder Stufen aufweist. Die erste Verstärkungseinrichtung umfaßt einen ersten Transistor, an dessen Basis ein Eingangssignal gelegt wird, und einen zweiten Transistor, an dessen Basis der Ausgang des ersten Transistors gelegt wird, der zweite Transistor ist Tom entgegengesetzten Leitfähigkeit styp wie der erste Transistor. Kittel wie z.B„ ein Stromspiegelungsschaltkreis sind vorgesehen, um Ströme dem ersten und dem zweiten Transistor zuzuführen, wobei das Verhältnis der dem ersten und zweiten Transistor zugeführten Ströme konstant gehalten wird. In gleicher Weise umfaßt die zweite Verstärkungseinrichtung einen dritten Transistor, dessen Basis ein Eingangssignal sugeführt wird, welches das gleiche Eingangssignal sein kann, das der Basis des ersten Transistors zugeführt wird, und einen vierten Transistor, dessen Basis der Ausgang des dritten Transistors zugeführt wird» Der vierte Transistor ist in bezug auf den dritten Transistor vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp„ Mittel sind vorgesehen, um dem dritten und vierten Transistor Ströme zuzuführen, wobei das Verhältnis der dem dritten und vierten Transistor zugeführten Ströme konstant ist <> Eine Last ist verbunden, die von dem durch den ersten und zweiten Transistor und durch den dritten und vierten Transistor fließenden Strom betrieben wird. Der erste und der dritte Transistor können in Emitterfolgeschaltung miteinander verbunden sein, wobei ihre Emitterfolgeausgänge den Basen des zweiten und dritten Transistors zugeführt werden»

Diese Zielsetzungen der Erfindung xverden mit einem Verstärkerschaltkreis erreicht, welcher einen ersten Transistor, an dessen Basis ein Eingangssignal gelegt wird, und einem zx^eiten Transistor aufweist, an dessen Basis der Ausgang des ersten Transistors gelegt wird, wobei der

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zweite Transistor "bezüglich des ersten Transistors vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist. Mittel sind vorgesehen, um konstante Ströme dem ersten und zweiten Transistor zuzuführen, wobei diese Ströme ein konstantes Verhältnis haben. Ferner sind Mittel vorgesehen, um ein Ausgangs signal zu "bilden, welches den Inderungen der durch den ersten und zweiten Transistor fließenden Ströme entspricht. Es sind weiter Mittel zum Feststellen der Inderungen des Ausgangs der das Ausgangssignal erzeugenden Einrichtung vorgesehen, um eine den Änderungen entsprechende Bückfuhrspannung einem vorbestimmten Schaltkreispunkt zuzuführen. Der Ausgang der Feststelleinrichtung kann beispielsweise zur Emitterseite des zx-reiten Transistors zurückgeführt werden. Der erste Transistor kann in einer Emitterfolgeschaltung geschaltet sein, wobei der Emitterfolgeausgang des ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist. Der erste Transistor ist vorzugsweise vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der dritte Transistor.

Bei jeder dieser Ausführungsformen kann der Gegentaktverstärker schaltkreis ferner Mittel enthalten, um einen Ausgang zu liefern, der dem Strom, der durch den ersten und zweiten Transistor fließt, entspricht und dem Strom entspricht, der durch den dritten und vierten Transistor fließt, um dadurch die Last zu treiben. Mittel sind dann vorgesehen, um änderungen des Ausgangs bei der das Ausgangssignal erzeugenden Ein-

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richtung festzustellen, um dadurch eine Rückführspannung zu liefern, welche den Änderungen entspricht und die zu einem vorbestimmten Schaltkreispunkt geführt wird. Der Ausgang der Feststelleinrichtung wird vorzugsweise zu den Emittern des zweiten und vierten Transistors zurückgeführt. Der erste und dritte Transistor sind in diesem EaIl in einer Emitterfolgeschaltungsanordnung verbunden, wobei die Emitterfolgeausgänge der Basis des zweiten bzw. vierten Transistors zugeführt wird.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

IFig. 1 ein Schaltkreisdiagramm zur Erläuterung des Grundgedankens der Erfindung,

Fig. 2 ein Schaltkreisdiagramm eines bevorzugten Gegentaktverstärkerschaltkreises nach der Erfindung,

Fig. 3 ein Schaltkreisdiagramm einer anderen Ausführungsform eines Gegentaktverstärkerschaltkreises nach der Erfindung,

Fig. 4- ein Schaltkreisdiagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise eines Verstärkers, bei dem eine Gleichstromrückführung verwandt wird, und

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I¹Ig. 5 ein S chaltkre is diagramm einer bevorzugten Ausführungsform eines Gegentaktverstärkers mit einem Gleichstrom-Servo-Steuerschaltkreis nach der Erfindung.

Die Erfindung wird-nun im einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 seigt ein Schaltkreisdiagramm zur Erläuterung des Grundgedankens der Erfindung. Gemäß Pig* 1 umfaßt ein Verstärkerschaltkreis nach der Erfindung eine erste Verstärkerstufe 1 und eine zweite Verstärkerstufe 2, die in komplementär, symmetrischer Schaltungsanordnung gekoppelt sind» Die erste Verstärkerstufe 1 umfaßt einen Emitterfolge-PKP-Transistor Q^, dessen Emitterausgang der Basis eines HPF-Transistors Qo ^a-^s Basiseingang augeführt wird= Der Emitter des Transistors Qo ist über einen Emitterwiderstand IL mit einer negativen Spannungsquelle -B^ verbunden. Der Kollektor des Eingangstransistors Q^j ist direkt mit einer negativen Spannungsquelle -B₂ verbunden. Eine Stromquelle J, wie z.B. eine Stromspiegelungsschaltungsanordnung, ist vorgesehen, um Ströme I^ und Io mit einem konstanten Verhältnis den Transistoren CL· bzw«, Qo zuzuführen.

Der Stromspiegelungsschaltkreis 3 ist aus Emitterwiderständen Rg und-K, und Hö?-Transistoren Q^ und Q^ gebildet, deren Basen gemeinsam verbunden sind, wie es in ]?ig. 1 gezeigt ist» Der Transistor Q^, ist in Diodenschaltung geschaltet. Durch geeignete Auswahl der Viderstandswerte

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der Widerstände E₂ ^un<3· ^E3 wird das Verhältnis I,./Ip der Ströme, die den eat sprechenden Transistoren CL und Qp zugeführt werden, auf einen erwünschten Wert 1/pC eingestellt, wobei (K eine Eonstante ist. Bei der in I¹Ig. 1 gezeigten Ausführungsform wird die an dem Emitterwiderstand Ή-2 ^es Transistors CjL auftretende Spannung als ein Ausgangssignal VqUTI verwandt.

Die zweite Verstärkerstufe 2, welche komplementär mit der ersten Verstärkerstufe 1 gekoppelt ist, weist Transistoren Q^ - Qg auf, die den vorhergehenden Transistoren Q^ - Q^ als komplementäre Elemente entsprechen» Die Anordnung der Schaltkreiselemente der zweiten Verstärkerstufe 2 ist mit derjenigen bei der ersten Ver~ stärkerstufe 1 identisch* Die Transistoren Q₁₇ und Q„ "bilden einen Stromspiegelungsschaltkreis 4 als Stromversorgungsschaltkreis zusammen mit den Emitterwiderständen E₁- und Eg. Das Verhältnis der Ströme I^ und I^_} die su den entsprechenden Transistoren Qc- und Q^- geführt werden, wird wie vorhergehend beschrieben konstant gemacht.

Die Arbeitsweise der vorhergehend beschriebenen Schaltkreisanordnung wird im einzelnen lediglich unter besonderer Bezugnahme auf die erste Verstärkerstufe 1 beschrieben und die Arbeitsweise der beiden Stufen ist grundsätzlich die gleiche» Mit Y_ßE^ _un^ ^vbe2 ^als Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren Q^ und Qp gilt die folgende Gleichung:

+ v_BE1 - v_{BE2 +} B₃)ZR₁ . ; CD

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Allgemein läßt sich die Beziehung zwischen dem Kollektorstrom IC eines Transistors und der Basis-Emitter-Spannung V-g-g ausdrucken durch:

worin q die Elektronenladung, k die Boltzmann- Konstante, T die absolute Temperatur und Ig der Basis-Emitter-Sperr-Sättigungsstrom bedeuten. Somit kann (V - V-p-gp) ^-ⁿ Gleichung (1) ausgedrückt werden durch:

v - v = — -TT
^VBE1 BE2 q ^ll

xrorin T^, die Temperatur an der Sperrschicht zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q^ und Tg die Temperatur an der Sperrschicht zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Q₀ bedeuten. Da Ι_σ

C. O

für jeden Transistor ein fester Wert ist, kann Igdurch Ig^ ersetzt werden, wobei β eine Konstante ist. Ferner gilt, daß I_g sehr klein ist. Wenn ein ausreichend großer Kollektorstrom durch den Transistor fließt, ist Ι_π/Ι_σ wesentlich größer als 1. Deshalb ergibt sich der folgende Ausdruck:

]ς Ι-ι αϊ, ^VBE1 " ^VBE2 * q *

In Gleichung (4) gilt unter der Annahme, daß die Sperrschichttemperatur konstant ist:

^VBE1 - ^VBE2 * f f? WO - (5)

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Infolgedessen kann die rechte Seite der Gleichung (5) als Eonstante betrachtet werden. Wenn man den konstanten Wert mit f bezeichnet, kann die Gleichung (1) in der folgenden Weise beschrieben werden:

Io = (V™ ⁺·Β_+ γ) /R₁ - C6)

Als Ergebnis hiervon kann der Ausgang ^QTjm^ ausgedrückt werden durch:

^VOUT1 ^{= X}2^R2 - RT ^{C V}IN ^{+ B}3 ⁺ ϊ) · C7)

In gleicher Weise gilt für die zweite Verstärkerstufe 2 der folgende Ausdruck:

^V0UT2 - ΐ| C^VIN * B₃ ♦ γ ) . C8)

Wenn die entsprechenden Widerstandswerte der Widerstände ^, Ep, Ε- ^un^- -^s so bestimmt werden, daß E^= E^ und Ep= E₁ il d

gilt, dann sind die Ausgangs spannungen in geeigneter Weise kombiniert um eine Last im Gegentakt zu treiben, wobei der Verstärkungsfaktor des gesamten Gegentaktverstärkerschaltkreises gleich zweimal dem Verstärkungsfaktor in jeder Verstärkungsstufe ist, der durch Eg/E^ = E,-/E^ definiert ist. Es gilt ferner, daß der Endausgang vollkommen unabhängig von der Basis-Emitter-Spannung V-gjg ist. Somit werden Verzerrungen im Ausgang in hohem Maße unterdrückt. Hinzukommt, wie es auf diesem Gebiet der !echnik bekannt ist, daß wegen der Gegentakt anordnung die Verzerrung verringert ist, welche durch das Vorhandensein von gradzahligen, höheren harmonischen Auftritt. Dies

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führt somit zu einer großen Verbesserung hinsichtlicli der Verzerrungsverringerung im Ausgangssignal. Das heißt also, daß, obgleich, in jedem Verstärker, wie es durch die Gleichungen CO und (8) dargestellt ist, die Ausgangsspannungen V^ny, und V₀UrJi₂ ^{von den B}asis-Emitter-Spannungen Vg_E unabhängig sind, praktisch jedenfalls in Hinblick auf die Tatsache, daß die Transistoren voneinander unterschiedliche Kennlinien haben, jedoch die durch sie fließenden Basisströme unterschiedlich sind und eine vollkommene Verzerrungsunterdrückung kann in jeder Stufe nicht erzielt werden. Jedoch wird eine vollständige Verzerrungsunterdrückung nach der Erfindung erreicht, da die Schaltkreisanordnung eine Gegentaktanordnung aufweist.

Um ein Ausgangssignal zu erhalten, werden die Änderungen in den Strömen für das Ausgangssignal verwandt, die durch die Transistoren Q₂ und Qg fließen. Jedoch ist die Art und Weise, mit der das Ausgangssignal geschaffen wird, praktisch nicht auf die in Jig. 1 gezeigte Darstellung beschrankt. Genauer genommen können Widerstände zwischen dem Kollektor des Transistors Q₂ und der Stromquelle 3 und zwischen dem Kollektor des Transistors Qg bzw. der Stromquelle 4 vorgesehen werden, und die an den Transistoren abfallenden Spannungen können als Ausgangssignal verwandt werden. Ferner kann in dem Fall, in dem keine Verstärkung verlangt wird, der an jedem Emitterwiderstand R^ oder R^ auftretende Spannungsabfall verwandt werden. Auch können Widerstände in entweder den Kollektor- oder Emitterkreisen der Transistoren Q^ und Q₁- verwandt werden und die abfallende Spannung wird als Ausgangssignal verwandt, da die durch die Transistoren Q₂ und Q₆ fließenden Ströme auch durch die

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Transistoren Q^ und Q,- mit dem gleichen Stromverhältnis wegen der Arbeitsweise der Stromspiegelungsschaltkreise fließen.

Fig. 2 zeigt den Schaltkreis einer bevorzugten Ausführungsform eines Verstärkerschaltkreises, bei dem die Ausgänge der Verstärker 1 und 2, die in S¹Xg. 1 gezeigt sind, kombiniert werden,um eine Last (diese ist nicht gezeigt) im Gegentaktbetrieb zu treiben. In !"ig. 2 ist ein ENP-Transistor Qq, derart verbunden, daß die Basis des Transistors Qg gemeinsam mit der Basis des Transistors Q^, in dem Stromspiegelungsschaltkreis 3 gekoppelt ist, wobei der Emitter des Transistors Qq über einen Widerstand Er₇ mit einer positiven Spannungsquelle +B^ und sein Kollektor mit Masse über eine Bezugsvorspannungsquelle E^j und einen Widerstand Eq verbunden ist.

Ein NPH-Transistor Q_x,- ist vorgesehen, wobei die Basis des Transistors Q^q gemeinsam mit der Basis des Transistors Qo in dem Stromspiegelungsschaltkreis 4- verbunden ist, während sein Emitter über einen Widerstand Eg mit einer negativen Spannungsquelle -B.* und sein Kollektor über eine.Bezugsvorspannungsquelle E₂ und den Widerstand Eq mit Masse verbunden ist. Die Kollektorausgänge der Transistoren Qq und Q^q werden als Signale zum Ansteuern der Basen der Ausgangs-G-egentakttreibertransistoren Q^ und Q^jO verxfandt. Die Emitter des ΗΡΪΓ-Transistors Q_x,^ und des PMP-Transistors Q^p sind miteinander über Emitterwiderstände E,|q und E_x^ verbunden um die Last im Gegentaktbetrieb zu treiben.

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Im diesem Fall gelten die Bedingungen der Gleichung (1) ebenfalls, wenn das Verhältnis der Ströme, die durch die Transistoren Qq und Q^, fließen auf einem konstanten Wert 1 /et gehalten wird. Die Spannung V-g an der gemeinsamen Basisleitung (common "base line) des Stromspiegelungsschaltkreises 3 kann dann ausgedrückt werden durch:

^VB ^{= +B}1 '" ^VBE4 - V₂ * - . C9)"

Einsetzten der GMchung (1) in die Gleichung (9) ergibt:

^VB ^=+Bl - ^VBE4 - RJ" CV_1n + V_BE1 - V_ßE2 + B₃) , (1.0)

Der Strom 1^, welcher von dem Transistor Qq zu dem Widerstand Eq fließt, läßt sich darstellen durch:

- V_B )/R₇ ,

Deshalb gilt für die Basisspannung V„ des Transistors Q₁₁:

V₁ = I₃-R_{9 +} E₁ = ^B₁ - V_BE9 - V_B) + E₁ . (12)

Einsetzen der Gleichung (10) in Gleichung (12) ergibt:

* |CV_IN.* V_BE1 - V_BE2 * B₃>}₊ E₁ (13)

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In Gleichung (13) ist in Hinblick auf die Gleichung (5) ^^VBE1 ~ ⁷BE2^ ^ei^ne Eonstante γ und ( "Vgjyj. - ^be°P kann ausgedrückt xirerden durch:

^VBE4 * ^VBE9 ^ΦΤ toCßVa·), 0-4)

Die vorhergehende Gleichung stellt das Ig Verhältnis der Transistoren Qq und Q^ dar. Da dieser Ausdruck ebenfalls als eine Konstante y' betrachtet werden kann, ergibt sich:

T-¹*¹ ^C⁷IK⁺Y ^{+ 8}S" ^+Ei · ⁽¹⁵⁾

Bezüglich der Basisspannung Vp des Transistors Q^p in der zweiten Verstärkerstufe 2 ergibt sich in gleicher Weise die folgende Gleichung:

C16)

V/enn die Vorspannung E^ gleich der Summe aus der Basis-Emitter-Spannung VgEi^ des Transistors Q^^ und der Spannung über dem Widerstand E^q und die Vorspannung Ep gleich der Summe aus der Basis-Emitter-Spannung V-ß-g^p ^^es Transistors QLρ und der Spannung über den Widerstand R,,,, eingestellt bzw. gewählt wird, können E^ in Gleichung (15) und E₂ in Gleichung (16) eliminiert werden, um dadurch die Gegentakt-Ausgangssignalspannung "Vq·^ zu erhalten. Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt sich somit, daß

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diese Ausgangssignalspannung ^ουτ unabhängig von der Basis-Emitter-Spannung Vg_E des Verstärkungstransistors ist, was eine wesentliche Verringerung der Verzerrung zum Ergebnis hat.

In diesem lall ist, wie es sich aus den Gleichungen (15) und (16) ergibt die GesamtverStärkung des Schaltkreises gleich zweimal der Verstärkung eines gewöhnlichen, einfachen Verstärkers, wenn die Widerstandswerte der Widerstände Iti, Rp? -^Zp ^E5> ^E7 ^urL(3· ^E8 ^s0 S^ewä^nl'^{:' werden, daß E^l = R^,, Rp = R₁- und Rr, = Ro gilt. Ferner kommt hinzu, daß die Spannungs-verschiebung (Offsetspannung) der Ausgangssignalspannung VQxjm ebenfalls Null ist, wie es erwünscht ist.

Fig. 3 zeigt ein Schaltkreisdiagramm einer anderen Aus-· führungsform eines Verstärkerschaltkreises nach der Erfindung, in dem die Schaltkreiselemente, die mit den in Fig. 1 gezeigten übereinstimmen,die gleichen Bezügszeichen tragen. Bei dieser Ausführungsform sind die Basisvorspannungsquellen E^ und E^ mit den Basen der Transistoren Q^ bzw. Q,- in der Eingangsstufe verbunden und es ist fernei* ein Eingangswiderstand R^₂ vorgesehen. Die Kollektoren der Transistoren Q-, und Qc- sind gemeinsam miteinander verbunden und die Emitterwider stände R^ und R₂, der Ausgangstransistoren Q₂ und Qg sind ,miteinander verbunden, wobei der gemeinsame Verbindungspunkt als Ausgangsanschluß verwandt wird. Ein Vergleich mit der Ausführungsform gemäß Fig. 2 zeigt, daß die Anzahl der Spannungsquellen verringert ist und daß trotzdem

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die Verschiebespannung bei-der Ausgangssignal spannung Y- auf UuIl reduziert ist. Es wird darauf hingewiesen, daß ein PNP-Transistor Q₁₅ und ein HPF-Transistor zusätzlich, in den Stromspiegelungsschaltkreisen 3 "bzw. 4-vorgesehen ist, um die Genauigkeit der Stromspiegelungsausgänge zu verbessern, wodurch das Verhältnis der Ströme, die den Transistoren Q^ und Q₁^ zugeführt werden, und das Verhältnis der Ströme, die den Transistoren Qr₇ und Qo zugeführt werden, wirkungsvoller konstant gemacht werden* um irgendeine Verzerrung in den Basis-Emitter-Spannungen der entsprechenden Transistoren vollkommen zu eliminieren.

Bei den vorhergehend beschriebenen Ausführungsformen der Verstärkerschaltkreise, die erfindungsgemäß ausgebildet sind und bei denen der Verstärkungsfaktor eins ist, da die Transistoren in den entsprechenden Stufen als Emitterfolger geschaltet sind, können, da der Verstärkerschaltkreis als ein B-G-egentaktverstärker ausgebildet ist, ITichtlinearitäten im Ausgangssignal, die durch Nichtlinearitäten in den Basis-Emitter-Spannungen Vg-r. hervorgerufen werden, vollkommen eliminiert werden, wodurch eine Kreuzkopplungsverzerrung entfernt wird.

Im folgenden wird ein Verstärker schaltkreis beschrieben, bei dem Änderungen des Gleichstrom-Ausgangspegels am Ausgangsanschluß des Verstärkers festgestellt und als ein Gleichstrom-Pegel der Eingai^sseite des Verstärkers zugeführt wird, wodurch eine Verbesserung in Hinblick auf die Stabilität des. Schaltkreises im Bereich sehr tiefer Frequenzen erzielt wird.

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Fig. 4- zeigt ein Schaltkreisdiagramm zur Erläuterung des Arbeitsprinzips eines Verstärkerschaltkreises,bei dem eine Gleichspannungs-Rückführung eingesetzt ist. In dieser Figur sind die gleichen Schaltkreiselemente wie bei denen der Figuren 1 bis 3 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Ein Schaltkreis 5 zum Feststellen von Gleichstrom-Pegeländerungen arbeitet derart, daß Gleichstrom-Pegeländerungen am Ausgangsanschluß des Verstärkerschaltkreises festgestellt werden, wobei dieser Schaltkreis durch einen Gleichstrom-Servoschaltkreis und einen Inverter 6 gebildet wird. Der Inverter 6 invertiert die Polarität eines Signals, welches den Ausgangsänderungen entspricht, und führt das invertierte Signal über einen Emitterwiderstand R^.zu dem Emitter des Transistors Qo-

In diesem Schaltkreis, in dem IL = R^a ⁺ &13 Falle der Schaltkreise gemäß den Figuren 1 bis 3 gilt, werden die Bedingungen der Gleichungen (1) bis (6) erfüllt. Deshalb kann die Ausgangsspannung ^q-^i^ ausgedrückt; werden durch:

VJie sich ohne weiteres aus Gleichung (7') ergibt, wird die Verstärkung des Schaltkreis.es durch Ro/R^ definiert und der Ausgang V^™ ist vollkommen von der Basis-Emitter-Spannung V₃₁₅, des Verstärkungstransistors unabhängig. Infolgedessen werden Verzerrungen unterdrückt.

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Wenn der Gleichspannungspegel zunimmt, stellt der Schaltkreis 5 zum Feststellen der Gleichstrompegeländerung dieses 'fest und erzeugt in Abhängigkeit davon ein hierzu proportionales Gleichspannungssignal. Das Gleichspannungssignal wird dem Inverter 6 zugeführt, welcher dessen Polarität umkehrt. Dann wird das so erhaltene Servo-Spannungssignal dem Emitter des Transistors Q₂ zugeführt. Als Ergebnis hiervon nimmt die Emitterspannung ab und somit wird der durch den Transistor Q₂ fließende Strom erhöht, wodurch der Spannungsabfall über den Widerstand Rp ebenfalls ansteigt. Demgemäß wird der Gleichspannungs- pegel am Ausgangsanschluß verringert. Die Gleichspannungsservosteuerung wird in der vorhergehend beschriebenen Weise erzielt.

Ein Filter für dan Uiederfrequenzbereich, wie z.B. ein Glättungsschaltkreis wird als Schaltkreis 5 zum Feststellen der Gleichspannungspegeländerungen verwandt. Somit können nicht nur Gieichstrom-bzw. Gleichspannungskomponenten sondern auch Pegeländerungen mit sehr niederfrequenten Komponenten festgestellt werden. Deshalb wird für solche niedere Frequenzen eine Gegenkopplung durchgeführt, um dadurch die Stabilität des Schaltkreises zu verbessern. Gemäß dieser Ausbildung hat dieser Torgang keine Wirkung auf die Signalleitung, da die Emitterspannung des Transistors Q₂, ö-.h. die an der Spannungsquellenleitung auftretende Spannung als Funktion der Gleichspannungsservosteuerung verändert wird. Somit tritt keine Interferenz bzw. Störung bezüglich des Signalsystems auf, wodurch eine stabilere Gleichspannungs-

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servosteuerung erhalten wird. Die vorhergehenden Zielsetzungen der Erfindung x«rerden also mit einem Schaltkreis erreicht, der äußerst einfach ausgelegt ist.

Es wird darauf hingewiesen, daß ein Ausgangssignal auf verschiedene Weisen erhalten werden kann. Beispielsweise kann die über den Widerstand auftretende Spannung als Ausgangssignal verwandt werden, welcher zwischen dem Kollektor des Transistors Q₂ ^un^· ^-^er Spannungsquelle 3 geschaltet ist. Ferner können in gleicher Weise Änderungen des durch den Transistor Q^ fließenden Stromes als Ausgangssignal verwandt werden, da das Verhältnis der durch die Transistoren Q^ und Q₂ fließenden Ströme koniant ist.

Pig. 5 zeigt ein Schaltkreisdiagramm einer "bevorzugten Ausführungsform eines G-egentaktverstärkers, der den vorhergehend beschriebenen Servosteuerschaltkreis enthält. In Pig. 5 sind die gleichen Schaltkreiselemente wie jene gemäß 5¹Xg. 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Der Ausgang des Schaltkreises 5 zum Feststellen von Gleichspannungspegeländerungen wird den Emittern der Transistoren Q₂ ^uri^· Qg zugeführt. Die Emitterwiderstände E^ und E^ der Transistoren Q₂ und Qg sind mit dem Verbindungspunkt zwischen den Spanmmgsteilerviiderständen E^₂ und E^ ^ bzw. dem Verbindungspunkt zwischen den Spannur^teilerwiderständen und E^]C verbunden, wobei diese Widerstände einen

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Spannungsteilerschaltkreis der Spannungsquelle +B^ und -B^, bilden. Die Servogleichspannung wird einem neutralen Punkt A des SpannungsteilerSchaltkreises zugeführt.

Bei diesem Schaltkreis sind die Bedingungen der Gleichungen (9) bis (16) ebenfalls erfüllt. Deshalb wird die gleiche Wirkung wie bei dem Schaltkreis erhalten, der in JB¹Xg. 2 gezeigt ist. lerner wird aufgrund des Gleichspannungsservoschaltkreises beim Auftreten einer Gleichspannungspegeländerung am Ausgangsanschluß, eine der Änderung proportionale, positive Servospannung durch den Feststellschaltkreis 5 erzeugt und den Emittern der Transistoren Q₂ ^un<3- Q5 zugeführt. Als Ergebnis hiervon nehmen die durch die Transistoren Q₂ und Q₆ fließenden Ströme zu, wodurch die durch die Transistoren Qq und Q^q fließenden Ströme ebenfalls erhöht werden. Infolgedessen werden die Basisspannungen der Ausgangstransistoren QL^ und Q^₂ verringert, wodurch der Gleichspannungspegel am Ausgangsanschluß verringert wird.

Wie vorhergehend beschrieben wird gemäß der Erfindung die Verzerrung unterdrückt, welche durch die Basis-Emitter-Spannung Y-g-g hervorgerufen wird, und die durch gradzahlige, höhere Harmonische hervorgerufene Verzerrung wird eliminiert. Deshalb ist die Unterdrückung der Verzerrung im Ausgangs signal verglichen mit einem normalen Gegentaktverstärker äußerst groß. Ferner wird die Stabilität des Verstärkerschaltkreises im Bereich sehr niederer !Frequenzen aufgrund der Verwendung einer Gleichspannungsservosteuerung wesentlich verbessert.

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Während "bei den vorhergehend beschriebenen Ausführungsformen Stromspiegelungsschaltkreise verwandt wurden, um den entsprechenden Transistoren Strom zuzuführen, können andere Schaltkreise, die die gleiche Punktion wie die Stromspiegelungsschaltkreise erfüllen, auch verwandt werden, wenn dies erwünscht ist.

Zusammenfassend ergibt sich somit, daß durch die Erfindung ein Gegentaktverstärkerschaltkreis geschaffen xfird, bei dem bipolare Transistoren verwandt werden und bei dem durch die Basis-Emitter-Spannungen der ■Verstärkungstransistoren des Schaltkreises hervorgerufene nichtlineare Verzerrungen eliminiert werden, ohne daß eine negative Wechsel Spannungsrückkopplung verwandt wird, und wobei Änderungen des Gleichspannungsausgangspegels am Ausgangsanschluß des Verstärkers festgestellt und der Eingangsseite des Verstärkers zugeführt werden, wodurch die Stabilität des Schaltkreises im Bereich sehr niederer Frequenzen wesentlich verbessert wird. Eine erste Verstärkerstufe umfaßt einen ersten Transistor, an dessen Basis ein Eingangssignal gelegt wird, und einen zweiten Transistor dessen Basis mit dem Ausgang des ersten Transistors gekoppelt ist, wobei der zweite Transistor von entgegengesetzter Leitfähigkeitsart wie der erste Transistor ist. Ein Stromspiegelungsschaltkreis liefert Ströme für den ersten und zweiten Transistor, wob ei die zugeführten Ströme ein konstantes Verhältnis aufweisen. Eine zweite Verstärkerstufe mit der gleichen Ausgestaltung ist vorgesehen. Eine Last ist verbunden und wird auch den. Strom, welcher durch den ersten Transistor in der ersten Verstärkerstufe und durch den entsprechenden Transistor

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der zweiten Yerstärkerstufe fließt, "betrieben. Änderungen am Ausgang des Schaltkreises werden festgestellt,· um eine Gleichspannungsrückführspannung zu schaffen, welche den Emitterschaltkreisen in den Eingangsstufen des Verstärkers zugeführt wird.

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Leerseite

Claims

PAT E N TA N WA LT E

A. GRUNECKER

Ol PL-INS

H. KINKELDEY

OfI-ING.

W. STOCKMAIR

Da-ING-AaE(CAlTECH

K. SCHLiMANN

Da BER NAT · DPu-PHYS

P. H. JAKOB

G. BEZOLD

Ca RER NAT.· OPt-CHEM

8 MÜNCHEN 22

MAXIiViILlANSTRASSE 43

P 15 483-

PIOEEER ELECTRONIC CORPORATION

No. 4-1, Meguro 1-chome. Meguro-kn, Tokyo, Japan

Verstärkerschaltkreis

Pat ent anspriiche

1. Verstärkerschaltkreis, dadurch gekennseich net, daß ein erster Transistor (Q^), an dessen Basis ein Eingangssignal gelegt wird,, ein zweiter Transistor (Q₂) der vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (Q^) ist und dessen Basis mit dem Ausgang des ersten Transistors (Q^) gekoppelt ist, und eine Einrichtung (3»4) vorgesehen sind, durch die dem ersten und dem zweiten Transistor Ströme zuführbar sind, deren Verhältnis konstant ist.

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TELEFON (OBS) 92 28 62

TELEX O5-29 38O

TELEGRAMME MONAPAT

TELEKOPIERER

2. Verstärker nach Anspruch. 1, dadurch, gekennzeichnet , daß die Einrichtung zur Stromzufuhr einen Stromspiegelungsschaltkreis (3,4) aufxfeist.

3· Verstärker nach Anspruch Λ oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß eine Einrichtung (5₉6) zum Rückführen eines Signals, welches Änderungen an einem Ausgang des Verstärkers darstellt, zu einer vorgegebenen Schaltkreisverbindung vorgesehen ist.

4. Gegentaktver stärkerschalt kreis, gekennzeichnet durch eine erste Verstärkereinrichtung, die einen ersten Transistor (Q^), dessen Basis mit einem Eingangssignal beaufschlagtar ist und einen zweiten Transistor (Q₂) ■> 3XL dessen Basis der Ausgang des ersten Transistors (Q,,) gelegt ist_? wobei der zweite Transistor (Q₂) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (Q^) ist, und eine Einrichtung (3) zum Versorgen des ersten und zweiten Transistors (Q^, Q₂) mit Strömen umfaßt, deren Verhältnis konstant ist, durch eine zweite Verstärkereinrichtung mit einem dritten Transistor (Q.,), dessen Basis mit einem Eingangssignal beaufschlagbar ist, mit einem vierten Transistor (Q₂,), an dessen Basis ein Ausgang des dritten Transistors (Q^) gelegt ist, wobei der vierte Transistor (Q^) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der dritte Transistor (Q,) ist, und mit einer Einrichtung (4) zur Versorgung des dritten und vierten Transistors (Q^, Q/j.) mit Strömen, wobei das Verhältnis dieser Ströme konstant ist, und durch eine angekoppelte Last, die durch dem Strom, der durch den ersten und dritten Transistor (Q^,, Q^) fließt oder den

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Strom betreibbar ist, der durch den zweiten und vierten Transistor (Q₂, Q^) fließt.

5- Gegentaktverstärkerschaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der erste und dritte Transistor (Q^, Q₇) in Emitterfolgeschaltung verbunden sind, wobei der Emitterfolgeausgang der Basis des zweiten und vierten Transistors (Q25 Q4.) zugeführt wird.

6. Gegentaktverstärkerschaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Transistor (Q^) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der dritte Transistor (Q^) ist.

7- Verstärkerschaltkreis gekennzeichnet durch einen ersten Transistor (Q/]) an dessen Basis ein Eingangssignal legbar ist, durch einen zweiten Transistor (Q₂), an dessen Basis der Ausgang des ersten Transistors (Q^) gelegt ist, wobei der zweite Transistor (Qp) ^{vom en}£g^eSengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (Q^) ist, durch eine Einrichtung (3), durch die dein ersten und zweiten Transistor (Q^, Q₂) Ströme zuführbar sind, wobei die Ströme ein konstantes Verhältnis haben,durch eine Einrichtung , die einen Ausgang liefert, der den änderungen der durch den ersten und zweiten Transistor (Q^, Qp) fließenden Ströme entspricht, und durch eine Einrichtung (5»6) zum Feststellen von Änderungen des Ausgangs der ein Ausgangssignal erzeugenden Einrichtung, um eine diesen .Änderungen entrpτ-sehende Rückführspannung einem vorbestimmten Schalt-

zuzuführen.

BAD ORIGINAL

8. Verstärkerschaltkreis nach. Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der Ausgang der feststelleinrichtung (5,6) der Emitterseite des zweiten Transistors (Q₂) zugeführt wird.

9·· Verstärkerschaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Transistor (CL) in Emitterfolgeschaltung verbunden ist, wobei der Emitterfolgeausgang des ersten Transistors (Q^) der Basis des zweiten Transistors (Q2) zugefüht wird.

10. Gegentaktverstärkerschaltkreis nach Anspruch 4- oder 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Gegentaktverstärkerschaltkreis eine Einrichtung zur Erzeugung eines Ausgangssignals, xvelches dem Strom, der durch den ersten und den zweiten Transistor (CL, Qo) fließt ,oder dem Strom entspricht, welcher durch den dritten und den vierten Transistor (Q^, Q^) fließt, um die Last zu treiben, und eine Einrichtung (5,6) zum Peststellen von Änderungen des Ausganges der ein Ausgangssignal erzeugenden Einrichtung aufweist, um eine diesen Änderungen entsprechende Hü ckf uhr spannung für einen vorbestimmten Schaltkreisverbindungspunkt zu liefern.

11. Gegentaktverstärker nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Ausgang der Feststelleinrichtung den Emittern des zweiten und vierten Transistors (Q₂, Q4.) zugeführt wird.

12. Gegentaktverstärker nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß der erste und dritte Transistor (Q,*, Q^) in Emitterfolgeschaltung miteinander verbunden sind, wobei die Emitterfolgeausgänge an die

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Basis des zweiten bzxtf. vierten Transistors (Qoj Q/.) gelegt sind.

13» Verstärkerschaltkreis, gekennzeichnet durch einen ersten PHP-Transistor (Q/j), wobei ein Eingangssignal an die Basis des ersten PHP-Transistors (Q^) legbar ist, durch einen zweiten HPH-Transistor (Q₂) wobei die Basis des HPF-Transistors mit dem Emitter des ersten PHP-Transistors (Q^ ) gekoppelt ist, durch einen dritten PHP-Transistor (Q^), xfobei der Kollektor des dritten PHP-Transistors (Q^) mit dem Emitter des ersten PHP-Transistors gekoppelt ist, durch einen vierten PHP-Transistor (Q;,), xtfobei die Basis und der Kollektor des vierten PHP-Transistors mit der Basis des dritten PHP-Transistors und dem Kollektor des zweiten HPH-Transistors (Qo) gekoppelt sind, durch einen fünften HPB-Transistor (Qc)₃ wobei an die Basis des fünften HPH-Transistors (Q₁-) das Eingangssignal gekoppelt ist, durch einen sechsten PHP-Transistor (Qg), wobei die Basis des sechsten PHP-Transistors an den Emitter des fünften HPH -Transistors an den Emitter des fünften HPK-Transistors (Q₁-) gekoppelt ist, durch einen siebten HPH-Transistor (Q^)₉ wobei der Kollektor des siebten ΗΡΪΓ-Transistors (Qn) mit dem Emitter des fünften Transistor (Q^) und der Basis des sechsten Transistors (Q₆) gekoppelt ist, durch einen achten HPH-Transistor (Qg),_β wobei die Basis und der Kollektor- des achten HPIf-Transistors (Q₈) mit der Basis des siebten ΗΡΪΓ-Transistors (Q₇) und dem Kollektor des sechsten PHP Transistors (Qg) gekoppelt sind, durch eine erste, eine zweite und eine dritte positive Spannungsquelle (+B^, +B₂,+B^) und eine erste, eine zweite und eine dritte negative Spannungsquelle (-B^, -B₂, -B-,), durch einen

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ersten Widerstand (IL), welcher zwischen dem Emitter des zweiten HPH-Transistors (C^) und der dritten, negativen Spannungsquelle (-B₅,) verbunden ist, durch einen zweiten Widerstand (Rp) der zwischen dem Emitter des vierten PHP-Transistors (Q^) und der ersten,positiven Spannungsquelle (+IL) verbunden ist, durch einen dritten Widerstand (IU) der zwischen dem Emitter des dritten PHP-Transistors (Q^) und der ersten,positiven Spannungsquelle (+B,,) verbunden ist, durch einen vierten Widerstand (Ελ.) > äer zwischen dem Emitter des sechsten PHP-Transistors (Qc) und der dritten,positiven Spannungsquelle (+B^) verbunden ist, durch einen fünften Widerstand (R₁-), der zwischen dem Emitter des achten HPH-Transistors (Qg) und der ersten,negativen Spannungsquelle (-B^) verbunden ist und durch einen sechsten Widerstand (Hg), der zwischen dem Emitter des siebten HPH-Transistors (Qy) und der ersten, negativen Spannungsquelle (-B^) verbunden ist, wobei der Kollektor des fünften HPH-Transistors (Qc) mit der zweiten positiven Spannungsquelle (-Bp) und der Kollektor des ersten PHP-Transistors (Q.*) mit der zweiten, negativen Spannungsquelle (-Bp) verbunden ist.

14-. Verstärkeschaltkreis nach Anspruch 13? dadurch gekennzeichnet , daß vorgesehen sind ein neunter PHP-Transistor (Qq) ₅ wobei die Basis des neunten PHP-Transistors (Qn) mit der Basis des vierten PHP-Transistors verbunden ist, ein zehnter HPH-Translstor (Q-iq), wobei die Basis des zehnten HPH-Transistors mit der Basis des achten HPH-Transistors verbunden ist, ein elfter HPH-Transistor (Q^), wobei die Basis des elf ten HPN-Transistors (Q^) mit dem Kollektor des neunten PHP-Transistors (Qn) verbunden ist, ein zwölfter PHP-Transistor

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wobei die Basis des zwölften PHP-Transistors mit dem Kollektor des zehnten ΕΓΡΙί-Transistors und der Kollektor des elften ΗΡϊΓ-Transistors (Q^) mit der ersten, positiven Spannungsquelle (+B^) und der Kollektor des zwölften PHP-Transistors (Q^) ^mi* ■ der ersten, negativen Spannungsquelle (-B^) verbunden ist, eine erste Vorspannungsquelle (E^), deren positiver Anschluß mit der Basis des elften HPK-Transistors (Q^) verbunden ist, eine zweite Vorspannungsquelle (E~), deren positiver Anschluß mit dem negativen Anschluß der ersten Vorspannungsquelle (Ex,) und deren negativer Anschluß mit der Basis des zwölften PEP-Transistors (Q^p) verbunden ist, ein neunter Widerstand (Eq), dessen einer Anschluß mit der Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Vorspannungsquelle und dessen, anderer Anschluß mit Masseverbunden ist, ein zehnter Widerstand (IL₀), der zwischen dem Emitter des elften EPH-Transistors (Q^) und einem Ausgangsanschluß verbunden ist, und einen elften Widerstand (R^), der zwischen dem Emitter des zwölften PEP-Transistors o) und dem Ausgangsanschluß verbunden ist.

Verstärker nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß die dritte, positive Spannungsquelle (+B-,) und die dritte, negative Spannungsquelle (-B-z) zwölfte bis fünfzehnte Widerstände (R₁₀ R^ic) auf-

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weisen, die in Reihe zwischen der ersten, positiven Spannungsquelle (+B^) und der ersten, negativen Spannungsquelle (-B^) geschaltet sind, xrobei der zwölfte Widerstand (R^o) rait seinem ersten Anschluß mit der ersten,

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positiven Spannungsquelle (+B^,) und mit seinem zweiten Anschluß mit dem ersten Anschluß des dreizehnten Widerstandes (B^) verbunden ist, wobei ferner der zweite Anschluß des dreizehnten Widerstandes (IL ^) mit dem ersten Anschluß des vierzehnten Widerstandes (B^) und der zweite Anschluß des vierzehnten Widerstandes (E^ u) mit dem ersten Anschluß des fünfzehnten Widerstandes (ILj c) und der zweite Anschluß des fünfzehnten Widerstandes (E^c) mit der ersten,negativen Spannungsquelle (-B^) verbunden ist, wobei ferner der erste Widerstand (E_x,) zwischen dem Emitter des zweiten IPF-Transistors (Q₂) und der Verbindung zwischen dem vierzehnten und dem fünfzehnten Widerstand (E^, B^_n-) und der vierte Widerstand (E.) zwischen dem Emitter des sechsten PHP-Transistors und der Verbindung zwischen dem zwölften und dreizehnten Widerstand (B^₂, B^.,)verbunden ist und mit einer Einrichtung zur Erzeugung eines Signals, welches Änderungen des G-leichspannungspegels an dem Aus gangs ans chluß entspricht, wobei dies Signal zu der Verbindung zwischen dem dreizehnten und dem vierzehnten Widerstand (E.^, E^^) geführt ist.

16. Verstärkerschaltkreis, gekennzeichnet durch einen ersten PHP-Transistor (Q.)-eine erste Vorspannungsquelle (E₅,), deren positiver Anschluß mit der Basis des ersten PHP-Transistors (Q^) und deren negativer Anschluß mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, durch einen zweiten HPH-Transistor (Q₂)» wobei die Basis des zweiten NPN-Transistors (Q₂) mit dem Emitter des ersten ΡϊΓΡ-Transistors (Q.]) verbunden ist, durch einen dritten PHP-Transistor (Qz) ■> wobei der Kollektor des dritten PNP-Transistors (Q-)

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mit dem Emitter des ersten PHP-Transistors (CL) verbunden ist, durch einen vierten PHP-Transistor (Q^,), wobei die Basis des vierten PHP-Transistors (Q₂.) mit der Basis des dritten PHP-Transist>rs (QO und der Kollektor des vierten PHP-Transistors (Q^) mit dem Kollektor des zweiten HPH-Transistors (Q₂) verbunden ist, durch einen fünften HPH-Transistors (Q₁-), wobei der Kollektor des fünften HPH-Transistors (Qc) mit dem Kollektor des ersten PHP-Transistors (Q-i) verbunden ist, durch eine zweite Vorspannungsquelle (E^.), deren negativer Anschluß mit der Basis des fünften HPH-Transistors (Qj-) und deren positiver Anschluß mit dem Ein gangs ans chluß verbunden ist, durch einen sechsten PHP-Transistor (Q₅), wobei die Basis des sechsten PHP-Transistors (Qg) mit dem Emitter des fünften HPN-Transistors (Qc) verbunden ist, durch einen siebten HPH-Transistor (Q₇) wobei der Kollektor des siebten HPU-Transistörs (Q₇) mit dem Emitter des fünften HPH-Transistors (Q₁-) und der Basis des sechsten PHP-Transistors (Qg) verbunden ist, durch einen achten HPH-Transistors (Qo),wobei die Basis des achten HPH-Transistors (Qg) mit der Basis des siebten HPH-Transistors (Q₇) verbunden ist» durch einen neunten PHP-Transistor (Qo) wobei die Basis des neunten PHP-Transistors (Qjx) mit dem Kollektor des vierten PHP-Transistors (Q^)? der Emitter des neunten PHP-Transistors (Qg) mit der Basis des vierten PHP-Transistors (Q_A) und der Kollektor des neunten PHP-Transistors (Q₁^) mit dem Kollektor des dritten PHP-Transistors (Q^) verbunden ist, durch einen zehnten HPH- Transistor wobei die Basis des zehnten HPH-Transistors (Q^ ) mit dem Kollektor des achten HPH-Transistors (Q_g), der

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Kollektor des zehnten ΗΡίΓ-Iransistors (Q^) Hit dem Kollektor des siebten HPH-Transistors (Q₇) und der Emitter des zehnten HPET-Transistors (Q,,* ) mit der Basis des achten ΗΡΪΓ-Transistors (Qo) verbunden ist, durch einen zwischen dem Emitter des zweiten EPN-Transistors (Qp) ¹¹³¹CL einem Ausgangsanschluß geschalteten ersten Widerstand, durch einen zwischen dem Emitter des vierten PHP-Transistors (Q₁,) und einer positiven Spannungsquelle geschalteten zweiten Widerstand (R₂) -> durch einen zwisehen den Emitter des dritten PHP-Transistors (Q^) und die positive Spannungsquelle geschalteten dritten Widerstand (R^),durch einen zwischen den Emitter des sechsten PHP-Transistors (Qg) und den Ausgangsanschluß geschalteten vierten Widerstand (R/,) , durch einen zwischen den Emitter des achten HPH-Transistors (Qq) und eine negative Spannungsquelle geschalteten fünften Widerstand (R₁-) und durch einen zxcLschen den Emitter des siebten HPH-Transistors (Qn) und die negative Spannungsquelle geschalteten sechsten Widerstand (Rg)°

17. Verstärkerschaltkreis, gekennzeichnet durch einen ersten PNP-Transistor (Q^), wobei die Basis des ersten PHP-Transäsjor (Q^) mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, durch einen zweiten HPH-Transistor (Qp), wobei die Basis des zweiten MPU-Transistors (Qo) in.it dem Emitter des ersten PEP-Transistors (Q^) verbunden ist, durch einen dritten PHP-Transistor (Q^), wobei der Kollektor des dritten PHP-Transistors (Q?) mit dem Emitter des ersten PHP-Transistors (Q^) verbunden ist, durch einen vierten PHP-Transistor (Q^) , x-robei die Basis des vierten PHP-

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Transistors (Q/,) mit der Basis des dritten PHP-Transistors (Q^) und dem Kollektor des vierten PKP-Transistors (Q^) und dem Kollektor des zweiten HPH-Transistors (Q₂) verbunden ist, durch eine erste,positive Spannungsquelle (+B^) und eine erste und zweite, negative Spannungsquelle (-B₂, -B^) wobei der Kollektor des ersten PHP-Transistors (Q^) mit der ersten, negativen Spannungsquelle (-B₂) verbunden ist, durch erste und zweite Widerstände (R^E.-g) die in Reihe miteinander zxtfischen den Emitter des zvjeiten HPH-Transistors (Q₂) und der zweiten, negativen Spannungsquelle (-B-,) geschaltet sind, durch einen dritten Widerstand (E₂), der zwischen dem Emitter des vierten PHP-Transistors und der positiven Spannungsquelle (+B^) geschaltet ist, wo"bei der Emitter des vierten PHP-Transistors (Q^.) mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist, durch einen vierten Widerstand (E-,) , der zwischen den Emitter des dritten PHP-Transistors (Q^) und der positiven Spannungsquelle (+B^) geschaltet ist, durch eine Einrichtung (5) zur Erzeugung eines Signals, welches Änderungen bezüglich des Gleichspannungspegels des Signals am Ausgangsanschluß darstellt, und durch eine Einrichtung (6) zum Invertieren der Polarität des die Änderungen darstellenden Signals, wobei das invertierte Signal der Verbindung zwischen dem ersten (E^.) und dem zweiten (E^₅) Widerstand zugeführt wird.

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